專利名稱：晶種保持構(gòu)件及使用該晶種保持構(gòu)件的多結(jié)晶硅制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及設(shè)置在利用西門子法制造多結(jié)晶硅的爐內(nèi)并對(duì)作為種棒的硅芯材 (晶種)的下端部進(jìn)行保持的晶種保持構(gòu)件及使用該晶種保持構(gòu)件的多結(jié)晶硅制造方法。
背景技術(shù)：
作為半導(dǎo)體材料的高純度的多結(jié)晶硅目前主要通過西門子法制造(參照下述的專利文獻(xiàn)1)。具體說明，在制造多結(jié)晶硅的反應(yīng)爐內(nèi)豎立設(shè)置多根作為種棒的倒U字型的硅芯材(以下，稱為晶種)，該晶種的兩端部經(jīng)由晶種保持構(gòu)件支承在爐底部的電極上。并且，通過電極及晶種保持構(gòu)件對(duì)晶種通電。通過這樣對(duì)晶種進(jìn)行通電，從而晶種成為高溫， 爐內(nèi)的氯硅烷類及氫進(jìn)行反應(yīng)而在晶種的表面析出多結(jié)晶硅。隨著該反應(yīng)進(jìn)行而成長(zhǎng)為多結(jié)晶硅棒。這樣，在多結(jié)晶硅析出后，將晶種保持構(gòu)件折損，并將附著有多結(jié)晶硅的晶種向爐外取出，然后，進(jìn)行晶種保持構(gòu)件與多結(jié)晶硅的分開作業(yè)，從而將多結(jié)晶硅取出。先行技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1日本專利2867306號(hào)公報(bào)如上所述，需要在附著多結(jié)晶硅后進(jìn)行折損晶種保持構(gòu)件的作業(yè)，但因晶種保持構(gòu)件的強(qiáng)度高所以折損時(shí)的破壞載荷非常大。此外，由于可能對(duì)析出的多結(jié)晶硅造成污染， 因此無法進(jìn)行例如利用敲擊某物的沖擊的折離作業(yè)，而是一個(gè)一個(gè)地進(jìn)行手工作業(yè)。因此， 對(duì)于制造者而言，晶種保持構(gòu)件的折離作業(yè)成為大的負(fù)擔(dān)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況作出的。其目的在于提供一種晶種保持構(gòu)件及使用該晶種保持構(gòu)件的多結(jié)晶硅制造方法，所述晶種保持構(gòu)件通過在晶種保持構(gòu)件表面的任意部位形成折離用凹部，從而在施加破壞載荷時(shí)在該凹部產(chǎn)生應(yīng)力集中，能夠以比以往小的負(fù)荷進(jìn)行折離作業(yè)，能夠?qū)崿F(xiàn)勞力及時(shí)間的減少。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明為一種晶種保持構(gòu)件，其安裝于在利用西門子法制造多結(jié)晶硅的爐的底部設(shè)置的電極部上，是對(duì)作為種棒的晶種的下端部進(jìn)行保持的石墨制的晶種保持構(gòu)件，其特征在于，在外周面的任意部位形成有折離用凹部。在此，“外周面”是指在晶種保持于晶種保持構(gòu)件上的狀況下的晶種保持構(gòu)件的側(cè)面。通過形成該凹部，能夠在任意位置有意識(shí)地形成低強(qiáng)度的部分。在此，“凹部”是指包括洞、孔、槽等的概念。洞或孔的個(gè)數(shù)和大小等可以任意確定以達(dá)到期望的強(qiáng)度。晶種保持構(gòu)件的強(qiáng)度可以通過形成洞或孔等而下降到需要的值。由此，在施加破壞載荷時(shí)，在該凹部產(chǎn)生應(yīng)力集中，能夠以比以往小的負(fù)荷進(jìn)行折離作業(yè)。更優(yōu)選，該凹部由折離用槽形成。如上述那樣，通過在晶種保持構(gòu)件的外周面形成折離用槽，從而在施加破壞載荷時(shí)，在該槽處產(chǎn)生應(yīng)力集中，能夠以比以往小的負(fù)荷進(jìn)行折離作業(yè)。需要說明的是，晶種保持構(gòu)件的形狀沒有特定的局限，并且，折離用槽的槽深度、 槽形狀等也沒有特定的局限，但需要形成為在施加負(fù)荷時(shí)能夠產(chǎn)生應(yīng)力集中的程度。高度方向上的該槽形成位置優(yōu)選為比在晶種表面上析出的多結(jié)晶硅成長(zhǎng)而遮蓋晶種保持構(gòu)件的前端部表面的部分靠下方的范圍。其主要的理由在于，由于在晶種表面析出的多結(jié)晶硅成長(zhǎng)為埋住晶種保持構(gòu)件的前端部甚至折離用槽，可能在施加破壞載荷時(shí)在該槽處沒有產(chǎn)生應(yīng)力集中而無法得到發(fā)明效果。更優(yōu)選，折離用槽形成在距離晶種保持構(gòu)件前端30mm以下處。其理由是，析出作業(yè)很少能進(jìn)行到析出的多結(jié)晶硅的結(jié)晶成長(zhǎng)到覆蓋晶種保持構(gòu)件 30mm以上的狀態(tài)。進(jìn)而，折離用槽可以沿晶種保持構(gòu)件的周向延伸(換言之，折離用槽可以存在于晶種保持構(gòu)件的相對(duì)于軸芯傾斜的平面內(nèi))，此外，更優(yōu)選折離用槽存在于晶種保持構(gòu)件的相對(duì)于軸芯垂直的平面內(nèi)。這是因?yàn)檎垭x用槽的形成加工最容易。例如，作為折離用槽形成加工法，可以通過使切削工具與晶種保持構(gòu)件接觸并使晶種保持構(gòu)件旋轉(zhuǎn)這樣簡(jiǎn)單的加工來形成折離用槽。在現(xiàn)有的晶種保持構(gòu)件的折離作業(yè)中，破裂的部位和破裂的傳播方向千差萬別。 因此，破裂時(shí)常在晶種表面析出的多結(jié)晶硅的結(jié)晶成長(zhǎng)至覆蓋晶種保持構(gòu)件表面的部位傳播。若產(chǎn)生附著有晶種保持構(gòu)件和硅結(jié)晶的破片，則必須對(duì)該破片另行進(jìn)行多結(jié)晶硅與晶種保持構(gòu)件的分開作業(yè)，導(dǎo)致作業(yè)負(fù)擔(dān)的增加。通過在晶種保持構(gòu)件的表面形成折離用槽， 在施加破壞載荷時(shí)在該槽處產(chǎn)生應(yīng)力集中而產(chǎn)生破裂。并且，破裂沿著該槽傳播。通過根據(jù)不同的情況設(shè)計(jì)折離用槽的位置和延伸的方向，能夠緩和以往的不良情況。所述折離用槽的周向上的形成范圍可以為周向整周或其一部分。通常，以使晶種保持構(gòu)件沿固定的方向折斷的方式施加破壞載荷。因此，在僅局部形成有折離用槽的情況下，優(yōu)選將晶種保持構(gòu)件設(shè)置成在施加破壞載荷的方向(負(fù)荷力矩)的一側(cè)具有槽。這是因?yàn)椋軌蛟谑┘悠茐妮d荷時(shí)在折離用槽處最大限度地利用應(yīng)力集中而以比以往小的負(fù)荷折斷晶種保持構(gòu)件。在局部形成折離用槽在晶種保持構(gòu)件的外徑細(xì)的情況下尤為有效。在局部形成折離用槽的情況下，能夠在確保晶種保持構(gòu)件的強(qiáng)度的同時(shí)防止在通電時(shí)過度的電壓施加在形成有折離用槽的部分，能夠防止過熱的不良情況。在因形成該槽而使晶種保持構(gòu)件的強(qiáng)度過弱時(shí)，可能因意外的沖擊導(dǎo)致破損。此外，在晶種保持構(gòu)件的一部分發(fā)生過熱時(shí)，可能因該熱而熔解硅結(jié)晶。優(yōu)選所述晶種保持構(gòu)件的前端形成為截頭圓錐臺(tái)狀。當(dāng)采用這樣的結(jié)構(gòu)時(shí)，與前端為圓柱狀的情況相比，從覆蓋晶種保持構(gòu)件前端的硅結(jié)晶挖出晶種保持構(gòu)件的作業(yè)因石墨的量少而變?nèi)菀?。雖然晶種保持構(gòu)件前端部可能比形成有折離用槽的部位細(xì)，但因通電時(shí)電流向晶種流動(dòng)，因此不會(huì)發(fā)生過熱的不良情況。此外，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還可以是以下的多結(jié)晶硅制造方法。即，本發(fā)明的多結(jié)晶硅制造方法的特征在于，具有預(yù)先在對(duì)作為種棒的晶種的下端部進(jìn)行保持的晶種保持構(gòu)件的外周面的任意部位形成折離用凹部，將形成有該凹部的晶種保持構(gòu)件安裝于在制造多結(jié)晶硅的爐的底部設(shè)置的電極部上的步驟；在晶種的表面析出多結(jié)晶硅的步驟； 在晶種的表面析出多結(jié)晶硅后，從凹部折損晶種保持構(gòu)件，并將附著有多結(jié)晶硅的晶種取出到爐外的步驟；從取出到爐外的晶種進(jìn)行晶種保持構(gòu)件和多結(jié)晶硅的分離作業(yè)的步驟。優(yōu)選該凹部為折離用槽。此外，本發(fā)明的多結(jié)晶硅制造方法的特征還可以在于，具有預(yù)先在對(duì)作為種棒的晶種的下端部進(jìn)行保持的晶種保持構(gòu)件的外周面的任意部位形成折離用凹部，將形成有該凹部的晶種保持構(gòu)件安裝于在制造多結(jié)晶硅的爐的底部設(shè)置的電極部上的步驟；在晶種的表面析出多結(jié)晶硅的步驟；在多結(jié)晶硅析出后，在保持晶種的狀態(tài)下從電極部拆下晶種保持構(gòu)件而取出到爐外的步驟；在取出到爐外后，從凹部將晶種保持狀態(tài)的晶種保持構(gòu)件折損，進(jìn)行晶種保持構(gòu)件與多結(jié)晶硅的分離作業(yè)的步驟。優(yōu)選該凹部為折離用槽。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，通過在晶種保持構(gòu)件的外周面的任意部位形成折離用凹部，從而在施加破壞載荷時(shí)在該凹部產(chǎn)生應(yīng)力集中，能夠以比以往小的負(fù)荷進(jìn)行折離作業(yè)。


圖1是在本發(fā)明所涉及的多結(jié)晶硅制造方法中使用的制造裝置的示意結(jié)構(gòu)圖。圖2是在圖1的制造裝置中使用的晶種保持構(gòu)件的俯視圖。圖3是圖2的Al-Al線向視剖視圖。圖4是表示晶種保持構(gòu)件的折損時(shí)的破裂狀態(tài)的圖。圖5是表示實(shí)驗(yàn)例的結(jié)構(gòu)的圖。圖6是表示槽深度和破壞載荷的關(guān)系的圖表。圖7是表示現(xiàn)有例的晶種保持構(gòu)件在折損時(shí)產(chǎn)生了包括晶種保持構(gòu)件和硅結(jié)晶的破片的狀態(tài)的示意圖。
具體實(shí)施例方式以下，根據(jù)實(shí)施方式詳細(xì)說明本發(fā)明。需要說明的是，本發(fā)明不局限于以下的實(shí)施方式。(實(shí)施方式1)圖1是在本發(fā)明所涉及的多結(jié)晶硅制造方法中使用的制造裝置的示意結(jié)構(gòu)圖。圖 2是在圖1的制造裝置中使用的晶種保持構(gòu)件的俯視圖。圖3是圖2的Al-Al線向視剖視圖。如圖1所示，反應(yīng)爐1以覆蓋爐底2的方式設(shè)置有鐘形罩(《^ ” ~ )3，其，內(nèi)部被密閉。在爐內(nèi)豎立設(shè)置有多根作為種棒的倒U字型的硅芯材(以下，稱為晶種)4，該晶種4的兩端部經(jīng)由晶種保持構(gòu)件6支承于爐底部的電極部5。即，在電極部5的前端安裝有由石墨 (各向同性石墨、各向異性石墨中的任一種均可)構(gòu)成的晶種保持構(gòu)件6，晶種4的下端部插入該晶種保持構(gòu)件6。在爐底2設(shè)置有向爐內(nèi)的晶種4供給原料氣體的噴嘴7和排出爐內(nèi)的廢氣的排出口 8。需要說明的是，在圖1中，20表示在晶種4的表面析出有硅的硅析出部。晶種保持構(gòu)件6的形狀包括各種形狀，如電極載置部(相當(dāng)于后述的臺(tái)座部6a) 較粗的圖3所示那樣的形狀、在后述的實(shí)驗(yàn)中使用的圖5所示那樣的同一圓柱狀的形狀。在本實(shí)施方式中，例示出圖3所示的形狀。即，晶種保持構(gòu)件6包括具有供電極部5插入的第一嵌合孔10的臺(tái)座部6a、與臺(tái)座部6a相連的主體部6b、與主體部6b相連的前端部6c。 晶種保持構(gòu)件6因被通電而被施加了整體均一的電源，并且從整體強(qiáng)度等理由考慮，臺(tái)座
5部6a、主體部6b和前端部6c更優(yōu)選圓柱而非多棱柱等。更優(yōu)選設(shè)定晶種保持構(gòu)件6的從主體部6b的軸芯到外周面的最短距離為1. 5cm以上且最長(zhǎng)距離為5cm以內(nèi)的范圍內(nèi)。前端部6c更優(yōu)選為截頭圓錐臺(tái)狀。這是因?yàn)?，在晶種保持構(gòu)件6與多結(jié)晶硅的分離作業(yè)中， 由于石墨的量少，所以從覆蓋晶種保持構(gòu)件前端的硅結(jié)晶挖出晶種保持構(gòu)件的作業(yè)變得容
易ο在臺(tái)座部6a上形成有除氣用孔11。在前端部6c上形成有供晶種4的下端部插入的第二嵌合孔13。該第二嵌合孔13在前端面具有開口，其沿著晶種保持構(gòu)件6的軸芯方向延伸。此外，在前端部6c形成有貫通孔14，在該貫通孔14中螺入用于固定插入于第二嵌合孔13中的晶種4的固定螺釘15。在此應(yīng)當(dāng)注意的是，在晶種保持構(gòu)件6的外周面上形成有折離用槽16。通過這樣形成折離用槽16，從而存在強(qiáng)度上的弱點(diǎn)。因此，在折損晶種保持構(gòu)件6時(shí)，通過破壞載荷在折離用槽16處產(chǎn)生應(yīng)力集中，能夠利用比以往小的負(fù)荷進(jìn)行折離作業(yè)。此外，產(chǎn)生的破裂沿著折離用槽16向固定方向傳播。其結(jié)果是，能夠防止向不希望的方向傳播破裂地將晶種保持構(gòu)件6折斷。由于能夠防止產(chǎn)生包括晶種保持構(gòu)件和多結(jié)晶硅的破片，因此能夠?qū)崿F(xiàn)折離作業(yè)的減輕。需要說明的是，在折離用槽16形成在比插入晶種保持構(gòu)件6中的晶種4的下端靠下側(cè)的位置的本實(shí)施方式的情況下，成為圖4(1)那樣的破裂狀態(tài)。在折離用槽16形成在比插入晶種保持構(gòu)件6中的晶種4的下端靠上側(cè)的位置時(shí)(后述的實(shí)驗(yàn)例的情況)，成為圖 4(2)那樣的破裂狀態(tài)。在圖4(1)、⑵任一種破裂狀態(tài)下，都能夠防止如圖7所示那樣破裂在晶種表面析出的多結(jié)晶硅的結(jié)晶以覆蓋晶種保持構(gòu)件的方式成長(zhǎng)的部位傳播而形成包括石墨和硅的破片，能夠顯著減少晶種保持構(gòu)件與多結(jié)晶硅的分離作業(yè)的勞力和時(shí)間。接下來，對(duì)折離用槽16、具體而言對(duì)槽深度、槽形狀、高度方向上的槽形成位置、圓周向上的槽形成位置進(jìn)行說明。(1)折離用槽16的槽深度槽深度沒有特別的局限，只要計(jì)算出折損時(shí)的基于應(yīng)力集中的負(fù)荷并與晶種保持構(gòu)件6的外徑配合地確定槽的深度即可。(2)折離用槽16的槽形狀槽形狀可以為任意形狀。例如，可以為圓形槽、矩形槽、V形槽等任一種。(3)折離用槽16的高度方向上的槽形成位置折離用槽16優(yōu)選在晶種保持構(gòu)件6的表面形成于比從晶種表面析出的硅結(jié)晶的成長(zhǎng)部靠下側(cè)的位置。換言之，折離用槽16的高度方向上的形成位置優(yōu)選在下述范圍內(nèi)， 所述范圍是比在晶種表面上析出的硅結(jié)晶成長(zhǎng)并覆蓋遮隱晶種保持構(gòu)件6的前端部的部分靠下方的范圍。更優(yōu)選折離用槽16形成在距離晶種保持構(gòu)件6的前端30mm以下處。其理由是， 析出作業(yè)很少進(jìn)行到成長(zhǎng)至析出的多結(jié)晶硅的結(jié)晶從前端將晶種保持構(gòu)件6覆蓋30mm以上的覆蓋狀態(tài)。進(jìn)而，形成在比供固定螺釘15插入的貫通孔14靠上側(cè)的位置更容易在從硅結(jié)晶挖出晶種保持構(gòu)件6時(shí)進(jìn)行作業(yè)。(4)折離用槽16的圓周方向上的槽形成位置
可以在晶種保持構(gòu)件6的外周面的周向整周形成，也可以在其一部分上形成。需要說明的是，折離用槽16可以沿著晶種保持構(gòu)件6的周向延伸(換言之，折離用槽16存在于晶種保持構(gòu)件6的相對(duì)于軸芯傾斜的平面內(nèi))，優(yōu)選折離用槽16存在于晶種保持構(gòu)件6的相對(duì)于軸芯垂直的平面內(nèi)。接下來，對(duì)使用上述結(jié)構(gòu)的制造裝置來制造多結(jié)晶硅的方法進(jìn)行說明。制造多結(jié)晶硅的方法基本上與現(xiàn)有例相同。即，晶種4通過電極5及晶種保持構(gòu)件6而被通電，被加熱到表面為1000°C以上的赤熱程度。向爐內(nèi)供給的原料氣體與赤熱的晶種4的表面接觸而熱分解或氫還原，由此在晶種4的表面析出多結(jié)晶硅。隨著該反應(yīng)的進(jìn)行而成長(zhǎng)為多結(jié)晶硅棒。這樣，在多結(jié)晶硅析出后，通過折離用槽16將晶種保持構(gòu)件6折損，將附著有多結(jié)晶硅的晶種4取出到爐外。在施加破壞載荷而折損該晶種保持構(gòu)件6時(shí)，在折離用槽16處產(chǎn)生應(yīng)力集中，能夠通過比以往小的負(fù)荷來進(jìn)行折離作業(yè)。此外，破裂沿著該槽傳播。因此， 能夠防止破裂傳播至晶種保持構(gòu)件表面上成長(zhǎng)附著有硅結(jié)晶的部位，能夠防止包括石墨和硅的破片的產(chǎn)生，顯著地減少晶種保持構(gòu)件和多結(jié)晶硅的分離作業(yè)的勞力和時(shí)間。需要說明的是，作為上述的制造例，在多結(jié)晶硅析出后，從折離用槽16折損晶種保持構(gòu)件6，將附著有多結(jié)晶硅的晶種4取出到爐外，但也可以在多結(jié)晶硅析出后，在保持晶種4的狀態(tài)下直接將晶種保持構(gòu)件6從電極部5拆下并取出到爐外，然后，從折離用槽16 將保持有晶種4的狀態(tài)的晶種保持構(gòu)件6折損，進(jìn)行晶種保持構(gòu)件與多結(jié)晶硅的分離作業(yè)。(實(shí)驗(yàn)例)如圖5所示，使荷重跨度為lm，折離用槽16遍及整周形成，并且對(duì)槽深度為0cm、 1. OcmU. 5cm的三種晶種保持構(gòu)件6分別作用載荷而測(cè)定破壞載荷，其結(jié)果在表1及圖6中示出。需要說明的是，在本實(shí)驗(yàn)中，作為晶種保持構(gòu)件6使用圖5所示的不具有臺(tái)座部6a 的同一圓柱狀型的構(gòu)件進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。此外，在本實(shí)驗(yàn)中，對(duì)于不具有貫通孔14的情況也進(jìn)行了與具有貫通孔14的情況同樣的實(shí)驗(yàn)，因此其結(jié)果也一并在表1及圖6中記載。需要說明的是，在圖6中，三角標(biāo)記表示具有貫通孔14的情況的破壞載荷的測(cè)定值，四角標(biāo)記表示不具有貫通孔14的情況的破壞載荷的測(cè)定值。表1
權(quán)利要求
1.一種晶種保持構(gòu)件，其安裝于在利用西門子法制造多結(jié)晶硅的爐的底部設(shè)置的電極部上，是對(duì)作為種棒的晶種的下端部進(jìn)行保持的石墨制的晶種保持構(gòu)件，其特征在于，在外周面的任意部位形成有折離用凹部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶種保持構(gòu)件，其特征在于， 所述凹部為折離用槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶種保持構(gòu)件，其特征在于， 所述折離用槽的周向上的形成范圍為周向整周或其一部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的晶種保持構(gòu)件，其特征在于， 所述折離用槽沿著晶種保持構(gòu)件外周面的周向延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的晶種保持構(gòu)件，其特征在于，所述折離用槽在晶種保持構(gòu)件的表面形成于比從晶種表面析出的硅結(jié)晶的成長(zhǎng)部靠下側(cè)的位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的晶種保持構(gòu)件，其特征在于， 所述晶種保持構(gòu)件的前端形成為截頭圓錐臺(tái)狀。
7.一種多結(jié)晶硅制造方法，通過西門子法制造多結(jié)晶硅，其特征在于，具有預(yù)先在對(duì)作為種棒的晶種的下端部進(jìn)行保持的晶種保持構(gòu)件的外周面的任意部位形成折離用凹部，將形成有該凹部的晶種保持構(gòu)件安裝于在制造多結(jié)晶硅的爐的底部設(shè)置的電極部上的步驟；在晶種的表面析出多結(jié)晶硅的步驟；在晶種的表面析出多結(jié)晶硅后，從凹部折損晶種保持構(gòu)件，并將附著有多結(jié)晶硅的晶種取出到爐外的步驟；從取出到爐外的晶種進(jìn)行晶種保持構(gòu)件和多結(jié)晶硅的分離作業(yè)的步驟。
8.一種多結(jié)晶硅制造方法，通過西門子法制造多結(jié)晶硅，其特征在于，具有預(yù)先在對(duì)作為種棒的晶種的下端部進(jìn)行保持的晶種保持構(gòu)件的外周面的任意部位形成折離用凹部，將形成有該凹部的晶種保持構(gòu)件安裝于在制造多結(jié)晶硅的爐的底部設(shè)置的電極部上的步驟；在晶種的表面析出多結(jié)晶硅的步驟；在多結(jié)晶硅析出后，在保持晶種的狀態(tài)下從電極部拆下晶種保持構(gòu)件而取出到爐外的步驟；在取出到爐外后，從凹部將晶種保持狀態(tài)的晶種保持構(gòu)件折損，進(jìn)行晶種保持構(gòu)件與多結(jié)晶硅的分離作業(yè)的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的多結(jié)晶硅制造方法，其特征在于， 所述凹部為折離用槽。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶種保持構(gòu)件及使用該晶種保持構(gòu)件的多結(jié)晶硅制造方法，通過在任意部位形成折離用凹部，在施加破壞載荷時(shí)能夠在該凹部產(chǎn)生應(yīng)力集中，從而以比以往小的負(fù)荷進(jìn)行折斷。此外，通過沿著該凹部傳播破裂，能夠防止在不希望的晶種保持構(gòu)件的部位傳播破裂，能夠?qū)崿F(xiàn)晶種保持構(gòu)件與多結(jié)晶硅的分離作業(yè)的勞力和時(shí)間的減少。石墨制晶種保持構(gòu)件(6)設(shè)置在利用西門子法制造多結(jié)晶硅的爐的底部，且保持作為種棒的晶種(4)的下端部，在石墨制晶種保持構(gòu)件(6)的外周面形成有折離用槽(16)。晶種保持構(gòu)件(6)包括具有供電極部(5)插入的第一嵌合孔(10)的圓柱狀臺(tái)座部(6a)、直徑比臺(tái)座部(6a)的直徑小的圓柱狀主體部(6b)、與主體部(6b)相連且具有供晶種(4)的下端部插入的第二嵌合孔(13)的截頭圓錐臺(tái)狀前端部(6c)。
文檔編號(hào)C01B31/04GK102482104SQ20108003906
公開日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2010年9月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月2日
發(fā)明者泉宮正樹, 石崎淳 申請(qǐng)人:東洋炭素株式會(huì)社