專利名稱：成膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種通過(guò)按順序?qū)骞┙o互相反應(yīng)的處理氣體來(lái)層疊反應(yīng)生成物以形成薄膜的成膜裝置。
背景技術(shù)：
作為對(duì)半導(dǎo)體晶圓等基板(以下稱為“晶圓”)進(jìn)行例如氧化硅膜(SiO2)等薄膜的成膜的方法之一，公知有按順序?qū)⒒ハ喾磻?yīng)的多種處理氣體(反應(yīng)氣體)供給到晶圓表面而層疊反應(yīng)生成物的ALD (Atomic Layer D epo sition:原子層沉積)法。作為利用這樣的ALD法進(jìn)行成膜處理的成膜裝置，例如，如專利文獻(xiàn)I所記載的那樣，可列舉出如下的裝置:使多張晶圓在設(shè)于真空容器內(nèi)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)上沿著周向排列，并且以與該旋轉(zhuǎn)臺(tái)相對(duì)的方式設(shè)置有多個(gè)氣體供給噴嘴。并且，在該裝置中，通過(guò)以使晶圓按順序通過(guò)被分別供給各處理氣體的多個(gè)處理區(qū)域的方式使旋轉(zhuǎn)臺(tái)旋轉(zhuǎn)，從而交替地多次反復(fù)進(jìn)行使含硅氣體吸附于晶圓的吸附處理和使吸附于晶圓的氣體氧化的氧化處理。在上述處理區(qū)域彼此之間，為了防止處理氣體彼此發(fā)生互相混合而設(shè)有被供給氮?dú)獾姆蛛x區(qū)域。這里，為了以與現(xiàn)實(shí)水平的生產(chǎn)率相符的程度的成膜速度進(jìn)行成膜處理，或者為了使各處理氣體在各個(gè)晶圓整個(gè)面內(nèi)與各個(gè)晶圓均勻地接觸，需要對(duì)各處理區(qū)域過(guò)量地供給處理氣體。即，可以說(shuō)，一次僅使極少量(例如與生成I層的原子層或者I層的分子層相對(duì)應(yīng)的量)的處理氣體吸附于晶圓表面，從而在氧化處理中被氧化而形成的膜的膜厚也極薄，因此，處理氣體的流量只要設(shè)定為使處理氣體與晶圓表面間的反應(yīng)(吸附、氧化)達(dá)到飽和的程度的流量即可。但是，實(shí)際上，真空容器內(nèi)的氣氛為真空氣氛，并且氮?dú)鈺?huì)自分離區(qū)域流到處理區(qū)域，因此在處理區(qū)域中處理氣體和晶圓間的接觸概率并不那么高。另外，由于旋轉(zhuǎn)臺(tái)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，因此晶圓通過(guò)各處理區(qū)域的時(shí)間極短。因此，如上所述，將處理氣體的流量設(shè)定在需要量以上。因此，例如，由于上述含硅氣體是非常昂貴的氣體，因此裝置的運(yùn)行成本升高。另一方面，若欲抑制處理氣體的流量，則不能獲得如設(shè)定那樣的成膜速率，或者對(duì)晶圓進(jìn)行的成膜處理在晶圓的面內(nèi)發(fā)生成膜不均勻等。在專利文獻(xiàn)2中，記載了在反應(yīng)氣體噴嘴上設(shè)有噴嘴罩的技術(shù)，但為了獲得良好的成膜速率，由后述的實(shí)施例可知，依然需要過(guò)量的處理氣體。專利文獻(xiàn)1:日本特開2010 - 239102專利文獻(xiàn)2:日本特開2011 - 10095
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是考慮到這樣的情況而提出的，其目的在于提供一種在按順序供給互相反應(yīng)的處理氣體而將反應(yīng)生成物層疊在基板的表面上時(shí)、能夠在抑制處理氣體的流量的情況下以良好的成膜速率進(jìn)行成膜處理的成膜裝置。本發(fā)明的一技術(shù) 方案提供一種成膜裝置，該成膜裝置在真空容器內(nèi)進(jìn)行多次按順序供給互相反應(yīng)的多種處理氣體的循環(huán)而形成薄膜，其中，該成膜裝置包括:旋轉(zhuǎn)臺(tái)，其設(shè)于上述真空容器內(nèi)，在該旋轉(zhuǎn)臺(tái)的上表面上形成有用于載置基板的基板載置區(qū)域，并且，該旋轉(zhuǎn)臺(tái)用于使該基板載置區(qū)域公轉(zhuǎn)；多個(gè)處理氣體供給部，其用于向在該旋轉(zhuǎn)臺(tái)的周向上彼此分開的處理區(qū)域分別供給互不相同的處理氣體；分離氣體供給部，其為了使各處理區(qū)域的氣氛分離開而向形成于各處理區(qū)域之間的分離區(qū)域供給分離氣體；以及排氣口，其用于對(duì)上述真空容器內(nèi)的氣氛氣體進(jìn)行真空排氣，上述處理氣體供給部中的至少一個(gè)處理氣體供給部構(gòu)成為氣體噴嘴，該氣體噴嘴從上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的中央部朝向周緣部延伸，并且該氣體噴嘴的用于朝向上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)噴射處理氣體的氣體噴射口沿著該處理氣體供給部的長(zhǎng)度方向形成，在上述氣體噴嘴的靠上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向的上游側(cè)和靠下游側(cè)，沿著該氣體噴嘴的長(zhǎng)度方向設(shè)有整流板，該整流板為了抑制自該氣體噴嘴噴射的處理氣體的稀薄化而使分離氣體在該整流板的上表面?zhèn)攘鲃?dòng)，在上述氣體噴嘴和上述整流板的上方側(cè)形成有供分離氣體流通的流通空間，為了抑制位于上述整流板的下方側(cè)的處理氣體被排出到旋轉(zhuǎn)臺(tái)的外側(cè)，上述整流板的靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)的外周側(cè)的緣部以與該旋轉(zhuǎn)臺(tái)的外周端面隔有間隙地與該旋轉(zhuǎn)臺(tái)的外周端面相對(duì)的方式朝向下方側(cè)彎曲而構(gòu)成彎曲部。


圖1是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的成膜裝置的一個(gè)例子的縱剖視圖。圖2是表示上述成膜裝置的橫剖視圖。圖3A和圖3B是將上述成膜裝置的一部分放大表示的立體圖。圖4是將上述成膜裝置的一部分放大表示的立體圖。圖5是表示上述成膜裝置的內(nèi)部的一部分的縱剖視圖。圖6是表示上述成膜裝置的內(nèi)部的一部分的縱剖視圖。圖7是表示 上述成膜裝置的內(nèi)部的一部分的立體圖。圖8是表示上述成膜裝置的內(nèi)部的一部分的縱剖視圖。圖9是表示上述成膜裝置的內(nèi)部的一部分的俯視圖。圖10是用于說(shuō)明上述成膜裝置的噴嘴罩的說(shuō)明圖。圖1lA和圖1lB是沿周向展開上述成膜裝置而進(jìn)行表示的縱剖視圖。圖12是表示上述成膜裝置的一部分的縱剖視圖。圖13是將上述成膜裝置的一部分放大表示的縱剖視圖。圖14是表示在上述成膜裝置中在基板上形成薄膜的情況的示意圖。圖15是表示上述成膜裝置的其他例子的立體圖。圖16是表示上述成膜裝置的其他例子的立體圖。圖17是表示上述成膜裝置的其他例子的縱剖視圖。圖18是表示上述成膜裝置的其他例子的縱剖視圖。圖19是表示上述成膜裝置的其他例子的立體圖。圖20是表示上述成膜裝置的其他例子的立體圖。圖21是表示上述成膜裝置的其他例子的立體圖。圖22是表示上述成膜裝置的其他例子的立體圖。圖23是表示上述成膜裝置的其他例子的立體圖。
圖24是表示上述成膜裝置的其他例子的橫剖俯視圖。圖25是表示上述成膜裝置的其他例子的縱剖視圖。圖26是表示上述成膜裝置的實(shí)施例的特性圖。圖27是表示上述成膜裝置的實(shí)施例的特性圖。圖28A 圖28C是表示上述成膜裝置的實(shí)施例的特性圖。圖29是表示上述成膜裝置的實(shí)施例的特性圖。圖30A 圖30C是表示上述成膜裝置的實(shí)施例的特性圖。圖31A 圖31C是表示上述成膜裝置的實(shí)施例的特性圖。圖32是表示上述成膜裝置的實(shí)施例的特性圖。圖33A 圖33D是表示上述成膜裝置的實(shí)施例的特性圖。圖34A和圖34B是表示上述成膜裝置的實(shí)施例的特性圖。圖35A和圖35B是表示上述成膜裝置的實(shí)施例的特性圖。圖36是表示上述成膜裝置的實(shí)施例的特性圖。圖37是表示上述成膜裝置的實(shí)施例的特性圖。圖38是表示上述成膜裝置的實(shí)施例的特性圖。圖39是表示上述成膜裝置的實(shí)施例的特性圖。
具體實(shí)施例方式參照?qǐng)D1 圖13來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的成膜裝置的一個(gè)例子。如圖1和圖2所示，該成膜裝置具有俯視形狀為大致圓形的真空容器I與設(shè)置在該真空容器I內(nèi)并在該真空容器I的中心處具有旋轉(zhuǎn)中心的旋轉(zhuǎn)臺(tái)2。首先簡(jiǎn)單地說(shuō)明該成膜裝置的概略，在該裝置中，通過(guò)對(duì)利用旋轉(zhuǎn)臺(tái)2進(jìn)行公轉(zhuǎn)的晶圓W交替地供給互相反應(yīng)的多種處理氣體(反應(yīng)氣體)，從而利用ALD法形成薄膜。并且，如以下詳述那樣，以在盡量將對(duì)晶圓W供給的處理氣體的供給量抑制在較少的情況下能夠獲得良好的(較高的)成膜速率且能夠在晶圓W的整個(gè)面內(nèi)獲得均勻膜厚的薄膜的方式構(gòu)成了該成膜裝置。接著，詳細(xì)敘述成膜裝置的各部分。真空容器I具有頂板11和容器主體12，頂板11能夠相對(duì)于容器主體12進(jìn)行裝卸。為了抑制互不相同的處理氣體彼此在真空容器I內(nèi)的中心部區(qū)域C發(fā)生混合，在頂板11的上表面?zhèn)鹊闹醒氩窟B接有用于將氮(N2)氣體作為分離氣體進(jìn)行供給的分離氣體供給通路51。在圖1中，在容器主體12的上表面的周緣部設(shè)有呈環(huán)狀的密封構(gòu)件，該密封構(gòu)件可使用例如O型環(huán)。 旋轉(zhuǎn)臺(tái)2在中心部固定于大致圓筒狀的芯部21，并且旋轉(zhuǎn)臺(tái)2利用與該芯部21的下表面連接且在鉛垂方向上延伸的旋轉(zhuǎn)軸22而能繞鉛垂軸線旋轉(zhuǎn)。在該例子中，旋轉(zhuǎn)臺(tái)2沿順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)。在圖1中，示出了用于使旋轉(zhuǎn)軸22繞鉛垂軸線旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)部23、用于容納旋轉(zhuǎn)軸22和驅(qū)動(dòng)部23的殼體20。該殼體20的上表面?zhèn)鹊耐咕壊糠謿饷艿匕惭b于真空容器I的底面部14的下表面。另外，在該殼體20上連接有用于向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下方區(qū)域供給作為吹掃氣體的氮體的吹掃氣體供給管72。真空容器I的底面部14的靠芯部21的外周側(cè)的部分以從下方側(cè)接近旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的方式形成為環(huán)狀并構(gòu)成為突出部12a。 如圖2和圖3A所示，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的表面部，設(shè)有作為基板載置區(qū)域的圓形的凹部24，該凹部24用于載置直徑尺寸例如300mm的晶圓W，該凹部24以沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向(周向)的方式形成在多處、例如5處。凹部24的直徑尺寸和深度尺寸被設(shè)定為，在晶圓W放入(容納)到該凹部24時(shí)，晶圓W的表面與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的表面(不載置晶圓W的區(qū)域)齊平。在凹部24的底面形成有供例如后述的三根升降銷貫穿的通孔(未圖示)，該升降銷用于從下方側(cè)頂起晶圓W以使晶圓W升降。如圖2所示，在分別與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2中的凹部24的通過(guò)區(qū)域相對(duì)的位置，以自該旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中央部朝向周緣部延伸的方式在真空容器I的周向上互相隔開間隔地呈放射狀配置有例如分別由石英制成的4個(gè)噴嘴31、32、41、42。上述各噴嘴31、32、41、42例如分別以從真空容器I的外周壁朝向中心部區(qū)域C并與晶圓W相對(duì)地水平延伸的方式安裝。在該例子中，從后述的輸送口 15看來(lái)分離氣體噴嘴41、第I處理氣體噴嘴31、分離氣體噴嘴42以及第2處理氣體噴嘴32按照分離氣體噴嘴41、第I處理氣體噴嘴31、分離氣體噴嘴42以及第2處理氣體噴嘴32這樣的順序沿順時(shí)針?lè)较?旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向)排列。在俯視時(shí)，上述各噴嘴31、32、41、42的前端部與晶圓W的靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心側(cè)的端部之間的尺寸e例如是37mm。另外，噴嘴31、32、41、42的下端面與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上的晶圓W之間的分開尺寸t例如是0.5mm 3_左右(在該例子中是2_)。此外,在圖2中，示意性地示出了處理氣體噴嘴31的位置。上述噴嘴31、32、41、42中的除第I處理氣體噴嘴31以外的各噴嘴32、41、42在從基端側(cè)(真空容器I的內(nèi)壁面?zhèn)?到前端側(cè)(旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中心部側(cè))的區(qū)域中分別形成圓筒狀。圖4是第I處理氣體噴嘴31的放大圖。第I處理氣體噴嘴31在從基端側(cè)到旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外緣部的區(qū)域中形成圓筒狀，但是，如圖4所示，在從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外緣部到前端側(cè)的區(qū)域中，第I處理氣體噴嘴31形成方筒狀。而且，第I處理氣體噴嘴31配置為，在第I處理氣體噴嘴31的比旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外緣部靠前端側(cè)的部分，該處理氣體噴嘴31的下端面和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上的晶圓W的表面在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上平行。后面詳細(xì)敘述如此構(gòu)成第I處理氣體噴嘴31的理由。第I處理氣體噴嘴31和第2處理氣體噴嘴32分別構(gòu)成處理氣體供給部，并且分離氣體噴嘴41、42分別構(gòu)成分離氣體供給部。此外，圖1表示沿圖2中的A —A線剖切后的縱剖視圖 。各噴嘴31、32、41、42經(jīng)由流量調(diào)整閥分別與以下的各氣體供給源(未圖示)連接。即，第I處理氣體噴嘴31與作為原料氣體的含Si (硅)的第I處理氣體、例如BTBAS (雙叔丁基氨基硅烷=SiH2 (NH- C (CH3)3)2)氣體等的供給源連接。第2處理氣體噴嘴32與作為氧化氣體的第2處理氣體、例如臭氧(O3)氣體同氧氣(O2)氣體的混合氣體的供給源連接。分離氣體噴嘴41、42分別與作為分離氣體的氮(N2)氣體的供給源連接。另外，下面，為了方便，以臭氧氣體作為第2處理氣體進(jìn)行說(shuō)明。在氣體噴嘴31、32、41、42的下表面?zhèn)鹊亩鄠€(gè)部位，沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的徑向分別形成有例如開口口徑形成為5mm的氣體噴射孔33。在上述噴嘴31、32、41、42中的除第I處理氣體噴嘴31以外的各噴嘴32、41、42中，氣體噴射孔33沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的徑向以等間隔形成。圖9是表示第I處理氣體噴嘴31的氣體噴射孔33的配置的圖。如圖9所示，第I處理氣體噴嘴31的氣體噴射孔33以如下方式配置:在沿長(zhǎng)度方向?qū)⒃摰贗處理氣體噴嘴31中的比旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外端緣靠中央的部位三等分時(shí)，上述三等分而成的3個(gè)部位中的靠中心部區(qū)域C側(cè)的部位的氣體噴射孔33的數(shù)量(開口面積)為其他兩個(gè)部位的氣體噴射孔33的數(shù)量(開口面積)的1.5倍 3倍左右。因此，如后所述，第I處理氣體噴嘴31以靠中央側(cè)的處理氣體的噴射量多于靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外緣側(cè)的處理氣體的噴射量的方式設(shè)置。此外，圖9表示從下方側(cè)(晶圓W側(cè))觀察第I處理氣體噴嘴31的情況，示意性地描繪了氣體噴射孔33的分布。如圖2所示，處理氣體噴嘴31的下方區(qū)域?yàn)橛糜谑购琒i氣體吸附于晶圓W的第I處理區(qū)域P1，第2處理氣體噴嘴32的下方區(qū)域?yàn)橛糜谑刮接诰AW的含Si氣體的成分與臭氧氣體發(fā)生反應(yīng)的第2處理區(qū)域P2。分離氣體噴嘴41、42分別用于形成使第I處理區(qū)域Pl與第2處理區(qū)域P2分離開的分離區(qū)域D。圖1lA是表示分離區(qū)域D處的頂板11的剖面結(jié)構(gòu)的圖。如圖2所示，在該分離區(qū)域D中的真空容器I的頂板11上設(shè)有大致扇形的凸?fàn)畈?，如圖1lA所示，分離氣體噴嘴41、42容納于被形成在該凸?fàn)畈?上的槽部43內(nèi)。因而，在分離氣體噴嘴41、42的在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的周向上的兩側(cè)，為了阻止各處理氣體彼此的混合，如圖1lA所示，配置有作為上述凸?fàn)畈?的下表面的較低的頂面44 (第I頂面)，在該頂面44的上述周向兩側(cè)配置有比該頂面44高的頂面45 (第2頂面)。如圖12所示，為了阻止各處理氣體彼此經(jīng)由旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的側(cè)周面?zhèn)榷l(fā)生互相混合，凸?fàn)畈?的周緣部(真空容器I的外緣側(cè)的部位)以與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外端面相對(duì)且與容器主體12略微分開的方式來(lái)彎曲成L字型而形成彎曲部46。上述較低的頂面44和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上的晶圓W之間的分開尺寸h與該彎曲部46和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的側(cè)周面之間的尺寸大小相同，為0.5mm IOmm,在該例子中設(shè)定為2mm。此夕卜，圖1lA和圖1lB是沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向剖切真空容器I并將其展開后的縱剖視圖，示意性地表示了各部分的尺寸。

這里，如圖1 圖3所示，在第I處理氣體噴嘴31的上方側(cè)設(shè)有以在第I處理氣體噴嘴31的長(zhǎng)度方向上覆蓋該第I處理氣體噴嘴31的方式形成的噴嘴罩(翅片)81，該噴嘴罩81例如由石英制成。該噴嘴罩81包括:大致箱形狀的罩體82，其為了容納第I處理氣體噴嘴31而下表面?zhèn)乳_口 ；以及作為板狀體的整流板83、83，其分別與該罩體82的下表面?zhèn)乳_口端中的靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上游側(cè)的部位和靠下游側(cè)的部位相連接。此外，圖3A、圖3B表示將噴嘴罩81安裝于第I處理氣體噴嘴31的狀態(tài)，圖4表示將噴嘴罩81拆下后的狀態(tài)。另外，在圖3B中，省略了后述的水平面部86的描繪。如圖5所示，罩體82構(gòu)成為其內(nèi)壁面在整個(gè)長(zhǎng)度方向上與第I處理氣體噴嘴31的外壁面匹配且上述內(nèi)壁面和外壁面之間的間隙尺寸dl、d2達(dá)到與上述分開尺寸t相同的程度。因此，自第I處理氣體噴嘴31噴射的處理氣體難以流到該第I處理氣體噴嘴31和罩體82之間的間隙。間隙尺寸dl是第I處理氣體噴嘴31和罩體82之間的在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上的距離，間隙尺寸d2是上述第I處理氣體噴嘴31和罩體82之間的在高度方向上的距離。在罩體82的上方側(cè)形成有流通空間SI，該流通空間SI用于使自分離氣體噴嘴42供給的分離氣體以避開第I處理氣體噴嘴31的下方側(cè)的區(qū)域的方式流通。該流通空間SI的高度尺寸(頂板11的下表面和罩體82的上表面之間的尺寸)k例如是15mm 5mm。此外，圖5表示沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的周向?qū)⒄煮w82和第I處理氣體噴嘴31剖切后的縱剖視圖。如圖3B所示，罩體82的靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外緣側(cè)的側(cè)面為了供第I處理氣體噴嘴31插入而開口。
另一方面，如圖7所示，為了抑制自上述分離氣體供給通路51向中心部區(qū)域C供給的分離氣體流到第I處理氣體噴嘴31的下方側(cè)的區(qū)域，罩體82的靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心側(cè)的側(cè)面以與該第I處理氣體噴嘴31的前端側(cè)的部位相對(duì)的方式配置。將罩體82的靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心側(cè)的下端面和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上的晶圓W之間的分開尺寸設(shè)定為與上述分開尺寸t大小相同。此外，在圖7中，示意性地描繪了處理氣體噴嘴31的氣體噴射孔33的配置布局。各個(gè)整流板83用于抑制分離氣體進(jìn)入該整流板83的下方側(cè)并使自第I處理氣體噴嘴31噴射的處理氣體沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上的晶圓W流通，如圖3A和圖3B所示，各個(gè)整流板83分別沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的表面水平延伸并沿第I處理氣體噴嘴31的長(zhǎng)度方向形成在第I處理氣體噴嘴31的整個(gè)長(zhǎng)度范圍內(nèi)。另外，各整流板83形成為在俯視時(shí)自旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中心部側(cè)朝向外周部側(cè)去變寬而成為大致扇狀。這里，在上述兩個(gè)整流板83中，若將靠上游側(cè)的整流板83稱為第I整流板83a，將靠下游側(cè)的整流板83稱為第2整流板83b，則如圖10所示，在俯視時(shí)，沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的徑向通過(guò)第I整流板83a的上游側(cè)的端部的直線LI與沿第I處理氣體噴嘴31的長(zhǎng)度方向通過(guò)第I處理氣體噴嘴31的中心位置的直線L2所成的角度α例如是15°。另外，在俯視時(shí)，沿旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的徑向通過(guò)第2整流板83b的下游側(cè)的端部的直線L3與上述直線L2所成的角度β例如是22.5°。因此，例如第I整流板83a和第2整流板83b中的靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外緣部的上方側(cè)的圓弧的長(zhǎng)度尺寸u分別是180mm和120mm。并且，第2整流板83b構(gòu)成為不阻礙處理氣體自第I處理氣體噴嘴31朝向后述的排氣口 61流動(dòng)。即，第2整流板83b以不比穿過(guò)了排氣口 61的開口緣的靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)的部位和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心的直線L4向下游側(cè)突出的方式配置。具體而言，上述直線L3和直線L4所成的角 度Θ是0°以上、例如7.5°。換言之，可以說(shuō)將第I處理氣體噴嘴31形成于這樣的位置，即:即使將整流板83a、83b分別配置于第I處理氣體噴嘴31的靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上游側(cè)和下游側(cè)，也不會(huì)阻礙處理氣體朝向排氣口 61流動(dòng)。此外，圖10示意性地表示噴嘴罩81、旋轉(zhuǎn)臺(tái)2等，以“O”描繪了旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心。對(duì)于上述整流板83，整流板83的下表面和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上的晶圓W的表面之間的尺寸與上述分開尺寸t大小相同。因此，如圖5所示，從第I處理氣體噴嘴31的噴射孔33觀察該噴射孔33的旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上游側(cè)和下游側(cè)可知，沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向由該第I處理氣體噴嘴31的下端面和整流板83形成有較寬的空間S2，該空間S2用于供處理氣體沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2流動(dòng)。此時(shí)，如圖1、圖3、圖6以及圖8所示，整流板83的靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外緣側(cè)的緣部以與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外周端面隔開間隙地與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外周端面相對(duì)的方式朝向下方側(cè)分別彎曲而構(gòu)成彎曲部84。因此，彎曲部84在俯視時(shí)分別形成為圓弧狀。彎曲部84的下端部的高度位置以例如與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下端面的高度位置齊平的方式形成。另外，彎曲部84在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上的長(zhǎng)度尺寸形成為在該彎曲部84的整個(gè)高度方向上與同各個(gè)彎曲部84相連接的整流板83的外周側(cè)的長(zhǎng)度尺寸u相一致。彎曲部84和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的側(cè)周面之間的尺寸j例如設(shè)定為與上述分開尺寸t相同的尺寸。此外，在圖5和圖6中，簡(jiǎn)化了長(zhǎng)度尺寸U。這里，詳細(xì)敘述在整流 板83上設(shè)置彎曲部84的理由。在圖1的成膜裝置中，如后面說(shuō)明地那樣，為了交替地向晶圓W供給含Si氣體和臭氧氣體而使旋轉(zhuǎn)臺(tái)2旋轉(zhuǎn)。因此，旋轉(zhuǎn)臺(tái)2每旋轉(zhuǎn)I周，各個(gè)晶圓W以第I處理區(qū)域P1、分離區(qū)域D、第2處理區(qū)域P2以及分離區(qū)域D的順序依次通過(guò)第I處理區(qū)域P1、分離區(qū)域D、第2處理區(qū)域P2以及分離區(qū)域D。由此，為了能夠在晶圓W通過(guò)處理區(qū)域P1、P2的極短時(shí)間內(nèi)在晶圓W的整個(gè)面內(nèi)均勻地進(jìn)行含Si氣體的吸附處理和吸附于晶圓W上的含Si氣體的成分的氧化處理，例如需要對(duì)旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的轉(zhuǎn)速、各處理氣體的流量等各處理?xiàng)l件進(jìn)行設(shè)定。然而，以對(duì)處理?xiàng)l件進(jìn)行各種改變的方式進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)、模擬，發(fā)現(xiàn):如在后述的實(shí)施例中也有所表示那樣，在沒(méi)有設(shè)置噴嘴罩81的情況下，當(dāng)欲以旋轉(zhuǎn)臺(tái)2每旋轉(zhuǎn)I周而使上述吸附處理、氧化處理飽和時(shí)、即當(dāng)欲盡量提高成膜速度時(shí)，需要過(guò)量地供給處理氣體。因而，由于處理氣體極為昂貴，因此裝置的運(yùn)行成本上升。另外，即使這樣過(guò)量地供給處理氣體，對(duì)于面內(nèi)的膜厚的均勻性而言，也難以獲得良好的結(jié)果。于是，對(duì) 不能獲得良好的成膜速度和膜厚的均勻性的理由進(jìn)行了分析，發(fā)現(xiàn):晶圓W和處理氣體間的接觸概率并不高是其原因之一。即，真空容器I內(nèi)的壓力并不高，且分離氣體分別從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的上游側(cè)和下游側(cè)流到各處理區(qū)域P1、P2而稀釋處理氣體，并且，由于旋轉(zhuǎn)臺(tái)2旋轉(zhuǎn)，因此難以在各處理區(qū)域P1、P2中確保晶圓W和處理氣體間的接觸時(shí)間足夠長(zhǎng)。由此，為了使例如含Si氣體沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上的晶圓W流通和為了抑制處理氣體因分離氣體的擴(kuò)散而被稀釋，如上述專利文獻(xiàn)2所述那樣，研究了將整流板83設(shè)于第I處理氣體噴嘴31的左右兩側(cè)的結(jié)構(gòu)。其結(jié)果，如在實(shí)施例中也有所表示，與沒(méi)有設(shè)置整流板83的情況相比，成膜速度和膜厚的均勻性得到較大的改善，但是，旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中心側(cè)的成膜速度依然慢于外周側(cè)的成膜速度，因而也難以說(shuō)膜厚的均勻性良好。而且，在設(shè)有這樣的整流板83的結(jié)構(gòu)中，即使例如上述第I處理氣體噴嘴31那樣對(duì)氣體噴射孔33的配置布局進(jìn)行了研究等，也無(wú)法獲得良好的結(jié)果。然而，如實(shí)施例所示，通過(guò)將彎曲部84分別設(shè)于整流板83，發(fā)現(xiàn):對(duì)于成膜速度和膜厚的均勻性而言，能夠獲得極為良好的結(jié)果。即，發(fā)現(xiàn):通過(guò)設(shè)置彎曲部84，使位于處理氣體噴嘴31的下方側(cè)的處理氣體濃度沿著該處理氣體噴嘴31的長(zhǎng)度方向一致。作為通過(guò)如此設(shè)置彎曲部84而使處理氣體濃度沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的徑向一致的理由，例如可以想到如下因素。如上所述，整流板83能夠抑制分離氣體從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上游側(cè)和下游側(cè)流到處理區(qū)域P1，但對(duì)于從中心部區(qū)域C沿周向流通的分離氣體，可以想到僅靠該整流板83難以阻止該分離氣體進(jìn)入處理區(qū)域P1。即，由于從處理氣體噴嘴31向處理區(qū)域Pl供給的處理氣體朝向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上游側(cè)和下游側(cè)流通，因此該處理氣體具有將分離氣體的從各分離區(qū)域D朝向該處理區(qū)域Pl的氣體流動(dòng)朝向與該氣體流動(dòng)方向相反的方向推回去的作用。然而，如后所述，為了不使處理氣體彼此經(jīng)由中心部區(qū)域C發(fā)生互相混合而對(duì)該中心部區(qū)域C供給大量的分離氣體，并且，當(dāng)從該中心部區(qū)域C觀察處理區(qū)域Pl側(cè)時(shí)，在沒(méi)有設(shè)置彎曲部84的情況下，中心部區(qū)域C和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外周側(cè)的區(qū)域經(jīng)由處理區(qū)域Pl相連通(傳導(dǎo)率(日文>夕''々夕 >>)并不很大)。因此，可以說(shuō)，若僅設(shè)置整流板83 (若不設(shè)置彎曲部84)，則向處理區(qū)域Pl供給的處理氣體會(huì)被自中心部區(qū)域C朝向外周側(cè)流動(dòng)的分離氣體朝向真空容器I的內(nèi)壁面擠出并向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上游側(cè)和下游側(cè)流通。因此，會(huì)使旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中心部側(cè)的處理氣體的濃度低于外緣部側(cè)的處理氣體的濃度。
由此，為了限制欲朝向外周部側(cè)流動(dòng)的處理氣體的氣體流動(dòng)而設(shè)置了上述彎曲部84。即，雖然有處理氣體被自中心部區(qū)域C沿周向排出的分離氣體向外周部側(cè)擠出的趨勢(shì)，但是，彎曲部84以當(dāng)從該處理氣體觀察外周側(cè)時(shí)該彎曲部84封堵整流板83和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2之間的區(qū)域的方式沿著周向配置。因此，比起彎曲部84和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2之間的極為狹小的區(qū)域，處理氣體欲向作為較廣闊的區(qū)域的旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上游側(cè)和下游側(cè)流通。換言之，通過(guò)配置彎曲部84，與沒(méi)有配置該彎曲部84的情況相比，處理氣體難以向外周側(cè)流動(dòng)。因此，處理氣體以沿著彎曲部84的方式沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的周向朝向上游側(cè)和下游側(cè)流通。并且，當(dāng)處理氣體到達(dá)沒(méi)有配置彎曲部84的區(qū)域(比第I整流板83靠上游側(cè)的區(qū)域和比第2整流板83靠下游側(cè)的區(qū)域)時(shí)，處理氣體因來(lái)自排氣口 61的吸引力而朝向真空容器I的內(nèi)壁面與分離氣體一起流通。通過(guò)如此設(shè)置彎曲部84，能夠抑制處理氣體朝向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外周側(cè)的氣流，結(jié)果使處理氣體在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的徑向上的濃度(膜厚的均勻性)一致。另外，以與第I處理氣體噴嘴31的前端部相對(duì)的方式設(shè)置罩體82，也能使自中心部區(qū)域C沿周向排出的分離氣體難以進(jìn)入處理區(qū)域Pl。這里，對(duì)噴嘴罩81中的彎曲部84和上述凸?fàn)畈?中的彎曲部46間的差異進(jìn)行說(shuō)明。如上所述，彎曲部84用于使處理區(qū)域Pl中的處理氣體濃度沿著處理氣體噴嘴31的長(zhǎng)度方向一致。另一方面，如上所述，彎曲部46用于阻止處理氣體彼此經(jīng)由旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外緣部和真空容器I的內(nèi)壁面之間的區(qū)域而互相混合。即，由于向中心部區(qū)域C供給有分離氣體，因此，為了抑制因該分離氣體而導(dǎo)致靠處理氣體噴嘴31的前端側(cè)的處理氣體被稀釋，設(shè)置了彎曲部84。但是，對(duì)于分離區(qū)域D，可以說(shuō)，不僅從分離氣體噴嘴41 (42)供給分離氣體，而且從中心部區(qū)域C側(cè)也供給分離氣體。因此，在分離區(qū)域D中，即使進(jìn)行實(shí)驗(yàn)、模擬，在中心部區(qū)域C側(cè)也不可能存在分離氣體的流量不足的情況。另外，若在該分離區(qū)域D的外側(cè)設(shè)有能夠供氣體在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2和真空容器I之間流通的空間，則處理氣體彼此有可能經(jīng)由該空間發(fā)生混合。由此，為了填埋上述空間而形成了彎曲部46。以上述方式構(gòu)成的噴嘴罩81以能夠相對(duì)于第I處理氣體噴嘴31自上方側(cè)進(jìn)行裝卸的方式配置。即，如圖7所示，噴嘴罩81中的靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心側(cè)的上端部朝向上方側(cè)伸出且朝向中心部區(qū)域C側(cè)水平彎曲而構(gòu)成支承部85。并且，該支承部85以由形成于后述的突出部5上的缺口部5a支承的方式構(gòu)成。另外，如圖1 圖3A所示，在噴嘴罩81中的靠真空容器I的內(nèi)壁面?zhèn)鹊牟课簧系淖笥?旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上游側(cè)和下游側(cè))兩處，形成有朝向該內(nèi)壁面水平伸出的水平面部86，在上述水平面部86的下表面?zhèn)确謩e形成有大致柱狀的支承構(gòu)件87。上述支承構(gòu)件87的下端面由后述的覆蓋構(gòu)件7a支承。此外，在圖6和圖8中，省略了水平面部86和支承構(gòu)件87。接著，返回到真空容器I的各部分的說(shuō)明。如圖1 圖4所示，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外周偵牝在比該旋轉(zhuǎn)臺(tái)2略微靠下的位置配置有側(cè)環(huán)100。該側(cè)環(huán)100的作用如下:例如在對(duì)裝置進(jìn)行清潔時(shí)，在替代各處理氣體而使氟系的清潔氣體流通時(shí)，該側(cè)環(huán)100用于保護(hù)真空容器I的內(nèi)壁而使真空容器I的內(nèi)壁不接觸該清潔氣體。即，若不設(shè)置側(cè)環(huán)100，則在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外周部與真空容器I的內(nèi)壁之間，可以說(shuō)在整個(gè)周向上以環(huán)狀形成有可在橫向上形成氣流(排氣流)的凹部狀的氣流通路。因此，該側(cè)環(huán)100以盡量使真空容器I的內(nèi)壁面不暴露在氣流通路中的方式設(shè)置于該氣流通路。
如圖2所示，在側(cè)環(huán)100的上表面以相互在周向上分開的方式形成有兩處排氣口61、62。換言之，在上述氣流通路的下方側(cè)形成有兩個(gè)排氣口，在側(cè)環(huán)100的與上述排氣口對(duì)應(yīng)的位置處形成有排氣口 61、62。當(dāng)將上述兩個(gè)排氣口 61、62中的一個(gè)稱為第I排氣口61、將另一個(gè)稱為第2排氣口 62時(shí)，第I排氣口 61形成在第I處理氣體噴嘴31與比該第I處理氣體噴嘴31靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)的分離區(qū)域D之間的、靠近該分離區(qū)域D側(cè)的位置。第2排氣口 62形成在第2處理氣體噴嘴32與比該第2處理氣體噴嘴32靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)的分離區(qū)域D之間的、靠近該分離區(qū)域D側(cè)的位置。第I排氣口 61用于排出含Si氣體和分離氣體，第2排氣口 62用于排出臭氧氣體和分離氣體。如圖1所示，分別利用設(shè)有蝶形閥等壓力調(diào)整部65的排氣管63來(lái)使上述第I排氣口 61和第2排氣口62與作為真空排氣機(jī)構(gòu)的例如真空泵64連接。如圖1和圖2所示，在頂板11的下表面的中央部設(shè)有突出部5，該突出部5與凸?fàn)畈?的在中心部區(qū)域C側(cè)的部位連續(xù)且在整個(gè)周向上形成為大致環(huán)狀，并且，突出部5的下表面與凸?fàn)畈?的下表面(頂面44)形成為相同的高度。如圖1所示，在比該突出部5靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心側(cè)的芯部21的上方側(cè)，配置有用于抑制含Si氣體與臭氧氣體在中心部區(qū)域C中發(fā)生互相混合的迷宮式結(jié)構(gòu)部110。S卩，由上述圖1可知，由于將各噴嘴31、32、41,42的前端部形成在靠近中心部區(qū)域C側(cè)的位置上，因此用于對(duì)旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中央部進(jìn)行支承的芯部21中的靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的上方側(cè)的部位形成在靠近上述旋轉(zhuǎn)中心側(cè)的位置上。因而，可以說(shuō)，與外緣部側(cè)相比，在中心部區(qū)域C側(cè)呈例如處理氣體彼此容易混合的狀態(tài)。因此，通過(guò)形成迷宮式結(jié)構(gòu)部110，發(fā)揮氣體的流路的作用來(lái)防止處理氣體彼此發(fā)生混合。如圖13所示，具體而言，該迷宮式結(jié)構(gòu)部110采用了以下結(jié)構(gòu):在整個(gè)周向上分別形成有從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2側(cè)朝向頂板11側(cè)鉛垂地延伸的第I壁部111和從頂板11側(cè)朝向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2鉛垂地延伸的第2壁部112，并且，上述壁部111、112在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的徑向上交替配置。即，第2壁部112、第I壁部111和第2壁部112按照第2壁部112、第I壁部111和第2壁部112的順序從上述突出部5側(cè)朝向中心部區(qū)域C側(cè)地配置。在該例子中，突出部5側(cè)的第2壁部112構(gòu)成該突出部5的一部分。若對(duì)這樣的壁部111、112的各個(gè)尺寸舉出一個(gè)例子，則壁部111、112之間的分開尺寸例如是1mm，壁部111與頂板11之間的分開尺寸(壁部112與芯部21之間的間隙尺寸)例如是1mm。因而，在迷宮式結(jié)構(gòu)部110中，例如從第I處理氣體噴嘴31噴射并欲朝向中心部區(qū)域C的含Si氣體需要越過(guò)壁部111、112，因此流速隨著朝向中心部區(qū)域C去而變慢，從而難以擴(kuò)散。因此，在處理氣體到達(dá)中心部區(qū)域C之前，利用向該中心部區(qū)域C供給的分離氣體將處理氣體推回到處理區(qū)域Pl側(cè)。另外，對(duì)于欲朝向中心部區(qū)域C的臭氧氣體，也同樣由于迷宮式結(jié)構(gòu)部110而難以到達(dá)中心部區(qū)域C。因此，能夠防止上述處理氣體彼此在中心部區(qū)域C發(fā)生互相混合。如圖1所示，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2與真空容器I的底面部14之間的空間內(nèi)設(shè)有作為加熱機(jī)構(gòu)的加熱單元7，該加熱單元7用于隔著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2將旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上的晶圓W例如加熱至300°C。在圖1中，示出了設(shè)置在加熱單元7的側(cè)方側(cè)的罩構(gòu)件71a，該罩構(gòu)件71a在整個(gè)周向上延伸至比旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外緣靠外周側(cè)的部位。并且，在圖1中，示出了覆蓋加熱單元7和罩構(gòu)件71a的上方側(cè)的覆蓋構(gòu)件7a。另外，在加熱單元7的下方側(cè)，在真空容器I的底面部14的整個(gè)周向上的多處設(shè)有用于對(duì)加熱單元7的配置空間進(jìn)行吹掃的吹掃氣體供給管73。如圖2所示，在 真空容器I的側(cè)壁上形成有輸送口 15，該輸送口 15用于在未圖示的外部的輸送臂與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2之間進(jìn)行晶圓W的交接，該輸送口 15利用閘閥G氣密地開閉自如。另外，由于旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的凹部24在面朝該輸送口 15的位置，與輸送臂之間交接晶圓W，因此，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下方側(cè)的與該交接位置對(duì)應(yīng)的部位設(shè)有交接用的升降銷及該升降銷的升降機(jī)構(gòu)(均未圖示)，該交接用的升降銷用于貫穿凹部24而從背面抬起晶圓W。另外，如圖1所示，在該成膜裝置中，設(shè)有用于控制整個(gè)裝置動(dòng)作的由計(jì)算機(jī)構(gòu)成的控制部120，在該控制部120的存儲(chǔ)器內(nèi)存儲(chǔ)有用于進(jìn)行后述的成膜處理的程序。該程序?yàn)榱藞?zhí)行后述的裝置動(dòng)作而編入有步驟組，該程序自硬盤、光盤、光磁盤、存儲(chǔ)卡、軟盤等作為存儲(chǔ)介質(zhì)的存儲(chǔ)部121安裝到控制部120內(nèi)。下面，說(shuō)明上述實(shí)施方式的作用。首先，打開閘閥G，一邊使旋轉(zhuǎn)臺(tái)2間歇地旋轉(zhuǎn)，一邊利用未圖示的輸送臂經(jīng)由輸送口 15例如將五張晶圓W載置到旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上。接著，關(guān)閉閘閥G，利用真空泵64使真空容器I內(nèi)為排空的狀態(tài)，并且一邊使旋轉(zhuǎn)臺(tái)2順時(shí)針旋轉(zhuǎn)，一邊利用加熱單元7將晶圓W加熱至例如300°C。接著，自處理氣體噴嘴31以例如lOOsccm的流量噴射含Si氣體，并自第2處理氣體噴嘴32以例如5000sCCm的流量噴射臭氧氣體。另外，自分離氣體噴嘴41、42分別以例如5000sccm的流量噴射分離氣體，并且也自分離氣體供給通路51、吹掃氣體供給管72和吹掃氣體供給管73分別以lOOOsccmUOOOsccm和500sCCm的流量噴射分離氣體。然后，利用壓力調(diào)整部65將真空容器I內(nèi)調(diào)整至預(yù)先設(shè)定了的處理壓力、例如400Pa 500Pa，在該例子中調(diào)整至500Pa。在第I處理區(qū)域Pl，分離氣體欲自旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上游側(cè)和下游側(cè)進(jìn)入第I處理區(qū)域P1，但自整流板83和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2之間的區(qū)域吹出處理氣體。因此，上述上游側(cè)的分離氣體越過(guò)噴嘴罩81朝向排氣口 61流通。另外，上述下游側(cè)的分離氣體也朝向排氣口 61流通。這樣，由于能夠抑制分離氣體自旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上游側(cè)和下游側(cè)進(jìn)入處理區(qū)域P1，因此在噴嘴罩81的下方側(cè)，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上形成高濃度的處理氣體滯留的區(qū)域。

另一方面，對(duì)于自中心部區(qū)域C沿周向噴射的分離氣體，如上所述，能夠利用彎曲部84來(lái)抑制該分離氣體進(jìn)入第I處理氣體噴嘴31的下方側(cè)的區(qū)域。因此，在第I處理區(qū)域Pl中，處理氣體的濃度沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的徑向一致。因此，在噴嘴罩81的下方側(cè)，處理氣體的濃度一致且沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向和徑向形成較大的能夠抑制該處理氣體被稀釋的(高濃度的)區(qū)域。并且，當(dāng)晶圓W到達(dá)第I處理區(qū)域Pl時(shí)，含Si氣體在晶圓W的整個(gè)面內(nèi)均勻地吸附于該晶圓W的表面。此時(shí)，如上所述，在噴嘴罩81的下方側(cè)形成較大的高濃度的處理氣體分布的區(qū)域，因此含Si氣體的成分會(huì)吸附于晶圓W的表面，直到成為飽和程度(膜厚)。接著，當(dāng)晶圓W到達(dá)第2處理區(qū)域P2時(shí)，吸附在該晶圓W的表面上的含Si氣體的成分被氧化，形成I層或多層的作為薄膜成分的氧化硅膜(S1- O)的分子層，形成反應(yīng)生成物。這樣，通過(guò)利用旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)使晶圓W交替地通過(guò)上述區(qū)域P1、P2，從而使反應(yīng)生成物層疊在各個(gè)晶圓W的表面上而形成薄膜。此時(shí)，含Si氣體、臭氧氣體欲進(jìn)入中心部區(qū)域C，但利用上述迷宮式結(jié)構(gòu)部110來(lái)阻礙含Si氣體、臭氧氣體進(jìn)入該中心部區(qū)域C。另外，由于將分離氣體供給到第I處理區(qū)域Pl和第2處理區(qū)域P2之間，因而，如圖1lB和圖14所示，以含Si氣體和臭氧氣體不會(huì)互相混合方式排出各氣體。另外，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下方側(cè)供給有吹掃氣體，因此，欲向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下方側(cè)擴(kuò)散的氣體被上述吹掃氣體推回到排氣口 61、62偵U。采用上述實(shí)施方式，將整流板83分別設(shè)于處理氣體噴嘴31的靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上游側(cè)的部位和靠下游側(cè)的部位，并且以沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的側(cè)周面的方式將彎曲部84分別形成于上述整流板83的靠真空容器I的內(nèi)壁面?zhèn)鹊牟课?。因此，能夠沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向確保自處理氣體噴嘴31供給的處理氣體和晶圓W相接觸的區(qū)域較大并使處理氣體的濃度沿著處理氣體噴嘴31的長(zhǎng)度方向一致。因此，能夠在抑制處理氣體的使用量的情況下以良好的(較快的)成膜速率進(jìn)行成膜處理。另外，能夠在抑制處理氣體的流量的情況下，使形成于晶圓W上的薄膜的膜厚在晶圓W的整個(gè)面內(nèi)一致。因此，能夠構(gòu)成在利用ALD法形成薄膜時(shí)運(yùn)行成本得到抑制的成膜裝置。另外，對(duì)于整流板83在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上的長(zhǎng)度尺寸U，由后述的實(shí)施例可知，將其限制在了與能夠確保處理氣體和晶圓W間的良好的接觸時(shí)間相對(duì)應(yīng)的最小限度的尺寸，從而能夠抑制昂貴的石英構(gòu)件(噴嘴罩81)的使用量。并且，由于第2整流板83以在從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心觀察排氣口 61時(shí)第2整流板83不比該排氣口 61向右側(cè)(下游側(cè))突出的方式配置，因此能夠抑制處理氣體朝向排氣口 61的流動(dòng)受到阻礙的情況。另外，對(duì)于處理氣體噴嘴31的氣體噴射孔33，由于靠中心部區(qū)域C側(cè)的氣體噴射孔33的數(shù)量多于靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外周側(cè)的氣體噴射孔33的數(shù)量，因此能夠補(bǔ)償該中心部區(qū)域C側(cè)的處理氣體的流量。下面，列舉成膜裝置的其他例子。圖15和圖16示出了將上述例子中的整流板83在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上的長(zhǎng)度尺寸u改變后的例子。具體而言，上述角度α和角度β在圖15中分別是15°和30°，在圖16中分別是15°和15°。另外，角度Θ在圖15中是0°，在圖16中是15。。另外，圖17示出了彎曲部84、84以經(jīng)由旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的側(cè)周面而達(dá)到該旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下表面?zhèn)鹊姆绞叫纬傻睦?。彎曲?4、84的前端部和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外緣部之間的尺寸R例如是20mm。旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下表面和位于該旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下方側(cè)的彎曲部84、84的上表面之間的尺寸設(shè)定為與上述分開尺寸t相同。這樣，通過(guò)使彎曲部84形成為達(dá)到旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下表面?zhèn)?，從而使處理區(qū)域Pl中的處理氣體更難以流通到真空容器I的內(nèi)壁面?zhèn)?。因此，能夠使處理區(qū)域Pi中的處理氣體濃度沿著處理氣體噴嘴31的長(zhǎng)度方向進(jìn)一步均勻化。圖18示出了位于噴嘴罩81的下方側(cè)的處理氣體噴嘴31的、從基端側(cè)觀察該處理氣體噴嘴31時(shí)的尺寸不形成為矩形而使該處理氣體噴嘴31的上表面?zhèn)刃纬蔀閳A弧狀、SP形成為所謂魚糕狀(圓頂狀)的例子。即使在該情況下，噴嘴罩81也以沿著處理氣體噴嘴31的外表面且以噴嘴罩81和處理氣體噴嘴31之間的尺寸d與上述間隙尺寸dl、d2相同的方式形成。 圖19示出了位于處理氣體噴嘴31的靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上游側(cè)和下游側(cè)的彎曲部84、84經(jīng)由該處理氣體噴嘴31的下方側(cè)而互相連接、即在處理氣體噴嘴31的下方側(cè)也形成有彎曲部84的例子。這樣，通過(guò)在噴嘴罩81的在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上的長(zhǎng)度方向整個(gè)范圍內(nèi)都形成有彎曲部84，能夠抑制處理氣體自處理區(qū)域Pl經(jīng)由處理氣體噴嘴31的下方區(qū)域而朝向排氣口 61流動(dòng)。在該情況下，在將噴嘴罩81設(shè)于真空容器I內(nèi)后，將處理氣體噴嘴31插入到該真空容器I內(nèi)。另外，圖20示出了彎曲部84在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上的長(zhǎng)度尺寸形成為長(zhǎng)于與該彎曲部84相連接的整流板83的長(zhǎng)度尺寸u的例子。具體而言，與第I整流板83相連接的彎曲部84形成為:在從處理氣體噴嘴31的基端側(cè)(真空容器I的內(nèi)壁面?zhèn)?觀察噴嘴罩81時(shí)，該彎曲部84從該處理氣體噴嘴31的下方側(cè)延伸到比該整流板83靠上游側(cè)(第2排氣口 62側(cè))的位置。另外，與第2整流板83相連接的彎曲部84形成為從處理氣體噴嘴31的下方側(cè)延伸到比第2整流板83靠下游側(cè)(第I排氣口 61側(cè))的位置。并且，圖21示出了在同樣從處理氣體噴嘴31的基端側(cè)觀察噴嘴罩81時(shí)與第I整流板83相連接的彎曲部84的靠上游側(cè)的端部配置在比該整流板83的靠上游側(cè)的端部靠近處理氣體噴嘴31側(cè)的位置的例子。另外，與第2整流板83相連接的彎曲部84的靠下游側(cè)的端部配置在比第2整流板83的下游側(cè)的端部靠近處理氣體噴嘴31側(cè)的位置。另外，圖22示出了由兩個(gè)彎曲部84、84構(gòu)成的結(jié)構(gòu)形成為在從處理氣體噴嘴31的基端側(cè)進(jìn)行觀察時(shí)呈大致梯形的例子。具體而言，將與第I整流板83相連接的彎曲部84的靠上游側(cè)的下端部?jī)A斜地切去一部分。另外，同樣，將與第2整流板83相連接的彎曲部84的靠下游側(cè)的下端部也傾斜地切去一部分。另外，圖23示出了不將處理氣體噴嘴31容納在罩體82的內(nèi)部而將該罩體82用作處理氣體噴嘴31的例子。S卩，罩體82形成為從真空容器I的內(nèi)壁面?zhèn)葰饷艿夭迦氲拇笾孪錉铙w，在罩體82的內(nèi)側(cè)區(qū)域形成有供自上述氣體供給源供給的處理氣體流通的流路。并且，在罩體82的上述流路的下方側(cè)，沿著該罩體82的長(zhǎng)度方向在多處形成有氣體噴射孔33，罩體82的側(cè)面?zhèn)扰c上述整流板83、83相連接。
另外，圖24示出了不僅在第I處理氣體噴嘴31上設(shè)有上述噴嘴罩81而且在第2處理氣體噴嘴32上也設(shè)有上述噴嘴罩81的例子。這樣，通過(guò)在第2處理氣體噴嘴32上也設(shè)有噴嘴罩81，不僅能夠抑制含Si氣體的使用量，還能夠抑制臭氧氣體的使用量，并且對(duì)于氧化處理而言，能夠獲得良好的處理速度和面內(nèi)均勻性。此外，在圖24中，示出了將第2處理氣體噴嘴32配置在比輸送口 15靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)的位置的例子。在將噴嘴罩81設(shè)于第2處理氣體噴嘴32的情況下，也可以不在第I處理氣體噴嘴31上設(shè)置噴嘴罩81。在以上的各例子中，作為向中心部區(qū)域C供給的分離氣體的流量，可以是例如含Si氣體的流量的1.5倍 10倍左右，其實(shí)際的流量可以為500sccm 5000sccm左右。對(duì)于上述處理氣體噴嘴31(32)，也可以不將其從真空容器I的內(nèi)壁面?zhèn)瘸蛑行牟繀^(qū)域C插入而將其配置為從該中心部區(qū)域C側(cè)向真空容器I的內(nèi)壁面?zhèn)妊由?。另外，?duì)于氣體噴射孔33，也可以配置在處理氣體噴嘴31 (32)的側(cè)方側(cè)，還可以沿著該處理氣體噴嘴31 (32)的長(zhǎng)度方向形成狹縫狀的氣體噴射孔(氣體噴射口)33。另外，在欲將靠中心部區(qū)域C側(cè)的氣體噴射孔33的開口面積設(shè)成大于靠外周部側(cè)的氣體噴射孔33的開口面積時(shí)，在上述例中，將靠中心部區(qū)域C側(cè)的氣體噴射孔33的數(shù)量設(shè)成了多于靠外周部側(cè)的氣體噴射孔33的數(shù)量，但也可以將靠中心部區(qū)域C側(cè)的各個(gè)氣體噴射孔33的開口口徑設(shè)成大于靠外周部側(cè)的氣體噴射孔33的開口口徑。另外，將噴嘴31、32、41、42的前端部配置在比旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上的晶圓W的端部靠中心部區(qū)域C側(cè)的位置，但是，例如對(duì)于靠該前端部側(cè)的氣體噴射孔33，也可以將其配置為位于晶圓W的靠中心部區(qū)域C側(cè)的端部的上方。在如此配置氣體噴射孔33的情況下，也可以不設(shè)置上述迷宮式結(jié)構(gòu)部110。并且，作為整流板83，將其形成為在俯視時(shí)呈扇狀，但是，其也可以形成為例如矩形。另外，如上述詳細(xì)敘述那樣，彎曲部84形成為使在從中心部區(qū)域C觀察真空容器I的內(nèi)壁面?zhèn)葧r(shí)旋轉(zhuǎn)臺(tái)2和整流板83間的間隙縮小來(lái)增大氣體的自該中心部區(qū)域C側(cè)朝向外緣側(cè)去的傳導(dǎo)率，因而，彎曲部84只要從整流板83的下端部朝向下方側(cè)伸出即可，例如該彎曲部84的下端部也可以位于整流板83的下表面和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的上表面之間。具體而言，如圖25所示，彎曲部84的距整流板83的下端面的高度尺寸f例如是18mm以上即可。另外，在使彎曲部84的下端部如此位于整流板83的下表面和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的上表面之間的情況下，也可以不將彎曲部84設(shè)于比旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外周端靠真空容器I的內(nèi)壁面?zhèn)鹊奈恢茫鴮澢?4配置于該外周端和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上的晶圓W的周緣之間。實(shí)施例實(shí)施例1接著，說(shuō)明對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)、模擬。首先，對(duì)與噴嘴罩81、彎曲部84的有無(wú)相應(yīng)地處理氣體的濃度會(huì)發(fā)生如何變化進(jìn)行了模擬。具體而言，在配置有如下所示的噴嘴罩81的條件下，分別對(duì)在離開處理氣體噴嘴31的靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)11°的位置處的氣體中所含有的含Si氣體的含有率進(jìn)行模擬并沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的徑向?qū)υ摵新蔬M(jìn)行了繪圖。此外，各例子中的含Si氣體的流量設(shè)定在0.1slm，并且在以下的參考例中，不僅對(duì)該0.1slm的例子進(jìn)行了模擬，還對(duì)將含Si氣體的流量設(shè)定在0.9slm的例子進(jìn)行了模擬。另外，本實(shí)施例和比較例的整流板83的角度α和角度β分別設(shè)為15°和22.5°。啼嘴罩本實(shí)施例:噴嘴罩為具有整流板83和彎曲部84的結(jié)構(gòu)。比較例:噴嘴罩為具有整流板83、但沒(méi)有設(shè)置彎曲部84的結(jié)構(gòu)。參考例:無(wú)噴嘴罩。其結(jié)果，如圖26所示，通過(guò)既設(shè)置整流板83又設(shè)置彎曲部84，氣體中所含有的含Si氣體的含有率在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的整個(gè)徑向上都成為極為良好的值，即使在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中心部側(cè)也達(dá)到了 0.8 (80%)以上。另一方面，在比較例中，上述含有率在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中心部側(cè)為0.7 (70%)左右，低于本發(fā)明中的含有率，并且，在參考例中，上述含有率變?yōu)楦偷闹?。因此，可知，通過(guò)設(shè)置整流板83，能夠在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向形成較大的處理氣體濃度較高的區(qū)域，并且，在既設(shè)置整流板83又設(shè)置彎曲部84時(shí)，處理氣體噴嘴31的前端側(cè)的處理氣體濃度變高(稀釋得到抑制)。實(shí)施例2 接下來(lái)，如以下的模擬條件所示，對(duì)于在改變處理氣體噴嘴31的長(zhǎng)度尺寸、處理氣體噴嘴31與排氣口 61間的位置關(guān)系時(shí)上述含有率會(huì)成為什么樣的值，進(jìn)行了表I所示的實(shí)施例2 - 1、實(shí)施例2 - 2以及實(shí)施例2 - 3的模擬。此外，如上所述，以下所示的角度(θ + β )是指沿處理氣體噴嘴31的長(zhǎng)度方向通過(guò)處理氣體噴嘴31的中心部的直線L2與通過(guò)排氣口 61的開口緣的靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)的部位和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心的直線L4所成的角度。另外，尺寸e是在俯視時(shí)自處理氣體噴嘴31的前端部到旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上的晶圓W的靠旋轉(zhuǎn)中心側(cè)的端部的距離。模擬條件表權(quán)利要求
1.一種成膜裝置，其在真空容器內(nèi)進(jìn)行多次按順序供給互相反應(yīng)的多種處理氣體的循環(huán)而形成薄膜，其中， 該成膜裝置包括: 旋轉(zhuǎn)臺(tái)，其設(shè)于上述真空容器內(nèi)，在該旋轉(zhuǎn)臺(tái)的上表面上形成有用于載置基板的基板載置區(qū)域，并且，該旋轉(zhuǎn)臺(tái)用于使該基板載置區(qū)域公轉(zhuǎn)； 多個(gè)處理氣體供給部，其用于向在該旋轉(zhuǎn)臺(tái)的周向上彼此分開的處理區(qū)域分別供給互不相同的處理氣體； 分離氣體供給部，其為了使各處理區(qū)域的氣氛分離開而向形成于各處理區(qū)域之間的分離區(qū)域供給分離氣體；以及 排氣口，其用于對(duì)上述真空容器內(nèi)的氣氛氣體進(jìn)行真空排氣， 上述處理氣體供給部中的至少一個(gè)處理氣體供給部構(gòu)成為氣體噴嘴,該氣體噴嘴從上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的中央部朝向周緣部延伸，并且該氣體噴嘴的用于朝向上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)噴射處理氣體的氣體噴射口沿著該處理氣體供給部的長(zhǎng)度方向形成， 在上述氣體噴嘴的靠上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向的上游側(cè)和靠下游側(cè)，沿著該氣體噴嘴的長(zhǎng)度方向設(shè)有整流板，該整流板為了抑制自該氣體噴嘴噴射的處理氣體的稀薄化而使分離氣體在該整流板的上表面?zhèn)攘鲃?dòng)， 在上述氣體噴嘴和上述整流板的上方側(cè)形成有供分離氣體流通的流通空間， 為了抑制位于上述整流板的下方側(cè)的處理氣體被排出到旋轉(zhuǎn)臺(tái)的外側(cè)，上述整流板的靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)的外周側(cè)的緣部以與該旋轉(zhuǎn)臺(tái)的外周端面隔有間隙地與該旋轉(zhuǎn)臺(tái)的外周端面相對(duì)的方式朝向下方側(cè)彎曲而構(gòu)成彎曲部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其中， 上述彎曲部經(jīng)由上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的外周端面彎曲到該旋轉(zhuǎn)臺(tái)的下表面?zhèn)取?br> 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其中， 在上述氣體噴嘴和位于該氣體噴嘴的靠上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)的處理氣體供給部之間形成有排氣口，該排氣口為了將自上述氣體噴嘴供給到上述真空容器內(nèi)的處理氣體排出而形成在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)和上述真空容器的內(nèi)壁面之間， 該排氣口設(shè)置于在俯視時(shí)比上述氣體噴嘴的上述整流板的靠上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)的端面靠上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)的位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其中， 在上述氣體噴嘴和上述真空容器的頂面之間設(shè)有箱形狀的罩體，該箱形狀的罩體為了沿著該氣體噴嘴的長(zhǎng)度方向覆蓋該氣體噴嘴，該箱形狀的罩體的下表面?zhèn)乳_口并容納上述氣體噴嘴， 該罩體的開口緣的靠上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向上游側(cè)的部位和靠下游側(cè)的部位分別連接于上述整流板的上表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的成膜裝置，其中， 該成膜裝置包括分離氣體供給通路，該分離氣體供給通路用于向上述真空容器的俯視時(shí)的中心部區(qū)域供給分離氣體， 為了抑制自該分離氣體供給通路供給的分離氣體流到上述氣體噴嘴的下方側(cè)，上述罩體的靠上述中心部區(qū)域側(cè)的下表面?zhèn)乳_口緣形成為其高度位置與上述整流板的下表面齊平。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其中， 上述整流板以在俯視時(shí)從上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的中心部側(cè)朝向外周部側(cè)去而擴(kuò)展的方式形成，對(duì)于上述整流板的靠上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的外周側(cè)的部位和上述彎曲部，這兩者的在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向上的長(zhǎng)度尺寸彼此一致。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其中， 上述氣體噴嘴以該氣體噴嘴的下端面和上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的上表面之間的分開尺寸在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向上一致的方式形成，以使自該氣體噴嘴噴射的處理氣體沿著基板流通。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其中， 上述罩體的內(nèi)壁面和上述氣體噴嘴的外壁面之間的分開尺寸、上述整流板和上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)之間的分開尺寸以及上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的外周端面和上述彎曲部之間的間隙尺寸分別設(shè)定為0.5mm 3mm η
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述 的成膜裝置，其中， 上述氣體噴射口在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的中心部側(cè)的開口面積大于在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的外周部側(cè)的開口面積。
全文摘要
本發(fā)明提供一種成膜裝置，其在真空容器內(nèi)進(jìn)行多次按順序供給互相反應(yīng)的多種處理氣體的循環(huán)而形成薄膜，包括旋轉(zhuǎn)臺(tái)、多個(gè)處理氣體供給部、分離氣體供給部以及排氣口。處理氣體供給部中的至少一個(gè)處理氣體供給部構(gòu)成為從旋轉(zhuǎn)臺(tái)的中央部朝向周緣部延伸的氣體噴嘴，在氣體噴嘴的靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向的上游側(cè)和靠下游側(cè)，沿著該氣體噴嘴的長(zhǎng)度方向設(shè)有整流板，該整流板為了抑制自該氣體噴嘴噴射的處理氣體的稀薄化而使分離氣體在該整流板的上表面?zhèn)攘鲃?dòng)，為了抑制位于整流板的下方側(cè)的處理氣體被排出到旋轉(zhuǎn)臺(tái)的外側(cè)，整流板的靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)的外周側(cè)的緣部以與該旋轉(zhuǎn)臺(tái)的外周端面隔有間隙地與該旋轉(zhuǎn)臺(tái)的外周端面相對(duì)的方式朝向下方側(cè)彎曲而構(gòu)成彎曲部。
文檔編號(hào)C23C16/455GK103215567SQ20131001995
公開日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2013年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月18日
發(fā)明者加藤壽, 中坪敏行, 三浦繁博 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社