本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜版、基板、顯示面板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

精細金屬掩膜(Fine Metal Mask，F(xiàn)MM Mask)模式，是通過蒸鍍方式將電致發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)材料按照預(yù)定程序蒸鍍到低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)背板上，利用FMM上的圖形，蒸鍍紅綠藍有機物到規(guī)定位置上。目前對位掩膜版(Align Mask)材料為具有鐵磁性的INVAR36，INVAR36材料，當(dāng)處于磁場中會被磁力吸附，每次被磁隔板吸附的狀態(tài)不同，導(dǎo)致偏移量不同，在蒸鍍對位的過程中，由于吸附偏移量不同會導(dǎo)致整體對位次數(shù)增加，進而影響產(chǎn)能。

具體地，參見圖1所示的掩膜版的結(jié)構(gòu)，掩膜版包括掩膜版框架1和對位掩膜版主體2，掩膜版框架中包括多個第一對位標(biāo)記(圖中未畫出)，對位掩膜版主體2中包括與第一對位標(biāo)記相對應(yīng)的第二對位標(biāo)記3，且對位掩膜版主體2還包括位于第二對位標(biāo)記3一側(cè)的焊接區(qū)域4，對位掩膜版主體中還包括開口區(qū)域5，開口區(qū)域用于測量掩膜版主體的膜厚和電阻，開口區(qū)域在掩膜版框架中的正投影位于掩膜版框架所圍成蒸鍍區(qū)域P內(nèi)，由于焊接區(qū)域4位于對位掩膜版主體的邊緣，且焊接區(qū)域較小，當(dāng)對位掩膜版主體的中間位置受到磁力的吸附時，會產(chǎn)生形變，從而需要在每次焊接時進行頻繁對位，影響產(chǎn)能。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種掩膜版、基板、顯示面板和顯示裝置，用以避免對位掩膜版的頻繁對位，且增加對位掩膜版的穩(wěn)定性，提高產(chǎn)能。

本發(fā)明實施例提供的一種掩膜版，包括掩膜版框架和對位掩膜版主體，所述掩膜版框架上設(shè)置有多個第一對位標(biāo)記，所述對位掩膜版主體具有與所述第一對位標(biāo)記相對應(yīng)的第二對位標(biāo)記，所述對位掩膜版主體通過位于所述第二對位標(biāo)記兩側(cè)的焊接區(qū)域與所述掩膜版框架固定。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述掩膜版中，所述掩膜版框架為長方形，所述焊接區(qū)域的延伸方向與所述掩膜版框架的長邊平行。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述掩膜版中，所述對位掩膜版主體為長條形，且每一所述對位掩膜版主體具有兩個所述第二對位標(biāo)記。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述掩膜版中，所述對位掩膜版主體中包括用于測量所述掩膜版框架所圍成的蒸鍍區(qū)域的掩膜版主體的膜厚和電阻的開口區(qū)域，且所述開口區(qū)域在掩膜版框架的正投影在所述蒸鍍區(qū)域內(nèi)。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述掩膜版中，所述對位掩膜版主體在所述掩膜版框架上的正投影在所述掩膜版框架中。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述掩膜版中，所述掩膜版還包括長條形的測量掩膜版主體，所述測量掩膜版主體中包括用于測量所述掩膜版框架所圍成的蒸鍍區(qū)域的掩膜版主體的膜厚和電阻的開口區(qū)域，所述測量掩膜版主體位于所述對位掩膜版主體相對于所述掩膜版框架的內(nèi)側(cè)，且所述測量掩膜版主體的短邊與所述對位掩膜版主體的焊接區(qū)域的延伸方向相同；其中，所述開口區(qū)域在所述掩膜版框架的正投影在所述蒸鍍區(qū)域內(nèi)。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述掩膜版中，每一所述對位掩膜版主體具有一個所述第二對位標(biāo)記，且所述對位掩膜版主體在所述掩膜版框架的正投影在所述掩膜版框架中。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述掩膜版中，所述掩膜版還包括長條形的測量掩膜版主體，所述測量掩膜版主體中包括用于測量所述掩膜版框架所圍成的蒸鍍區(qū)域的掩膜版主體的膜厚和電阻的開口區(qū)域，所述測量掩膜版主體位于相鄰兩個所述對位掩膜版主體相對于所述掩膜版框架的內(nèi)側(cè)，且所述測量掩膜版主體的短邊與所述對位掩膜版主體的焊接區(qū)域的延伸方向相同；其中，所述開口區(qū)域在所述掩膜版框架的正投影在所述蒸鍍區(qū)域內(nèi)。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述掩膜版中，所述測量掩膜版主體在所述掩膜版框架的至少部分正投影位于所述蒸鍍區(qū)域。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的上述掩膜版中，至少一個所述焊接區(qū)域的形狀為弧形。

相應(yīng)地，本發(fā)明實施例還提供了一種基板，所述基板是本發(fā)明實施例提供的任一種的掩膜版制作的。

相應(yīng)地，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實施例提供的基板。

相應(yīng)地，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的的顯示面板。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明實施例提供了一種掩膜版、基板、顯示面板和顯示裝置，所述掩膜版包括：掩膜版框架和對位掩膜版主體，所述掩膜版框架上設(shè)置有多個第一對位標(biāo)記，所述對位掩膜版主體具有與所述第一對位標(biāo)記相對應(yīng)的第二對位標(biāo)記，所述對位掩膜版主體通過位于所述第二對位標(biāo)記兩側(cè)的焊接區(qū)域與所述掩膜版框架固定。因此，本發(fā)明實施例中的掩膜版，通過位于第二對位標(biāo)記兩側(cè)的焊接區(qū)域，將對位掩膜版主體和掩膜版框架進行固定，相比現(xiàn)有技術(shù)中，位于第二對位標(biāo)記一側(cè)的焊接區(qū)域，本發(fā)明通過增加焊接區(qū)域的面積，從而使得對位掩膜版主體在受到磁力時，避免對位掩膜版主體的形變，節(jié)省了頻繁對位掩膜版主體的過程，且增加對位掩膜版的穩(wěn)定性，提高產(chǎn)能。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的一種掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的第二種掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例一提供的一種掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例一提供的第二種掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例二提供的一種掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實施例三提供的一種掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8(a)-圖8(d)為本發(fā)明實施例三提供的掩膜版結(jié)構(gòu)的制作方法在每個步驟中得到的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明實施例提供了一種掩膜版、基板、顯示面板和顯示裝置，用以避免對位掩膜版的頻繁對位，且增加對位掩膜版的穩(wěn)定性，提高產(chǎn)能。

下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明實施例提供的掩膜版、基板、顯示面板和顯示裝置的具體實施方式進行詳細地說明。

附圖中各部件的形狀和大小不反映掩膜版的真實比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。

參見圖2、本發(fā)明實施例提供的一種掩膜版，包括掩膜版框架21和對位掩膜版主體22，掩膜版框架21上設(shè)置有多個第一對位標(biāo)記(圖中未畫出)，對位掩膜版主體22具有與第一對位標(biāo)記相對應(yīng)的第二對位標(biāo)記221，對位掩膜版主體通過位于第二對位標(biāo)記221兩側(cè)的焊接區(qū)域222與掩膜版框架21固定。

具體地，本發(fā)明實施例中的第一對位標(biāo)記和第二對位標(biāo)記的位置是根據(jù)進行制作掩膜版時確定的坐標(biāo)系中的具體坐標(biāo)確定的。具體地，根據(jù)坐標(biāo)系確定掩膜版框架所圍成的蒸鍍區(qū)域的具體位置后確定掩膜版框架的具體位置，為了確定蒸鍍區(qū)域固定不變，需要將掩膜版框架進行固定。例如，可以根據(jù)四個固定坐標(biāo)確定掩膜版框架的位置，則掩膜版框架上包括四個第一對位標(biāo)記。進一步地，為了將對位掩膜版主體固定在掩膜版框架，從而實現(xiàn)通過對位掩膜版主體對位準(zhǔn)確后，將蒸鍍區(qū)域的掩膜版主體進行焊接，對位掩膜版主體中包括與掩膜版框架中的第一對位標(biāo)記一一對應(yīng)的第二對位標(biāo)記，且第二對位標(biāo)記的位置通過坐標(biāo)系中的具體坐標(biāo)點進行定位。其中，第一對位標(biāo)記和第二對位標(biāo)記可以用標(biāo)識坐標(biāo)系中的坐標(biāo)的過孔，或者圖標(biāo)等代替。

需要說明的是，掩膜版框架的形狀可以為長方形，或者根據(jù)實際需要制作成其他形狀，對位掩膜版主體可以為長條形，或者弧形等其他形狀，在此不作具體限定。圖2中僅以掩膜版框架為長方形，對位掩膜版主體為長條形為例，但不限于如圖2所示的形狀。

需要說明的是，焊接區(qū)域是位于第二對位標(biāo)記的兩側(cè)，包括如圖2所示，焊接區(qū)域位于對位掩膜版主體22的第二對位標(biāo)記221的上下兩側(cè)，或者，如圖3所示，焊接區(qū)域位于對位掩膜版主體的第二對位標(biāo)記221的左右兩側(cè)，或者，焊接區(qū)域位于對位掩膜版主體的第二對位標(biāo)記的上、右兩側(cè)，或者，焊接區(qū)域位于對位掩膜版主體的第二對位標(biāo)記的下、左兩側(cè)等。具體地，可以根據(jù)對位掩膜版主體的寬度和第二對位標(biāo)記的大小設(shè)計焊接區(qū)域的位置。每側(cè)的焊接區(qū)域可以包括用于固定對位掩膜版主體和掩膜版框架的多個焊接點，每個焊接區(qū)域的焊接點之間的距離不作具體限定。進一步地，焊接區(qū)域位于第二對位標(biāo)記的周圍，為了進一步避免第二對位標(biāo)記與第一對位標(biāo)記的錯位，本發(fā)明實施例提供的焊接區(qū)域緊鄰第二對位標(biāo)記。

本發(fā)明實施例提供的掩膜版包括：掩膜版框架和對位掩膜版主體，所述掩膜版框架上設(shè)置有多個第一對位標(biāo)記，所述對位掩膜版主體具有與所述第一對位標(biāo)記相對應(yīng)的第二對位標(biāo)記，所述對位掩膜版主體通過位于所述第二對位標(biāo)記兩側(cè)的焊接區(qū)域與所述掩膜版框架固定。因此，本發(fā)明實施例中的掩膜版，通過位于第二對位標(biāo)記兩側(cè)的焊接區(qū)域，將對位掩膜版主體和掩膜版框架進行固定，相比現(xiàn)有技術(shù)中，位于第二對位標(biāo)記一側(cè)的焊接區(qū)域，本發(fā)明通過增加焊接區(qū)域的面積，從而使得對位掩膜版主體在受到磁力吸附時，避免對位掩膜版主體的形變，節(jié)省了頻繁對位掩膜版主體的過程，且增加對位掩膜版的穩(wěn)定性，提高產(chǎn)能。

下面通過具體實施例介紹不同結(jié)構(gòu)的掩膜版。

實施例一

參見圖4、本發(fā)明實施例提供的一種掩膜版，包括掩膜版框架21和對位掩膜版主體22，掩膜版框架21上設(shè)置有四個第一對位標(biāo)記(圖中未畫出)，對位掩膜版主體22具有與第一對位標(biāo)記相對應(yīng)的第二對位標(biāo)記221，對位掩膜版主體通過位于第二對位標(biāo)記221兩側(cè)的焊接區(qū)域222與掩膜板框架21固定。

在具體實施例中，本發(fā)明實施例提供的上述掩膜版中，參見圖4，掩膜版框架為長方形，焊接區(qū)域222的延伸方向與掩膜版框架的長邊211平行。具體地，將焊接區(qū)域的延伸方向與掩膜版框架的長邊平行，從而增加焊接區(qū)域的面積的同時，避免了當(dāng)對位掩膜版主體與掩膜版框架進行固定時，焊接區(qū)域位于掩膜版框架所圍成的蒸鍍區(qū)域內(nèi)。

在具體實施例中，本發(fā)明實施例提供的上述掩膜版中，參見圖4，對位掩膜版主體22為長條形，且每一對位掩膜版主體22具有兩個第二對位標(biāo)記221。其中，一個掩膜版框架中包括兩個對位掩膜版主體，每個掩膜版主體中包括位于掩膜版主體兩端的兩個第二對位標(biāo)記。

在具體實施例中，本發(fā)明實施例提供的上述掩膜版中，參見圖4，對位掩膜版主體22中包括用于測量掩膜版框架所圍成的蒸鍍區(qū)域的掩膜版主體的膜厚和電阻的開口區(qū)域223，且開口區(qū)域在掩膜版框架的正投影在蒸鍍區(qū)域P內(nèi)。

具體地，本發(fā)明實施例提供的對位掩膜版主體用于實現(xiàn)對蒸鍍區(qū)域的掩膜版主體的對位作用，以及用于實現(xiàn)對掩膜版主體的膜厚和電阻進行測量的作用。每個對位掩膜版主體中包括的開口區(qū)域的個數(shù)可以根據(jù)實際對位掩膜版主體的尺寸進行設(shè)計，在此不作具體限定。其中，開口區(qū)域在掩膜版框架的正投影位于蒸鍍區(qū)域內(nèi)，從而有利于測量掩膜版主體的膜厚和電阻。

在具體實施例中，本發(fā)明實施例提供的上述掩膜版中，參見圖5，位于對位第二對位標(biāo)記221兩側(cè)的焊接區(qū)域，至少一個焊接區(qū)域222的形狀為弧形。焊接區(qū)域為弧形進一步增加了焊接區(qū)域的面積，從而進一步增加了對位掩膜版主體的穩(wěn)定性。如圖5所示，位于遠離對位掩膜版主體的短邊的焊接區(qū)域222為弧形，進一步避免了對位掩膜版主體的焊接區(qū)域位于蒸鍍區(qū)域內(nèi)。其中，弧形結(jié)構(gòu)的焊接區(qū)域，可以根據(jù)實際情況適當(dāng)減少焊點，從而避免焊接區(qū)域?qū)Φ诙ξ粯?biāo)記的影響。

實施例一提供的掩膜版中，每個對位掩膜版主體中包括兩個第二對位標(biāo)記，且每個對位掩膜版主體中包括位于第二對位標(biāo)記兩側(cè)的焊接區(qū)域，通過焊接區(qū)域更好地將對位掩膜版主體固定在掩膜版框架上，從而使得對位掩膜版主體在受到磁力吸附時，避免對位掩膜版主體的形變，節(jié)省了頻繁對位掩膜版主體的過程，且增加對位掩膜版的穩(wěn)定性，提高產(chǎn)能。

實施例二

參見圖6、本發(fā)明實施例提供的一種掩膜版，包括掩膜版框架21和對位掩膜版主體22，掩膜版框架21上設(shè)置有多個第一對位標(biāo)記(圖中未畫出)，對位掩膜版主體22具有與第一對位標(biāo)記相對應(yīng)的第二對位標(biāo)記221，對位掩膜版主體通過位于第二對位標(biāo)記221兩側(cè)的焊接區(qū)域222與掩膜板框架21固定。

在具體實施例中，本發(fā)明實施例提供的上述掩膜版中，參見圖6，掩膜版框架為長方形，焊接區(qū)域222的延伸方向與掩膜版框架的長邊211平行。具體地，將焊接區(qū)域的延伸方向與掩膜版框架的長邊平行，從而增加焊接區(qū)域的面積的同時，避免了當(dāng)對位掩膜版主體與掩膜版框架進行固定時，焊接區(qū)域位于掩膜版框架所圍成的蒸鍍區(qū)域內(nèi)。

在具體實施例中，本發(fā)明實施例提供的上述掩膜版中，參見圖6，對位掩膜版主體22為長條形，且每一對位掩膜版主體22具有兩個第二對位標(biāo)記221。其中，一個掩膜版框架中包括兩個對位掩膜版主體，每個掩膜版主體中包括位于掩膜版主體兩端的兩個第二對位標(biāo)記。

在具體實施例中，本發(fā)明實施例提供的上述掩膜版中，參見圖6，掩膜版還包括長條形的測量掩膜版主體23，測量掩膜版主體23中包括用于測量掩膜版框架所圍成的蒸鍍區(qū)域的掩膜版主體的膜厚和電阻的開口區(qū)域223，測量掩膜版主體23位于對位掩膜版主體22相對于掩膜版框架的內(nèi)側(cè)，且測量掩膜版主體的短邊與對位掩膜版主體的焊接區(qū)域的延伸方向相同；其中，開口區(qū)域223在掩膜版框架的正投影在蒸鍍區(qū)域P內(nèi)。

在具體實施例中，本發(fā)明實施例提供的掩膜版中，參見圖6，測量掩膜版主體在掩膜版框架的至少部分投影位于蒸鍍區(qū)域。具體地，測量掩膜版主體中包括的開口區(qū)域在掩膜版框架的正投影位于蒸鍍區(qū)域，測量掩膜版主體在掩膜版框架上的投影可以完全位于蒸鍍區(qū)域內(nèi)，也可以部分區(qū)域的投影位于蒸鍍區(qū)域內(nèi)。在此不作具體限定。

其中，本發(fā)明實施例提供的焊接區(qū)域也可以設(shè)計成弧形，具體結(jié)構(gòu)參見實施例一所示，在此不再贅述。

實施例二中提供的掩膜版，包括掩膜版框架、對位掩膜版主體和測量掩膜版主體，相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明實施例提供的掩膜版中將用于掩膜版主體的對位和用于測量掩膜版主體的膜厚和電阻的作用分成兩部分，即分為僅具有將掩膜版主體進行對位的對位掩膜版主體和僅具有測量功能的測量掩膜版主體，其中對位掩膜版主體包括位于第二對位標(biāo)記兩側(cè)的焊接區(qū)域，因此，在增加對位掩膜版主體的焊接區(qū)域的前提下，進一步減小了對位掩膜版主體的面積，從而使得對位掩膜版主體在受到磁力吸附時，避免對位掩膜版主體的形變，節(jié)省了頻繁對位掩膜版主體的過程，且增加對位掩膜版的穩(wěn)定性，提高產(chǎn)能。

實施例三

參見圖7、本發(fā)明實施例提供的一種掩膜版，包括掩膜版框架21和對位掩膜版主體22，掩膜版框架21上設(shè)置有多個第一對位標(biāo)記(圖中未畫出)，對位掩膜版主體22具有與第一對位標(biāo)記相對應(yīng)的第二對位標(biāo)記221，對位掩膜版主體通過位于第二對位標(biāo)記221兩側(cè)的焊接區(qū)域222與掩膜板框架21固定。

在具體實施例中，本發(fā)明實施例提供的上述掩膜版中，參見圖7，掩膜版框架為長方形，焊接區(qū)域222的延伸方向與掩膜版框架的長邊211平行。具體地，將焊接區(qū)域的延伸方向與掩膜版框架的長邊平行，從而增加焊接區(qū)域的面積的同時，避免了當(dāng)對位掩膜版主體與掩膜版框架進行固定時，焊接區(qū)域位于掩膜版框架所圍成的蒸鍍區(qū)域內(nèi)。

在具體實施例中，本發(fā)明實施例提供的掩膜版中，參見圖7，每一對位掩膜版主體22具有一個第二對位標(biāo)記221，且對位掩膜版主體22在掩膜版框架21的正投影在掩膜版框架中。

在具體實施例中，本發(fā)明實施例提供的掩膜版中，參見圖7，掩膜版還包括長條形的測量掩膜版主體23，測量掩膜版主體23中包括用于測量掩膜版框架所圍成的蒸鍍區(qū)域P的掩膜版主體的膜厚和電阻的開口區(qū)域223，測量掩膜版主體23位于相鄰兩個對位掩膜版主體相對于掩膜版框架的內(nèi)側(cè)，且測量掩膜版主體的短邊與對位掩膜版主體的焊接區(qū)域的延伸方向相同；其中，開口區(qū)域223在掩膜版框架的正投影在蒸鍍區(qū)域P內(nèi)。

在具體實施例中，本發(fā)明實施例提供的掩膜版中，測量掩膜版主體在掩膜版框架的至少部分投影位于蒸鍍區(qū)域。具體地，測量掩膜版主體中包括的開口區(qū)域在掩膜版框架的正投影位于蒸鍍區(qū)域，測量掩膜版主體在掩膜版框架上的投影可以完全位于蒸鍍區(qū)域內(nèi)，也可以部分區(qū)域的投影位于蒸鍍區(qū)域內(nèi)。其中，圖7所示的測量掩膜版主體在掩膜版框架上的正投影完全位于蒸鍍區(qū)域，但不限于圖7所示的結(jié)構(gòu)。

實施例三提供的掩膜版中包括掩膜版框架、對位掩膜版主體和測量掩膜版主體，其中每一對位掩膜版主體中僅包括一個第二對位標(biāo)記，且每一對位掩膜版主體的第二對位標(biāo)記兩側(cè)包括焊接區(qū)域，從而在增加了對位掩膜版主體中的焊接區(qū)域的前提下，進一步減小了對位掩膜版主體的面積，使得對位掩膜版主體在受到磁力吸附時，避免對位掩膜版主體的形變，節(jié)省了頻繁對位掩膜版主體的過程，且增加對位掩膜版的穩(wěn)定性，提高產(chǎn)能。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的實施例一、實施例二和實施例三中的掩膜版的結(jié)構(gòu)中，每個對位掩膜版主體結(jié)構(gòu)中的位于第二對位標(biāo)記兩側(cè)的焊接區(qū)域的至少一個焊接區(qū)域設(shè)計成弧形結(jié)構(gòu)，從而進一步增加焊接面積。進一步地，為了避免焊接區(qū)域中焊點較多造成的凸起結(jié)構(gòu)，影響掩膜版與玻璃基板接觸，可以在焊接區(qū)域進行焊接前采用半刻蝕工藝進行刻蝕，具體地，在對位掩膜版主體的焊接區(qū)域預(yù)先制作出半刻蝕區(qū)域，使焊點焊接在半刻蝕區(qū)域內(nèi)，進而達到對位掩膜版主體表面的平整度。

進一步地，為了詳細描述本發(fā)明實施例三提供的掩膜版的制作方法，下面通過附圖進一步介紹。

本發(fā)明實施例提供的一種掩膜版的制作方法，包括：

步驟一，參見圖8(a)，在掩膜版框架21上形成長條形的對位掩膜版主體22的結(jié)構(gòu)，每一對位掩膜版主體22中包括兩個第二對位標(biāo)記221，以及每個第二對位標(biāo)記221的上下兩側(cè)包括焊接區(qū)域222，其中，對位掩膜版主體22在掩膜版框架21的正投影在掩膜版框架中；

步驟二、參見圖8(b)，每個對位掩膜版主體22中還包括與焊接區(qū)域222相鄰，且遠離對位掩膜版主體的短邊的切割區(qū)域224；

步驟三，采用激光切割或者其他方式在切割區(qū)域224處對對位掩膜版主體進行切割，每一對位掩膜版主體22中僅包括一個第二對位標(biāo)記221，參見圖8(c)所示；

步驟四，在相鄰兩個對位掩膜版主體22相對于掩膜版框架的內(nèi)側(cè)形成一個測量掩膜版主體23，且測量掩膜版主體的短邊與對位掩膜版主體的焊接區(qū)域的延伸方向相同，每一測量掩膜版主體中包括用于測量掩膜版框架所圍成的蒸鍍區(qū)域P的掩膜版主體的膜厚和電阻的開口區(qū)域223，且測量掩膜版主體通過位于測量掩膜版主體的短邊兩側(cè)的焊接區(qū)域222固定在掩膜版框架上，參見圖8(d)所示。具體地，測量掩膜版主體上的焊接區(qū)域的延伸方向可以與對位掩膜版主體的焊接方向的延伸方向相同或者不同，在此不作具體限定。

需要說明的是，步驟一、步驟二、步驟三和步驟四僅是作為較佳的實施方式舉例說明如何得到實施例三提供的掩膜版的結(jié)構(gòu)，但不僅限于上述步驟。還可以采用其他方式進行改進，使得每個對位掩膜版主體包括一個第二對位標(biāo)記，且每個對位掩膜版主體在掩膜版框架上的投影位于掩膜版框架內(nèi)。

具體地，若每一對位掩膜版主體經(jīng)過切割后的形狀為正方形，則焊接區(qū)域可以與對位掩膜版主體的任何一條邊平行，且對位掩膜版主體位于掩膜版框架上的投影位于掩膜版框架內(nèi)。

基于同一發(fā)明思想，本發(fā)明實施例還提供了一種基板，所述基板是本發(fā)明實施例提供的任一種的掩膜版制作的。

通過采用本發(fā)明實施例提供的掩膜版制作基板，可以進一步提高基板的產(chǎn)能。本發(fā)明實施例提供的基板可以為陣列基板，或者彩膜基板等。

基于同一發(fā)明思想，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實施例提供的基板。

基于同一發(fā)明思想，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的顯示面板。該顯示裝置可以為：手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置的實施可以參見上述顯示面板的實施例，重復(fù)之處不再贅述。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的掩膜版包括：掩膜版框架和對位掩膜版主體，所述掩膜版框架上設(shè)置有多個第一對位標(biāo)記，所述對位掩膜版主體具有與所述第一對位標(biāo)記相對應(yīng)的第二對位標(biāo)記，所述對位掩膜版主體通過位于所述第二對位標(biāo)記兩側(cè)的焊接區(qū)域與所述掩膜板框架固定。因此，本發(fā)明實施例中的掩膜版，通過位于第二對位標(biāo)記兩側(cè)的焊接區(qū)域，將對位掩膜版主體和掩膜版框架固定，相比現(xiàn)有技術(shù)中，位于第二對位標(biāo)記一側(cè)的焊接區(qū)域，本發(fā)明通過增加焊接區(qū)域的面積，從而使得對位掩膜版主體在受到磁力時，避免對位掩膜版主體的形變，節(jié)省了頻繁對位掩膜版主體的過程，且增加對位掩膜版的穩(wěn)定性，提高產(chǎn)能。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。