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一種降低多晶硅晶錠頭部碳含量的排氣裝置的制作方法

文檔序號:12252098閱讀:402來源:國知局
一種降低多晶硅晶錠頭部碳含量的排氣裝置的制作方法

本發(fā)明涉及一種降低多晶硅晶錠頭部碳含量的排氣裝置,屬于光伏多晶硅鑄造技術(shù)領(lǐng)域。



背景技術(shù):

多晶硅鑄錠爐主要用于太陽能級多晶硅錠的大生產(chǎn),它采用先進(jìn)的多晶硅定向凝固技術(shù),將硅料高溫熔融后通過特殊工藝定向冷凝結(jié)晶,從而達(dá)到太陽能電池生產(chǎn)用多晶硅品質(zhì)的要求,是一種適用于長時(shí)間連續(xù)工作,高精度、高可靠性、自動化程度高的智能化大生產(chǎn)設(shè)備。現(xiàn)有多晶爐主要是通過爐腔側(cè)部的排氣管道,將爐腔內(nèi)部的雜質(zhì)往外排除,但是由于爐腔隔熱籠在加熱和融化階段是處于閉合狀態(tài)的,單靠側(cè)部排氣無法更好的排除硅錠內(nèi)部的雜質(zhì),特別是位于晶錠上部的碳雜質(zhì),從而影響鑄錠質(zhì)量。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,提供一種降低多晶硅晶錠頭部碳含量的排氣裝置,能夠很好的將晶錠上部的的碳雜質(zhì)排除,解決原來只能依靠側(cè)部排氣排雜、二期排雜效果差的情況。

本發(fā)明是通過如下的技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的:

一種降低多晶硅晶錠頭部碳含量的排氣裝置,包括隔熱籠,所述隔熱籠頂部設(shè)有頂板,所述頂板上設(shè)有排氣管組件,其中,所述排氣管組件包括主排氣管、第一連接管、第二連接管和OT連接管,所述主排氣管包括主通氣管、環(huán)扣和伸縮管,所述主通氣管底部設(shè)有法蘭,所述伸縮管和環(huán)扣內(nèi)壁均與主通氣管外壁配合,所述第一連接管有兩個(gè),所述第一連接管包括一級管、二級管和套管;

所述第一連接管和第二連接管與主排氣管之間均設(shè)有直角彎頭,兩個(gè)第一連接管與主排氣管之間設(shè)有三通彎頭,所述第一連接管和第二連接管之間設(shè)有聚氣盒,所述一級管和二級管端部與套管內(nèi)壁之間、第一連接管和第二連接管與直角彎頭之間、第二連接管與聚氣盒之間均設(shè)有螺紋配合;

所述聚氣盒包括盒體和盒蓋,所述盒蓋上設(shè)有若干定位孔,所述定位孔內(nèi)設(shè)有固定螺栓,所述固定螺栓上設(shè)有配合螺母,所述OT連接管底部與盒蓋相連。

上述一種降低多晶硅晶錠頭部碳含量的排氣裝置,其中,所述主通氣管外設(shè)有凸臺,所述凸臺與法蘭相連,所述伸縮管內(nèi)壁與主通氣管內(nèi)壁頂部之間設(shè)有螺紋配合。

上述一種降低多晶硅晶錠頭部碳含量的排氣裝置,其中,所述定位數(shù)目為4個(gè),且呈矩形分布,定位直徑大于固定螺栓直徑。

上述一種降低多晶硅晶錠頭部碳含量的排氣裝置,其中,所述一級管、二級管和第二連接管與頂板之間均設(shè)有支撐柱,所述支撐柱頂部設(shè)有弧形凹口,所述弧形凹口與一級管、二級管和第二連接管底部配合。

本發(fā)明的有益效果為:

由于定位直徑大于固定螺栓直徑,可以從四個(gè)方向調(diào)整盒蓋,使OT連接管與上爐腔的OT孔對接,從而使整個(gè)排氣管組件在隔熱籠在加熱和融化階段是處于閉合狀態(tài)時(shí),排除位于晶錠上部的碳雜質(zhì)。

通過環(huán)扣限位,可使伸縮管于主通氣管外部,通過螺紋配合調(diào)節(jié)至適宜位置,從而改變主排氣管長度;通過螺紋配合,可旋轉(zhuǎn)調(diào)節(jié)一級管和二級管端部與套管內(nèi)壁之間、第一連接管和第二連接管與直角彎頭之間、第二連接管與聚氣盒之間的距離,通過支撐柱型材支撐防止管道脫落。

綜上,本發(fā)明結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理,能夠很好的將晶錠上部的的碳雜質(zhì)排除,解決原來只能依靠側(cè)部排氣排雜、二期排雜效果差的情況。

附圖說明

圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明主排氣管裝配圖。

圖3為本發(fā)明聚氣盒裝配圖。

(圖中,隔熱籠1,頂板2,排氣管組件3,主排氣管4、第一連接管5、第二連接管6和OT連接管7,主通氣管8、環(huán)扣9和伸縮管10,法蘭11,凸臺12,一級管13、二級管14和套管15,直角彎頭16,三通彎頭17,聚氣盒18,盒體19和盒蓋20,定位孔21,固定螺栓22,配合螺母23,支撐柱24,弧形凹口25,側(cè)通口26,第一包邊27,第二包邊28)。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步說明。

一種降低多晶硅晶錠頭部碳含量的排氣裝置,包括隔熱籠,所述隔熱籠頂部設(shè)有頂板,所述頂板上設(shè)有排氣管組件,其中,所述排氣管組件包括主排氣管、第一連接管、第二連接管和OT連接管,所述主排氣管包括主通氣管、環(huán)扣和伸縮管,所述主通氣管底部設(shè)有法蘭,所述主通氣管外設(shè)有凸臺,所述凸臺與法蘭相連,所述伸縮管內(nèi)壁與主通氣管內(nèi)壁頂部之間設(shè)有螺紋配合,所述伸縮管和環(huán)扣內(nèi)壁均與主通氣管外壁配合,所述第一連接管有兩個(gè),所述第一連接管包括一級管、二級管和套管;

所述第一連接管和第二連接管與主排氣管之間均設(shè)有直角彎頭,兩個(gè)第一連接管與主排氣管之間設(shè)有三通彎頭,所述第一連接管和第二連接管之間設(shè)有聚氣盒,所述一級管和二級管端部與套管內(nèi)壁之間、第一連接管和第二連接管與直角彎頭之間、第二連接管與聚氣盒之間均設(shè)有螺紋配合;

所述聚氣盒包括盒體和盒蓋,所述盒蓋上設(shè)有定位孔,所述定位數(shù)目為4個(gè),且呈矩形分布,所述定位孔內(nèi)設(shè)有固定螺栓,定位直徑大于固定螺栓直徑,所述固定螺栓上設(shè)有配合螺母,所述OT連接管底部與盒蓋相連;

所述一級管、二級管和第二連接管與頂板之間均設(shè)有支撐柱,所述支撐柱頂部設(shè)有弧形凹口,所述弧形凹口與一級管、二級管和第二連接管底部配合;

所述隔熱籠側(cè)底部上設(shè)有若干側(cè)通口,若干側(cè)通口均勻間隔設(shè)置,所述側(cè)通口上設(shè)有第一包邊,所述第一包邊呈倒U形,所述隔熱底部四角處設(shè)有第二包邊,所述第二包邊截面呈底部設(shè)有倒角的V形結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的工作方式為:

由于定位直徑大于固定螺栓直徑,可以從四個(gè)方向調(diào)整盒蓋,使OT連接管與上爐腔的OT孔對接,從而使整個(gè)排氣管組件在隔熱籠在加熱和融化階段是處于閉合狀態(tài)時(shí),排除位于晶錠上部的碳雜質(zhì),通過側(cè)通口進(jìn)行側(cè)部排氣,且排氣效果好,包邊提升剛性。

實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證:原側(cè)部排氣頭部碳含量為8-9ppma,使用該裝置頭部碳含量降低至5-6個(gè)ppma,晶錠表面邊的光滑;晶磚切片硬質(zhì)點(diǎn)由2%降低到1.3%。

以上所述,僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式,但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到的變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。

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