專利名稱：加水分解法制備光通信器件用納米氧化鋯粉體的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種納米氧化鋯粉體的制備方法，尤其是一種加水分解法 制備光通信器件用納米氧化鋯粉體的方法。
背景技術(shù)：
隨著世界范圍內(nèi)光通信事業(yè)的蓬勃發(fā)展，作為光通信器件的核心材料一氧化鋯陶瓷插芯(ceramic ferrule)和氧化鋯陶瓷套筒(ceramic sleeve) 的需求量急劇增加。其主要原料氧化鋯粉體的需求量也在快速增加中。氧 化鋯粉體的主要生產(chǎn)方法有加水分解法和共沉淀法兩種。目前，國內(nèi)氧化 鋯粉體主要采用共沉淀法生產(chǎn)，隨著生產(chǎn)的發(fā)展，共沉淀法越來越暴露出 其不足。主要表現(xiàn)為1.共沉淀粉體燒成溫度達155(TC以上，和加水分解 粉體的1350。C的燒成溫度相比，高出20(TC左右；2.共沉淀粉體顆粒粗細 不一，從50納米到300納米，分布極寬；而加水分解的粉體顆粒分布為100 納米以內(nèi)，分布集中；3.共沉淀粉體原晶顆粒形貌不良，呈多邊形、珊瑚 形，粉體流動性差；而加水分解的粉體原晶則呈近似球形；4.共沉淀粉體 抗老化性能差。由于￥203分布不均，在低溫高濕條件下容易老化。與加水 分解粉體的抗老性能相比，差距明顯。由于加工精度和抗老化性能的需要，插芯和套筒都必須采用加水分解 法制作的納米氧化鋯粉體。因此，用先進的加水分解法生產(chǎn)納米氧化鋯粉 體，是市場的需要，是日益發(fā)展的光通信用陶瓷和結(jié)構(gòu)陶瓷的需要，也是 國內(nèi)專家和鋯粉生產(chǎn)企業(yè)一直向往和追求的目標。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種加水分解法制備光通信器件用納米氧化鋯粉體的方法，采用該方法生產(chǎn)的納米氧化鋯粉體，其穩(wěn)定劑氧化釔以分子狀 態(tài)均勻分布。粉體的燒成溫度低、抗老化性能好。本發(fā)明是這樣來實現(xiàn)的，其方法步驟為1、氯氧化鋯加水分解采用 純水制備設(shè)備獲得純凈水，將氯氧化鋯放入反應釜，加純凈水后加熱進行 分解；2、含水納米氧化鋯的固液分離，經(jīng)過加水分解的氯氧化鋯進行，通 過超濾膜過濾器過濾，將固液進行分離，3、煅燒和粉碎將步驟2所獲得 的納米氧化鋯進行煅燒，控制合理的升溫曲線和煅燒溫度，防止顆粒團聚， 使顆粒的表面積達到15士2m7g水平，使顆粒形貌達到要求；然后再在水 中分散，用噴霧造粒機進行干燥和造粒，使氧化鋯粉體的原晶粒徑確保在ioo納米的范圍內(nèi)。本發(fā)明的優(yōu)點是采用本發(fā)明制得的納米氧化鋯粉體的化學成份Zr0294.44±0.3%， Y2O35.2±0.2% ， A1203 0.25±0.05%;理化指標粉體原晶 粒徑100納米以內(nèi)，粉體比表面積15±2m2/g;燒成溫度1350±50°C， 燒結(jié)密度6.02g/cm3以上。
具體實施方式
本發(fā)明的方法步驟為1、氯氧化鋯加水分解采用純水制備設(shè)備獲得純凈 水，將氯氧化鋯放入反應釜，加純凈水后加熱進行分解；2、含水納米氧化 鋯的固液分離，經(jīng)過加水分解的氯氧化鋯進行，通過超濾膜過濾器過濾， 將固液進行分離；3、將步驟2所獲得的納米氧化鋯進行煅燒，控制合理的 升溫曲線和煅燒溫度，防止顆粒團聚，使顆粒的表面積達到15士2m7g水 平，使顆粒形貌達到要求；然后再在水中分散，用噴霧造粒機進行干燥和 造粒，使氧化鋯粉體的原晶粒徑確保在100納米的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種加水分解法制備光通信器件用納米氧化鋯粉體的方法，其特征是方法步驟為(1)氯氧化鋯加水分解采用純水制備設(shè)備獲得純凈水，將氯氧化鋯放入反應釜，加純凈水后加熱分解；(2)含水納米氧化鋯的固液分離氯氧化鋯經(jīng)過加水分解后形成納米氧化鋯顆粒，通過超濾膜過濾器過濾，將固液進行分離；(3)煅燒和粉碎將步驟2所獲得的納米氧化鋯進行煅燒，控制合理的升溫曲線和煅燒溫度，防止顆粒團聚，使顆粒的表面積達到15±2m2/g水平，使顆粒形貌達到要求；然后再在水中分散，用噴霧造粒機進行干燥和造粒，使氧化鋯粉體的原晶粒徑確保在100納米的范圍內(nèi)。
全文摘要
一種加水分解法制備光通信器件用納米氧化鋯粉體的方法，其方法步驟為1.氯氧化鋯加水分解；2.通過超濾膜過濾器過濾，將固液進行分離；3.將步驟2所獲得的納米氧化鋯進行煅燒，控制合理的升溫曲線和煅燒溫度，防止顆粒團聚，然后再在水中分散，用噴霧造粒機進行干燥和造粒。采用本發(fā)明制得的納米氧化鋯粉體的化學成份ZrO<sub>2</sub> 94.44±0.3％，Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 5.2±0.2％，Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 0.25±0.05％；理化指標粉體原晶粒徑25～50納米，粉體比表面積15±1m<sup>2</sup>/g；燒成溫度≤1350℃，燒結(jié)密度6.02g/cm<sup>3</sup>。
文檔編號C01G25/00GK101239823SQ20081004699
公開日2008年8月13日 申請日期2008年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月3日
發(fā)明者劉智華 申請人:景德鎮(zhèn)和川粉體技術(shù)有限公司