蝕刻液及電容式觸摸屏用玻璃的二次強(qiáng)化方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電容式觸摸屏領(lǐng)域，尤其涉及一種蝕刻液及電容式觸摸屏用玻璃的二 次強(qiáng)化方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 電容式觸摸屏（OGS，OneGlassSolution)技術(shù)是指在保護(hù)玻璃上直接形成導(dǎo)電 膜及傳感器的技術(shù)，一塊玻璃同時(shí)起到保護(hù)玻璃和觸摸傳感器的雙重作用。該玻璃簡(jiǎn)稱為 OGS玻璃。
[0003] 在OGS觸摸屏制備過(guò)程中，OGS玻璃經(jīng)過(guò)切割后，在切割處容易產(chǎn)生裂痕，進(jìn)而造 成OGS觸摸屏的抗彎強(qiáng)度下降，容易破碎。通常需要經(jīng)過(guò)后續(xù)的二次強(qiáng)化過(guò)程來(lái)克服上述 問(wèn)題。通常的方法是將OGS玻璃浸泡在純的HF中進(jìn)行二次強(qiáng)化處理，但是，該處理方法后 的玻璃的機(jī)械強(qiáng)度仍然較差，致使玻璃仍然較易破裂。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 鑒于此，有必要提供一種能夠提高電容式觸摸屏用玻璃的抗彎強(qiáng)度的蝕刻液。
[0005] 此外，還要提供一種能夠提高電容式觸摸屏用玻璃的機(jī)械強(qiáng)度的二次強(qiáng)化方法。
[0006] -種蝕刻液，按照質(zhì)量百分含量包括如下組分：10. 7%?12. 84%的HF、 10.51%?10.9%的圓03、3.48%?3.84%的11(：1、0.1%?0.3%的十二烷基磺酸鈉及水。
[0007] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，按照質(zhì)量百分含量包括如下組分：11. 2 %的HF、10. 9 %的 HN03、3. 5%的HC1、0. 15%的十二烷基磺酸鈉及水。
[0008] -種電容式觸摸屏用玻璃的二次強(qiáng)化方法，包括如下步驟：
[0009] 在玻璃的相對(duì)的兩個(gè)表面貼上抗酸膜；
[0010] 將貼有所述抗酸膜的玻璃置于蝕刻液中，于12°c?20°C保溫蝕刻15分鐘?20分 鐘，經(jīng)水洗，得到所述電容式觸摸屏用玻璃，其中，所述蝕刻液按照質(zhì)量百分含量包括如下 組分：10. 7%?12. 84% 的HF、10. 51%?10. 9% 的HN03、3. 48%?3. 84% 的HC1、0. 1%? 0. 3%的十二烷基磺酸鈉及水。
[0011] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述抗酸膜的材料為環(huán)氧丙烷和聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯的 混合物。
[0012] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，在將貼有所述抗酸膜的玻璃置于所述蝕刻液中的步驟之 前，還包括將貼有所述抗酸膜的玻璃于真空脫泡機(jī)中真空脫泡處理。
[0013] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述真空脫泡處理時(shí)的壓力為3. 5?5千克，時(shí)間為5?15 分鐘。
[0014] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，將貼有所述抗酸膜的玻璃置于所述蝕刻液中的步驟中，使 用傳動(dòng)滾輪將貼有所述抗酸膜的玻璃傳動(dòng)至所述蝕刻液中。
[0015] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述蝕刻液按照質(zhì)量百分含量包括如下組分：11. 2%的 HF、10.9 %的圓03、3. 5 %的HCl、0. 15 %的十二烷基磺酸鈉及水。
[0016] 上述蝕刻液中的HF能夠與玻璃的主要成分二氧化硅反應(yīng)，將小裂紋蝕刻掉，HCl 和HNO3作用在于增加酸液的酸性，同時(shí)將產(chǎn)生的反應(yīng)物能夠及時(shí)的從玻璃邊緣脫落，是反 應(yīng)能夠均勻進(jìn)行，十二烷基磺酸鈉的作用在于將酸液和玻璃表面的浸潤(rùn)性增強(qiáng)，使反應(yīng)更 加均勻，使得按照上述組分和配比得到的蝕刻液能夠有效改善蝕刻后的玻璃的抗彎強(qiáng)度。
【附圖說(shuō)明】
[0017] 圖1為一實(shí)施方式的電容式觸摸屏用玻璃的二次強(qiáng)化方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018] 為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述。附圖中 給出了本發(fā)明的較佳的實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，并不限于本文 所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)本發(fā)明的公開(kāi)內(nèi)容的理解更加透 徹全面。
[0019] 需要說(shuō)明的是，當(dāng)元件被稱為"固定于"另一個(gè)元件，它可以直接在另一個(gè)元件上 或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個(gè)元件被認(rèn)為是"連接"另一個(gè)元件，它可以是直接連接 到另一個(gè)元件或者可能同時(shí)存在居中元件。本文所使用的術(shù)語(yǔ)"垂直的"、"水平的"、"左"、 "右"以及類似的表述只是為了說(shuō)明的目的。
[0020] 除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的 技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具 體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語(yǔ)"及/或"包括一個(gè)或多個(gè) 相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。
[0021] 如圖1所不，一實(shí)施方式的蝕刻液，按照質(zhì)量百分含量包括如下組分：10. 7%? 12. 84% 的HF、10. 51%?10. 9% 的HN03、3. 48%?3. 84% 的HC1、0. 1 ?0? 3% 的十二烷基 磺酸鈉及水，
[0022] HF能夠與玻璃的主要成分二氧化硅反應(yīng)，將小裂紋蝕刻掉。
[0023] HNO3能夠增加酸液酸性，同時(shí)使得反應(yīng)的產(chǎn)物易于脫落。
[0024] HCl能夠增加酸液酸性，同時(shí)部分溶解HF與SiO2的反應(yīng)物。
[0025] 十二烷基磺酸鈉能夠使酸液和玻璃接觸的浸潤(rùn)性更好，從而使反應(yīng)更加均勻。
[0026] 優(yōu)選的，按照質(zhì)量百分含量，蝕刻液包括如下組分：11. 2%的HF、10. 9%的HN03、 3. 5%的HC1、0. 15%的十二烷基磺酸鈉及水。該配方的蝕刻液能夠在整體上蝕刻得均勻性 更好，更能夠有效改善蝕刻后的玻璃的機(jī)械強(qiáng)度。
[0027] 上述組分和配比的蝕刻液能夠有效改善蝕刻后的玻璃的機(jī)械強(qiáng)度。
[0028] 且上述蝕刻液的組分較少，易于配制，能夠有效地提高生產(chǎn)效率。
[0029] 如圖1所示，一實(shí)施方式的電容式觸摸屏用玻璃的二次強(qiáng)化方法，包括如下步驟：
[0030] 步驟SllO:在玻璃的相對(duì)的兩個(gè)表面貼上抗酸膜。
[0031] 其中，抗酸膜的材料為環(huán)氧丙烷和聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯的混合物。
[0032] 通過(guò)在玻璃的兩個(gè)表面貼上抗酸膜，從而阻止酸液滲透進(jìn)入到玻璃表面，造成玻 璃掉墨和蝕刻不良。
[0033] 步驟S120 :將貼有抗酸膜的玻璃置于蝕刻液中，于12°C?20°C保溫蝕刻15分 鐘?20分鐘，經(jīng)水洗，得到電容式觸摸屏用玻璃。
[0034] 其中，蝕刻液按照質(zhì)量百分含量包括如下組分：10.7%?12.84%的HF、 10.51%?10.9%的圓03、3.48%?3.84%的11(：1、0.1%?0.3%的十二烷基磺酸鈉及水。
[0035] 優(yōu)選的，按照質(zhì)量百分含量，蝕刻液包括如下組分：11. 2%的HF、10. 9%的HN03、 3. 5%的HC1、0. 15%的十二烷基磺酸鈉及水。
[0036] 在本實(shí)施例中，在將貼有抗酸膜的玻璃置于蝕刻液中的步驟之前，還包括將貼有 抗酸膜的玻璃于真空脫泡機(jī)中真空脫泡處理，以保證抗酸膜與玻璃之間沒(méi)有氣泡，避免因 氣泡的存在而導(dǎo)致在后期蝕刻過(guò)程中，造成外觀或者功能不良。
[0037] 在本實(shí)施例中，真空脫泡處理時(shí)的壓力為3. 5?5千克，時(shí)間為5?15分鐘。
[0038] 在本實(shí)施例中，將貼有抗酸膜的玻璃置于蝕刻液中的步驟中，使用傳動(dòng)滾輪將貼 有抗酸膜的玻