專利名稱：一種板式etp pecvd 結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及光伏領(lǐng)域，具體地講就是用于氮化硅、氫化非晶/微晶硅薄膜的沉積的沉積系統(tǒng)，也就是一種板式ETP PECVD結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
平板式PECVD技術(shù)是光伏領(lǐng)域制備減反射SiNx薄膜設(shè)備發(fā)展方向。按照PECVD結(jié)構(gòu)，目前市場上廣泛使用的PECVD可分為管式和平板式PECVD。管式PECVD的特點是裝片、預(yù)熱、薄膜沉積、冷卻和卸片都集中在同一腔室。因此設(shè)備維護相對簡單和容易。但缺點是自動化程度低和特種氣體(如硅烷和氨氣等)浪費嚴重、生產(chǎn)效率低，不符合現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)化發(fā)展方向。板式PECVD將裝片、預(yù)熱、薄膜沉積、冷卻和卸片分布在不同腔室，每個腔室功能單一、互不干涉。這種技術(shù)容易實現(xiàn)電池片生產(chǎn)高度自動化，操作簡單。因此相比管式PECVD·技術(shù)，板式PECVD可進一步提高產(chǎn)能、產(chǎn)品重復(fù)率高和氣源利用率。目前市場廣泛被接受是兩種間接法板式PECVD。一種是微波等離子體板式PECVD技術(shù)，第二種是ETP板式PECVD技術(shù)。相比微波等離子體板式PECVD，ETP板式PECVD法產(chǎn)能大和特氣消耗量小。但是ETPPECVD技術(shù)制備的減反射薄膜SiNx體鈍化效果差。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型針對目前ETP PECVD不足提出的一種ETP平板PECVD沉積系統(tǒng)，它在保證沉積速率最快和高質(zhì)量薄膜沉積技術(shù)優(yōu)勢的同時，解決了體鈍化不足的問題。采取的技術(shù)方案是一種板式ETP PECVD系統(tǒng)，上料臺、下料臺、電路系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、自動控制系統(tǒng)、冷卻水循環(huán)系統(tǒng)、真空下石墨載板傳輸系統(tǒng)通過螺栓依次固定于臺架上，其特征在于第一和第二初級真空腔室分別與各自的真空抽氣系統(tǒng)連接；預(yù)熱腔室和氫鈍化腔室、SiNx薄膜沉積腔室、冷卻腔室通過管路與第一和第二初級真空腔室連接；ETP PECVD沉積腔室通過管路和真空抽氣系統(tǒng)連接。相對現(xiàn)有的沉積系統(tǒng)，本實用新型具有如下效果I、實現(xiàn)全自動光伏電池片氮化硅(SiNx)和氫化非晶硅薄膜的制備2、全程采用工業(yè)微機自動控制3、成膜種類氮化硅減反射膜和氫化非晶硅薄膜4、膜厚度5O-I8Onm5、成膜面積1356mmX 1356mm (平板式)6、產(chǎn)能90MW/年(1700片/每小時)7、膜厚均勻性片內(nèi)(125x125mm)彡±3%，片間彡±4%，批間彡±5% 8、成膜溫度150 450°C連續(xù)可調(diào)；溫區(qū)穩(wěn)定性土 1°C9、壓力調(diào)節(jié)范圍13 10000 Pa連續(xù)可調(diào)，閉環(huán)控制10、直流逆變電源80 kff[0015]11、工藝氣體路數(shù):5 路(SiH4、NH3、N2、Ar、H2)12、沉積速率20nm/s (—般普通的 RF PECVD 是 30nm/min)13、折射率范圍2.0 2.1批次之間的一致性± 5 % (折射率誤差2·1±0·05) 14、極限真空彡 5xl(T5pa15、工作壓力10 IOOOOPa 16、具有完善的報警功能及安全互鎖裝置17、設(shè)備工作條件的要求本工序設(shè)備需要有配電(380V)、工藝冷卻水、壓縮空氣、真空、氮氣、氨氣、硅烷、熱排風(fēng)等條件；18、解決ETP PECVD現(xiàn)存的體鈍化不足的問題。
圖I是本實用新型的平面結(jié)構(gòu)示意圖。圖中I、上料臺 2、第一初級真空腔室 3、過渡腔室 4、預(yù)熱腔室 5、氫鈍化腔室 6、SiNx薄膜沉積腔室 7、冷卻腔室 8、第二初級真空腔室 9、下料臺 10、真空抽氣系統(tǒng)。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型的結(jié)構(gòu)和原理作進一步詳細說明。本實用新型提供了一種板式ETP PECVD設(shè)備用于制備減反射薄膜SiNx。上料臺I、下料臺9、電路系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、自動控制系統(tǒng)、冷卻水循環(huán)系統(tǒng)、真空下石墨載板傳輸系統(tǒng)通過螺栓依次固定于臺架上，其中、第一初級真空腔室2、過渡腔室3、預(yù)熱腔室4、氫鈍化腔室5、ETP PECVD沉積腔室、冷卻腔室7、第二初級真空腔室8依次安裝于臺架上。上料臺I和下料臺9工作在大氣環(huán)境下。第一初級真空腔室2、氫鈍化腔室5、SiNx薄膜沉積腔室6、冷卻腔室7、第二初級真空腔室8相互聯(lián)通。ETP PECVD沉積腔室通過管路和真空抽氣系統(tǒng)10連接。工作流程首先將晶硅片置放于上料臺I的石墨載板上，然后通過上料臺I把石墨載板傳輸?shù)降谝怀跫壵婵涨皇液蜌溻g化腔室對硅片進行預(yù)熱和氫鈍化，緊接著通過自動傳輸系統(tǒng)將硅片輸送進入ETP PECVD腔室進行SiNx沉積，接下來沉積后的硅片被輸運到冷卻腔室和第二初級真空腔室，最后進入大氣環(huán)境下的下料臺。
權(quán)利要求1.一種板式ETP PECVD結(jié)構(gòu)，包括上料臺、下料臺、電路系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、自動控制系統(tǒng)、冷卻水循環(huán)系統(tǒng) 、真空下石墨載板傳輸系統(tǒng)通過螺栓依次固定于臺架上，其特征在于第一和第二初級真空腔室分別與各自的真空抽氣系統(tǒng)連接；預(yù)熱腔室和氫鈍化腔室、SiNx薄膜沉積腔室、冷卻腔室通過管路與第一和第二初級真空腔室連接；ETP PECVD沉積腔室通過管路和真空抽氣系統(tǒng)連接。
專利摘要本實用新型涉及一種平板式ETPPECVD沉積系統(tǒng)，用于光伏領(lǐng)域內(nèi)氮化硅、氫化非晶/微晶硅薄膜的沉積。一種板式ETPPECVD系統(tǒng)，上料臺、下料臺、電路系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、自動控制系統(tǒng)、冷卻水循環(huán)系統(tǒng)、真空下石墨載板傳輸系統(tǒng)通過螺栓依次固定于臺架上，其特征在于第一和第二初級真空腔室分別與各自的真空抽氣系統(tǒng)連接；預(yù)熱腔室和氫鈍化腔室、SiNx薄膜沉積腔室、冷卻腔室通過管路與第一和第二初級真空腔室連接；ETPPECVD沉積腔室通過管路和真空抽氣系統(tǒng)連接。本實用新型實現(xiàn)了生產(chǎn)線流水作業(yè)、快速沉積，解決了微波等離子體平板PECVD存在的產(chǎn)能低和成本較高等問題。
文檔編號C23C16/34GK202730227SQ201220345588
公開日2013年2月13日 申請日期2012年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月17日
發(fā)明者芶富均 申請人:成都達信成科技有限公司