基板保持機(jī)構(gòu)以及使用該基板保持機(jī)構(gòu)的基板處理裝置的制造方法

基板保持機(jī)構(gòu)以及使用該基板保持機(jī)構(gòu)的基板處理裝置的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種基板保持機(jī)構(gòu)以及使用該基板保持機(jī)構(gòu)的基板處理裝置。該基板保持機(jī)構(gòu)是用于將基板保持于基座上的預(yù)定的基板保持區(qū)域上的基板保持機(jī)構(gòu)，其中，該基板保持機(jī)構(gòu)具有：基板保持構(gòu)件，其設(shè)置于所述基板保持區(qū)域的周?chē)渫ㄟ^(guò)從所述基板保持區(qū)域的外側(cè)向內(nèi)側(cè)旋轉(zhuǎn)，能夠以預(yù)定的接觸面與載置到所述基板保持區(qū)域上的所述基板的側(cè)面部接觸；施力部件，其對(duì)該基板保持構(gòu)件施加朝向內(nèi)側(cè)方向的作用力，通過(guò)該作用力，使得該基板保持構(gòu)件與所述基板的側(cè)面部接觸而能夠保持所述基板；釋放構(gòu)件，其通過(guò)對(duì)所述基板保持構(gòu)件施加用于克服與該施力部件的所述作用力的力，而能夠?qū)⑺龌灞３謽?gòu)件釋放成能夠?qū)⑺龌逖刂U垂方向抬起的狀態(tài)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
基板保持機(jī)構(gòu)以及使用該基板保持機(jī)構(gòu)的基板處理裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及基板保持機(jī)構(gòu)以及使用該基板保持機(jī)構(gòu)的基板處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，公知有一種第I成膜裝置，在該第I成膜裝置中，將多個(gè)基板分別載置于設(shè)置于真空容器內(nèi)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)的沿著周向配置的多個(gè)凹部，通過(guò)使旋轉(zhuǎn)臺(tái)旋轉(zhuǎn)，使基板依次通過(guò)處理氣體的供給位置，從而在基板上形成薄膜。在該第I成膜裝置中，公知有如下結(jié)構(gòu):為了防止由于基板所通過(guò)的區(qū)域中的壓力差基板從旋轉(zhuǎn)臺(tái)飛出，將在基板載置區(qū)域的周緣沿著基板的周向形成為環(huán)狀的環(huán)構(gòu)件固定于貫穿旋轉(zhuǎn)臺(tái)而升降自由的升降銷(xiāo)，在將基板輸送到凹部?jī)?nèi)之后，使升降銷(xiāo)下降而將環(huán)構(gòu)件置于與基板的表面周緣部接觸的位置或者置于比該接觸的位置略微靠上方的位置，在基板要浮起時(shí)將基板卡定而防止基板飛出。
[0003]另外，公知有第2成膜裝置，在使用有機(jī)金屬化合物的原料氣體而在被處理體W的表面形成薄膜的第2成膜裝置中，包括:處理容器;設(shè)置有加熱器的載置臺(tái)；與載置臺(tái)相對(duì)地設(shè)置的氣體導(dǎo)入部件，并且在載置臺(tái)主體的外側(cè)面以間隙配合狀態(tài)設(shè)置有能夠裝卸的環(huán)狀的屏蔽環(huán)，防止在載置臺(tái)主體的側(cè)壁上成膜以及在半導(dǎo)體晶圓的背面上成膜。
[0004]這樣，在成膜裝置中，若在基板從基板載置區(qū)域或基板載置臺(tái)浮起了狀態(tài)下進(jìn)行成膜處理，則在使用旋轉(zhuǎn)臺(tái)來(lái)進(jìn)行成膜的成膜裝置中基板有可能飛出，另外，即使在不是旋轉(zhuǎn)臺(tái)式的成膜裝置的情況下，也有可能在基板的背面進(jìn)行不需要的成膜，因此，在上述的第I以及第2成膜裝置中采用了防止基板飛出、防止在基板的背面進(jìn)行不需要的成膜這樣的情況的結(jié)構(gòu)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]發(fā)明要解決的問(wèn)題
[0006]然而，在上述的第I成膜裝置的結(jié)構(gòu)中，環(huán)構(gòu)件覆蓋基板的表面周緣部的局部，因此，存在如下問(wèn)題:設(shè)有環(huán)構(gòu)件的部位的成膜變得不充分，或者，為了成膜而供給的氣流由于環(huán)構(gòu)件的存在而變化，給成膜整體帶來(lái)不良影響。
[0007]另外，第2成膜裝置的結(jié)構(gòu)存在如下問(wèn)題:在像第I成膜裝置那樣的旋轉(zhuǎn)臺(tái)式的成膜裝置的情況下，由于旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)會(huì)使得基板飛出，因此，該第2成膜裝置的結(jié)構(gòu)無(wú)法直接應(yīng)用于旋轉(zhuǎn)臺(tái)式的成膜裝置。
[0008]因此，本發(fā)明提供一種能夠在使基板表面完全暴露了的狀態(tài)下切實(shí)地防止基板的浮起并保持基板的基板保持機(jī)構(gòu)以及使用該基板保持機(jī)構(gòu)的基板處理裝置。
[0009]用于解決問(wèn)題的方案
[0010]本發(fā)明的一技術(shù)方案的基板保持機(jī)構(gòu)是用于將基板保持于基座上的預(yù)定的基板保持區(qū)域上的基板保持機(jī)構(gòu)，其中，
[0011 ]該基板保持機(jī)構(gòu)具有:
[0012]基板保持構(gòu)件，其設(shè)置于所述基板保持區(qū)域的周?chē)?，其通過(guò)從所述基板保持區(qū)域的外側(cè)向內(nèi)側(cè)旋轉(zhuǎn)，能夠以預(yù)定的接觸面與載置到所述基板保持區(qū)域上的所述基板的側(cè)面部接觸；
[0013]施力部件，其對(duì)該基板保持構(gòu)件施加朝向內(nèi)側(cè)方向的作用力，通過(guò)該作用力，使得該基板保持構(gòu)件與所述基板的側(cè)面部接觸而能夠保持所述基板；
[0014]釋放構(gòu)件，其通過(guò)對(duì)所述基板保持構(gòu)件施加用于克服與該施力部件的所述作用力的力，而能夠?qū)⑺龌灞３謽?gòu)件釋放成能夠?qū)⑺龌逖刂U垂方向抬起的狀態(tài)。
[0015]本發(fā)明的另一技術(shù)方案的基板處理裝置具有:上述的基板保持機(jī)構(gòu)；用于收容所述基座的處理容器;貫通所述基板保持區(qū)域的至少3個(gè)貫通孔；以能夠在該貫通孔升降的方式設(shè)置的多個(gè)升降銷(xiāo);能夠在所述多個(gè)升降銷(xiāo)和所述處理容器的外部之間輸送所述基板的輸送臂，所述釋放構(gòu)件不與該升降銷(xiāo)連動(dòng)而獨(dú)立地被驅(qū)動(dòng)。
【附圖說(shuō)明】
[0016]附圖作為本說(shuō)明書(shū)的一部分而編入，表示本發(fā)明的實(shí)施方式，與上述的一般性說(shuō)明以及后述的實(shí)施方式的詳細(xì)內(nèi)容一起說(shuō)明本發(fā)明構(gòu)思。
[0017]圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式的基板處理裝置的剖視圖。
[0018]圖2是表示圖1的基板處理裝置的內(nèi)部的概略結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0019]圖3是圖1的基板處理裝置的俯視圖。
[0020]圖4是表示圖1的基板處理裝置中的處理區(qū)域以及分離區(qū)域的一個(gè)例子的剖視圖。
[0021]圖5是圖1的成膜裝置的另一剖視圖。
[0022]圖6是圖1的成膜裝置的再一剖視圖。
[0023]圖7是圖1的成膜裝置的局部剖切立體圖。
[0024]圖8的(a)以及圖8的(b)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的基板保持機(jī)構(gòu)的一個(gè)例子的圖。
[0025]圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的基板保持機(jī)構(gòu)的一個(gè)例子的基板保持構(gòu)件的接觸面的俯視形狀的圖。
[0026]圖10是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的基板保持機(jī)構(gòu)的一個(gè)例子的基板保持構(gòu)件的接觸面的鉛垂截面形狀的圖。
[0027]圖11是本發(fā)明的實(shí)施方式的基板保持機(jī)構(gòu)的一個(gè)例子的基板保持構(gòu)件的接觸面的鉛垂截面形狀的放大圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]以下，參照附圖，說(shuō)明用于實(shí)施本發(fā)明的形態(tài)。在下述的詳細(xì)的說(shuō)明中，為了能夠充分地理解本發(fā)明，提供了大量的具體的詳細(xì)內(nèi)容。然而，沒(méi)有這樣的詳細(xì)說(shuō)明本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠完成本發(fā)明是不言而喻的。在其他例子中，為了避免難以理解各種實(shí)施方式，對(duì)公知的方法、步驟、系統(tǒng)、構(gòu)成要素并沒(méi)有詳細(xì)示出。
[0029]首先，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的適合搭載本發(fā)明的實(shí)施方式的基板保持機(jī)構(gòu)的基板處理裝置的整體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施方式的基板保持機(jī)構(gòu)以及基板處理裝置能夠應(yīng)用于需要基板的保持的各種基板處理裝置，但在本實(shí)施方式中，列舉將本實(shí)施方式的基板處理裝置構(gòu)成為成膜裝置的例子來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。
[0030]如圖1(沿著圖3的I一I線(xiàn)的剖視圖)以及圖2所示，本發(fā)明的實(shí)施方式的成膜裝置包括:具有大概圓形的俯視形狀的扁平的真空容器I;設(shè)置于該真空容器I內(nèi)并在真空容器I的中心具有旋轉(zhuǎn)中心的旋轉(zhuǎn)臺(tái)2。真空容器I由容器主體12和能夠與該容器主體12分離的頂板11構(gòu)成。頂板11借助例如O形環(huán)等密封構(gòu)件13安裝于容器主體12，由此，真空容器I被氣密地密閉。頂板11以及容器主體12能夠由例如鋁(Al)制作。真空容器I在其內(nèi)部進(jìn)行晶圓W的處理，因此，也可以稱(chēng)為處理室。
[0031 ]參照?qǐng)D1，旋轉(zhuǎn)臺(tái)2在中央具有圓形的開(kāi)口部，在開(kāi)口部的周?chē)粓A筒形狀的芯部21從上下夾著而被保持。芯部21固定于沿著鉛垂方向延伸的旋轉(zhuǎn)軸22的上端。旋轉(zhuǎn)軸22貫穿容器主體12的底面部14，其下端安裝于使該旋轉(zhuǎn)軸22繞鉛垂軸線(xiàn)旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)部23。利用該結(jié)構(gòu)，旋轉(zhuǎn)臺(tái)2能夠以其中心軸線(xiàn)為旋轉(zhuǎn)中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。此外，旋轉(zhuǎn)軸22以及驅(qū)動(dòng)部23被收納于上表面開(kāi)口的筒狀的殼體20內(nèi)。該殼體20借助被設(shè)置于其上表面的凸緣部20a氣密地安裝于真空容器I的底面部14的下表面，由此，殼體20的內(nèi)部氣氛與外部氣氛被隔離開(kāi)。
[0032]如圖2以及圖3所示，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的上表面以等角度間隔形成有可分別載置晶圓W的多個(gè)(在圖示的例中為5個(gè))圓形凹部狀的載置部24。不過(guò)，在圖3中僅示出了一張晶圓W。
[0033]如圖2以及圖3所示，在載置部24的周?chē)O(shè)置有基板保持機(jī)構(gòu)120?；灞３謾C(jī)構(gòu)120是用于保持晶圓W的機(jī)構(gòu)，用于以即使旋轉(zhuǎn)臺(tái)2旋轉(zhuǎn)、晶圓W也不會(huì)從載置部24飛出的方式固定保持晶圓W。此外，用圖8及其以后的附圖更詳細(xì)地對(duì)基板保持機(jī)構(gòu)120的詳細(xì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。
[0034I 參照?qǐng)D4，示出了載置部24和載置到載置部24的晶圓W的截面。如圖所示，載置部24具有比晶圓W的直徑稍(例如4mm)大的直徑和與晶圓W的厚度相等的深度。載置部24的深度和晶圓W的厚度大致相等，因此，在晶圓W被載置到載置部24時(shí)，晶圓W的表面處于與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的除了載置部24之外的區(qū)域的表面大致相同的高度。假設(shè)在晶圓W和該區(qū)域之間存在較大的高度差，則由于該高度差而使氣體的流動(dòng)產(chǎn)生紊流，晶圓W上的膜厚均勻性受到影響。為了降低該影響，兩個(gè)表面處于大致相同的高度?！按笾孪嗤母叨取币部梢允歉叨戎钤诖蠹s5mm以下，但優(yōu)選在加工精度允許的范圍盡可能接近零。
[0035]參照?qǐng)D2?圖4，設(shè)置有沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向(例如圖3的箭頭RD)彼此分開(kāi)的兩個(gè)凸?fàn)畈?。在圖2以及圖3中省略了頂板11，凸?fàn)畈?如圖4所示那樣安裝于頂板11的下表面45。另外，如從圖3可知那樣，凸?fàn)畈?具有大致扇形的俯視形狀，其頂部位于真空容器I的大致中心，圓弧位于沿著容器主體12的內(nèi)周壁的位置。而且，如圖4所示，凸?fàn)畈?以其下表面44位于距旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的高度為hi的位置的方式配置。
[0036]另外，參照?qǐng)D3以及圖4，凸?fàn)畈?具有以凸?fàn)畈?被一分為二的方式沿著半徑方向延伸的槽部43，在槽部43中收容有分離氣體噴嘴41 (42)。槽部43在本實(shí)施方式中以將凸?fàn)畈? 二等分的方式形成，但在其他實(shí)施方式中，也可以例如以凸?fàn)畈?中的位于旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上游側(cè)的部分較寬的方式形成槽部43。如圖3所示，分離氣體噴嘴41(42)被從容器主體12的周壁部導(dǎo)入真空容器I內(nèi)，通過(guò)將作為其基端部的氣體導(dǎo)入部41a(42a)安裝于容器主體12的外周壁而被支承。
[0037]分離氣體噴嘴41(42)與分離氣體的氣體供給源(未圖示)連接。分離氣體也可以是氮(N2)氣、非活性氣體，另外，只要是不給成膜帶來(lái)影響的氣體，分離氣體的種類(lèi)就沒(méi)有特別限定。在本實(shí)施方式中，作為分離氣體，可利用他氣體。另外，分離氣體噴嘴41(42)具有用于朝向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的表面噴出N2氣體的多個(gè)噴出孔40(圖4)。噴出孔40在長(zhǎng)度方向上以預(yù)定的間隔配置。在本實(shí)施方式中，噴出孔40具有大約0.5mm的口徑，沿著分離氣體噴嘴41(42)的長(zhǎng)度方向以大約1mm的間隔排列。
[0038]利用以上的結(jié)構(gòu)，利用分離氣體噴嘴41和與其相對(duì)應(yīng)的凸?fàn)畈?提供用于劃分形成分離空間H的分離區(qū)域D1。同樣地，利用分離氣體噴嘴42和與其相對(duì)應(yīng)的凸?fàn)畈?提供用于劃分形成分離空間H的分離區(qū)域D2。另外，相對(duì)于分離區(qū)域Dl在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)形成有由分離區(qū)域D1、D2、旋轉(zhuǎn)臺(tái)2、頂板11的下表面45(以下稱(chēng)為頂面45)、容器主體12的內(nèi)周壁大致圍成的第I區(qū)域48A(第I供給區(qū)域)。而且，相對(duì)于分離區(qū)域DI在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上游側(cè)，形成有由分離區(qū)域D1、D2、旋轉(zhuǎn)臺(tái)2、頂面45、容器主體12的內(nèi)周壁大致圍成的第2區(qū)域48B(第2供給區(qū)域)。在分離區(qū)域Dl、D2中，若從分離氣體噴嘴41、42噴出N2氣體，則分離空間H成為比較高的壓力，犯氣體從分離空間H朝向第I區(qū)域48A以及第2區(qū)域48B流動(dòng)。換言之，分離區(qū)域Dl、D2中的凸?fàn)畈?將來(lái)自分離氣體噴嘴41、42的犯氣體向第I區(qū)域48A以及第2區(qū)域48B引導(dǎo)。
[0039]另外，參照?qǐng)D2以及圖3，處理氣體噴嘴31被從容器主體12的周壁部沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的半徑方向?qū)氲贗區(qū)域48A中，處理氣體噴嘴32從容器主體12的周壁部沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的半徑方向被導(dǎo)入第2區(qū)域48B中。這些處理氣體噴嘴31、32與分離氣體噴嘴41、42同樣地通過(guò)將作為基端部的氣體導(dǎo)入部31a、32a安裝于容器主體12的外周壁而被支承。此外，處理氣體噴嘴31、32也可以以相對(duì)于半徑方向呈預(yù)定的角度的方式被導(dǎo)入。
[0040]另外，處理氣體噴嘴31、32具有用于朝向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的上表面(設(shè)有用于載置晶圓W的載置部24的面)噴出處理氣體的多個(gè)噴出孔33(參照?qǐng)D4)。在本實(shí)施方式中，噴出孔33具有大約0.5mm的口徑，沿著處理氣體噴嘴31、32的長(zhǎng)度方向以大約1mm的間隔排列。
[0041]雖省略圖示，但處理氣體噴嘴31與第I處理氣體的氣體供給源連接，處理氣體噴嘴32與第2處理氣體的氣體供給源連接。作為第I處理氣體以及第2處理氣體，能夠使用以后述的氣體的組合為主的各種氣體，在本實(shí)施方式中，作為第I處理氣體，可利用雙叔丁基氨基硅烷(BTBAS)氣體，作為第2處理氣體，可利用臭氧(O3)氣體。另外，在以下的說(shuō)明中，存在將處理氣體噴嘴31的下方的區(qū)域稱(chēng)為用于使BTBAS氣體吸附于晶圓W的處理區(qū)域P1、將處理氣體噴嘴32的下方的區(qū)域稱(chēng)為使O3氣體與吸附到晶圓W的BTBAS氣體反應(yīng)(氧化)的處理區(qū)域P2的情況。
[0042]再次參照?qǐng)D4，在分離區(qū)域Dl中存在平坦的較低的頂面44(雖未圖示，但在分離區(qū)域D2中也是同樣的)，在第I區(qū)域48A以及第2區(qū)域48B中存在比頂面44高的頂面45。因此，第I區(qū)域48A以及第2區(qū)域48B的容積大于分離區(qū)域D1、D2處的分離空間H的容積。另外，如后所述，在本實(shí)施方式的真空容器I上設(shè)置有用于分別對(duì)第I區(qū)域48A以及第2區(qū)域48B進(jìn)行排氣的排氣口 61、62。由此，能夠?qū)⒌?區(qū)域48六以及第2區(qū)域488維持在比分離區(qū)域01、02的分離空間H的壓力低的壓力。在該情況下，由于分離區(qū)域D1、D2的分離空間H的壓力較高，因此，從處理氣體噴嘴31噴出到第I區(qū)域48A中的BTBAS氣體無(wú)法穿過(guò)分離空間H而到達(dá)第2區(qū)域48B。另外，由于分離區(qū)域D1、D2的分離空間H的壓力較高，因此，從處理氣體噴嘴32噴出到第2區(qū)域48B中的O3氣體無(wú)法穿過(guò)分離空間H而到達(dá)第I區(qū)域48A。因而，兩處理氣體被分離區(qū)域D1、D2分離而幾乎不會(huì)在真空容器I內(nèi)的氣相中混合。
[0043]此外，較低的頂面44的從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的上表面起測(cè)量到的高度hi(圖4)也取決于來(lái)自分離氣體噴嘴41(42)的他氣體的供給量，但以能夠使分離區(qū)域Dl、D2的分離空間H的壓力比第I區(qū)域48A以及第2區(qū)域48B的壓力高的方式設(shè)定。高度hi優(yōu)選是例如0.5mm?10mm，更優(yōu)選盡可能地小。不過(guò)，為了避免由于旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)搖晃而使旋轉(zhuǎn)臺(tái)2與頂面44碰撞，高度hi可以是3.5mm?6.5mm左右。另外，從收容于凸?fàn)畈?的槽部43的分離氣體噴嘴41 (42)的下端到旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的表面的高度h2(圖4)也同樣地可以是0.5mm?4_。
[0044]采用具有以上的結(jié)構(gòu)的分離區(qū)域Dl、D2，即使在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2以例如大約240rpm的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的情況下，也能夠更切實(shí)地分離BTBAS氣體和O3氣體。
[0045]再次參照?qǐng)D1、圖2、以及圖3，設(shè)置有以圍繞芯部21的方式安裝于頂板11的下表面45的環(huán)狀的突出部5。突出部5在比芯部21靠外側(cè)的區(qū)域中與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2相對(duì)。在本實(shí)施方式中，如圖6所清楚地所示，空間50的下表面的距旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的上表面的高度hl5稍低于空間H的高度hi。其原因在于，旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中心部附近處的旋轉(zhuǎn)搖晃較小。具體而言，高度hl5可以是1.0mm?2.0mm左右。此外，在其他實(shí)施方式中，高度hl5和hi也可以相等，另外，突出部5和凸?fàn)畈?既可以一體地形成，也可以分體地形成而結(jié)合起來(lái)。此外，圖2以及圖3示出了在將凸?fàn)畈?保留于真空容器I內(nèi)的狀態(tài)下將頂板11拆卸后的真空容器I的內(nèi)部。
[0046]參照作為圖1的大約一半的放大圖的圖5，真空容器I的頂板11的中心部與分離氣體供給管51連接，由此，向頂板11和芯部21之間的空間52供給N2氣體。利用被供給到該空間52的犯氣體，將突出部5和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的上表面之間的狹窄的空間50維持在比第I區(qū)域48A以及第2區(qū)域48B的壓力高的壓力。因此，從處理氣體噴嘴31噴出到第I區(qū)域48A中的BTBAS氣體無(wú)法穿過(guò)壓力較高的空間50而到達(dá)第2區(qū)域48B。另外，從處理氣體噴嘴32噴出到第2區(qū)域48B中的O3氣體無(wú)法穿過(guò)壓力較高的空間50而到達(dá)第I區(qū)域48A。因而，兩處理氣體被空間50分離而幾乎沒(méi)有在真空容器I內(nèi)的氣相中混合。即，在本實(shí)施方式的成膜裝置中，為了使BTBAS氣體和O3氣體分離，設(shè)置有由旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心部和真空容器I劃分形成的、且被維持在比第I區(qū)域48A以及第2區(qū)域48B的壓力高的壓力的中心區(qū)域C。
[0047]圖6表示沿著圖3的Π— Π線(xiàn)的剖視圖的大約一半，其中圖示了凸?fàn)畈?和與凸?fàn)畈? 一體地形成的突出部5。如圖所示，凸?fàn)畈?在其外緣具有呈L字狀彎曲的彎曲部46。彎曲部46大致填埋旋轉(zhuǎn)臺(tái)2和容器主體12之間的空間，阻止來(lái)自處理氣體噴嘴31的BTBAS氣體和來(lái)自處理氣體噴嘴32的O3氣體通過(guò)其中的間隙而混合。彎曲部46和容器主體12之間的間隙、以及彎曲部46和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2之間的間隙例如可以與從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的上表面到凸?fàn)畈?的頂面44的高度hi大致相同。另外，由于存在彎曲部46，所以來(lái)自分離氣體噴嘴41、42(圖3)的N2氣體難以朝向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外側(cè)流動(dòng)。因此，促進(jìn)他氣體從分離區(qū)域D1、D2向第I區(qū)域48A以及第2區(qū)域48B流動(dòng)。此外，如果在彎曲部46的下方設(shè)置有塊構(gòu)件71b，則能夠進(jìn)一步抑制分離氣體流動(dòng)到旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下方，因此，更為優(yōu)選。
[0048]此外，優(yōu)選的是，彎曲部46和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2之間的間隙設(shè)定為，考慮旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的熱膨脹，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2被后述的加熱單元7加熱了的情況下，該間隙與上述的高度(hi)大略相同。
[0049]另一方面，在第I區(qū)域48A以及第2區(qū)域48B中，容器主體12的內(nèi)周壁如圖3所示那樣向外方側(cè)凹陷而形成了排氣區(qū)域6。如圖3以及圖5所示，在該排氣區(qū)域6的底部設(shè)置有例如排氣口 61、62。這些排氣口 61、62分別經(jīng)由排氣管63與作為真空排氣裝置的例如共用的真空栗64連接。由此，主要是第I區(qū)域48A以及第2區(qū)域48B被排氣，因而，如上所述，能夠使第I區(qū)域48A以及第2區(qū)域48B的壓力低于分離區(qū)域Dl、D2的分離空間H的壓力。[0050 ]另外，參照?qǐng)D3，與第I區(qū)域48A相對(duì)應(yīng)的排氣口 61在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外側(cè)(排氣區(qū)域6)位于處理氣體噴嘴31的下方。由此，從處理氣體噴嘴31的噴出孔33 (圖4)噴出的BTBAS氣體能夠沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的上表面在處理氣體噴嘴31的長(zhǎng)度方向朝向排氣口 61流動(dòng)。后面論述這樣的配置的優(yōu)點(diǎn)。
[0051]再次參照?qǐng)D1，在排氣管63上設(shè)置有壓力調(diào)整器65，由此，可調(diào)整真空容器I內(nèi)的壓力。也可以對(duì)應(yīng)于排氣口 61、62設(shè)置多個(gè)壓力調(diào)整器65。另外，排氣口 61、62并不限于設(shè)置于排氣區(qū)域6的底部(真空容器I的底部14)，也可以設(shè)置于真空容器I的容器主體12的周壁部。另外，排氣口 61、62也可以設(shè)置于頂板11的處于排氣區(qū)域6的部分。不過(guò)，在頂板11上設(shè)置排氣口 61、62的情況下，真空容器I內(nèi)的氣體朝向上方流動(dòng)，因此真空容器I內(nèi)的微粒被卷起，有可能污染晶圓W。因此，優(yōu)選的是，排氣口61、62是如圖1、圖2以及圖5那樣設(shè)置于底部14、或者設(shè)置于容器主體12的周壁部。另外，如果將排氣口61、62設(shè)置于底部14，能夠?qū)⑴艢夤?3、壓力調(diào)整器65、以及真空栗64設(shè)置于真空容器I的下方，因此，在縮小成膜裝置的占用空間這方面是有利的。
[0052]如圖1、以及圖5?圖8所示，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2和容器主體12的底部14之間的空間中設(shè)置有作為加熱部的環(huán)狀的加熱單元7，由此，旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上的晶圓W借助旋轉(zhuǎn)臺(tái)2被加熱到預(yù)定的溫度。另外，塊構(gòu)件71a以圍繞加熱單元7的方式設(shè)置于旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下方且在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外周的附近，因此，放置有加熱單元7的空間被與加熱單元7的外側(cè)的區(qū)域劃分開(kāi)。為了防止氣體流入比塊構(gòu)件71a靠?jī)?nèi)側(cè)的位置，以在塊構(gòu)件71a的上表面和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下表面之間維持微小的間隙的方式配置。多個(gè)吹掃氣體供給管73分別以貫通容器主體12的底部的方式隔開(kāi)預(yù)定的角度間隔與用于收容加熱單元7的區(qū)域相連，以對(duì)該區(qū)域進(jìn)行吹掃。此外，在加熱單元7的上方，用于保護(hù)加熱單元7的保護(hù)板7a由塊構(gòu)件71和后述的隆起部R支承，由此，即使BTBAS氣體、O3氣體流入設(shè)有加熱單元7的空間，也能夠保護(hù)加熱單元7 ο優(yōu)選的是，保護(hù)板7a由例如石英制作成。
[0053]參照?qǐng)D5，底部14在環(huán)狀的加熱單元7的內(nèi)側(cè)具有隆起部R。隆起部R的上表面接近旋轉(zhuǎn)臺(tái)2以及芯部21，在隆起部R的上表面和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下表面之間、以及隆起部R的上表面和芯部21的下表面之間保留有微小的間隙。另外，底部14具有供旋轉(zhuǎn)軸22穿過(guò)的中心孔O。該中心孔O的內(nèi)徑比旋轉(zhuǎn)軸22的直徑稍大，保留有經(jīng)過(guò)凸緣部20a而與殼體20連通的間隙。吹掃氣體供給管72與凸緣部20a的上部連接。
[0054]利用這樣的結(jié)構(gòu)，如圖5所示，N2氣體通過(guò)旋轉(zhuǎn)軸22和底部14的中心孔O之間的間隙、芯部21和底部14的隆起部R之間的間隙、以及底部14的隆起部R和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下表面之間的間隙而從吹掃氣體供給管72向加熱單元7之上的空間流動(dòng)。另外，N2氣體從吹掃氣體供給管73向加熱單元7之下的空間流動(dòng)。然后，這些N2氣體通過(guò)塊構(gòu)件71a的上表面和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下表面之間的間隙流入排氣口 61。如此流動(dòng)的N2氣體作為用于防止BTBAS氣體(O3氣體)這處理氣體在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下方的空間中回流而與O3氣體(BTBAS氣體)混合的分離氣體發(fā)揮作用。
[0055]參照?qǐng)D2、圖3以及圖7，在容器主體12的周壁部形成有輸送口 15。晶圓W通過(guò)輸送口15被輸送臂10輸送到真空容器I中、或被從真空容器I輸送到外部。在該輸送口 15設(shè)置有閘閥(未圖示)，由此，輸送口 15可被開(kāi)閉。另外，在凹部24的底面形成有3個(gè)貫通孔(未圖示)，3根升降銷(xiāo)16(圖7)在這些貫通孔穿過(guò)而能夠上下運(yùn)動(dòng)。升降銷(xiāo)16支承晶圓W的下表面而使該晶圓W升降，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2和輸送臂10之間交接晶圓W。
[0056]圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的基板保持機(jī)構(gòu)的一個(gè)例子的圖。圖8的(a)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的基板保持機(jī)構(gòu)的將晶圓W載置于載置部上之前的狀態(tài)的圖。圖8的(b)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的基板保持機(jī)構(gòu)的保持有晶圓W的狀態(tài)的圖。
[0057]如圖8的(a)、(b)所示，本實(shí)施方式的基板保持機(jī)構(gòu)120具有基板保持構(gòu)件80、旋轉(zhuǎn)軸81、連結(jié)構(gòu)件82、推壓構(gòu)件83、彈簧90、彈簧支承部91、推壓銷(xiāo)100和止擋件110。
[0058]如圖8的(a)、(b)所示，基板保持機(jī)構(gòu)120設(shè)置于載置部24的外周附近。如圖8的(b)所示，在載置部24內(nèi)設(shè)置有用于固定保持晶圓W的基板保持區(qū)域25，基板保持機(jī)構(gòu)120設(shè)置于基板保持區(qū)域25的周?chē)?。即，基板保持區(qū)域25是利用基板保持機(jī)構(gòu)120準(zhǔn)確地保持晶圓W的區(qū)域且是包含于載置部24的區(qū)域。載置部24被設(shè)置為具有相對(duì)于旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的表面凹陷而成的形狀，基板保持機(jī)構(gòu)120設(shè)置于載置部24的外側(cè)且在載置部24的下方。
[0059]另外，基板保持機(jī)構(gòu)120的個(gè)數(shù)多少都沒(méi)有關(guān)系，但優(yōu)選的是如圖2、3所示那樣設(shè)置有多個(gè)，從切實(shí)地防止晶圓W的浮起的方面考慮，優(yōu)選的是設(shè)置有至少3個(gè)。
[0060]基板保持構(gòu)件80是與晶圓W接觸來(lái)保持晶圓W的構(gòu)件，因此，內(nèi)側(cè)的面成為與晶圓W接觸的接觸面80a。旋轉(zhuǎn)軸81是將基板保持構(gòu)件80支承為能夠旋轉(zhuǎn)的中心軸，以將旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中心和外周連結(jié)起來(lái)的方式沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的半徑方向設(shè)置。因此，通過(guò)基板保持構(gòu)件80從基板保持區(qū)域25的外側(cè)向內(nèi)側(cè)繞旋轉(zhuǎn)軸81旋轉(zhuǎn)，基板保持構(gòu)件80與晶圓W的側(cè)面部接觸來(lái)保持晶圓W?；灞３謽?gòu)件80可以構(gòu)成為各種形狀，但需要包括具有能夠與晶圓W的側(cè)面部接觸并保持晶圓W的側(cè)面部的程度的平坦度或曲率的接觸面80a、具有能夠與晶圓W保持非接觸狀態(tài)的開(kāi)度角的缺口部80b。另外，基板保持構(gòu)件80需要具有可旋轉(zhuǎn)地保持于旋轉(zhuǎn)軸81的形狀以及構(gòu)造。
[0061 ]基板保持構(gòu)件80可以由各種材料形成，但其暴露于真空容器I內(nèi)的處理空間，因此，優(yōu)選的是，由產(chǎn)生粉塵較少、耐熱性較高的材料形成。優(yōu)選的是，例如，基板保持構(gòu)件80與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2同樣地由石英形成，或由陶瓷等耐熱性較高且產(chǎn)生粉塵較少的材料形成。
[0062]連結(jié)構(gòu)件82是用于將基板保持構(gòu)件80和彈簧90連結(jié)起來(lái)的構(gòu)件。本實(shí)施方式的基板保持機(jī)構(gòu)120利用彈簧90的作用力來(lái)進(jìn)行基板保持構(gòu)件80的開(kāi)閉。因此，為了將彈簧90的作用力向基板保持構(gòu)件80傳遞，設(shè)置有將基板保持構(gòu)件80和彈簧90連結(jié)起來(lái)的連結(jié)構(gòu)件
82ο
[0063]推壓構(gòu)件83是成為推壓銷(xiāo)100的目標(biāo)(推壓對(duì)象)的構(gòu)件，通過(guò)被推壓銷(xiāo)100推壓，而將克服彈簧90的作用力的力向連結(jié)構(gòu)件82傳遞。也就是說(shuō)，推壓構(gòu)件83與彈簧90以及連結(jié)構(gòu)件82連結(jié)，通常受到彈簧90的作用力，但通過(guò)對(duì)推壓構(gòu)件83施加用于克服彈簧90的作用力的力，該推壓構(gòu)件83可施加與彈簧90的作用力的方向相反的方向的力。
[0064]具體而言，圖8的(a)所示的狀態(tài)是推壓構(gòu)件83受到推壓銷(xiāo)100的朝上的推壓力的狀態(tài)，由此，推壓構(gòu)件83向上方移動(dòng)，與推壓構(gòu)件83連結(jié)著的連結(jié)構(gòu)件82也向上方移動(dòng)。通過(guò)連結(jié)構(gòu)件82向上方移動(dòng)，基板保持構(gòu)件80向外旋轉(zhuǎn)，接觸面80a張開(kāi)，成為能夠?qū)⒕AW向載置部24上載置的狀態(tài)。
[0065]圖8的(a)的狀態(tài)下的基板保持構(gòu)件80的相對(duì)于載置部24的面的開(kāi)度角α需要張開(kāi)到可接受晶圓W的角度，優(yōu)選的是至少?gòu)堥_(kāi)大致90度。另一方面，若為90度以上，則基板保持構(gòu)件80張開(kāi)到任何度數(shù)都可接受晶圓W，但張開(kāi)到所需度數(shù)以上在處理上沒(méi)有意義，反倒花費(fèi)多余的時(shí)間，因此，張開(kāi)到大致90度就已足夠。因此，優(yōu)選的是，基板保持構(gòu)件80的接受晶圓W時(shí)的開(kāi)度角α是80度?95度，進(jìn)一步優(yōu)選的是設(shè)定為大致90度。
[0066]彈簧90是借助連結(jié)構(gòu)件82將作用力施加于基板保持構(gòu)件80的部件。如圖8的(b)所示，彈簧90由于收縮而產(chǎn)生將連結(jié)構(gòu)件82向下方牽拉的作用力。通過(guò)將連結(jié)構(gòu)件82向下方牽拉，與連結(jié)構(gòu)件82連接著的基板保持構(gòu)件80被施加向內(nèi)側(cè)旋轉(zhuǎn)的力。由此，基板保持構(gòu)件80對(duì)晶圓W施加使晶圓W的側(cè)面部朝向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中心側(cè)、更準(zhǔn)確地說(shuō)將晶圓W的側(cè)面部從外側(cè)上方朝向中心下方地傾斜推壓的力。由此，晶圓W成為在作用力的作用下被彈性地保持的狀態(tài)，能夠不對(duì)晶圓W的表面造成損傷而切實(shí)地保持晶圓W。
[0067]彈簧支承部91是用于支承彈簧90的支承臺(tái)，為了從下方支承彈簧90，設(shè)置于彈簧90的下方。
[0068]彈簧90可以由各種材料形成，但例如也可以由陶瓷形成。如上所述，優(yōu)選的是，真空容器I內(nèi)的構(gòu)件由產(chǎn)生粉塵較少、且具有耐熱性的石英或陶瓷形成。然而，石英缺乏彈性，難以形成彈簧90。因此，彈簧90例如也可以由陶瓷形成。
[0069]另外，彈簧90的形狀可以與用途相應(yīng)地設(shè)為各種形狀，但除了如圖8的(a)、(b)所示的螺旋彈簧形狀之外，也可以由板簧構(gòu)成。若是圖8的(a)、(b)所示的螺旋彈簧形狀，則彈簧90有可能彼此接觸而產(chǎn)生污染，因此，更優(yōu)選由零部件個(gè)數(shù)較少的板簧構(gòu)成。因此，彈簧90也可以由板簧構(gòu)成。
[0070]如圖8的(b)所示，在彈簧90對(duì)連結(jié)構(gòu)件82向下施力時(shí)，成為基板保持構(gòu)件80保持著晶圓W的狀態(tài)。也就是說(shuō)，彈簧90在通常狀態(tài)下維持著保持晶圓W的狀態(tài)。此時(shí)，基板保持構(gòu)件80的接觸面80a的開(kāi)度角β也可以是例如70度?85度，優(yōu)選的是，也可以是75度?80度。這樣，基板保持構(gòu)件80的接觸面80a通過(guò)彈性地維持比直角稍稍向內(nèi)側(cè)傾斜的開(kāi)度角β，能夠?qū)⒕AW切實(shí)地保持為表面暴露著的狀態(tài)。即，若基板保持構(gòu)件80的接觸面80a的開(kāi)度角β過(guò)于接近90度，則晶圓W的保持力變?nèi)?。相反，若基板保持?gòu)件80的接觸面80a的開(kāi)度角β過(guò)小，則基板保持構(gòu)件80覆蓋晶圓W的表面，在基板處理時(shí)有可能無(wú)法對(duì)晶圓W的周緣部進(jìn)行充分的處理。因此，在本實(shí)施方式的基板保持機(jī)構(gòu)120中，通過(guò)基板保持構(gòu)件80對(duì)晶圓W的側(cè)面部施力，能夠不對(duì)處理帶來(lái)不良影響而切實(shí)地保持晶圓W。
[0071]推壓銷(xiāo)100作為使基板保持構(gòu)件80的保持釋放的釋放構(gòu)件發(fā)揮作用。具體而言，在使彈簧90收縮的作用力作用于連結(jié)構(gòu)件82、基板保持構(gòu)件80合攏而保持著晶圓W時(shí)，推壓銷(xiāo)100克服彈簧90的作用力而將推壓構(gòu)件83向上方推壓，使彈簧90伸長(zhǎng)，將與推壓構(gòu)件83連結(jié)著的連結(jié)構(gòu)件82向上方提起。通過(guò)連結(jié)構(gòu)件82的上升，基板保持構(gòu)件80向外側(cè)旋轉(zhuǎn)而釋放晶圓W。由此，晶圓W成為能夠利用升降銷(xiāo)16的上升而沿著鉛垂方向移動(dòng)的狀態(tài)。
[0072]作為限制部件的止擋件110是對(duì)推壓構(gòu)件83的推壓時(shí)的移動(dòng)界限進(jìn)行限制的限制構(gòu)件。具體而言，止擋件110設(shè)置于推壓構(gòu)件83的上方的預(yù)定位置，限定推壓構(gòu)件83的向上方的移動(dòng)界限。如圖8的(b)所示，止擋件110設(shè)置于比載置部24的面靠下方的位置，以推壓構(gòu)件83不會(huì)移動(dòng)到比載置部24靠上方的位置的方式限制推壓界限。由此，即使基板保持構(gòu)件80成為張開(kāi)狀態(tài)，也能夠防止推壓構(gòu)件83推壓晶圓W的背面而使晶圓W浮起，能夠切實(shí)地維持將晶圓W保持于基板保持區(qū)域25內(nèi)的狀態(tài)。
[0073]此外，如圖8的(a)所示，在推壓銷(xiāo)100從下方推壓推壓構(gòu)件83而推壓構(gòu)件83移動(dòng)到上方時(shí)，止擋件110成為由于推壓構(gòu)件83而無(wú)法被從側(cè)面看到的狀態(tài)。其原因在于，在推壓構(gòu)件83的表面形成有槽，該槽構(gòu)成為可與止擋件110卡合，也可以將推壓構(gòu)件83和止擋件110構(gòu)成為能夠進(jìn)行那樣的卡合或能夠嵌合的形狀。另外，相反，也可以不設(shè)置那樣的卡合構(gòu)造或嵌合構(gòu)造而將推壓構(gòu)件83構(gòu)成為平坦的板狀。
[0074]接著，說(shuō)明基板保持機(jī)構(gòu)120的動(dòng)作。
[0075]首先，如圖8的(a)那樣，升降銷(xiāo)16上升，從輸送臂10接受晶圓W。之后，升降銷(xiāo)16下降，成為圖8的(a)所示的狀態(tài)。此時(shí)，推壓銷(xiāo)100將推壓構(gòu)件83向上方推壓，由此，推壓構(gòu)件83以及連結(jié)構(gòu)件82上升，內(nèi)側(cè)端與連結(jié)構(gòu)件82的外側(cè)端連結(jié)著的基板保持構(gòu)件80繞旋轉(zhuǎn)軸81向外側(cè)旋轉(zhuǎn)，基板保持構(gòu)件80的接觸面80a張開(kāi)。由此，成為晶圓W可載置于載置部24上的狀態(tài)。
[0076]接著，如圖8的(b)所示，升降銷(xiāo)16下降至比載置部24的面靠下方的位置，晶圓W被載置于載置部24上，接下來(lái)，推壓銷(xiāo)100下降。由此，彈簧90的收縮力起作用，推壓構(gòu)件83以及連結(jié)構(gòu)件82下降。隨著連結(jié)構(gòu)件82的下降，基板保持構(gòu)件80繞旋轉(zhuǎn)軸81向內(nèi)側(cè)旋轉(zhuǎn)，在與晶圓W的側(cè)面部接觸的同時(shí)推壓晶圓W的側(cè)面部。在基板保持構(gòu)件80上始終作用有彈簧90的作用力，因此，晶圓W被切實(shí)地保持于基板保持區(qū)域25上、也就是說(shuō)載置部24上。由此，即使旋轉(zhuǎn)臺(tái)2旋轉(zhuǎn)而開(kāi)始晶圓W的處理，也可將晶圓W以與基板保持區(qū)域25接觸的狀態(tài)保持于基板保持區(qū)域25上，對(duì)晶圓W的表面進(jìn)行處理。晶圓W以與基板保持區(qū)域25接觸的狀態(tài)保持于基板保持區(qū)域25上，因此，能夠防止對(duì)背面進(jìn)行不需要的處理。
[0077]在晶圓W的處理結(jié)束后，推壓銷(xiāo)100將推壓構(gòu)件83向上方推壓，基板保持構(gòu)件80張開(kāi)。推壓構(gòu)件83的向上移動(dòng)被止擋件110限制，因此，基板保持構(gòu)件80靜止在預(yù)定的位置、例如相對(duì)于載置部24的面張開(kāi)了大致90度的位置。接下來(lái)，如圖8的(a)所示，升降銷(xiāo)16上升，支承晶圓W而將晶圓W向上方抬起。之后，輸送臂10接受晶圓W，將處理后的晶圓W輸出到真空容器I的外部。
[0078]這樣，采用本實(shí)施方式的基板保持機(jī)構(gòu)120，能夠在晶圓W的整個(gè)表面暴露著的狀態(tài)下切實(shí)地保持晶圓W，但不會(huì)對(duì)晶圓W的表面的處理帶來(lái)不良影響，且能夠切實(shí)地防止對(duì)背面進(jìn)行不需要的處理。
[0079]圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的基板保持機(jī)構(gòu)120的一個(gè)例子的基板保持構(gòu)件80的接觸面80a的俯視形狀的圖。在圖11中示出了基板保持機(jī)構(gòu)120的基板保持構(gòu)件80的放大圖，基板保持構(gòu)件80的接觸面80a也可以構(gòu)成為沿著晶圓W的外周形狀的形狀。即、晶圓W通常具有大致圓形，而基板保持構(gòu)件80的接觸面80a也可以構(gòu)成為以沿著晶圓W的大致圓形的方式具有呈圓弧狀凹陷的彎曲形狀。由此，能夠增加晶圓W的外周和接觸面80a之間的接觸面積，可以更切實(shí)保持晶圓W。
[0080]圖10是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的基板保持機(jī)構(gòu)120的一個(gè)例子的基板保持構(gòu)件80的接觸面80a的鉛垂截面形狀的圖。在圖10中示出了基板保持構(gòu)件80的接觸面80a和晶圓W的側(cè)面部接觸時(shí)的狀態(tài)，接觸面80a也可以以與晶圓的傾斜(日語(yǔ):?S )形狀相對(duì)應(yīng)的彎曲形狀構(gòu)成。
[0081 ]圖11是表示在晶圓W的側(cè)面部形成有傾斜部、基板保持構(gòu)件80的接觸面80a具有以沿著傾斜形狀的方式向內(nèi)彎曲的形狀而構(gòu)成的例子的圖。如圖11所示，在晶圓W的側(cè)面部形成有上側(cè)的傾斜部BI和下側(cè)的傾斜部B2。并且，基板保持構(gòu)件80的接觸面80a具有沿著上側(cè)的傾斜部BI的那樣的彎曲形狀。由此，能夠增加基板保持構(gòu)件80的接觸面80a和晶圓W的側(cè)面部之間的接觸面積，能夠更切實(shí)地保持晶圓W。
[0082]這樣，基板保持構(gòu)件80的接觸面80a也可以根據(jù)需要構(gòu)成為使俯視形狀和側(cè)面形狀都沿著晶圓W的外周形狀的形狀。由此，能夠更加提高基板保持機(jī)構(gòu)120的保持晶圓W的能力。
[0083]此外，在本實(shí)施方式的成膜裝置中，如圖3所示，設(shè)置有用于對(duì)裝置整體的動(dòng)作進(jìn)行控制的控制部150。該控制部150具有例如由計(jì)算機(jī)構(gòu)成的工藝控制器150a、用戶(hù)接口部150b和存儲(chǔ)器裝置150c。用戶(hù)接口部150b具有顯示成膜裝置的動(dòng)作狀況的顯示器、用于成膜裝置的操作者選擇工藝制程或工藝管理者變更工藝制程的參數(shù)的鍵盤(pán)、觸摸面板(未圖不)等。另外，控制部150還可以控制基板保持機(jī)構(gòu)120的基板保持動(dòng)作。
[0084]存儲(chǔ)器裝置150c存儲(chǔ)有使工藝控制器150a實(shí)施各種工藝的控制程序、工藝制程、以及各種工藝中的參數(shù)等。另外，在這些程序中存在具有用于進(jìn)行例如后述的清潔方法的步驟組的程序。這些控制程序、工藝制程按照來(lái)自用戶(hù)接口部150b的指示而被工藝控制器150a讀出并執(zhí)行。另外，也可以是，這些程序存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀取介質(zhì)150d，通過(guò)與它們相對(duì)應(yīng)的輸入輸出裝置(未圖示)安裝于存儲(chǔ)器裝置150c。計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)150d也可以是硬盤(pán)、CD、⑶-R/RW、DVD-R/RW、軟盤(pán)、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器等。另外，程序也可以通過(guò)通信線(xiàn)路而下載到存儲(chǔ)器裝置150c中。
[0085]接著，說(shuō)明本實(shí)施方式的成膜裝置的動(dòng)作(成膜方法)的一個(gè)例子。首先，旋轉(zhuǎn)臺(tái)2旋轉(zhuǎn)，以使載置部24排列于輸送口 15，打開(kāi)閘閥(未圖示)。接著，利用輸送臂10經(jīng)由輸送口15將晶圓W輸入真空容器I內(nèi)。在晶圓W被升降銷(xiāo)16接受、輸送臂10被從容器I拉出后，利用由升降機(jī)構(gòu)(未圖示)驅(qū)動(dòng)的升降銷(xiāo)16使晶圓W下降到載置部24。如以圖8的(a)、(b)說(shuō)明的一樣，對(duì)于被載置于載置部24上的晶圓W，利用基板保持機(jī)構(gòu)120對(duì)晶圓W進(jìn)行保持。然后，重復(fù)進(jìn)行5次上述的一連串的動(dòng)作，5張晶圓W被載置于所對(duì)應(yīng)的凹部24。
[0086]接下來(lái)，真空容器I內(nèi)被真空栗64以及壓力調(diào)整器65維持為預(yù)先設(shè)定好的壓力。旋轉(zhuǎn)臺(tái)2從上方看來(lái)開(kāi)始順時(shí)針旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)臺(tái)2被加熱單元7提前加熱到預(yù)定的溫度(例如300°C)，晶圓W通過(guò)載置于該旋轉(zhuǎn)臺(tái)2而被加熱。晶圓W被加熱并被維持在預(yù)定的溫度的情況被溫度傳感器(未圖示)確認(rèn)之后，BTBAS氣體通過(guò)處理氣體噴嘴31向第I處理區(qū)域Pl供給，O3氣體通過(guò)處理氣體噴嘴32向第2處理區(qū)域P2供給。此外，從分離氣體噴嘴41、42供給N2氣體。而且，從中心區(qū)域C、即、從突出部5和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2之間沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的表面噴出N2氣體。另外，也從分離氣體供給管51、吹掃氣體供給管72、73供給N2氣體。
[0087 ] 在晶圓W通過(guò)處理氣體噴嘴31的下方的第I處理區(qū)域PI時(shí)，BTBAS分子吸附于晶圓W的表面，在晶圓W通過(guò)處理氣體噴嘴32的下方的第2處理區(qū)域P2時(shí)，O3分子吸附于晶圓W的表面，BTBAS分子被O3氧化。因而，每當(dāng)通過(guò)旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)而使晶圓W通過(guò)處理區(qū)域P1、P2這兩者一次，則在晶圓W的表面形成一層氧化硅的分子層(或兩層以上的分子層)。接下來(lái)，晶圓W交替地多次通過(guò)區(qū)域P1、P2，具有預(yù)定的膜厚的氧化硅膜堆積于晶圓W的表面。此時(shí)，晶圓W沒(méi)有浮起地被基板保持機(jī)構(gòu)120保持于載置部24上，因此，沒(méi)有對(duì)背面進(jìn)行不需要的成膜。另外，晶圓W的表面保持在全部暴露著的狀態(tài)，因此，能夠在晶圓W的表面均勻地進(jìn)行成膜。并且，在具有預(yù)定的膜厚的氧化硅膜被堆積之后，停止BTBAS氣體和O3氣體的供給，使旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)停止。然后，利用輸送臂10將晶圓W利用與輸入動(dòng)作相反的動(dòng)作依次從容器I輸出，結(jié)束成膜工藝。此時(shí)的晶圓W的輸出的動(dòng)作與以圖8的(a)、(b)說(shuō)明的動(dòng)作一樣。
[0088]此外，在本實(shí)施方式中，列舉了將基板保持機(jī)構(gòu)120應(yīng)用于使用了旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的基板處理裝置的例子來(lái)進(jìn)行說(shuō)明，但本實(shí)施方式的基板保持機(jī)構(gòu)120也能夠應(yīng)用于使用了不旋轉(zhuǎn)地保持晶圓W的基座的基板處理裝置。
[0089]根據(jù)本發(fā)明，能夠在成為使基板表面的整個(gè)區(qū)域暴露了的狀態(tài)的同時(shí)、切實(shí)地固定保持基板。
[0090]以上，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明并不限制于上述的實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明的范圍內(nèi)能夠?qū)ι鲜鰧?shí)施方式施加各種變形以及置換。
[0091 ]本發(fā)明基于2015年2月16日提出申請(qǐng)的日本特許出愿第2015-027717號(hào)的優(yōu)先權(quán)的利益，該日本申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容作為參照文獻(xiàn)而編入本說(shuō)明書(shū)中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基板保持機(jī)構(gòu)，其用于將基板保持于基座上的預(yù)定的基板保持區(qū)域上，其中， 該基板保持機(jī)構(gòu)具有: 基板保持構(gòu)件，其設(shè)置于所述基板保持區(qū)域的周?chē)渫ㄟ^(guò)從所述基板保持區(qū)域的外側(cè)向內(nèi)側(cè)旋轉(zhuǎn)，能夠以預(yù)定的接觸面與載置到所述基板保持區(qū)域上的所述基板的側(cè)面部接觸； 施力部件，其對(duì)該基板保持構(gòu)件施加朝向內(nèi)側(cè)方向的作用力，通過(guò)該作用力，使得該基板保持構(gòu)件與所述基板的側(cè)面部接觸而能夠保持所述基板； 釋放構(gòu)件，其通過(guò)對(duì)所述基板保持構(gòu)件施加用于克服與該施力部件的所述作用力的力，而能夠?qū)⑺龌灞３謽?gòu)件釋放成能夠?qū)⑺龌逖刂U垂方向抬起的狀態(tài)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其中， 所述基板保持構(gòu)件設(shè)置于比所述基板保持區(qū)域的外周靠外側(cè)的位置，并被固定保持于能夠沿著所述基板保持區(qū)域的半徑方向旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)軸。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其中， 能夠?qū)⑺龌逖刂U垂方向抬起的狀態(tài)是所述基板保持構(gòu)件的所述預(yù)定的接觸面相對(duì)于所述基板保持區(qū)域的面張開(kāi)了大致90度的狀態(tài)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其中， 所述基板保持機(jī)構(gòu)還具有與所述基板保持構(gòu)件連結(jié)的連結(jié)構(gòu)件， 所述施力部件借助該連結(jié)構(gòu)件對(duì)所述基板保持構(gòu)件施加所述作用力。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其中， 所述基板保持機(jī)構(gòu)還具有與所述連結(jié)構(gòu)件連結(jié)的推壓構(gòu)件， 所述釋放構(gòu)件通過(guò)推壓該推壓構(gòu)件，而將克服所述作用力的力借助所述連結(jié)構(gòu)件施加于所述基板保持構(gòu)件。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其中， 所述連結(jié)構(gòu)件、所述推壓構(gòu)件以及所述施力部件設(shè)置于所述基板保持區(qū)域的下方。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其中， 所述基板保持機(jī)構(gòu)還具有限制部件，該限制部件用于對(duì)所述推壓構(gòu)件的在所述釋放構(gòu)件的克服所述作用力的力的作用下而產(chǎn)生的移動(dòng)范圍進(jìn)行限制， 利用該限制部件對(duì)所述基板保持構(gòu)件的張開(kāi)角度進(jìn)行限制。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其中， 所述釋放構(gòu)件是能夠從下方推壓所述推壓構(gòu)件的升降構(gòu)件。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其中， 所述施力部件是彈簧， 所述作用力是該彈簧的收縮力。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其中， 所述彈簧由陶瓷形成。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其中， 所述彈簧是板簧。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其中， 所述基板保持構(gòu)件的所述預(yù)定的接觸面的水平截面形狀是沿著所述基板的外周的形狀。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其中， 所述基板保持構(gòu)件的所述預(yù)定的接觸面的鉛垂截面形狀是向上凸的彎曲的形狀。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其中， 所述基板保持構(gòu)件保持著所述基板時(shí)的所述預(yù)定的接觸面的相對(duì)于所述基板保持區(qū)域的面的角度是70度?85度。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其中， 在所述基板的所述側(cè)面部形成有傾斜面時(shí)，所述基板保持構(gòu)件的所述預(yù)定的接觸面與上側(cè)的傾斜面接觸。16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其中， 所述基板保持構(gòu)件、所述施力部件以及所述釋放構(gòu)件在所述基板保持區(qū)域的周?chē)謩e設(shè)置有多個(gè)。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其中， 所述基板保持構(gòu)件、所述施力部件以及所述釋放構(gòu)件在所述基板保持區(qū)域的周?chē)謩e設(shè)置有至少3個(gè)。18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板保持機(jī)構(gòu)，其中， 所述基板保持區(qū)域設(shè)置于相對(duì)于基座的表面凹陷而成的預(yù)定的基板載置區(qū)域內(nèi)。19.一種基板處理裝置，其中， 該基板處理裝置具有: 權(quán)利要求18所述的基板保持機(jī)構(gòu)； 用于收容所述基座的處理容器； 貫通所述基板保持區(qū)域的至少3個(gè)貫通孔； 以能夠在該貫通孔中升降的方式設(shè)置的多個(gè)升降銷(xiāo)； 能夠在所述多個(gè)升降銷(xiāo)和所述處理容器的外部之間輸送所述基板的輸送臂， 所述釋放構(gòu)件不與該升降銷(xiāo)連動(dòng)而獨(dú)立地被驅(qū)動(dòng)。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的基板處理裝置，其中， 所述基座構(gòu)成為能夠旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)， 所述基板載置區(qū)域沿著所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向設(shè)置有多個(gè)， 該基板處理裝置還具有: 第I處理區(qū)域以及第2處理區(qū)域，其沿著所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向分開(kāi)地設(shè)置，能夠分別供給第I處理氣體以及第2處理氣體； 分離區(qū)域，其沿著所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向設(shè)置于該第I處理區(qū)域和該第2處理區(qū)域之間，用于供給能夠使所述第I處理氣體和所述第2處理氣體彼此分離的分離氣體。
【文檔編號(hào)】C23C16/455GK105887047SQ201610086738
【公開(kāi)日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年2月16日
【發(fā)明人】加藤壽
【申請(qǐng)人】東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社