本發(fā)明涉及一種在通過樹脂成型機(jī)而成型的聚碳酸酯(polycarbonate)等樹脂制的工件上形成金屬薄膜的成膜裝置及成膜方法。

背景技術(shù)：

例如，汽車前大燈(head lamp)的反光碗(reflector)或儀表類等光學(xué)組件在以往使用了玻璃(glass)等無機(jī)材料基材。但是，根據(jù)以提高汽車燃料效率為目的的輕量化的要求，所述無機(jī)材料基材正逐步被替換為樹脂基材。另外，以往大多使用了鍍覆法形成金屬膜，但近年來為了減小環(huán)境負(fù)擔(dān)，所述鍍覆法正逐步被替換為濺射(sputtering)法等干式工藝(dry process)。因此，對于如上所述的組件，為了進(jìn)行鏡面拋光或具有金屬質(zhì)感，通過以鋁(aluminum)等金屬為靶材(target)的濺射而在射出成型而成的樹脂產(chǎn)品上成膜。

另外，在通過濺射而成膜后，為了防止金屬膜氧化或?yàn)榱吮Ｗo(hù)表面不受損傷等，在多數(shù)情況下會執(zhí)行通過等離子體(plasma)化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)進(jìn)行的氧化硅保護(hù)膜等的成膜。即，通過濺射而成膜后的工件會被搬送至其他成膜裝置，在所述成膜裝置的腔室(chamber)內(nèi)進(jìn)行利用了六甲基二硅氧烷(Hexamethyl Disiloxane，HMDSO)等單體氣體(monomer gas)的等離子體CVD，由此，在通過濺射而成膜后的工件的表面形成保護(hù)膜。

還提出了如下裝置，所述裝置在同一腔室內(nèi)執(zhí)行通過濺射進(jìn)行的成膜與復(fù)合成膜或聚合成膜。專利文獻(xiàn)1中公開了如下成膜裝置，所述成膜裝置的濺射用電極與復(fù)合成膜用電極或聚合成膜用電極配置于隔開了規(guī)定距離的位置。在所述成膜裝置中，首先相向地配置工件與濺射電極，并且將惰性氣體導(dǎo)入至腔室內(nèi)，然后對濺射電極施加直流電，執(zhí)行通過濺射進(jìn)行的成膜。其次，使工件移動而相向地配置工件與復(fù)合成膜用電極或聚合成膜用電極，并且將HMDSO等單體氣體導(dǎo)入至腔室內(nèi)，然后對復(fù)合成膜用電極或聚合成膜用電極施加高頻電壓，執(zhí)行復(fù)合成膜或聚合成膜。所述專利文獻(xiàn)1所記載的成膜裝置具有在未使用的靶材上配置擋板(shutter)的結(jié)構(gòu)。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)1]日本專利特開2011-58048號公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

[發(fā)明所要解決的問題]

有時使用聚碳酸酯(PC)作為執(zhí)行如上所述的通過濺射進(jìn)行的成膜的工件的材質(zhì)。聚碳酸酯具有在濺射時與金屬薄膜之間的密接性良好的性質(zhì)。但是，在使用了聚碳酸酯作為工件的材質(zhì)的情況下，若在濺射時，聚碳酸酯的表面存在水分，則會因?yàn)R射時的能量(energy)而發(fā)生水解，聚碳酸酯的表面變差，從而產(chǎn)生金屬薄膜剝離這一現(xiàn)象。此種現(xiàn)象是會在如下情況下特別顯著地產(chǎn)生的現(xiàn)象，所述情況是指為了能在低真空下對樹脂進(jìn)行濺射而對濺射電極施加了高電壓。

另外，即使在使用了聚碳酸酯以外的樹脂作為工件的材質(zhì)的情況下，若在濺射時，樹脂的表面存在水分，則仍會產(chǎn)生如下問題：金屬薄膜在濺射成膜過程中氧化，金屬薄膜的反射率降低。

本發(fā)明是為了解決所述問題而成的發(fā)明，目的在于提供如下成膜裝置及成膜方法，在聚碳酸酯上形成金屬薄膜的情況下，能防止金屬薄膜剝離，另外，在其他樹脂上形成金屬薄膜的情況下，能提高金屬薄膜的反射率。

[解決問題的技術(shù)手段]

第一發(fā)明是在通過樹脂成型機(jī)而成型的聚碳酸酯制的工件上形成金屬薄膜的成膜裝置，其特征在于包括：成膜部，包括收納所述工件的腔室、與具備靶材材料且配設(shè)于所述腔室內(nèi)的濺射電極；以及搬送部，在不會使水分附著于所述工件的表面的短時間內(nèi)，將所述通過樹脂成型機(jī)而成型的工件從所述樹脂成型機(jī)搬送至所述腔室。

第二發(fā)明中，所述搬送部在60秒以內(nèi)，將工件從所述樹脂成型機(jī)搬送至所述腔室。

第三發(fā)明是在通過樹脂成型機(jī)而成型的樹脂制的工件上形成金屬薄膜的成膜裝置，其特征在于包括：成膜部，包括收納所述工件的腔室、與具備靶材材料且配設(shè)于所述腔室內(nèi)的濺射電極；以及搬送部，將所述通過樹脂成型機(jī)而成型的工件從所述樹脂成型機(jī)搬送至所述成膜部中的腔室，并且在所述搬送部配設(shè)水分去除機(jī)構(gòu)，所述水分去除機(jī)構(gòu)防止水分附著于利用所述搬送部搬送的工件的表面。

第四發(fā)明中，所述水分去除機(jī)構(gòu)為將干燥后的氣體供應(yīng)至所述搬送部中的搬送路徑內(nèi)的干燥氣體供應(yīng)機(jī)構(gòu)。

第五發(fā)明中，所述水分去除機(jī)構(gòu)為對所述搬送部中的搬送路徑內(nèi)進(jìn)行加熱的加熱機(jī)構(gòu)。

第六發(fā)明包括直流電源，所述直流電源將直流電壓施加至所述濺射電極，以使所述靶材材料的每平方厘米的表面積達(dá)到25瓦以上的接入電力。

第七發(fā)明是在通過樹脂成型機(jī)而成型的聚碳酸酯制的工件上形成金屬薄膜的成膜方法，其特征在于包括：成型工序，通過樹脂成型機(jī)使所述工件成型；搬送工序，在不會使水分附著于所述工件的表面的短時間內(nèi)，將所述通過樹脂成型機(jī)而成型的工件從所述樹脂成型機(jī)搬送至腔室；以及成膜工序，對所述腔室內(nèi)進(jìn)行減壓，并且使用配設(shè)于所述腔室內(nèi)的具備靶材材料的濺射電極，在所述工件的表面形成金屬薄膜。

第八發(fā)明是在通過樹脂成型機(jī)而成型的樹脂制的工件上形成金屬薄膜的成膜方法，其特征在于包括：成型工序，通過樹脂成型機(jī)使所述工件成型；搬送工序，在防止水分附著于所述工件的表面的狀態(tài)下，將所述通過樹脂成型機(jī)而成型的工件經(jīng)由被供應(yīng)了干燥后的氣體或經(jīng)過加熱的搬送路徑，從所述樹脂成型機(jī)搬送至腔室；以及成膜工序，對所述腔室內(nèi)進(jìn)行減壓，并且使用配設(shè)于所述腔室內(nèi)的具備靶材材料的濺射電極，在所述工件的表面形成金屬薄膜。

[發(fā)明的效果]

根據(jù)第一發(fā)明、第二發(fā)明及第七發(fā)明，不會使水分附著于通過樹脂成型機(jī)而成型的聚碳酸酯制的工件的表面，能由成膜部利用濺射來形成金屬薄膜。因此，能防止聚碳酸酯的表面發(fā)生水解，從而以牢固地密接于聚碳酸酯的狀態(tài)形成金屬薄膜。

根據(jù)第三發(fā)明、第四發(fā)明、第五發(fā)明及第八發(fā)明，不會使水分附著于通過樹脂成型機(jī)而成型的樹脂制的工件的表面，能由成膜部利用濺射來形成金屬薄膜。因此，能提高金屬薄膜的反射率。另外，在工件為聚碳酸酯的情況下，能防止聚碳酸酯的表面發(fā)生水解，從而以牢固地密接于聚碳酸酯的狀態(tài)形成金屬薄膜。

根據(jù)第六發(fā)明，能利用高接入電力，在低真空下執(zhí)行通過濺射進(jìn)行的成膜。

附圖說明

圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式的成膜裝置的概要圖。

圖2是表示本發(fā)明的成膜裝置的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖。

圖3是表示成膜動作的流程圖。

圖4是本發(fā)明第二實(shí)施方式的成膜裝置的概要圖。

圖5是本發(fā)明第三實(shí)施方式的成膜裝置的概要圖。

[符號的說明]

10：成膜腔室 11：主體

12：入口側(cè)開閉部 13：工件載置部

14、15：襯墊 16：出口側(cè)開閉部

19：接地部 21：電極部

22：靶材材料 23：濺射電極

24：CVD電極 31、34、39、48、49、74：開閉閥

32、35：流量調(diào)節(jié)閥 33：惰性氣體供應(yīng)部

36：原料氣體供應(yīng)部 37：渦輪分子泵

38：輔助泵 41：直流電源

45：高頻電源 46：匹配箱

51：擋板 52：支撐部

53：氣缸 54：活塞桿

61：搬送部 62：工件導(dǎo)入部

63：樹脂成型機(jī) 71：加熱器

72：干燥氣體供應(yīng)部 73：排氣泵

90：控制部 91：搬送機(jī)構(gòu)驅(qū)動部

92：開閉閥驅(qū)動部 93：開閉部驅(qū)動部

94：電極驅(qū)動部 S1～S8： 步驟

W：工件

具體實(shí)施方式

以下，基于附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式的成膜裝置的概要圖。

本實(shí)施方式的成膜裝置對樹脂制的工件W執(zhí)行通過濺射進(jìn)行的成膜與通過等離子體CVD進(jìn)行的成膜。再者，例如使用聚碳酸酯作為工件W的材質(zhì)。聚碳酸酯具有如下特性：不僅便宜，而且機(jī)械強(qiáng)度高，耐候性透明度高。另外，所述聚碳酸酯具有在濺射時，與金屬薄膜之間的密接性高這一特性。但是，若在濺射時，聚碳酸酯的表面存在水分，則有時會因?yàn)R射時的能量而發(fā)生水解，聚碳酸酯的表面變差，從而產(chǎn)生金屬薄膜剝離這一現(xiàn)象。

如圖1所示，所述成膜裝置包括由主體11與入口側(cè)開閉部12及出口側(cè)開閉部16構(gòu)成的成膜腔室10。所述成膜腔室10經(jīng)由搬送部61而與樹脂成型機(jī)63中的工件導(dǎo)入部62連接。

構(gòu)成成膜腔室10的一部分的入口側(cè)開閉部12能在搬入位置與閉鎖位置之間移動，所述搬入位置是將射出成型而成的樹脂制的工件W搬入時的位置，所述閉鎖位置是在與主體11之間隔著襯墊(packing)14而構(gòu)成密閉的成膜腔室10的位置。在入口側(cè)開閉部12已移動至搬入位置的狀態(tài)下，在成膜腔室10的左側(cè)側(cè)面形成將工件W搬入至成膜腔室10的開口部。

同樣地，構(gòu)成成膜腔室10的一部分的出口側(cè)開閉部16能在搬出位置與閉鎖位置之間移動，所述搬出位置是將成膜后的樹脂制的工件W搬出時的位置，所述閉鎖位置是在與主體11之間隔著襯墊15而構(gòu)成密閉的成膜腔室10的位置。在出口側(cè)開閉部16已移動至搬出位置的狀態(tài)下，在成膜腔室10的右側(cè)側(cè)面形成從成膜腔室10搬出工件W的開口部。

用以搬送工件W的工件載置部13將載置于其上的射出成型后的多個工件W，從樹脂成型機(jī)63中的工件導(dǎo)入部62經(jīng)由搬送部61搬送至成膜腔室10內(nèi)。另外，所述工件載置部13從成膜腔室10搬出成膜后的多個工件W。所述工件載置部13能通過樹脂成型機(jī)63中的工件導(dǎo)入部62內(nèi)所配設(shè)的懸臂式驅(qū)動機(jī)構(gòu)，在工件導(dǎo)入部62內(nèi)的工件W的接受位置、成膜腔室10內(nèi)的成膜位置、及從成膜腔室10向工件導(dǎo)入部62的相反側(cè)搬出工件W時的搬出位置之間移動。而且，所述工件載置部13的移動動作受到后述的搬送機(jī)構(gòu)驅(qū)動部91的驅(qū)動控制。

另外，所述成膜裝置包括濺射電極23，所述濺射電極23包含電極部21與靶材材料22。所述濺射電極23經(jīng)由省略了圖示的絕緣構(gòu)件而安裝于成膜腔室10中的主體11。再者，構(gòu)成成膜腔室10的主體11通過接地部19而接地。所述濺射電極23連接于直流電源41。

再者，使用如下電源作為所述直流電源41，所述電源可對濺射電極23施加直流電壓，以使靶材材料22的每平方厘米的表面積達(dá)到25瓦以上的接入電力。即，所述直流電源41對靶材材料22的每平方厘米的表面積接入25瓦以上的接入電力作為對于濺射電極23的接入電力。靶材材料22是使用Al(鋁)。再者，也可以使用Al合金來代替Al。

而且，所述成膜裝置包括CVD電極24。所述CVD電極24與濺射電極23同樣地，經(jīng)由省略了圖示的絕緣構(gòu)件而安裝于成膜腔室10中的主體11。另外，所述CVD電極24與匹配箱(matching box)46及高頻電源45連接。

構(gòu)成成膜腔室10的主體11經(jīng)由開閉閥31及流量調(diào)節(jié)閥32而與氬氣等惰性氣體供應(yīng)部33連接。另外，構(gòu)成成膜腔室10的主體11經(jīng)由開閉閥34及流量調(diào)節(jié)閥35而與原料氣體供應(yīng)部36連接。使用HMDSO作為所述原料氣體。但是，只要是包含Si的氣體，則除了HMDSO之外，還可以使用六甲基二硅氮烷(Hexamethyl Disilazane，HMDS)等。而且，構(gòu)成成膜腔室10的主體11經(jīng)由開閉閥39而與渦輪分子泵(turbomolecular pump)37連接，所述渦輪分子泵37經(jīng)由開閉閥48而與輔助泵38連接。而且，所述輔助泵38還經(jīng)由開閉閥49而與構(gòu)成成膜腔室10的主體11連接。

另外，所述成膜裝置包括能通過氣缸(air cylinder)53的驅(qū)動而在抵接位置與退避位置之間升降的擋板51，所述抵接位置是如圖1中的虛線所示，因與濺射電極23抵接而覆蓋靶材材料22時的位置，所述退避位置是如圖1中的實(shí)線所示，在成膜腔室10的底部附近受到支撐部52支撐時的位置。所述擋板51包含如下材料，所述材料為金屬等導(dǎo)體且為非磁體。

圖2是表示本發(fā)明的成膜裝置的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖。

所述成膜裝置包括控制部90，所述控制部90包括執(zhí)行邏輯運(yùn)算的中央處理器(Central Processing Unit，CPU)、存儲有控制裝置所需的動作程序(program)的只讀存儲器(Read Only Memory，ROM)、以及在進(jìn)行控制時暫時存儲數(shù)據(jù)(data)等的隨機(jī)存取存儲器(Random Access Memory，RAM)等，且對整個裝置進(jìn)行控制。所述控制部90還與對使圖1所示的工件載置部13移動的搬送機(jī)構(gòu)進(jìn)行驅(qū)動控制的搬送機(jī)構(gòu)驅(qū)動部91、對開閉閥31、34、39、48、49等進(jìn)行開閉控制的開閉閥驅(qū)動部92、對入口側(cè)開閉部12及出口側(cè)開閉部16進(jìn)行開閉控制的開閉部驅(qū)動部93、以及對濺射電極23及CVD電極24進(jìn)行驅(qū)動控制的電極驅(qū)動部94連接。

其次，對具有如上所述的結(jié)構(gòu)的成膜裝置的成膜動作進(jìn)行說明。圖3是表示成膜動作的流程圖。

當(dāng)通過所述成膜裝置執(zhí)行成膜動作時，通過工件載置部13從樹脂成型機(jī)63搬出射出成型而成的工件W，將所述工件W搬入至成膜腔室10內(nèi)(步驟S1)。此時，使入口側(cè)開閉部12移動至搬入位置后，如圖1中的實(shí)線所示，將載置于工件載置部13的工件W配置于成膜腔室10內(nèi)的與CVD電極24相向的位置。此時，如圖1中的虛線所示，將擋板51配置于與濺射電極23抵接而覆蓋靶材材料22的抵接位置。在所述狀態(tài)下，氣缸53的活塞桿(cylinder rod)54處于收納在氣缸53的主體內(nèi)的收縮狀態(tài)。

在不會使水分附著于從樹脂成型機(jī)63搬出的成型后的工件W的表面的短時間內(nèi)，通過工件載置部13完成從樹脂成型機(jī)63中的工件導(dǎo)入部62向成膜腔室10搬送所述工件W。更具體來說，工件載置部13在60秒以內(nèi)，將工件W從樹脂成型機(jī)63中的工件導(dǎo)入部62搬送至成膜腔室10。

一般來說，剛執(zhí)行完樹脂成型的工件W幾乎無吸濕、附著的水分量。但是，若需要時間將從樹脂成型機(jī)63搬出的工件W搬入至成膜腔室10，則水分會附著于工件W的表面。若在水分附著于聚碳酸酯制的工件W的表面的狀態(tài)下，執(zhí)行通過濺射進(jìn)行的成膜，則工件W的表面會發(fā)生水解，而工件W的表面脆化，從而產(chǎn)生通過濺射而形成的金屬薄膜剝離這一現(xiàn)象。另外，即使是其他樹脂制的工件W，若在水分附著于工件W的表面的狀態(tài)下，執(zhí)行通過濺射進(jìn)行的成膜，則也會產(chǎn)生如下問題：金屬薄膜氧化，金屬薄膜的反射率降低。

因此，本發(fā)明的成膜裝置是在不會使水分附著于從樹脂成型機(jī)63搬出的成型后的工件W的表面的60秒以內(nèi)的短時間內(nèi)，完成從樹脂成型機(jī)63中的工件導(dǎo)入部62向成膜腔室10搬送所述工件W。由此，能防止聚碳酸酯制的工件W的表面發(fā)生水解，從而能防止通過濺射而形成的金屬薄膜剝離這一現(xiàn)象。另外，即使是其他樹脂制的工件W，因?yàn)樵谒治锤街诠ぜ的表面的狀態(tài)下，執(zhí)行通過濺射進(jìn)行的成膜，所以例如在使用了鋁作為金屬的情況下，也能獲得具有百分之九十左右的良好的反射率的鋁薄膜。

工件W被搬入至成膜腔室10內(nèi)之后，將入口側(cè)開閉部12配置于閉鎖位置。再者，為了避免入口側(cè)開閉部12與工件載置部13發(fā)生干擾，在入口側(cè)開閉部12形成有切口等。接著，將成膜腔室10內(nèi)減壓到0.1帕斯卡(Pascal)至1帕斯卡左右的低真空(步驟S2)。在通過渦輪分子泵37進(jìn)行減壓之前，使用旋轉(zhuǎn)泵(rotary pump)等輔助泵38來高速地減壓至100帕斯卡左右。然后，使用最大排氣速度為每秒300升以上的渦輪分子泵37，因此，能夠在20秒左右的時間內(nèi)，將成膜腔室10內(nèi)減壓到0.1帕斯卡至1帕斯卡左右的低真空。

對成膜腔室10內(nèi)進(jìn)行減壓后，通過打開開閉閥31，將作為惰性氣體的氬氣從惰性氣體供應(yīng)部33供應(yīng)至成膜腔室10內(nèi)，使成膜腔室10內(nèi)充滿氬氣，以使成膜腔室10內(nèi)的真空度達(dá)到0.5帕斯卡～3帕斯卡(步驟S3)。

接著，執(zhí)行濺射成膜(步驟S4)。此時，如圖1中的虛線所示，將載置于工件載置部13的工件W配置于成膜腔室10內(nèi)的與濺射電極23相向的位置。另外，如圖1中的實(shí)線所示，擋板51被配置于成膜腔室10的底部附近的退避位置。在進(jìn)行濺射成膜的情況下，將直流電壓從直流電源41施加至濺射電極23。由此，利用濺射現(xiàn)象在工件W的表面形成作為靶材材料22的Al的薄膜。

再者，在所述濺射成膜工序中，從直流電源41對濺射電極23施加直流電壓，以使濺射電極23中的靶材材料22的每平方厘米的表面積達(dá)到25瓦以上的接入電力。由此，即使在成膜腔室10內(nèi)為低真空的情況下，也會在樹脂制的工件W的表面適當(dāng)?shù)匦纬葾l薄膜。再者，在如上所述的通過大接入電力執(zhí)行濺射成膜的情況下，即使當(dāng)使用聚碳酸酯制的工件作為工件W時，如上所述，因?yàn)樵谒治锤街诠ぜ的表面的狀態(tài)下，執(zhí)行通過濺射進(jìn)行的成膜，所以能防止聚碳酸酯制的工件W的表面發(fā)生水解，從而能防止通過濺射而形成的金屬薄膜剝離這一現(xiàn)象。

在通過以上的工序，完成利用濺射的成膜后，接著執(zhí)行通過等離子體CVD進(jìn)行的Si氧化物的成膜。在執(zhí)行等離子體CVD成膜的情況下，如圖1中的實(shí)線所示，將載置于工件載置部13的工件W配置于成膜腔室10內(nèi)的與CVD電極24相向的位置。另外，如圖1中的虛線所示，將擋板51配置于與濺射電極23抵接而覆蓋靶材材料22的抵接位置。

在所述狀態(tài)下，通過打開開閉閥34，將作為原料氣體的HMDSO從原料氣體供應(yīng)部36供應(yīng)至成膜腔室10內(nèi)，將成膜腔室10內(nèi)的真空度設(shè)為0.1帕斯卡～10帕斯卡(步驟S5)。接著，經(jīng)由匹配箱46，將高頻電壓從高頻電源45施加至CVD電極24，由此，執(zhí)行通過等離子體CVD進(jìn)行的成膜(等離子體聚合處理)(步驟S6)。由此，通過等離子體CVD反應(yīng)而由原料氣體形成的保護(hù)膜103堆積于工件W的表面(Al薄膜的表面)。

在完成利用等離子體CVD的成膜后，對成膜腔室10內(nèi)進(jìn)行排氣(vent)。接著，在將出口側(cè)開閉部16配置于搬出位置后，如圖1中的虛線所示，使工件載置部13移動至成膜腔室10的外部，由此，通過省略了圖示的搬送機(jī)構(gòu)，將載置于工件載置部13上的成膜完成后的工件W搬出(步驟S7)。

接著，判斷對于全部工件W的處理是否已結(jié)束(步驟S8)。在對于全部工件W的處理已結(jié)束的情況下，使裝置停止。另一方面，在存在未處理的工件W的情況下，返回至步驟S1。

其次，對本發(fā)明的其他實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖4是本發(fā)明第二實(shí)施方式的成膜裝置的概要圖。再者，對與所述第一實(shí)施方式相同的構(gòu)件附上相同符號且省略詳細(xì)說明。

所述第一實(shí)施方式的成膜裝置是在工件搬入工序(步驟S1)中，在不會使水分附著于從樹脂成型機(jī)63搬出的成型后的工件W的表面的60秒以內(nèi)的短時間內(nèi)，完成從樹脂成型機(jī)63中的工件導(dǎo)入部62向成膜腔室10搬送工件W，由此，防止水分附著于工件W的表面。相對于此，所述第二實(shí)施方式的成膜裝置是對將工件W從樹脂成型機(jī)63搬送至成膜腔室10的搬送部61配設(shè)了水分去除機(jī)構(gòu)，所述水分去除機(jī)構(gòu)防止水分附著于利用所述搬送部61搬送的工件W的表面。而且，所述第二實(shí)施方式的成膜裝置采用了將干燥后的氣體供應(yīng)至搬送部61中的搬送路徑內(nèi)的干燥氣體供應(yīng)機(jī)構(gòu)作為所述水分去除機(jī)構(gòu)。

即，如圖4所示，所述第二實(shí)施方式的成膜裝置與所述第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于：對搬送部61附加設(shè)置了干燥氣體供應(yīng)部72與排氣泵73。所述干燥氣體供應(yīng)部72對搬送部61供應(yīng)干燥空氣(dry air)或惰性氣體等不含水分的干燥氣體。另外，排氣泵73通過打開開閉閥74向外部排出搬送部61內(nèi)的環(huán)境氣體。

所述第二實(shí)施方式的成膜裝置在從樹脂成型機(jī)63中的工件導(dǎo)入部62向成膜腔室10搬送工件W之前，預(yù)先完成了如下動作：在通過排氣泵73排出搬送部61內(nèi)的環(huán)境氣體后，將干燥氣體供應(yīng)至搬送部61內(nèi)，由此，利用干燥氣體來凈化(purge)搬送部61。由此，能在從樹脂成型機(jī)63搬出的成型后的工件W通過搬送部61的期間內(nèi)防止水分附著于工件W的表面。

再者，所述工件搬入工序(步驟S1)以后的動作與所述第一實(shí)施方式相同。

所述第二實(shí)施方式的成膜裝置也能防止聚碳酸酯制的工件W的表面發(fā)生水解，從而能防止通過濺射而形成的金屬薄膜剝離這一現(xiàn)象。另外，即使是其他樹脂制的工件W，因?yàn)樵谒治锤街诠ぜ的表面的狀態(tài)下，執(zhí)行通過濺射進(jìn)行的成膜，所以例如在使用了鋁作為金屬的情況下，也能獲得具有百分之九十左右的良好的反射率的鋁薄膜。

其次，對本發(fā)明的另一實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖5是本發(fā)明第三實(shí)施方式的成膜裝置的概要圖。再者，對與所述第一實(shí)施方式、第二實(shí)施方式相同的構(gòu)件附上相同符號且省略詳細(xì)說明。

所述第三實(shí)施方式的成膜裝置也對將工件W從樹脂成型機(jī)63搬送至成膜腔室10的搬送部61配設(shè)了水分去除機(jī)構(gòu)，所述水分去除機(jī)構(gòu)防止水分附著于利用所述搬送部61搬送的工件W的表面。而且，所述第三實(shí)施方式的成膜裝置采用了對搬送部61中的搬送路徑內(nèi)進(jìn)行加熱的加熱機(jī)構(gòu)作為所述水分去除機(jī)構(gòu)。

即，如圖5所示，所述第三實(shí)施方式的成膜裝置與所述第一實(shí)施方式、第二實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于：對搬送部61附加設(shè)置了加熱器(heater)71。所述加熱器71具有包圍搬送部61的形狀，且具有從搬送部61的外周部對搬送部61中的搬送路徑內(nèi)進(jìn)行加熱的結(jié)構(gòu)。通過所述加熱器71的作用，能夠?qū)崴吐窂郊訜嶂翑z氏80度～攝氏150度左右的溫度。再者，所述加熱溫度優(yōu)選設(shè)為比構(gòu)成工件W的樹脂的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度低數(shù)十度左右的溫度。

所述第三實(shí)施方式的成膜裝置在從樹脂成型機(jī)63中的工件導(dǎo)入部62向成膜腔室10搬送工件W之前，預(yù)先完成了通過加熱器71的作用將搬送部61內(nèi)加熱至規(guī)定溫度的動作。由此，能在從樹脂成型機(jī)63搬出的成型后的工件W通過搬送部61的期間內(nèi)防止水分附著于工件W的表面。

再者，所述工件搬入工序(步驟S1)以后的動作與所述第一實(shí)施方式、第二實(shí)施方式相同。

所述第三實(shí)施方式的成膜裝置也能防止聚碳酸酯制的工件W的表面發(fā)生水解，從而能防止通過濺射而形成的金屬薄膜剝離這一現(xiàn)象。另外，即使是其他樹脂制的工件W，因?yàn)樵谒治锤街诠ぜ的表面的狀態(tài)下，執(zhí)行通過濺射進(jìn)行的成膜，所以例如在使用了鋁作為金屬的情況下，也能獲得具有百分之九十左右的良好的反射率的鋁薄膜。

再者，在所述實(shí)施方式中，均說明了將本發(fā)明應(yīng)用于如下成膜裝置的情況，該成膜裝置是在同一成膜腔室10內(nèi)，連續(xù)執(zhí)行通過濺射進(jìn)行的成膜與通過等離子體CVD進(jìn)行的成膜，但也可以將本發(fā)明應(yīng)用于僅執(zhí)行通過濺射進(jìn)行的成膜的成膜裝置。