一種耐高溫耐腐蝕的太陽能選擇性吸收涂層的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及光熱太陽能技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種耐高溫耐腐蝕的太陽能選擇性吸收涂層，包括在基片表面從內(nèi)到外依次設(shè)置的反射基底層、復(fù)合吸收層、減反層和有機(jī)防護(hù)層，其特征在于：所述的反射基底層采用大面積電子束蒸發(fā)鍍膜工藝制備而成，鍍膜工藝所使用的鍍膜材料為鋁、銅或者銀；所述的復(fù)合吸收層由依次從下至上的第一亞層和第二亞層組成，兩個(gè)亞層均為雙陶瓷膜；所述減反層由單層 CuMnOx層組成，或由內(nèi)層為 CuMnOx層、外層為 SnO2層的復(fù)合雙層組成；所述有機(jī)防護(hù)層厚度為 100~200nm，由正硅酸乙酯、無水乙醇、氨水配制而成。本發(fā)明制備的涂層不僅能緩解涂層在熱處理過程中的應(yīng)力作用，提高涂層的吸收發(fā)射比，大大提高了吸收涂層的耐高溫和耐腐蝕性。
【專利說明】
一種耐高溫耐腐蝕的太陽能選擇性吸收涂層
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及光熱太陽能技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種耐高溫耐腐蝕的太陽能選擇性吸收涂層。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽光譜選擇性吸收涂層在波長范圍為0.3μπι-2.5μπι的太陽光波段具有高吸收率，在波長范圍為2.5μπι-50μπι的紅外波段具有低輻射率，因此，太陽光譜選擇性吸收涂層廣泛應(yīng)用于太陽能集熱器或集熱管，是實(shí)現(xiàn)太陽能光熱轉(zhuǎn)換的核心材料。目前，現(xiàn)有的太陽光譜選擇性吸收涂層主要包括依次設(shè)置在玻璃、鋁、不銹鋼等基片上的紅外反射層、吸收層和減反層，其中，紅外反射層的主要作用是反射紅外線，減少熱量向外的輻射，當(dāng)紅外反射層達(dá)到一定厚度情況下，紅外反射層越致密，紅外反射效果越好，保溫性能越好;吸收層用來吸收太陽光能量，溫度升高將其轉(zhuǎn)化為熱能，減反層用來減少吸收層與空氣界面處的太陽光反射，以使更多的太陽光穿過減反層到達(dá)吸收層。
[0003]隨著太陽能熱利用需求和技術(shù)的不斷發(fā)展，太陽能集熱管的應(yīng)用范圍從低溫應(yīng)用(< 100C )向中溫應(yīng)用(100-400°C )和高溫應(yīng)用(>400°C )發(fā)展，以不斷滿足海水淡化、太陽能發(fā)電等中高溫應(yīng)用領(lǐng)域的使用要求。然而，對(duì)于太陽能集熱管而言，工作溫度越高，對(duì)選擇性吸收涂層的熱穩(wěn)定性要求越高。隨著工作溫度的升高，金屬組分容易發(fā)生層間相互擴(kuò)散，從而導(dǎo)致該涂層的太陽光譜吸收率明顯降低，紅外輻射率急劇升高，影響涂層的使用溫度和壽命。
[0004]此外，目前常見的減反層雖能增加可見光區(qū)的透過率，但對(duì)涂層的保護(hù)效果并不理想，且在材料的選擇上多有限制，難以獲得滿意的效果;多層結(jié)構(gòu)的涂層在燒結(jié)過程中存在表面應(yīng)力增大的現(xiàn)象，使得涂層在燒結(jié)后期出現(xiàn)裂紋，影響涂層最終的光學(xué)選擇吸收性能。同時(shí)，由于層間材料的熱膨脹系數(shù)相差較大，因此涂層膜層之間界面應(yīng)力較大，導(dǎo)致膜層在高低溫實(shí)驗(yàn)和使用過程中有出現(xiàn)脫落的可能性。
[0005]目前光熱電站的形式開始多樣化，以往的涂層用在真空集熱管上還是可以的，可是現(xiàn)在裸管的應(yīng)用也開始越來越廣泛了，因此需要涂層不僅僅能夠在真空中有良好的耐溫性能和耐腐蝕性能，在大氣(包括水汽，鹽霧，酸堿)等中也必須有較優(yōu)異的耐溫性能和耐腐蝕性能，才能夠滿足電站的使用需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的是為了解決上述存在的問題，為實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明的技術(shù)方案為:
一種耐高溫耐腐蝕的太陽能選擇性吸收涂層，包括在基片表面從內(nèi)到外依次設(shè)置的反射基底層、復(fù)合吸收層、減反層和有機(jī)防護(hù)層，其特征在于:所述的反射基底層采用大面積電子束蒸發(fā)鍍膜工藝制備而成，鍍膜工藝所使用的鍍膜材料為鋁、銅或者銀;所述的復(fù)合吸收層由依次從下至上的第一亞層和第二亞層組成，兩個(gè)亞層均為雙陶瓷膜;所述減反層由單層CuMnOx層組成，或由內(nèi)層為CuMnOx層、夕卜層為Sn02層的復(fù)合雙層組成;所述有機(jī)防護(hù)層厚度為100?200nm，其由下述方法制備而成:將正硅酸乙酯加入無水乙醇，配成的溶液中，正硅酸乙酯與無水乙醇的體積百分比為15%?25%;將氨水加入無水乙醇，配成的溶液中，氨水與無水乙醇的體積百分比為3%?7%;將上述操作得到的兩種混合溶液進(jìn)行混合及攪拌，經(jīng)20?28小時(shí)靜置之后，使用溶膠凝膠法，將靜置后形成的膠體均勻涂覆在減反層表面。
[0007]作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述基片為鋁帶、不銹鋼帶或者銅帶。
[0008]作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述反射基底層的下表面覆蓋有一層薄膜涂層，其目的在于提高和改善選擇性太陽能熱吸收涂層的附著性和/或抗腐蝕性。
[0009]作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述薄膜涂層的成分為至少一種金屬、至少一種金屬氧化物、至少一種金屬氮化物、至少一種金屬氮氧化物或者以上金屬、金屬氧化物、金屬氮化物和金屬氮氧化物的任意組合。
[0010]作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述薄膜涂層采用DC磁控濺射工藝或者AC磁控濺射工藝鍍制于所述反射基底層的下表面。
[0011]作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述反射基底層的厚度為50nm?lOOOnm。
[0012]作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述反射基底層的上表面覆蓋有一層TiN、A1N、A1203、T12、S12Si3N4或者Cr2O3的擴(kuò)散阻擋層，厚度為5(M00nm。
[0013]作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述雙陶瓷膜為Si02+Ti02膜、Si02+Ni0膜、Si3N4+Ni3N2膜、Si3N4+TiN膜、Ni0+Ti02膜或者Ni3N2+TiN膜，所述第一亞層和所述第二亞層的厚度均為50?I OOnm。
[0014]作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述第一亞層中，Si02+Ti02中的S12占體積百分比為30?50%，其余為Ti02；Si02+Ni0中的S12占體積百分比為30?50%，其余為Ni0;Si3N4+Ni3N2中的Si3N4占體積百分比為30?50%，其余為Ni3N2;Si3N4+TiN中的TiN占體積百分比為30?50%，其余為Si3NyN1+ T12中的T12占體積百分比為30?50%，其余為N1;Ni3N2+TiN中的TiN占體積百分比為30?50%，其余為Ni3N2;所述第二亞層中，Si02+Ti02中的S12占體積百分比為50?75%，其余為Ti02;Si02+Ni0中的S12占體積百分比為50?75%，其余為N1;Si3N4+Ni3N2中的Si3N4占體積百分比為50?75%，其余為Ni3N2;Si3N4+TiN中的TiN占體積百分比為50?75%，其余為Si3NyN1+ T12中的T12占體積百分比為50?75%，其余為N1 ；Ni3N2+TiN中的TiN占體積百分比為50?75%，其余為Ni3N2。
[0015]作為優(yōu)選的技術(shù)方案，所述CuMnOx層由CuMnOx復(fù)合溶膠制備而成，所述CuMnOx復(fù)合溶膠是由納米固體顆粒與CuMnOx溶膠共混制備所得。所述納米固體顆粒為稀土氧化物或硅化合物，所述稀土氧化物為氧化鋱、氧化鈰或氧化鍶，所述硅化合物為氧化硅。其中所述CuMnOx層的表面粗糙度為50?80nm。
[0016]和現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明產(chǎn)生的有益效果在于:
1、本發(fā)明設(shè)計(jì)巧妙、實(shí)用性強(qiáng)，通過使用一種大面積電子束蒸發(fā)鍍膜工藝來制備選擇性太陽能熱吸收涂層的反射基底層，可以增加反射基底層的厚度，而這些較厚的涂層能夠輕易地使選擇性太陽能熱吸收涂層擁有更低的紅外發(fā)射比。在擁有更低紅外發(fā)射比的同時(shí)，選擇性太陽能熱吸收涂層受基材條件的影響也更小。同時(shí)，可以在擁有相對(duì)較高的生產(chǎn)能力的情況下，實(shí)現(xiàn)對(duì)選擇性太陽能熱吸收涂層的反射基底層質(zhì)量的改善，進(jìn)而能夠幫助改善并提高太陽能集熱器的使用性能。
[0017]2、本發(fā)明采用溶膠凝膠法制備銅錳溶膠，將納米固體顆粒按一定比例加入到銅錳溶膠中，形成固一液一固溶體；納米固體顆粒的釘扎作用可以緩解溶膠在熱處理過程中應(yīng)力過大的現(xiàn)象，防止裂紋的產(chǎn)生，使涂層更加致密。
[0018]3、由于加入了有機(jī)防護(hù)層，使得其耐高溫及耐大氣腐蝕的性能大大加強(qiáng)，使得這種新型結(jié)構(gòu)高溫選擇性吸收涂層具有良好的高溫?zé)岱€(wěn)定性及耐候性。
【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖，其中:
圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诎l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0021]如圖1所示，本發(fā)明提出了一種耐高溫耐腐蝕的太陽能選擇性吸收涂層，包括在基片上制備的六層膜，從底面到表面依次為:薄膜涂層、反射基底層、擴(kuò)散阻擋層、復(fù)合吸收層、減反層、有機(jī)防護(hù)層，其中:
基片為鋁帶、不銹鋼帶或者銅帶材料；
薄膜涂層為至少一種金屬、至少一種金屬氧化物、至少一種金屬氮化物、至少一種金屬氮氧化物或者以上金屬、金屬氧化物、金屬氮化物和金屬氮氧化物的任意組合。它采用DC磁控濺射工藝或者AC磁控濺射工藝鍍制于高反射基底層的下表面，用于提高和改善選擇性太陽能熱吸收涂層的附著性和/或抗腐蝕性。
[0022]反射基底層采用大面積電子束蒸發(fā)鍍膜工藝制備而成，這種鍍膜工藝所使用的鍍膜材料為鋁、銅或者銀，其厚度為50nm~1000nm。
[0023]擴(kuò)散阻擋層為氮化物或氧化物膜層，具體為TiN、A1N、Al2O3、T12、S12Si3N4或者Cr2O3，厚度為50?lOOnm。
[0024]復(fù)合吸收層包括第一亞層和第二亞層，兩個(gè)亞層均為雙陶瓷膜，具體為Si02+Ti02膜、Si02+Ni0 膜、Si3N4+Ni3N2 膜、Si3N4+TiN 膜、Ni0+Ti02 膜或者Ni3N2+TiN 膜，第一亞層和第二亞層的厚度均為50?lOOnm。第一亞層中，Si02+Ti02中的S12占體積百分比為30?50%，其余為Ti02；Si02+Ni0中的S12占體積百分比為30?50%，其余為N1;Si3N4+Ni3N2中的Si3N4占體積百分比為30?50%，其余為Ni3N2;Si3N4+TiN中的TiN占體積百分比為30-50%，其余為Si3N4;N1+ T12中的T12占體積百分比為30?50%，其余為N1;Ni3N2+TiN中的TiN占體積百分比為30?50%，其余為Ni3N2;所述第二亞層中，Si02+Ti02中的S12占體積百分比為50?75%，其余為Ti02;Si02+Ni0中的S12占體積百分比為50?75%，其余為N1;Si3N4+Ni3N2中的Si3N4占體積百分比為50?75%，其余為Ni3N2;Si3N4+TiN中的TiN占體積百分比為50?75%，其余為Si3NyN1+ T12中的T12占體積百分比為50?75%，其余為N1 ；Ni3N2+TiN中的TiN占體積百分比為50?75%，其余為Ni3N2。
[0025]減反層由單層CuMnOx層組成，或由內(nèi)層為CuMnOx層、外層為SnO2層的復(fù)合雙層組成。
[0026]在制備CuMnOx層時(shí)，首先，以Cu鹽和Mn鹽為金屬陽離子源，乙醇為溶劑，按照Cu離子:Mn離子的摩爾比為1:1的比例配制溶液A ;將檸檬酸溶解于無水乙醇形成溶液B ;將溶液A和溶液B混合均勻后調(diào)節(jié)混合溶液的pH值為5.5?6.5，再經(jīng)濃縮得到濃度為0.2mol/L?0.5mol/L的CuMnOx溶膠;然后，將CuMnOx溶膠和乙醇按照1:3?1:4的比例混合，水浴攪拌至溶膠完全溶解，得到溶液C，向溶液C緩慢加入納米固體顆粒，恒溫?cái)嚢柚凉腆w顆粒完全分散，然后加入絡(luò)合劑，繼續(xù)恒溫?cái)嚢?，直至溶膠的粘度為4?5 mPa.s，得到CuMnOx復(fù)合溶膠;最后，進(jìn)行CuMnOx復(fù)合溶膠的提拉鍍膜處理，重復(fù)提拉鍍膜處理工藝2?5次，經(jīng)干燥、退火熱處理后，得到單層CuMnOx層，其表面的粗糙度為50?80nm。其中以上所述的Cu、Mn金屬鹽為氯化鹽、硝酸鹽和醋酸鹽中的一種或幾種；所述絡(luò)合劑為OPlO和聚乙二醇中的一種或兩種；所述納米固體顆粒為稀土氧化物或硅化合物，所述稀土氧化物為氧化鋱、氧化鈰或氧化鍶，所述硅化合物為氧化硅。
[0027]而在制備SnO2層時(shí)，首先，將結(jié)晶四氯化錫溶解于去離子水，調(diào)節(jié)溶液pH值為3.5~4.5，制備得到濃度為0.511101/1的SnO2溶膠，然后進(jìn)行SnO2溶膠提拉鍍膜處理，再經(jīng)快速烘干、退火熱處理后，得到SnO2層。
[0028]在制備有機(jī)防護(hù)層時(shí)，將正硅酸乙酯加入無水乙醇，配成的溶液中，正硅酸乙酯與無水乙醇的體積百分比為15%?25%；將氨水加入無水乙醇，配成的溶液中，氨水與無水乙醇的體積百分比為3%?7%;將上述操作得到的兩種不同的混合溶液進(jìn)行混合及攪拌，經(jīng)20?28小時(shí)靜置后得到膠體，最后使用溶膠凝膠法將膠體均勻涂覆在減反層表面，厚度為100?200nm。其作為保護(hù)層，主要作用是耐大氣腐蝕，包括水汽、鹽霧、酸堿等。
[0029]實(shí)施例1
如圖1所不，本實(shí)施例提供一種具有SiC>2和TiC>2結(jié)構(gòu)的大氣耐尚溫耐腐蝕的太陽能選擇性吸收涂層，其中基片為鋁帶，薄膜涂層選擇金屬鋁，反射基底層采用鋁作為鍍膜材料，厚度為500 nm，擴(kuò)散阻擋層為T12膜，厚度為50nm，復(fù)合吸收層為Si02+Ti02膜，總厚度為140nm，其中第一亞層Si02+Ti02膜厚度為80nm，第二亞層Si02+Ti02膜厚度為60nm，第一亞層中S12的體積百分比為40%，其余為T12 ;第二亞層S12的體積百分比為60%，其余為T12 ;減反層為單層CuMnOx層，其表面粗糙度為50 nm;有機(jī)防護(hù)層厚度為150nmo
[0030]實(shí)施例2
如圖1所示，本實(shí)施例提供一種具有Si3N4和Ni3N2結(jié)構(gòu)的大氣耐高溫耐腐蝕太陽能選擇性吸收涂層。其中，基片為不銹鋼帶，薄膜涂層選擇金屬鋁和銅，反射基底層采用銅作為鍍膜材料，厚度為800 nm，擴(kuò)散阻擋層為Si3N4膜，厚度為60nm，復(fù)合吸收層Si3N4+ Ni3N2膜，總厚度為160nm，其中第一亞層厚度為lOOnm，第二亞層厚度為60nm，第一亞層中Si3N4的體積百分比為40%，其余為Ni3N2 ;第二亞層Si3N4的體積百分比為60%，其余為N13N2 ;減反層由內(nèi)層為CuMnOx層、外層為SnC>2層的炅合雙層組成，CuMnOx層的表面粗糖度為80 nm;有機(jī)防護(hù)層的厚度為130mmo
[0031]實(shí)施例3
如圖1所示，本實(shí)施例提供一種具有T12和N1結(jié)構(gòu)的大氣中耐高溫耐腐蝕的選擇性吸收涂層，其中，基片為銅帶，薄膜涂層選擇金屬銅，反射基底層采用銅作為鍍膜材料，厚度為1000 nm，擴(kuò)散阻擋層為Ti02膜，厚度為80nm ;復(fù)合吸收層包括兩個(gè)亞層結(jié)構(gòu)，兩個(gè)亞層均為Ti02+Ni0膜，第一亞層和第二亞層的厚度均為75nm，第一亞層中T12的體積百分比為60%，其余為N1;第二亞層中T12的體積百分比為40%;其余為N1;減反層由內(nèi)層為CuMnOx層、外層為Sn02層的復(fù)合雙層組成，CuMnOx層的表面粗糙度為80 nm;有機(jī)防護(hù)層的厚度為140mm。
[0032]實(shí)施例4
如圖1所示，本實(shí)施例提供一種具有MO和S12大氣中耐高溫耐腐蝕的太陽能選擇性吸收涂層，其中，基片為不銹鋼帶，薄膜涂層選擇金屬鋁，反射基底層采用鋁作為鍍膜材料，厚度為100 nm，擴(kuò)散阻擋層為N1，厚度為70nm ;復(fù)合吸收層包括兩個(gè)亞層結(jié)構(gòu)，兩個(gè)亞層均為Ni0+Si02膜，第一亞層和第二亞層的厚度均為lOOnm，第一亞層中N1的體積百分比為40%，其余為S12 ;第二亞層N1的體積百分比為70%，其余為S12 ;減反層由內(nèi)層為CuMnOx層、外層為Sn02層的復(fù)合雙層組成，CuMnOx層的表面粗糙度為50 nm;有機(jī)防護(hù)層的厚度為140mm。
[0033]以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種耐高溫耐腐蝕的太陽能選擇性吸收涂層，包括在基片表面從內(nèi)到外依次設(shè)置的反射基底層、復(fù)合吸收層、減反層和有機(jī)防護(hù)層，其特征在于:所述的反射基底層采用大面積電子束蒸發(fā)鍍膜工藝制備而成，鍍膜工藝所使用的鍍膜材料為鋁、銅或者銀;所述的復(fù)合吸收層由依次從下至上的第一亞層和第二亞層組成，兩個(gè)亞層均為雙陶瓷膜;所述減反層由單層CuMnOx層組成，或由內(nèi)層為CuMnOx層、夕卜層為Sn02層的復(fù)合雙層組成;所述有機(jī)防護(hù)層厚度為100?200nm，其由下述方法制備而成:將正硅酸乙酯加入無水乙醇，配成的溶液中，正硅酸乙酯與無水乙醇的體積百分比為15%?25%;將氨水加入無水乙醇，配成的溶液中，氨水與無水乙醇的體積百分比為3%?7%;將上述操作得到的兩種混合溶液進(jìn)行混合及攪拌，經(jīng)20?28小時(shí)靜置之后，使用溶膠凝膠法，將靜置后形成的膠體均勻涂覆在減反層表面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫耐腐蝕的太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于:所述基片為鋁帶、不銹鋼帶或者銅帶。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫耐腐蝕的太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于:所述反射基底層的下表面覆蓋有一層薄膜涂層。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的耐高溫耐腐蝕的太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于:所述薄膜涂層的成分為至少一種金屬、至少一種金屬氧化物、至少一種金屬氮化物、至少一種金屬氮氧化物或者以上金屬、金屬氧化物、金屬氮化物和金屬氮氧化物的任意組合。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的耐高溫耐腐蝕的太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于:所述薄膜涂層采用DC磁控濺射工藝或者AC磁控濺射工藝鍍制于所述反射基底層的下表面。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫耐腐蝕的太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于:所述反射基底層的厚度為50nm?100nm07.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫耐腐蝕的太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于:所述反射基底層的上表面覆蓋有一層TiN、A1N、Al2O3、T12、S12Si3N4或者Cr2O3的擴(kuò)散阻擋層，厚度為50?10nm08.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫耐腐蝕的太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于:所述雙陶瓷膜為Si02+Ti02 膜、Si02+Ni0 膜、Si3N4+Ni3N2 膜、Si3N4+TiN 膜、Ni0+Ti02 膜或者Ni3N2+TiN膜，所述第一亞層和所述第二亞層的厚度均為50?lOOnm。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的耐高溫耐腐蝕的太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于: 所述第一亞層中，Si02+Ti02中的S12占體積百分比為30?50%，其余為T125S12+N1中的S12占體積百分比為30?50%，其余為Ni0;Si3N4+Ni3N2中的Si3N4占體積百分比為30?50%，其余為Ni3N2;Si3N4+TiN中的TiN占體積百分比為30?50%，其余為Si3NyN1+T12中的T12占體積百分比為30?50%，其余為N1;Ni3N2+TiN中的TiN占體積百分比為30?50%，其余為 Ni3N2; 所述第二亞層中，Si02+Ti02中的S12占體積百分比為50?75%，其余為T12 ； Si02+Ni0中的S12占體積百分比為50?75%，其余為Ni0;Si3N4+Ni3N2中的Si3N4占體積百分比為50?75%，其余為Ni3N2;Si3N4+TiN中的TiN占體積百分比為50?75%，其余為Si3N4;Ni0+Ti02中的T12占體積百分比為50?75%，其余為N1 ；Ni3N2+TiN中的TiN占體積百分比為50?75%，其余為 Ni3N2。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫耐腐蝕的太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于:所述CuMnOx層由CuMnOx復(fù)合溶膠制備而成，所述CuMnOx復(fù)合溶膠是由納米固體顆粒與CuMnOx溶膠共混制備所得，所述納米固體顆粒為稀土氧化物或硅化合物，所述稀土氧化物為氧化鋱、氧化鈰或氧化鍶，所述硅化合物為氧化硅;所述CuMnOx層的表面粗糙度為50?80nm。
【文檔編號(hào)】C23C14/16GK106048535SQ201610391630
【公開日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年6月6日
【發(fā)明人】蒙獻(xiàn)芳
【申請(qǐng)人】南寧可煜能源科技有限公司