一種碳化硅立柱抗氧化保護(hù)層的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種碳化硅立柱，具體涉及一種涂抹于碳化硅立柱表層的碳化硅立柱抗氧化保護(hù)層。
【背景技術(shù)】
[0002]目前窯車上的碳化硅質(zhì)立柱作為產(chǎn)品吊裝和燒成過程中的主要支撐體，在室溫至1600°C的燒成過程中，因氧化作用和水蒸氣、堿金屬揮發(fā)氣體腐蝕等原因，從碳化硅內(nèi)部大量析出二氧化硅，在加之水蒸氣和堿金屬的腐蝕作用，大大破壞了碳化硅立柱的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，降低了使用強(qiáng)度和使用壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是目前常用的碳化硅質(zhì)立柱易腐蝕，使用強(qiáng)度低，使用壽命短，提供一種降低腐蝕，延長碳化硅立柱使用壽命和使用強(qiáng)度的碳化硅立柱抗氧化保護(hù)層。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案:一種碳化硅立柱抗氧化保護(hù)層，它是由以下重量份的原料制成的:瓷土 1-5份、煅燒氧化鋁粉30-40份、莫來石50-60份、硅微粉10-15 份。
[0005]它是由以下重量份的原料制成的:瓷土 2-4份、煅燒氧化鋁粉32-38份、莫來石52-58份、硅微粉12-14份。
[0006]它是由以下重量份的原料制成的:瓷土 3份、煅燒氧化鋁粉35份、莫來石55份、硅微粉15份。
[0007]碳化硅立柱抗氧化保護(hù)層的制備方法，它包括以下步驟:1、將上述原料按相應(yīng)的重量份稱取混合后經(jīng)900-1200 V煅燒；2、將煅燒后的原料細(xì)磨至10-20 μ m制備成碳化硅立柱抗氧化保護(hù)材料；3、將步驟2制得的碳化硅立柱抗氧化保護(hù)材料用質(zhì)量濃度為1.2-1.5g/l的磷酸二氫鋁稀釋液混合；4、將步驟3所制得的混合物均勻刷涂到碳化硅立柱的表面即制得碳化硅立柱的抗氧化保護(hù)層。所述的磷酸二氫鋁稀釋液的用量為上述原料總重量的0.8-2倍。
[0008]采用上述技術(shù)方案的本發(fā)明能很好的隔絕碳化硅表面與外界的接觸，降低氧化作用減少水蒸氣、堿金屬等不良?xì)怏w的腐蝕效果，延長碳化硅立柱的使用壽命達(dá)50%，同時(shí)此保護(hù)層的熱膨脹系數(shù)基本與碳化硅材料相同，能有效避免因膨脹系數(shù)不同造成的保護(hù)層脫落。
【具體實(shí)施方式】
[0009]一種碳化硅立柱抗氧化保護(hù)層，它是由以下重量份的原料制成的:瓷土 1-5份、煅燒氧化鋁粉30-40份、莫來石50-60份、硅微粉10-15份。
[0010]它是由以下重量份的原料制成的:瓷土 2-4份、煅燒氧化鋁粉32-38份、莫來石52-58份、硅微粉12-14份。
[0011]它是由以下重量份的原料制成的:瓷土 3份、煅燒氧化鋁粉35份、莫來石55份、硅微粉15份。
[0012]碳化硅立柱抗氧化保護(hù)層的制備方法，它包括以下步驟:1、將上述原料按相應(yīng)的重量份稱取混合后經(jīng)900-1200°C煅燒，也可以在1000°C、110(TC下煅燒；2、將煅燒后的原料細(xì)磨至10-20 μ m制備成碳化娃立柱抗氧化保護(hù)材料；3、將步驟2制得的碳化娃立柱抗氧化保護(hù)材料用質(zhì)量濃度為1.2-1.5g/l的磷酸二氫鋁稀釋液混合；4、將步驟3所制得的混合物均勻刷涂到碳化硅立柱的表面即制得碳化硅立柱的抗氧化保護(hù)層。所述的磷酸二氫鋁稀釋液的用量為上述原料總重量的0.8-2倍?；旌衔锞鶆蛩⑼康教蓟枇⒅谋砻娴暮穸葹?.3-0.5mm,能很好的隔絕碳化硅表面與外界的接觸，降低氧化作用減少水蒸氣、堿金屬等不良?xì)怏w的腐蝕效果，延長碳化硅立柱的使用壽命達(dá)50%，同時(shí)此保護(hù)層的熱膨脹系數(shù)基本與碳化硅材料相同，能有效避免因膨脹系數(shù)不同造成的保護(hù)層脫落。
[0013]本發(fā)明原料的具體實(shí)施例如下:
實(shí)施例1:瓷土 3kg、煅燒氧化鋁粉35 kg、莫來石55 kg、硅微粉15 kg。
[0014]碳化硅立柱抗氧化保護(hù)層的制備方法，它包括以下步驟:1、將上述原料按相應(yīng)的重量份稱取混合后經(jīng)900°C煅燒；2、將煅燒后的原料細(xì)磨至10 μ m制備成碳化硅立柱抗氧化保護(hù)材料；3、將步驟2制得的碳化硅立柱抗氧化保護(hù)材料用質(zhì)量濃度為1.2g/l的磷酸二氫鋁稀釋液混合；4、將步驟3所制得的混合物均勻刷涂到碳化硅立柱的表面即制得碳化硅立柱的抗氧化保護(hù)層。磷酸二氫鋁稀釋液的用量為上述原料總重量的0.8倍。
[0015]實(shí)施例2:瓷土 1kg、煅燒氧化鋁粉40 kg、莫來石50 kg、硅微粉15 kg。
[0016]碳化硅立柱抗氧化保護(hù)層的制備方法，它包括以下步驟:1、將上述原料按相應(yīng)的重量份稱取混合后經(jīng)1000°c煅燒；2、將煅燒后的原料細(xì)磨至15 μ m制備成碳化硅立柱抗氧化保護(hù)材料；3、將步驟2制得的碳化硅立柱抗氧化保護(hù)材料用質(zhì)量濃度為1.3g/l的磷酸二氫鋁稀釋液混合；4、將步驟3所制得的混合物均勻刷涂到碳化硅立柱的表面即制得碳化硅立柱的抗氧化保護(hù)層。磷酸二氫鋁稀釋液的用量為上述原料總重量的I倍。
[0017]實(shí)施例3:瓷土 5kg、煅燒氧化鋁粉30 kg、莫來石60 kg、硅微粉10 kg。
[0018]碳化硅立柱抗氧化保護(hù)層的制備方法，它包括以下步驟:1、將上述原料按相應(yīng)的重量份稱取混合后經(jīng)1100°c煅燒；2、將煅燒后的原料細(xì)磨至15 μ m制備成碳化硅立柱抗氧化保護(hù)材料；3、將步驟2制得的碳化硅立柱抗氧化保護(hù)材料用質(zhì)量濃度為1.4g/l的磷酸二氫鋁稀釋液混合；4、將步驟3所制得的混合物均勻刷涂到碳化硅立柱的表面即制得碳化硅立柱的抗氧化保護(hù)層。磷酸二氫鋁稀釋液的用量為上述原料總重量的1.2倍。
[0019]實(shí)施例4:瓷土 2kg、煅燒氧化鋁粉38 kg、莫來石52 kg、硅微粉14kg。
[0020]碳化硅立柱抗氧化保護(hù)層的制備方法，它包括以下步驟:1、將上述原料按相應(yīng)的重量份稱取混合后經(jīng)1200°C煅燒；2、將煅燒后的原料細(xì)磨至20 μ m制備成碳化硅立柱抗氧化保護(hù)材料；3、將步驟2制得的碳化硅立柱抗氧化保護(hù)材料用質(zhì)量濃度為1.5g/l的磷酸二氫鋁稀釋液混合；4、將步驟3所制得的混合物均勻刷涂到碳化硅立柱的表面即制得碳化硅立柱的抗氧化保護(hù)層。磷酸二氫鋁稀釋液的用量為上述原料總重量的1.4倍。
[0021]實(shí)施例5:瓷土 4kg、煅燒氧化鋁粉32 kg、莫來石58 kg、硅微粉12 kg。
[0022]碳化硅立柱抗氧化保護(hù)層的制備方法，它包括以下步驟:1、將上述原料按相應(yīng)的重量份稱取混合后經(jīng)1150°C煅燒；2、將煅燒后的原料細(xì)磨至18 μ m制備成碳化硅立柱抗氧化保護(hù)材料；3、將步驟2制得的碳化硅立柱抗氧化保護(hù)材料用質(zhì)量濃度為1.4g/l的磷酸二氫鋁稀釋液混合；4、將步驟3所制得的混合物均勻刷涂到碳化硅立柱的表面即制得碳化硅立柱的抗氧化保護(hù)層。磷酸二氫鋁稀釋液的用量為上述原料總重量的1.6倍。
[0023]實(shí)施例6:瓷土 3kg、煅燒氧化鋁粉30 kg、莫來石55 kg、硅微粉12 kg。
[0024]碳化硅立柱抗氧化保護(hù)層的制備方法，它包括以下步驟:1、將上述原料按相應(yīng)的重量份稱取混合后經(jīng)1150°C煅燒；2、將煅燒后的原料細(xì)磨至18 μ m制備成碳化硅立柱抗氧化保護(hù)材料；3、將步驟2制得的碳化硅立柱抗氧化保護(hù)材料用質(zhì)量濃度為1.2g/l的磷酸二氫鋁稀釋液混合；4、將步驟3所制得的混合物均勻刷涂到碳化硅立柱的表面即制得碳化硅立柱的抗氧化保護(hù)層。磷酸二氫鋁稀釋液的用量為上述原料總重量的1.8倍。
[0025]實(shí)施例7:土 5kg、煅燒氧化鋁粉30 kg、莫來石55 kg、硅微粉10 kg。
[0026]碳化硅立柱抗氧化保護(hù)層的制備方法，它包括以下步驟:1、將上述原料按相應(yīng)的重量份稱取混合后經(jīng)1100°c煅燒；2、將煅燒后的原料細(xì)磨至15 μ m制備成碳化硅立柱抗氧化保護(hù)材料；3、將步驟2制得的碳化硅立柱抗氧化保護(hù)材料用質(zhì)量濃度為1.5g/l的磷酸二氫鋁稀釋液混合；4、將步驟3所制得的混合物均勻刷涂到碳化硅立柱的表面即制得碳化硅立柱的抗氧化保護(hù)層。磷酸二氫鋁稀釋液的用量為上述原料總重量的2倍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種碳化硅立柱抗氧化保護(hù)層，其特征在于:它是由以下重量份的原料制成的:瓷土 1-5份、煅燒氧化鋁粉30-40份、莫來石50-60份、硅微粉10-15份。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅立柱抗氧化保護(hù)層，其特征在于:它是由以下重量份的原料制成的:瓷土 2-4份、煅燒氧化鋁粉32-38份、莫來石52-58份、硅微粉12-14份。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的碳化硅立柱抗氧化保護(hù)層，其特征在于:它是由以下重量份的原料制成的:瓷土 3份、煅燒氧化鋁粉35份、莫來石55份、硅微粉15份。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的碳化硅立柱抗氧化保護(hù)層的制備方法，其特征在于:它包括以下步驟:1、將上述原料按相應(yīng)的重量份稱取混合后經(jīng)900-1200°C煅燒；2、將煅燒后的原料細(xì)磨至10-20 μ m制備成碳化硅立柱抗氧化保護(hù)材料；3、將步驟2制得的碳化硅立柱抗氧化保護(hù)材料用質(zhì)量濃度為1.2-1.5g/l的磷酸二氫鋁稀釋液混合；4、將步驟3所制得的混合物均勻刷涂到碳化硅立柱的表面即制得碳化硅立柱的抗氧化保護(hù)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碳化硅立柱抗氧化保護(hù)層的制備方法，其特征在于:所述的磷酸二氫鋁稀釋液的用量為上述原料總重量的0.8-2倍。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種碳化硅立柱抗氧化保護(hù)層，具體涉及一種涂抹于碳化硅立柱表層的碳化硅立柱抗氧化保護(hù)層。要解決的技術(shù)問題是目前常用的碳化硅質(zhì)立柱易腐蝕，使用強(qiáng)度低，使用壽命短。本發(fā)明由以下重量份的原料制成的：瓷土1-5份、煅燒氧化鋁粉30-40份、莫來石50-60份、硅微粉10-15份。采用這樣的技術(shù)方案后的本發(fā)明，能很好的隔絕碳化硅表面與外界的接觸，降低氧化作用減少水蒸氣、堿金屬等不良?xì)怏w的腐蝕效果，延長碳化硅立柱的使用壽命達(dá)50%，能有效避免因膨脹系數(shù)不同造成的保護(hù)層脫落。
【IPC分類】C04B41-85
【公開號】CN104671827
【申請?zhí)枴緾N201310605737
【發(fā)明人】夏東, 萬柯, 陳虎
【申請人】濟(jì)源賽孚工業(yè)陶瓷有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2013年11月26日