本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，特別是涉及沉積設(shè)備和基片的鈍化方法。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，整片的基片可以通過切割形成半片或者多個(gè)小片基片。切割后的表面存在嚴(yán)重的表面缺陷，需要進(jìn)行表面處理，減少切割面的電荷復(fù)合。相關(guān)技術(shù)中，通過對(duì)堆疊的基片進(jìn)行加熱然后鍍膜鈍化的方式改善切割后的表面缺陷。但是相關(guān)的設(shè)備是針對(duì)整個(gè)基片進(jìn)行加熱，切割的表面如果需要加熱到工藝溫度，需要很長(zhǎng)的預(yù)熱和熱傳導(dǎo)過程。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的實(shí)施例提供沉積設(shè)備和基片的鈍化方法，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)基片需要鍍膜的側(cè)面針對(duì)性加熱。

2、第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種沉積設(shè)備。沉積設(shè)備包括設(shè)備主體、載片舟和紅外加熱器。設(shè)備主體具有工藝腔體。載片舟設(shè)置于工藝腔體內(nèi)，載片舟具有用于容置基片的容置腔，載片舟將基片的至少一面遮掩。紅外加熱器與載片舟的其中一面相對(duì)且間隔設(shè)置，紅外加熱器與載片舟之間具有供工藝氣體流過的工藝通道，紅外加熱器用于加熱未被遮掩的基片側(cè)面。

3、可選地，沉積設(shè)備還包括載具，載具具有安裝腔，載具可拆卸安裝于工藝腔體內(nèi)，載片舟設(shè)置于安裝腔，紅外加熱器安裝于載具。

4、可選地，載片舟內(nèi)的基片堆疊設(shè)置，并且堆疊設(shè)置的基片中待鍍膜的側(cè)面自暴露于工藝通道，堆疊設(shè)置的基片的其他面由載片舟遮掩。

5、可選地，載具在工藝腔體內(nèi)設(shè)置有多個(gè)，并且工藝通道并聯(lián)或串聯(lián)；

6、或者，載片舟在安裝腔內(nèi)設(shè)置有多個(gè)，紅外加熱器分別與載片舟形成工藝通道，并且工藝通道并聯(lián)或串聯(lián)。

7、可選地，載片舟可拆卸安裝于工藝腔體內(nèi)，紅外加熱器安裝于工藝腔體內(nèi)。

8、可選地，載片舟在安裝腔內(nèi)設(shè)置有多個(gè)，多個(gè)紅外加熱器分別與載片舟形成工藝通道，并且工藝通道并聯(lián)或串聯(lián)。

9、可選地，多個(gè)紅外加熱器間隔設(shè)置于工藝腔體內(nèi)，紅外加熱器之間間隔形成有安裝載片舟的安裝腔；載片舟可拆卸安裝于安裝腔內(nèi)。

10、可選地，沉積設(shè)備還包括噴淋板和負(fù)壓泵，噴淋板和負(fù)壓泵分別與工藝通道連通。

11、可選地，沉積設(shè)備還包括門體，噴淋板設(shè)置于門體并且在門體閉合時(shí)噴淋板與工藝通道對(duì)應(yīng)設(shè)置。

12、可選地，沉積設(shè)備還包括腔體加熱件，腔體加熱件安裝于設(shè)備主體，用于加熱工藝腔體。

13、第二方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種基片的鈍化方法。方法包括：

14、抽除，將工藝腔體內(nèi)的氣體抽除，使工藝腔體維持足夠的真空度；

15、吹掃，通入惰性保護(hù)氣，吹掃工藝腔體內(nèi)的雜質(zhì)；

16、預(yù)熱，打開紅外加熱器，對(duì)基片進(jìn)行預(yù)熱；

17、鈍化，向工藝通道內(nèi)通入工藝氣體，以對(duì)基片未被遮掩的基片側(cè)面進(jìn)行鍍膜；同時(shí)，維持紅外加熱器的溫度處于預(yù)設(shè)溫度；

18、退火，增加紅外加熱器功率，紅外加熱器的溫度維持在600-1700℃，將基片加熱至退火溫度然后關(guān)閉紅外加熱器；

19、破空，向工藝腔體內(nèi)通入惰性保護(hù)氣，恢復(fù)工藝腔體內(nèi)的氣壓；

20、轉(zhuǎn)移，將基片進(jìn)行轉(zhuǎn)移和冷卻。

21、可選地，在預(yù)熱步驟中，紅外加熱器的溫度處于280-650℃；

22、在鈍化步驟中，紅外加熱器的溫度維持在280-650℃。

23、可選地，沉積設(shè)備還包括腔體加熱件，腔體加熱件安裝于設(shè)備主體，用于加熱工藝腔體；

24、在預(yù)熱步驟中，方法還包括打開腔體加熱件；

25、在退火步驟中，方法還包括降低腔體加熱件的溫度或者關(guān)閉腔體加熱件；

26、在轉(zhuǎn)移步驟中，方法還包括，取出基片后，打開腔體加熱件。

27、本申請(qǐng)的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，通過設(shè)置紅外加熱器與載片舟的其中一面相對(duì)設(shè)置，能夠通過紅外加熱器對(duì)基片需要鍍膜的表面針對(duì)加熱。紅外加熱器與載片舟構(gòu)成的工藝通道能夠供工藝氣體流經(jīng)直接基片需要鍍膜的部分，并且減少工藝氣體流經(jīng)其他位置，從而減少工藝氣體的消耗量。進(jìn)一步地，紅外加熱器通過紅外線加熱，紅外線直接照射的區(qū)域有較高的升溫速度，而紅外線無法照射的區(qū)域升溫速度較低，從而使沉積設(shè)備能夠很好的滿足退火的需求，減少基片不需要鍍膜的表面因加熱而引起的粘連。

技術(shù)特征：

1.一種沉積設(shè)備，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備，其特征在于：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的沉積設(shè)備，其特征在于：

4.根據(jù)權(quán)利要求2-3任一項(xiàng)所述的沉積設(shè)備，其特征在于：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備，其特征在于：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的沉積設(shè)備，其特征在于：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的沉積設(shè)備，其特征在于：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備，其特征在于：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的沉積設(shè)備，其特征在于：

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積設(shè)備，其特征在于：

11.一種基片的鈍化方法，應(yīng)用于權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的沉積設(shè)備，其特征在于，包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于：

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開了沉積設(shè)備和基片的鈍化方法。沉積設(shè)備包括設(shè)備主體、載片舟和紅外加熱器。設(shè)備主體具有工藝腔體。載片舟設(shè)置于工藝腔體內(nèi)，載片舟具有用于容置基片的容置腔，載片舟將基片的至少一面遮掩。紅外加熱器與載片舟的其中一面相對(duì)且間隔設(shè)置，紅外加熱器與載片舟之間具有供工藝氣體流過的工藝通道，紅外加熱器用于加熱未被遮掩的基片側(cè)面。通過上述方式，本申請(qǐng)能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)基片需要鍍膜的側(cè)面針對(duì)性加熱。

技術(shù)研發(fā)人員：陳強(qiáng)利,廖寶臣,王亨,楊柳,施述鵬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江蘇微導(dǎo)納米科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6