本公開的領(lǐng)域涉及用于清潔拉錠器設(shè)備的提拉纜線的清潔工具，且涉及用于清潔拉錠器設(shè)備的提拉纜線的方法。

背景技術(shù)：

1、單晶硅錠可通過所謂的丘克拉斯基(czochralski)工藝來生長，其中硅種晶與硅熔體接觸。硅種晶從熔體取出，引起由種晶懸掛的單晶硅錠形成。硅種晶被固定到連接到提拉纜線的晶種卡盤。提拉纜線支撐卡盤及種晶(及晶體生長期間的錠)。提拉纜線連接到提拉機構(gòu)，所述提拉機構(gòu)在拉錠器設(shè)備內(nèi)降低及升高提拉纜線。

2、在錠生長期間，熔體中可形成氧化硅。氧化硅從熔體運送且沉積在拉錠器設(shè)備內(nèi)，包含在拉錠器設(shè)備的提拉纜線上。例如碳的其它沉積物可從熔體運送，且可粘附到提拉纜線。在提拉纜線上形成的沉積物可能在錠生長期間從提拉纜線掉落，這可導(dǎo)致單晶硅錠的零位錯生長損失或引起錠中形成缺陷(例如，斷層(slip)或?qū)\晶(twin?lamella))。氧化硅可周期性地從提拉纜線移除以防止氧化物落入熔體。接觸提拉纜線的清潔操作可引起纜線損壞。損壞的纜線可能在錠生長期間斷裂，從而引起錠落入熔體。

3、需要清潔提拉纜線的工具及方法，所述工具及方法能夠從提拉纜線移除沉積物且在清潔過程期間不會導(dǎo)致提拉纜線受損。

4、本段落希望向讀者介紹可與下文描述及/或主張的本公開各種方面相關(guān)的技術(shù)的各種方面。此論述被認(rèn)為有助于向讀者提供背景信息，以促進(jìn)更好地了解本公開的各種方面。因此，應(yīng)了解，這些陳述是從此角度來閱讀，而非作為對現(xiàn)有技術(shù)的承認(rèn)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本公開的一個方面涉及一種用于清潔拉錠器設(shè)備的提拉纜線的清潔工具。所述清潔工具包含框架及延伸穿過所述框架用于接納所述提拉纜線的腔室。一或多個噴嘴將加壓流體引向所述提拉纜線。排氣管道帶走從所述一或多個噴嘴排出的流體。

2、本公開的另一方面涉及一種用于清潔拉錠器設(shè)備的提拉纜線的清潔工具。所述清潔工具包含框架及延伸穿過所述框架用于接納所述提拉纜線的腔室。一或多個噴嘴將加壓流體引向所述提拉纜線。所述工具包含用于將所述一或多個噴嘴升高及降低到所述拉錠器設(shè)備的上腔室中的可延伸把手。

3、本公開的又一方面涉及一種用于清潔拉錠器設(shè)備的提拉纜線的方法。所述拉錠器設(shè)備包含拉晶器外殼，所述拉晶器外殼界定用于從硅熔體提拉硅錠的生長腔室。所述拉晶器外殼包含下圓頂形區(qū)段及可移除地連接到所述下圓頂形區(qū)段的上圓柱形區(qū)段。所述提拉纜線定位在清潔工具的腔室內(nèi)。加壓流體被引向所述提拉纜線。通過用于處理所述加壓流體的所述清潔工具的排氣空腔來移除被引向所述提拉纜線的所述加壓流體。

4、存在與本公開的上述方面相關(guān)的所述特征的各種改進(jìn)。另外特征還可并入本公開的上述方面中。這些改進(jìn)及額外特征可單獨或以任何組合存在。舉例來說，下文論述的與本公開的任何所說明實施例相關(guān)的各種特征可單獨或以任何組合并入本公開的任何上述方面中。

技術(shù)特征：

1.一種用于清潔拉錠器設(shè)備的提拉纜線的清潔工具，所述清潔工具包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清潔工具，其中所述框架包括主體，所述主體包括底板及頂部，所述腔室延伸穿過所述底板及所述頂部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的清潔工具，其中所述排氣管道包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一權(quán)利要求所述的清潔工具，其包括一或多個外部引導(dǎo)件，所述一或多個外部引導(dǎo)件在清潔所述提拉纜線期間在所述拉錠器設(shè)備的上部腔室內(nèi)引導(dǎo)所述清潔工具。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的清潔工具，其中所述框架包括主體，所述腔室延伸穿過所述主體，所述一或多個外部引導(dǎo)件從所述主體徑向地向外安置。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的清潔工具，其中所述一或多個外部引導(dǎo)件中的每一者包括用于接觸所述拉錠器設(shè)備的上腔室的內(nèi)表面的滾輪。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一權(quán)利要求所述的清潔工具，其中所述清潔工具具有可延伸把手，用于將所述一或多個噴嘴升高及降低到所述拉錠器設(shè)備的上腔室中。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的清潔工具，其中所述可延伸把手包括排出管，所述排出管帶走從所述一或多個噴嘴排出的流體。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一權(quán)利要求所述的清潔工具，其中所述一或多個噴嘴包括第一噴嘴及第二噴嘴。

10.一種拉錠器系統(tǒng)，其用于制造單晶硅錠且用于在使用后清潔所述系統(tǒng)，所述拉錠器系統(tǒng)包括：

11.一種用于清潔拉錠器設(shè)備的提拉纜線的清潔工具，所述清潔工具包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的清潔工具，其中所述可延伸把手包括排氣管，所述排氣管具有流體通道，從所述一或多個噴嘴排出的流體穿過所述流體通道。

13.根據(jù)權(quán)利要求11或權(quán)利要求12所述的清潔工具，其中所述可延伸把手包括伸縮部分，所述伸縮部分使所述可延伸把手能夠延伸及縮回。

14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中任一權(quán)利要求所述的清潔工具，其包括一或多個外部引導(dǎo)件，所述一或多個外部引導(dǎo)件在清潔所述提拉纜線期間在所述拉錠器設(shè)備的上腔室內(nèi)引導(dǎo)所述清潔工具。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的清潔工具，其中所述框架包括主體，所述腔室延伸穿過所述主體，所述一或多個外部引導(dǎo)件從所述主體徑向地向外安置。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的清潔工具，其中所述一或多個外部引導(dǎo)件中的每一者包括用于接觸所述拉錠器設(shè)備的上腔室的內(nèi)表面的滾輪。

17.一種拉錠器系統(tǒng)，其用于制造單晶硅錠且用于在使用后清潔所述系統(tǒng)，所述拉錠器系統(tǒng)包括：

18.一種用于清潔拉錠器設(shè)備的提拉纜線的方法，所述拉錠器設(shè)備包括拉晶器外殼，所述拉晶器外殼界定用于從硅熔體提拉硅錠的生長腔室，所述拉晶器外殼包括下圓頂形區(qū)段及經(jīng)可移除地連接到所述下圓頂形區(qū)段的上圓柱形區(qū)段，所述方法包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其包括使所述清潔工具相對于所述提拉纜線移動，同時將加壓流體引向所述提拉纜線，且同時通過用于處理所述加壓流體的所述排氣空腔來移除所述加壓流體。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其包括使所述清潔工具移動穿過所述拉錠器設(shè)備的所述上圓柱形區(qū)段。

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其包括將所述上圓柱形區(qū)段與所述下圓頂形區(qū)段分離，且將所述清潔工具從所述上圓柱形區(qū)段的下端向上端移動。

22.根據(jù)權(quán)利要求20或權(quán)利要求21所述的方法，其中所述清潔工具包括一或多個外部引導(dǎo)件，所述一或多個外部引導(dǎo)件在所述上圓柱形區(qū)段內(nèi)引導(dǎo)所述清潔刀具。

23.根據(jù)權(quán)利要求18至22中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述加壓流體是空氣。

24.根據(jù)權(quán)利要求18至23中任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述提拉纜線包括多根鎢絲。

技術(shù)總結(jié)
公開清潔拉錠器設(shè)備的提拉纜線的清潔工具及用于清潔所述提拉纜線的方法。所述清潔工具包含用于接納所述提拉纜線的腔室。加壓流體通過一或多個噴嘴排出，以使碎屑與所述提拉纜線分離。所述流體及碎屑被收集在所述清潔工具的排氣空腔中，且通過排氣管排出。所述清潔工具包含一或多個引導(dǎo)件，所述一或多個引導(dǎo)件在所述拉錠器設(shè)備的上區(qū)段中引導(dǎo)所述清潔工具。

技術(shù)研發(fā)人員：何進(jìn)洪,鄭志凱,林政宜,蔡豐鍵,李東曉,Y·鄭,J·Y·嚴(yán)
受保護的技術(shù)使用者：環(huán)球晶圓股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6