石英晶體鍍膜厚度控制方法及石英晶體鍍膜裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種石英晶體鍍膜厚度控制方法，根據(jù)鍍膜前的石英晶體起始振蕩頻率和鍍膜后的石英晶體振蕩頻率計(jì)算鍍膜厚度；其特征在于，減少因石英晶體片溫度升高而使石英晶體振蕩頻率升高所引起的厚度測量誤差。本發(fā)明中的石英晶體鍍膜裝置，操作方便，工作效率提高。本發(fā)明中的石英晶體膜厚控制儀采用人機(jī)界面，方便操作人員實(shí)時監(jiān)控鍍膜過程，并對成膜數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，提高了鍍膜工藝的可控性。使用本發(fā)明，可以將鍍膜厚度的誤差降低為現(xiàn)有技術(shù)的四分之一以下，大大提高了鍍膜厚度的精確性。
【專利說明】石英晶體鍍膜厚度控制方法及石英晶體鍍膜裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種石英晶體鍍膜厚度控制方法及石英晶體鍍膜裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]厚度作為光學(xué)薄膜最重要的參數(shù)之一。決定性地影響薄膜的力學(xué)性能、電學(xué)性能和光學(xué)性能。另一方面，幾乎所有的薄膜性能都與厚度有關(guān)。因此準(zhǔn)確控制薄膜的厚度就成為制備具有優(yōu)良性能的光學(xué)薄膜的關(guān)鍵。
[0003]其中一種石英晶體膜厚控制儀(簡稱晶控儀)通過晶體振蕩器控制鍍膜厚度。其原理是利用石英晶體片(簡稱晶體片、晶振片、晶控片)的諧振頻率與膜層厚度之間的關(guān)系來監(jiān)控膜層厚度及鍍膜速率。其主要由裝有石英晶體片的晶振探頭，及用于測量石英晶體片諧振頻率的頻率測量電路，用于控制鍍膜速率及厚度的控制電路組成。晶振探頭安裝在真空鍍膜設(shè)備的真空室內(nèi)，晶振探頭上的晶體片的一側(cè)表面暴露在蒸發(fā)源的上方。在真空鍍膜過程中，鍍膜材料同時沉積在石英晶體片及樣品基片上，通過石英晶體膜厚控制儀測定石英晶體片的諧振頻率來監(jiān)控鍍膜厚度及鍍膜速率。石英晶體片的諧振頻率會隨著鍍膜材料沉積而降低。晶控儀實(shí)時測量出鍍膜晶體片的諧振頻率，根據(jù)諧振頻率與膜層厚度的轉(zhuǎn)換關(guān)系，計(jì)算出沉積膜層厚度，并根據(jù)厚度關(guān)系比的大小得到樣品基片的鍍膜厚度。再根據(jù)膜層在不同時刻的厚度差，計(jì)算出膜料沉積速率，然后通過PID等控制算法控制蒸發(fā)源的功率，以得到穩(wěn)定的趨于設(shè)計(jì)速率的沉積速率。由于石英晶體片的諧振頻率在一定范圍內(nèi)，其變化與膜層厚度變化成線性關(guān)系，使得晶控儀相對于其他膜厚控制方法(例如光學(xué)控制法)，更便于沉積速率控制。相對恒定的沉積速率對于鍍膜過程的穩(wěn)定性與重復(fù)性非常重要，因此晶控儀已經(jīng)逐漸成為真空鍍膜設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)控制儀器之一。
[0004]鍍膜過程中，晶控儀實(shí)時根據(jù)晶體振蕩器測量的晶體頻率計(jì)算出對應(yīng)的膜層厚度，當(dāng)計(jì)算厚度與設(shè)計(jì)厚度一致時，停止鍍膜。目前使用的晶控方法及裝置，標(biāo)稱的厚度誤差一般為0.5%。然而，對于含有薄層的膜系，此標(biāo)稱誤差實(shí)際難以達(dá)成。鍍膜厚度越薄，該標(biāo)稱0.5%的厚度誤差就越難以達(dá)成。而且由于其他膜厚控制方法(如光學(xué)控制法)對薄層也缺乏有效準(zhǔn)確的監(jiān)控手段，成膜工藝人員甚至更愿意用晶控方法來控制薄層。
[0005]目前，在膜系設(shè)計(jì)階段，或?yàn)閼?yīng)對各種設(shè)計(jì)要求，或?yàn)楣?jié)約生產(chǎn)成本，或?yàn)樘岣叱善仿?，?jì)算機(jī)優(yōu)化已成了幾乎不可或缺的手段，而薄層在計(jì)算機(jī)膜系優(yōu)化結(jié)果中恰恰是經(jīng)常出現(xiàn)的。為此，設(shè)計(jì)階段或以增加總膜層厚度或犧牲部分光譜性能多次優(yōu)化來換取較少的薄層；但對于某些特定膜系，薄層是不可避免的。另外，成膜階段，對于薄層缺乏有效準(zhǔn)確的監(jiān)控手段增加了成膜的難度及成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本發(fā)明的目的之一是提供一種鍍膜精度高的石英晶體鍍膜厚度控制方法。
[0007]為實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):[0008]石英晶體鍍膜厚度控制方法，根據(jù)鍍膜前的石英晶體起始振蕩頻率和鍍膜后的石英晶體振蕩頻率計(jì)算鍍膜厚度；其特征在于，減少因石英晶體片溫度升高而使石英晶體振蕩頻率升高所引起的厚度測量誤差。
[0009]優(yōu)選地是，提供一頻率補(bǔ)償值，將鍍膜前的石英晶體振蕩頻率加上頻率補(bǔ)償值作為起始振蕩頻率或者將實(shí)時檢測的鍍膜后石英晶體振蕩頻率減去頻率補(bǔ)償值作為鍍膜后石英晶體振蕩頻率，根據(jù)兩個振蕩頻率值計(jì)算得到厚度差為實(shí)際膜層厚度；或者提供一厚度補(bǔ)償值，根據(jù)鍍膜前的石英晶體起始振蕩頻率和鍍膜后的石英晶體振蕩頻率計(jì)算鍍膜厚度，再加上厚度補(bǔ)償值，作為鍍膜實(shí)際厚度。
[0010]優(yōu)選地是，還包括一頻率補(bǔ)償值檢測步驟，確定所述頻率補(bǔ)償值。
[0011]優(yōu)選地是，所述頻率補(bǔ)償值檢測步驟包括:將蒸發(fā)源關(guān)閉時刻檢測的鍍膜石英晶體的振蕩頻率值與蒸發(fā)源關(guān)閉后鍍膜石英晶體溫度不再變化時的鍍膜石英晶體的振蕩頻率之差，作為頻率補(bǔ)償值。
[0012]優(yōu)選地是，將蒸發(fā)源關(guān)閉時刻檢測的鍍膜石英晶體的振蕩頻率值與蒸發(fā)源關(guān)閉后大于等于晶振探頭溫度時間常數(shù)時刻的鍍膜石英晶體的振蕩頻率之差，作為頻率補(bǔ)償值。
[0013]優(yōu)選地是，將蒸發(fā)源關(guān)閉時刻檢測的石英晶體的振蕩頻率值與蒸發(fā)源關(guān)閉后不小于3倍晶振探頭溫度時間常數(shù)時刻的石英晶體的振蕩頻率值之差，作為所述頻率補(bǔ)償值。
[0014]優(yōu)選地是，還包括一厚度補(bǔ)償值檢測步驟，確定所述厚度補(bǔ)償值。
[0015]優(yōu)選地是，所述厚度補(bǔ)償檢測步驟包括:將蒸發(fā)源關(guān)閉時刻檢測的石英晶體的振蕩頻率測量值與蒸發(fā)源關(guān)閉后不小于晶體振蕩器溫度時間常數(shù)時刻的石英晶體的振蕩頻率測量值之差轉(zhuǎn)換的厚度值作為所述厚度補(bǔ)償值。
[0016]優(yōu)選地是，所述厚度補(bǔ)償檢測步驟包括:通過膜厚控制儀控制進(jìn)行兩次膜厚設(shè)定值相同的鍍膜；首先提供一第一參比片，分nl次完成鍍膜，利用光譜分析法檢測第一參比片的鍍膜厚度為dl ;再提供一第二參比片，分n2次鍍膜，再利用光譜分析法檢測第二參比片的鍍膜厚度為d2 ；n2不等于nl ;所述厚度補(bǔ)償值為(d2_dl) /(n2_nl)/k ;所述k為厚度關(guān)系比，其值為第一參比片的鍍膜厚度或第二參比片鍍膜厚度與對應(yīng)石英晶體片的鍍膜厚度的比值。
[0017]優(yōu)選地是，第一參比片與第二參比片在同一位置鍍膜。
[0018]優(yōu)選地是，所述第一參比片和第二參比片為玻璃基片。
[0019]優(yōu)選地是，所述nl為大于等于I的自然數(shù)。
[0020]優(yōu)選地是，所述n2為大于等于5的自然數(shù)。更優(yōu)選地是，n2與nl之差大于5。
[0021]優(yōu)選地是，每相鄰兩次鍍膜之間的時間間隔大于等于溫度時間常數(shù)。
[0022]本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本發(fā)明的目的之二是提供一種石英晶體鍍膜裝置。
[0023]為實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0024]石英晶體鍍膜裝置，其特征在于，采用前述的石英晶體鍍膜厚度控制方法控制鍍膜厚度。
[0025]優(yōu)選地是，包括晶體振蕩器和膜厚控制儀，所述膜厚控制儀控制晶體振蕩器為石英晶體鍍膜并控制鍍膜厚度；所述膜厚控制儀接收晶體振蕩器檢測的石英晶體的振蕩頻率數(shù)據(jù)，并將其轉(zhuǎn)換為鍍膜厚度數(shù)據(jù)。[0026]優(yōu)選地是，所述膜厚控制儀采用前述的石英晶體鍍膜厚度控制方法控制鍍膜厚度。
[0027]優(yōu)選地是，包括晶體振蕩器、膜厚控制儀和上位機(jī)；所述上位機(jī)控制所述膜厚控制儀進(jìn)行石英晶體鍍膜；所述上位機(jī)采用前述的石英晶體鍍膜厚度控制方法控制鍍膜厚度。
[0028]發(fā)明人經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn):對于晶控儀來說，晶體片振蕩頻率及其變化是膜厚計(jì)算的依據(jù)，頻率測量是所有晶控儀的核心。從成膜的實(shí)際監(jiān)測過程看，有些材料成膜開始后會出現(xiàn)幾秒鐘的負(fù)速率，而光控信號已有變化(即已經(jīng)有材料沉積)，說明成膜初始時的溫度上升帶來頻率上升幅度大于材料沉積帶來的頻率下降，使得晶控儀表現(xiàn)出負(fù)速率。然而，成膜后晶體片溫度變化是難以避免的，隨之而出現(xiàn)的頻率變化也同樣難以避免。晶體片的頻率隨溫度上升而上升，而晶體片的頻率隨沉積材料的厚度增加而下降。
[0029]晶控儀自身尚無法辨別頻率變化的來源是晶體片溫度變化還是材料沉積上去的厚度變化，只將頻率變化認(rèn)為是厚度變化。成膜開始時，晶體片表面處于一個溫度，當(dāng)成膜停止時，晶體片表面將達(dá)到一個更高溫度。這個溫度差額外帶來了晶體片頻率變化，而晶控儀將把這個額外的頻率變化計(jì)算成負(fù)的膜厚累積進(jìn)膜層總厚度中，使得真實(shí)總厚度比記錄的總厚度要厚。
[0030]發(fā)明人進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn):在石英晶體片初始鍍膜時，其溫度上升所帶來的頻率升高與鍍膜后導(dǎo)致的頻率下降混合在一起，而且，晶體片溫度升高必然伴隨著膜材料沉積引起的質(zhì)量變化；膜材料沉積也必然伴隨著晶體片溫度升高。無法將溫度因素對晶體片的頻率影響與質(zhì)量因素對晶體片的頻率影響分離檢測。
[0031]發(fā)明人進(jìn)一步分析得出:在鍍膜過程中，晶體片的溫度呈現(xiàn)上升、穩(wěn)定、下降的趨勢。蒸發(fā)源擋板打開并開始鍍膜，晶體片上自開始有膜材料沉積時，晶體片溫度開始上升，并上升至一定溫度后趨于穩(wěn)定，直至鍍膜完成，膜材料停止沉積時。關(guān)閉蒸發(fā)源擋板及蒸發(fā)源停止沉積膜材料后，鍍膜的晶體片溫度下降。而且，最重要的，在開始鍍膜后晶體片的溫度上升幅度與鍍膜完成后晶體 片的溫度下降幅度相當(dāng)，由此二者帶來的頻率變化幅度相當(dāng)。因此，通過檢測鍍膜完成后晶體片頻率的下降幅度，可以確定晶體片開始鍍膜時因溫度上升引起晶體片頻率升高而帶來的誤差。在控制鍍膜厚度時，扣除誤差值就可以使鍍膜的實(shí)際厚度更精確。
[0032]在鍍膜過程中，晶體振蕩器的溫度變化通常是自與冷卻水相近的溫度點(diǎn)開始上升，至最高值后維持至鍍膜完成，外界熱源撤除后，其溫度將回落至與冷卻水相近，便不再變化。
[0033]鍍膜完成后，關(guān)閉蒸發(fā)源，晶振探頭的溫度自最高點(diǎn)開始降溫，直至溫度不再變化，這兩個平衡狀態(tài)之間存在溫度差。本發(fā)明中所謂的溫度時間常數(shù)是指，晶振探頭的溫度自最高溫度開始降溫，直至降低了溫度差的63%時所需的時間長度。即以假定鍍膜時晶振探頭溫度為40°C為例，關(guān)閉蒸發(fā)源后，其溫度降低至25°C后不再變化。溫度時間常數(shù)即是晶振探頭自關(guān)閉蒸發(fā)源開始計(jì)算，直至降低至40- (40-25) X63%=30.55°C時，所需要的時間即為溫度時間常數(shù)。在非成膜狀態(tài)下，在室溫附近，鍍膜所用AT切晶體片的頻率與溫度是單調(diào)對應(yīng)的，頻率變化可反映出溫度變化。實(shí)際的晶振探頭溫度時間常數(shù)可通過連續(xù)一段時間監(jiān)測停止成膜后的頻率變化來得出。
[0034]本發(fā)明中的石英晶體鍍膜厚度控制方法及石英晶體鍍膜裝置，解決了因無法辨別晶體片頻率變化是來源于溫度還是來源于鍍膜而導(dǎo)致根據(jù)頻率計(jì)算出的厚度與真實(shí)厚度偏差大這一缺陷，將溫度變化引起的晶體片頻率變化值定量化，并將該頻率變化值引起的成膜厚度偏差值自動補(bǔ)償進(jìn)總成膜厚度中，提高了晶控儀成膜厚度精度。特別是對于提高極薄層厚度精度有著重要意義。
[0035]本發(fā)明中的石英晶體鍍膜裝置，操作方便，工作效率提高。本發(fā)明中的石英晶體膜厚控制儀采用人機(jī)界面，方便操作人員實(shí)時監(jiān)控鍍膜過程，并對成膜數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，提高了鍍膜工藝的可控性。使用本發(fā)明，可以將鍍膜厚度的誤差降低為現(xiàn)有技術(shù)的四分之一以下，大大提高了鍍膜厚度的精確性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0036]圖1為實(shí)施例1中的石英晶體鍍膜厚度控制裝置示意圖。
[0037]圖2為實(shí)施例5中的石英晶體鍍膜厚度控制裝置示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述:
[0039]實(shí)施例1
[0040]如圖1所示為石英晶體鍍膜裝置，其包括真空室10和控制儀20。真空室10內(nèi)的底部設(shè)置有可盛放鍍膜材料的蒸發(fā)容器30。晶控儀20通過蒸發(fā)容器控制器21與蒸發(fā)容器30通信連接。蒸發(fā)容器30上方設(shè)置有可活動的擋板40。晶控儀20通過擋板控制器22與擋板40通信連接。真空室10內(nèi)的上部設(shè)置有晶振探頭50和用于固定樣品片60的支架70。晶振探頭50上設(shè)置有石英晶體片51。晶振探頭50與冷卻水循環(huán)裝置80接觸。冷卻水循環(huán)裝置80通過真空法蘭81安裝于真空室10內(nèi)的上部。晶控儀20通過振蕩包23與晶振探頭50通信連接。
[0041]鍍膜時，鍍膜材料放置于蒸發(fā)容器30內(nèi)。晶控儀20通過擋板控制器22控制擋板40，使擋板40從蒸發(fā)容器30上方移開。晶控儀20通過蒸發(fā)容器控制器21控制蒸發(fā)容器30，使其加熱鍍膜材料而使鍍膜材料蒸發(fā)。鍍膜材料向上同時蒸發(fā)至石英晶體片51和樣品片60表面。鍍膜過程中，晶控儀20通過振蕩包23，監(jiān)測石英晶體片51的振蕩頻率，再通過振蕩包23將數(shù)據(jù)傳輸給晶控儀20。晶控儀20通過檢測石英晶體片51鍍膜前和鍍膜后的振蕩頻率變化，通過計(jì)算獲得鍍膜的厚度值。計(jì)算過程中，由于石英晶體片與樣品片處于不同位置，因此兩者表面的鍍膜厚度會存在差別，因此，計(jì)算時需考慮石英晶體片鍍膜厚度與樣品片的鍍膜厚度關(guān)系比。厚度關(guān)系比k的值為樣品片的鍍膜厚度與石英晶體片的鍍膜厚度的比值。
[0042]晶控儀20通過晶體振蕩器實(shí)時監(jiān)測鍍膜石英晶體片51的振蕩頻率，計(jì)算鍍膜厚度。鍍膜厚度達(dá)到目標(biāo)后，晶控儀20控制鍍膜工作結(jié)束。
[0043]在鍍膜過程中，晶控儀20確定鍍膜石英晶體片51的頻率時，由于頻率變化部分包含晶體片51溫度變化帶來的頻率變化。因此，本實(shí)施例減少因溫度變化所引起的誤差，得到鍍膜的實(shí)際厚度。具體地，本實(shí)施例通過提供一頻率補(bǔ)償值，用于抵消因溫度改變而引起的頻率變化。本實(shí)施例可以通過兩種方式消除因溫度改變而引起的頻率變化，一是在檢測起始頻率時，檢測值加上頻率補(bǔ)償值作為實(shí)際的起始頻率值；二是在鍍膜中，檢測值減去頻率補(bǔ)償值作為鍍膜中的實(shí)際頻率值。根據(jù)兩個時間點(diǎn)的實(shí)際頻率值與鍍膜厚度的換算關(guān)系，通過計(jì)算可獲得鍍膜的實(shí)際厚度值。
[0044]晶控儀20檢測石英晶體片51的振蕩頻率，計(jì)算兩個頻率之間的膜層厚度的方法是，分別用兩個頻率值代入厚度公式(I)，得到兩個厚度Tl與T2，而膜層厚度就是T2-T1。
【權(quán)利要求】
1.石英晶體鍍膜厚度控制方法，根據(jù)鍍膜前的石英晶體起始振蕩頻率和鍍膜后的石英晶體振蕩頻率計(jì)算鍍膜厚度；其特征在于，減少因石英晶體片溫度升高而使石英晶體片振蕩頻率升高所引起的厚度測量誤差。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石英晶體鍍膜厚度控制方法，其特征在于，提供一頻率補(bǔ)償值，將鍍膜前的石英晶體振蕩頻率加上頻率補(bǔ)償值作為起始振蕩頻率或者將實(shí)時檢測的鍍膜后石英晶體振蕩頻率減去頻率補(bǔ)償值作為鍍膜后石英晶體振蕩頻率，根據(jù)兩個振蕩頻率值計(jì)算得到厚度差為實(shí)際膜層厚度；或者提供一厚度補(bǔ)償值，根據(jù)鍍膜前的石英晶體起始振蕩頻率和鍍膜后的石英晶體振蕩頻率計(jì)算鍍膜厚度，再加上厚度補(bǔ)償值，作為鍍膜實(shí)際厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的石英晶體鍍膜厚度控制方法，其特征在于，還包括一頻率補(bǔ)償值檢測步驟，確定所述頻率補(bǔ)償值。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的石英晶體鍍膜厚度控制方法，其特征在于，所述頻率補(bǔ)償值檢測步驟包括:將蒸發(fā)源關(guān)閉時刻檢測的鍍膜石英晶體的振蕩頻率值與蒸發(fā)源關(guān)閉后鍍膜石英晶體溫度不再變化時的鍍膜石英晶體的振蕩頻率之差，作為頻率補(bǔ)償值。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的石英晶體鍍膜厚度控制方法，其特征在于，將蒸發(fā)源關(guān)閉時刻檢測的鍍膜石英晶體的振蕩頻率值與蒸發(fā)源關(guān)閉后大于等于晶振探頭溫度時間常數(shù)時刻的鍍膜石英晶體的振蕩頻率之差，作為頻率補(bǔ)償值。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的石英晶體鍍膜厚度控制方法，其特征在于，將蒸發(fā)源關(guān)閉時刻檢測的石英晶體的振蕩 頻率值與蒸發(fā)源關(guān)閉后不小于3倍晶振探頭溫度時間常數(shù)時刻的石英晶體的振蕩頻率值之差，作為所述頻率補(bǔ)償值。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的石英晶體鍍膜厚度控制方法，其特征在于，還包括一厚度補(bǔ)償值檢測步驟，確定所述厚度補(bǔ)償值。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的石英晶體鍍膜厚度控制方法，其特征在于，所述厚度補(bǔ)償檢測步驟包括:將蒸發(fā)源關(guān)閉時刻檢測的石英晶體的振蕩頻率測量值與蒸發(fā)源關(guān)閉后不小于晶體振蕩器溫度時間常數(shù)時刻的石英晶體的振蕩頻率測量值之差轉(zhuǎn)換的厚度值作為所述厚度補(bǔ)償值。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的石英晶體鍍膜厚度控制方法，其特征在于，所述厚度補(bǔ)償檢測步驟包括:通過膜厚控制儀控制進(jìn)行兩次膜厚設(shè)定值相同的鍍膜；首先提供一第一參比片，分nl次完成鍍膜，利用光譜分析法檢測第一參比片的鍍膜厚度為dl ;再提供一第二參比片，分π2次鍍膜，再利用光譜分析法檢測第二參比片的鍍膜厚度為d2 ；n2不等于nl ;所述厚度補(bǔ)償值為(d2-dl)/ (n2-nl) /k ;所述k為厚度關(guān)系比，其值為第一參比片的鍍膜厚度或第二參比片鍍膜厚度與對應(yīng)石英晶體片的鍍膜厚度的比值。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的石英晶體鍍膜厚度控制方法，其特征在于，所述第一參比片和第二參比片為玻璃基片。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的石英晶體鍍膜厚度控制方法，其特征在于，所述nl為大于等于I的自然數(shù)。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的石英晶體鍍膜厚度控制方法，其特征在于，所述n2為大于等于5的自然數(shù)。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的石英晶體鍍膜厚度控制方法，其特征在于，每相鄰兩次鍍膜之間的時間間隔大于等于溫度時間常數(shù)。
14.石英晶體鍍膜裝置，其特征在于，采用權(quán)利要求1至13任一權(quán)利要求所述的石英晶體鍍膜厚度控制方法控制鍍膜厚度。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的石英晶體鍍膜裝置，其特征在于，包括晶體振蕩器和膜厚控制儀，所述膜厚控制儀控制晶體振蕩器為石英晶體鍍膜并控制鍍膜厚度；所述膜厚控制儀接收晶體振蕩器檢測的石英晶體的振蕩頻率數(shù)據(jù)，并將其轉(zhuǎn)換為鍍膜厚度數(shù)據(jù)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的石英晶體鍍膜裝置，其特征在于，所述膜厚控制儀采用權(quán)利要求I至13任一權(quán)利要求所述的石英晶體鍍膜厚度控制方法控制鍍膜厚度。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的石英晶體鍍膜裝置，其特征在于，包括晶體振蕩器、膜厚控制儀和上位機(jī)；所述上位機(jī)控制所述膜厚控制儀進(jìn)行石英晶體鍍膜；所述上位機(jī)采用權(quán)利要求I至13任一權(quán)利要求所.述的石英晶體鍍膜厚度控制方法控制鍍膜厚度。
【文檔編號】C23C14/24GK103469172SQ201310393182
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2013年8月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月31日
【發(fā)明者】張子業(yè), 湯兆勝 申請人:上海膜林科技有限公司