用于等離子體涂布系統(tǒng)的料片、制造方法及制造薄膜的方法【專利摘要】用于等離子體涂布系統(tǒng)的料片，具有第一部分和第二部分，所述第一部分包括在第一壓力下具有第一升華點的第一材料，所述第二部分放置在所述第一部分上并包括在第一壓力下具有第二熔點的第二材料，其中所述第二熔點低于所述第一升華點。本發(fā)明還公開了所述料片的制造方法，和使用所述料片制造薄膜的方法?！緦＠f明】用于等離子體涂布系統(tǒng)的料片、制造方法及制造薄膜的方法[0001]相關(guān)申請的交叉引用[0002]本申請要求2013年4月30日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局遞交的韓國專利申請10-2013-0048501的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部公開內(nèi)容通過引用整體合并于此?！?br>技術(shù)領(lǐng)域：
】[0003]本發(fā)明的實施方式涉及用于等離子體涂布系統(tǒng)的料片、制造它的方法及使用制造所述用于等離子體涂布系統(tǒng)的料片的方法制造薄膜的方法。【
背景技術(shù)：
】[0004]有機發(fā)光顯示裝置為具有大視角、高對比度、快響應(yīng)時間、關(guān)于亮度、驅(qū)動電壓和響應(yīng)速度的高的特性的發(fā)射顯示裝置，并可顯示彩色圖像。[0005]有機發(fā)光顯示裝置可包括有機發(fā)光裝置。有機發(fā)光裝置易于被水分和氧氣劣化。因此，所述有機發(fā)光顯示裝置包括用于密封所述有機發(fā)光裝置免受水分和氧氣損害的封裝結(jié)構(gòu)。所述封裝結(jié)構(gòu)可由密封薄膜形成。所述密封薄膜可由無機材料形成，并且所述無機材料可通過各種方法形成為薄膜。然而，當(dāng)通過使用等離子體涂布系統(tǒng)形成密封薄膜時，會在所述密封薄膜中包括在升華無機材料的過程中產(chǎn)生的灰燼、顆粒和空氣傳播的物質(zhì)，因此，降低了所述密封薄膜的可靠性?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0006]本發(fā)明的實施方式提供了用于形成薄膜的等離子體涂布系統(tǒng)的料片(tablet)、制造所述料片的方法及使用制造所述用于等離子體涂布系統(tǒng)的料片的方法制造所述薄膜的方法。[0007]根據(jù)實施方式的方面，提供了用于等離子體涂布系統(tǒng)的料片，所述料片包括:第一部分，所述第一部分包含在第一壓力下具有第一升華點的第一材料；和第二部分，所述第二部分放置在所述第一部分上并包含在所述第一壓力下具有第二熔點的第二材料，其中所述第二熔點低于所述第一升華點。[0008]所述第一材料可為錫氧化物。[0009]所述第二材料可為錫。[0010]所述第二材料可為包括錫氧化物、磷氧化物、磷酸硼、錫氟化物、鈮氧化物、氧化鋅、氧化硼、或氧化鎢中的至少一種的混合物。[0011]所述第二部分可占整個所述料片的約10%至約50%范圍內(nèi)的體積，并且所述第一部分可占整個所述料片的約50%至約90%范圍內(nèi)的體積。[0012]所述第一部分的上表面的中心部分可凹向所述第一部分的下表面。[0013]所述第二部分可形成為單片或多片。[0014]根據(jù)實施方式的方面，提供了形成用于等離子體涂布系統(tǒng)的料片的方法，所述料片包括第一部分和第二部分，所述方法包括:通過研磨、壓縮和燒結(jié)在第一壓力下具有第一升華點的第一材料而形成第一部分；和通過將在所述第一壓力下具有第二熔點的第二材料放置在所述第一部分的上表面上而形成第二部分，其中，所述第二熔點低于所述第一升華點。[0015]所述第一材料可為錫氧化物。[0016]所述第二材料可為錫。[0017]所述第二材料可為包括錫氧化物、磷氧化物、磷酸硼、錫氟化物、鈮氧化物、氧化鋅、氧化硼、或氧化鎢中的至少一種的混合物。[0018]所述方法可進一步包括形成所述第一部分的上表面的中心部分，所述中心部分凹向所述第一部分的下表面。[0019]所述第二部分可形成為單片或多片。[0020]根據(jù)實施方式的方面，提供了通過使用用于等離子體涂布系統(tǒng)的料片制造薄膜的方法，其中，所述料片包括:第一部分，所述第一部分包括在第一壓力下具有第一升華點的第一材料；和第二部分，所述第二部分放置在所述第一部分上并包括具有在所述第一壓力下的第二熔點的第二材料，其中所述第二熔點低于所述第一升華點，所述方法包括:加熱容納所述料片的坩堝；通過在所述第一部分的上表面的中心部分收集熔化的所述第二材料而暴露所述第一部分的上表面的邊緣部分；從所述第一部分的所述暴露的上表面的邊緣部分升華所述第一材料；和通過升華的所述第一材料在將要進行沉積的主體上形成薄膜。[0021]可通過吸收從離子槍射出的電子加熱所述坩堝。[0022]從所述第一部分釋放的離散的物質(zhì)被熔化的所述第二材料吸收。[0023]所述薄膜可為密封有機發(fā)光裝置的密封薄膜。[0024]根據(jù)實施方式，在通過等離子體涂布系統(tǒng)形成薄膜的過程中，減少了可從所述料片產(chǎn)生的灰燼、顆粒和空氣傳播的物質(zhì)，因而可提高薄膜的可靠性?！緦＠綀D】【附圖說明】[0025]通過參照附圖詳細說明本發(fā)明的示例性實施方式，本發(fā)明的上面和其它特征和優(yōu)點將變得更明顯，其中:[0026]圖1為說明根據(jù)實施方式的用于等離子體涂布系統(tǒng)的料片的透視圖；[0027]圖2和圖3為說明根據(jù)另一個實施方式的用于等離子體涂布系統(tǒng)的料片的透視圖；[0028]圖4為顯示根據(jù)實施方式通過使用料片而形成薄膜的方法的示意性截面圖；和[0029]圖5為根據(jù)實施方式通過使用料片用密封膜密封有機發(fā)光顯示裝置的截面視圖。【具體實施方式】[0030]在本說明書中，與實施方式無關(guān)的部分可從附圖中省略，并且可能不說明，或者在附圖中簡要顯示并簡要說明。同樣，在附圖中，為了清晰，層或區(qū)域的長度或大小可被放大。[0031]在全部附圖的說明中，相似的附圖標(biāo)記用于基本相同或彼此相應(yīng)的元件。在本說明書中，術(shù)語“第一”、“第二”等可在其中使用以說明各種元件，并且這些元件不應(yīng)被這些術(shù)語限制，而是僅用于區(qū)分元件彼此。同樣，應(yīng)理解當(dāng)稱層、區(qū)域或元件“形成在”另一個元件或?qū)由厦鏁r，它可包括所述層、所述區(qū)域或所述元件直接形成在另一個層、區(qū)域或元件上的情況和所述層、所述區(qū)域或所述元件不直接形成，其間有中間層、區(qū)域或元件的情況。[0032]所述實施方式涉及等離子體涂布系統(tǒng)。[0033]所述等離子體涂布系統(tǒng)為一類薄膜形成系統(tǒng)。[0034]在所述等離子體涂布系統(tǒng)中，薄膜基于以下原理形成，即當(dāng)從離子發(fā)生器產(chǎn)生的正離子和電子被供應(yīng)到腔中時，所供應(yīng)的電子被容納所述料片的坩堝吸收，因此加熱所述料片，并且構(gòu)成所述料片的固體材料升華成氣體，所述氣體在將要進行沉積的主體上沉積。[0035]所述離子發(fā)生器可為離子槍。當(dāng)惰性氣體，例如氬氣被注入所述槍的管中時，由于磁場、電場以及所述管周圍形成的熱量而產(chǎn)生等離子體，結(jié)果，氬氣電離成氬正離子和電子。所述槍將正離子和電子供應(yīng)到所述腔中。[0036]將所述腔保持在真空狀態(tài)或低壓。[0037]容納所述料片的坩堝被放置在所述腔中。將要進行沉積的主體，例如基板或其上放置有機發(fā)光裝置的基板，放置在面對所述料片的位置。所述坩堝可由具有高的熱傳導(dǎo)性的金屬，例如銅或鎢形成。所述被供應(yīng)到所述腔中的電子通過被所述坩堝吸收而加熱所述料片。接觸所述坩堝的所述料片的邊緣部分比所述料片的中心部分更早被加熱，因此所述料片的邊緣部分升華，并在將要進行沉積的主體上形成薄膜。[0038]所述等離子體涂布系統(tǒng)使用通過加熱所述料片而升華包含在其中的材料，從而在將要進行沉積的主體上形成薄膜的方法。[0039]濺射系統(tǒng)使用這樣一種方法，其中當(dāng)?shù)入x子體中的氬正離子通過向靶加速而與所述靶的表面碰撞時，從所述靶射出靶材料，通過所述靶材料在將要進行沉積的主體上形成薄膜。[0040]因此，所述濺射系統(tǒng)利用低電流和高電壓，并且，由于具有大的動能的靶材料與將要進行沉積的主體碰撞，會損壞將要進行沉積的靶。然而，所述等離子體涂布系統(tǒng)利用高電流和低電壓，并且，由于料片的材料被加熱升華，對將要進行沉積的主體的損壞很小。[0041]下文，將詳細說明用于等離子體涂布系統(tǒng)的料片和形成所述料片的方法。[0042]圖1為說明根據(jù)實施方式的用于等離子體涂布系統(tǒng)的料片Ia的透視圖。圖2和圖3為說明根據(jù)另一個實施方式的用于等離子體涂布系統(tǒng)的料片Ib和Ic的透視圖。[0043]料片Ia包括第一部分11和第二部分12。第二部分12位于所述第一部分11的上表面Ilu上。這里，第一部分11的上表面Ilu表示面對將要進行沉積的主體的料片Ia的外表面。第一部分11的下表面表示不面對所述將要進行沉積的主體并在所述上表面Ilu的對面的第一部分11的表面。[0044]第一部分11包括在第一壓力下具有第一升華點的第一材料。例如，所述第一材料可為固態(tài)錫氧化物(例如SnO或Sn02)。在錫氧化物的情況下，所述錫氧化物可在Iatm或更小的低壓下具有在約500°C至約600°C的范圍內(nèi)的第一升華點。這里，所述第一壓力表示當(dāng)料片被放在用于形成薄膜的等離子體涂布系統(tǒng)的腔中時，腔的內(nèi)部壓力。因此，所述第一壓力可為小于Iatm的低壓力狀態(tài)，但是不限于此，即可為大約1/lOOOmmHg的真空狀態(tài)。所述第一材料不限于錫氧化物，但是可為適于形成薄膜并滿足上述條件的各種材料。[0045]第二部分12包括與所述第一材料不同的第二材料。所述第二材料在所述第一壓力下具有第二熔點。例如，所述第二材料可為固態(tài)錫(Sn)。在Sn的情況下，Sn可在小于Iatm的低壓下具有大約400°C的熔點。作為另一個實例，所述第二材料可為包括錫氧化物(例如SnO或SnO2)、磷氧化物(例如P2O5)、磷酸硼(例如BPO4)、錫氟化物(例如SnF4)、鈮氧化物(例如NbO)、氧化鋅(例如ZnO)、氧化硼(例如B203)、硅氧化物(例如S12)或氧化鎢(例如WO3)的至少一種的固態(tài)混合物。在上述混合物的情況下，所述混合物可在Iatm或更小的低壓狀態(tài)下具有大約300°C或更小的熔點。[0046]例如，所述第二材料可如下，但不限于此。[0047]-.SnO和P2O5；[0048]-.SnO和BPO4；[0049]-.SnO、SnF2和P2O5；[0050]-.SnO、SnF2、P2O5和NbO；[0051]-.SnO、SnF2'P2O5和WO3；[0052]-.SnO、P2O5和B2O3；[0053]-.SnO、P2O5、B2O3和ZnO;和[0054]-.SnO、B2O3、ZnO和S12[0055]例如，所述第二材料可為下面顯示的組合物的一種，但是不限于此。[0056]-.Sn0(80mol%)和P205(20mol%)；[0057]-.SnO(90mol%)和BP04(10mol%);[0058]-.SnO(20至50mol%)、SnF2(30至60mol%)和P2O5(10至30mol%)(其中，SnO、SnF2和P2O5的和為10mo1%)；[0059]-.SnO(20至50mol%)'SnF2(30至60mol%),P2O5(10至30mol%)和NbO(I至5mol%)(其中，SnO、SnF2'P2O5和NbO的和為100mol%)；[0060]-.SnO(20至70mol%)、P2O5(5至50mol%)和B2O3(5至50mol%)(其中，SnO、P2O5和B2O3的和為100mol%)；[0061]-.SnO(20至70mol%)、P2O5(5至50mol%)、B2O3(5至50mol%)和ZnO(5至20mol%)(其中，SnO、P205、B2O3和ZnO的和為100mol%);和[0062]-.SnO(20至70mol%)、B2O3(5至50mol%)、ZnO(5至20mol%)和S12(5至20mol%)(其中，Sn0、B203、Zn0和S12的和為100mol%)。[0063]根據(jù)實施方式，在所述第一壓力下所述第二材料的第二熔點可低于所述第一材料的第一升華點。即，由于具有低熔點的第二材料被放在料片Ia上，在所述料片Ia上的所述第二材料在所述第一材料升華前熔化，因此熔化的第二材料吸收在所述第一材料升華時所產(chǎn)生的灰燼、顆粒和離散的物質(zhì)。這樣，在將要進行沉積的主體上形成的薄膜中不包括灰燼、顆粒和離散的物質(zhì)。因此，可形成具有高可靠性的薄膜。[0064]下文，將一起說明料片Ia的外觀和形狀及形成所述料片Ia的方法。[0065]根據(jù)實施方式，所述料片Ia可具有，例如圓柱形形狀。然而，根據(jù)本實施方式的料片Ia的形狀不限于此，并可具有各種形狀。料片Ia的形狀可根據(jù)容納所述料片Ia的坩堝的內(nèi)部形狀而形成。[0066]可分別形成根據(jù)本實施方式的料片Ia的第一部分11和第二部分12。首先，將說明形成第一部分11的方法。壓碎第一材料并研磨以形成粉末。然后，通過加熱并加壓而壓縮和燒結(jié)所述粉末，以使其具有預(yù)定的形狀。在壓縮和燒結(jié)所述粉末的過程中，如必要，可加入揮發(fā)性粘結(jié)劑。[0067]接著，將說明形成第二部分12的方法。壓碎第二材料并研磨以形成粉末。然后，通過加熱并加壓而壓縮和燒結(jié)所述粉末，以使其具有預(yù)定的形狀。在壓縮和燒結(jié)所述粉末的過程中，如必要，可加入揮發(fā)性粘結(jié)劑。[0068]接著，可通過簡單地將第二部分12放置或附著到第一部分11的上表面Ilu上，形成根據(jù)本實施方式的料片la。第二部分12可被簡單地放置在第一部分11上或可通過使用粘合材料而被附著到第一部分11上。[0069]參照圖1，第一部分11可占整個所述料片Ia的約50%至約90%的范圍內(nèi)的體積，并且第二部分12可占整個所述料片Ia的約10%至約50%內(nèi)的范圍的體積。例如，當(dāng)所述料片Ia具有約30mm的直徑和約40mm的高度的圓柱形形狀時,第一部分11可具有約30mm的直徑和約30mm的高度的圓柱形形狀,并且第二部分12可具有約30mm的直徑和約1mm的高度的圓柱形形狀，并可被放置在第一部分11的上表面上。[0070]根據(jù)圖2和圖3，料片Ib和Ic的第一部分11的上表面Ilu可形成為凹形，然后，在形成為凹形的上表面Ilu中形成第二部分12?，F(xiàn)將說明形成第一部分11的方法。首先，壓碎第一材料并研磨以形成粉末。然后，通過加熱并加壓而壓縮和燒結(jié)所述粉末，以使其具有預(yù)定的形狀。在壓縮和燒結(jié)所述粉末的過程中，如必要，可加入揮發(fā)性粘結(jié)劑。[0071]接著，加工第一部分11的上表面Ilu的中心部分Ilc以使其凹向下表面。[0072]接著，將說明形成第二部分12的方法。壓碎第二材料并研磨以形成粉末。然后，通過加熱并加壓而壓縮和燒結(jié)所述粉末，以使其具有預(yù)定的形狀。在壓縮和燒結(jié)所述粉末的過程中，如必要，可加入揮發(fā)性粘結(jié)劑。[0073]此時，如圖2描述，第二部分12可形成為單片。然而，第二部分12的形狀不限于此。即，如圖3描述，第二部分12可形成為多片。[0074]接著，通過簡單地將第二部分12放置或粘合到第一部分11的上表面Ilu上，可形成根據(jù)本實施方式的料片Ib和lc。[0075]如圖2和圖3中說明，當(dāng)在第一部分11的上表面Ilu上形成凹的部分時，可防止熔化的第二材料溢出到所述坩堝的外部。通過重力可使熔化物流入第一部分11的上表面Ilu的凹的部分中，并可形成液滴，因而暴露了第一部分11的上部邊緣部分Ilp(參照圖4)。所述第一材料易于從所述第一部分11的暴露部分升華，以在將要進行沉積的主體上形成薄膜。[0076]如參照圖1說明，在圖2和圖3的料片Ib和Ic的情況下，所述第一部分11和所述第二部分12可具有與圖1相似的體積比。[0077]下文，將說明通過使用圖1、2和3的料片la、lb和Ic中的一個通過等離子體涂布系統(tǒng)100形成薄膜的方法。[0078]圖4為顯示通過等離子體涂布系統(tǒng)100形成薄膜的工藝的示意性截面圖，其中包括根據(jù)實施方式的料片la、lb和Ic中的一個。圖5為根據(jù)實施方式通過使用料片用密封膜來密封的有機發(fā)光顯示裝置200的截面視圖。[0079]料片Ia和將要進行沉積的主體200(有機發(fā)光顯示裝置200)被放置在所述等離子體涂布系統(tǒng)100的腔120中。因為從料片Ia升華的第一材料在將要進行沉積的主體200上形成薄膜，所以將料片Ia和將要進行沉積的主體200彼此面對放置。[0080]由離子發(fā)生器130產(chǎn)生氬正離子Ar+和電子e_，并且氬正離子Ar+散布在腔120中，電子e_被坩堝110吸收。坩堝110通過吸收電子e_而被加熱。此時，從料片Ia的邊緣部分導(dǎo)熱，因此，料片Ia的邊緣部分具有高于中心部分的溫度。同時，由于包括在被放置在第一部分11的上表面Ilu上的第二部分12中的第二材料的熔點低于包括在第一部分11中的第一材料的升華點，當(dāng)所述第一材料升華時，所述第二材料更早熔化，并形成熔化的第二材料121。[0081]在圖2和圖3的料片Ib和Ic的情況下，由于第一部分11的上表面Ilu的中心部分Ilc形成為凹形，所述熔化的第二材料121在所述凹形部分匯集。在圖1的料片Ia的情況下，當(dāng)進行該工藝時，由于氬正離子Ar+與料片Ia的上中心表面碰撞，第一部分11的中心部分Ilc形成為凹形。這是因為，由于電子e_被坩堝110吸收，料片Ia的邊緣部分具有相對較負的極性，因此，氬正離子Ar+加速并與料片Ia的中心部分碰撞，結(jié)果，蝕刻了第一部分11的上中心部分。因此，在圖1的料片Ia的情況下，當(dāng)進行該工藝時，熔化的第二材料121在所述第一部分11的上表面Ilu的凹形中心部分Ilc匯集。[0082]因此，所述第二材料在第一部分11的中心部分Ilc匯集，并且所述第一材料從第一部分11的上邊緣部分Iip暴露。當(dāng)由于加熱坩堝110而使得坩堝110的溫度達到所述第一材料的升華溫度時，所述第一材料從所述暴露的邊緣部分Iip升華。[0083]參照圖5，根據(jù)本實施方式的將要進行沉積的主體200可為其上存在有機發(fā)光裝置202的基板201。此時，通過在特定的方向移動基板201可持續(xù)地進行膜形成工藝。[0084]通過使用根據(jù)實施方式的料片la、lb和Ic而形成的薄膜可為密封所述有機發(fā)光裝置202的密封薄膜204。所述有機發(fā)光裝置202形成在基板201上。有機發(fā)光裝置202包括從基板201順序形成的下電極202a、中間層202b和上電極202c。如果必要，有機發(fā)光裝置202可進一步包括在上電極202c上的有機輔助層203，以控制有機發(fā)光裝置202的折射率，并保護上電極202c。有機發(fā)光裝置202的中間層202b包括多個由有機材料形成的有機層，并且有機層易于因外部水分和氧氣而變形。因此，所述有機層與外部嚴(yán)格隔離，以確保有機發(fā)光裝置202的可靠性。因而，形成密封所述有機發(fā)光裝置202的密封膜204。[0085]根據(jù)實施方式，密封膜204可由錫氧化物形成。特別地，通過使用根據(jù)實施方式的料片la、Ib和Ic形成的薄膜不包含灰燼、顆?；螂x散的物質(zhì)，因為在形成所述薄膜時，熔化的第二材料吸收所述第一材料的升華過程中產(chǎn)生的所述灰燼、顆粒和離散的物質(zhì)。[0086]基于不同的操作原理操作上述濺射系統(tǒng)和所述等離子體涂布系統(tǒng)，因此根據(jù)實施方式的料片可不用做濺射系統(tǒng)的靶。特別地，當(dāng)根據(jù)實施方式的料片用作濺射系統(tǒng)的靶時，觀察到由于所述具有低熔點的第二部分的產(chǎn)生的排氣，由于在濺射操作中產(chǎn)生的強的電弧而難于形成正常的膜。因此，根據(jù)實施方式的料片區(qū)別于所述濺射系統(tǒng)的靶。[0087]雖然參照優(yōu)選的實施方式具體地顯示和說明了這個實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解所述實施方式不限于上述實施方式，并且在不背離所附權(quán)利要書限定的實施方式的精神和范圍的情況下，可作出形式和細節(jié)的各種變化?！緳?quán)利要求】1.一種用于等離子體涂布系統(tǒng)的料片，所述料片包括:第一部分，所述第一部分包括在第一壓力下具有第一升華點的第一材料；和第二部分，所述第二部分放置在所述第一部分上并包括在所述第一壓力下具有第二熔點的第二材料，其中所述第二熔點低于所述第一升華點。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的料片，其中所述第一材料為錫氧化物。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的料片，其中所述第二材料為錫。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的料片，其中所述第二材料為包括錫氧化物、磷氧化物、磷酸硼、錫氟化物、鈮氧化物、氧化鋅、硅氧化物、氧化硼或氧化鎢中的至少一種的混合物。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的料片，其中，所述第二部分占整個所述料片的10%至50%的體積，并且所述第一部分占整個所述料片的50%至90%的體積。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的料片，其中所述第一部分的上表面的中心部分凹向所述第一部分的下表面。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的料片，其中所述第二部分形成為單片或多片。8.一種形成根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的料片的方法，所述方法包括:通過研磨、壓縮和燒結(jié)第一材料而形成第一部分，所述第一材料在第一壓力下具有第一升華點，和通過將第二材料放置在所述第一部分的上表面上而形成第二部分，所述第二材料在第一壓力下具有第二熔點，其中，所述第二熔點低于所述第一升華點。9.一種通過使用根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的用于等離子體涂布系統(tǒng)的料片制造薄膜的方法，所述方法包括:加熱容納所述料片的坩堝；通過在所述第一部分的上表面的中心部分熔化和收集所述第二材料而暴露所述第一部分的上表面的邊緣部分；從所述第一部分的所述暴露的上表面的邊緣部分升華所述第一材料；和通過所述升華的第一材料在將要進行沉積的主體上形成薄膜。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，通過吸收從離子槍射出的電子而加熱所述坩堝。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，被所述第一部分釋放的離散的物質(zhì)被所述熔化的第二材料吸收。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述薄膜為密封有機發(fā)光裝置的密封薄膜?！疚臋n編號】C23C14/08GK104131255SQ201310475990【公開日】2014年11月5日申請日期:2013年10月12日優(yōu)先權(quán)日:2013年4月30日【發(fā)明者】金勳,樸鎮(zhèn)宇申請人:三星顯示有限公司