一種鎂合金無氰電鍍工藝打底銅處理液的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種鎂合金無氰電鍍工藝打底銅處理液，該處理液由下列組份組成：二價銅離子60-80g/L，鎳離子10-20g/L，鎂離子0-6g/L，醋酸10-16g/L，檸檬酸8-12g/L，羥基亞乙基二膦酸（HEDP）20-24g/L，硫脲或其衍生物適量，十二烷基硫酸鈉1-2g/L，處理液pH值為0.5-1.5。
【專利說明】一種鎂合金無氰電鍍工藝打底銅處理液
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電鍍領(lǐng)域，特別涉及一種鎂合金無氰電鍍工藝打底銅處理液。
【背景技術(shù)】 [0002]鎂合金由于具有重量輕，高的比強度和比剛度，優(yōu)良的薄壁成型性能和可再生性能、熱傳導(dǎo)性，以及良好的電磁屏蔽作用，很高的抗電磁干擾(EMI)性能等優(yōu)點，在國防軍工、交通運輸、光學(xué)儀器、電子器件殼體等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。鎂合金的最大用途是作為汽車、筆記本電腦及其它微型電器上壓鑄件的使用，汽車工業(yè)的減震與輕質(zhì)節(jié)能促使鎂合金在制造汽車零部件方面的比例不斷增加。通訊與電子行業(yè)也出現(xiàn)了大量使用鎂合金的便攜式電子器材，如手提電話、便攜式電腦和小型攝錄像機等產(chǎn)品。近幾年來，鎂合金在電子產(chǎn)品、汽車零部件中的應(yīng)用已具有其它材料不可替代的作用，其用量每年以20%的速率增長，被稱為“時代金屬”和“21世紀金屬”。
[0003]然而,鎂的電極電勢低,化學(xué)活性高。在潮濕的空氣、含硫氣氛和海洋大氣中均會遭受嚴重的電化學(xué)腐蝕，這阻礙了鎂合金產(chǎn)品在應(yīng)用中發(fā)揮其優(yōu)勢，限制了其應(yīng)用范圍。為克服鎂合金的上述缺陷，在許多環(huán)境中需要使用耐蝕的金屬及其合金作為保護鎂合金的防護層，但鎂合金是一種難鍍的基材，在其表面直接進行電鍍或化學(xué)鍍相當困難。
[0004]國內(nèi)外報道，用于鎂合金表面防護較為成熟的技術(shù)是Dow的浸Zn氰化鍍Cu打底和直接化學(xué)鍍工藝。由Dow公司開發(fā)的浸Zn工藝的工藝流程為:表面處理一活化一浸Zn —氰化鍍Cu —化學(xué)鍍N1-P。但此工藝中氰化鍍銅打底時的鍍液中含有大量CuCN、KCN、NaCN等氰化物，毒性大，對環(huán)境污染嚴重，后處理麻煩；且對含Al量高的合金不適用。采用直接化學(xué)鍍N1-P的方法，其工藝簡單，鍍液中不含氰化物，逐漸受到重視，但鍍層與基體的結(jié)合力不如氰化鍍銅打底的鍍件高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的之一在于提供一種鎂合金無氰電鍍工藝打底銅處理液。該處理液能替代氰化鍍銅的工藝進行打底銅處理，以解決因氰化鍍銅造成的環(huán)境污染，減少電鍍廢水的處理成本，提高經(jīng)濟和社會效益。
[0006]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案:
[0007]—種鎂合金無氰電鍍工藝打底銅處理液，該處理液由下列組份組成:二價銅離子60-80g/L,鎳離子10-20g/L,鎂離子0_6g/L,醋酸10_16g/L,檸檬酸8_12g/L,羥基亞乙基二膦酸(HEDP) 20-24g/L，硫脲或其衍生物適量，十二烷基硫酸鈉l_2g/L，處理液pH值為
0.5-1.5o
[0008]其中二價銅離子可以是無機酸或有機酸的銅鹽，如硫酸銅，碳酸銅，醋酸銅等。
[0009]其中檸檬酸可用酒石酸或葡萄糖酸代替。
[0010]其中羥基亞乙基二膦酸(HEDP)可用乙二胺四乙酸代替。
[0011]本發(fā)明的打底銅處理液的使用方法為將鎂合金進行除油前處理后浸在上述處理液中，處理液的溫度為66-70°C，處理時間為2-3分鐘。
[0012]本發(fā)明的電鍍工藝打底銅處理液具有如下有益效果:
[0013]本發(fā)明的打底銅處理液，增強了后續(xù)鍍層與基體的結(jié)合力，并且避免了氰化鍍銅打底造成環(huán)境被嚴重污染的后果，是一種環(huán)保產(chǎn)品；采用該處理液打底后，經(jīng)后續(xù)鍍覆可獲得結(jié)合力強的金屬涂層，鍍膜厚度均勻，耐蝕性高。本發(fā)明工藝中使用的原料，價格便宜，生產(chǎn)成本低廉，經(jīng)濟效益明顯提高。
【具體實施方式】
[0014]實施例一
[0015]一種鎂合金無氰電鍍工藝打底銅處理液，該處理液由下列組份組成:硫酸銅60g/L，硫酸鎳20g/L，醋酸10g/L，檸檬酸12g/L，羥基亞乙基二膦酸(HEDP)20g/L，硫脲或其衍生物適量，十二烷基硫酸鈉2g/L，處理液pH值為0.5。
[0016]實施例二
[0017]一種鎂合金無氰電鍍工藝打底銅處理液，該處理液由下列組份組成:碳酸銅60g/L，硫酸鎳20g/L，硫酸鎂lg/L，醋酸10g/L，酒石酸12g/L，乙二胺四乙酸20g/L，硫脲或其衍生物適量，十二烷基硫酸鈉2g/L，處理液pH值為0.5。
[0018]實施例三
[0019]一種鎂合金無氰電鍍工藝打底銅處理液，該處理液由下列組份組成:醋酸銅80g/L，硫酸鎳10g/L，醋酸16g/L，檸檬酸8g/L，羥基亞乙基二膦酸(HEDP) 24g/L，硫脲或其衍生物適量，十二烷基硫酸鈉lg/L，處理液pH值為1.5。
[0020]實施例四
[0021]一種鎂合金無氰電鍍工藝打底銅處理液，該處理液由下列組份組成:醋酸銅80g/L，硫酸鎳10g/L，碳酸鎂6g/L，醋酸16g/L，葡萄糖酸8g/L，羥基亞乙基二膦酸(HEDP)24g/L，硫脲或其衍生物適量，十二烷基硫酸鈉lg/L，處理液pH值為1.5。
[0022]實施例五
[0023]一種鎂合金無氰電鍍工藝打底銅處理液，該處理液由下列組份組成:硫酸銅70g/L，硫酸鎳15g/L，碳酸鎂3g/L，醋酸13g/L，檸檬酸10g/L，羥基亞乙基二膦酸(HEDP) 22g/L，硫脲或其衍生物適量，十二烷基硫酸鈉l_2g/L，處理液pH值為0.5-1.5。
[0024] 申請人:聲明，本發(fā)明通過上述實施例來說明本發(fā)明的詳細工藝設(shè)備和工藝流程，但本發(fā)明并不局限于上述詳細工藝設(shè)備和工藝流程，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述詳細工藝設(shè)備和工藝流程才能實施。所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員應(yīng)該明了，對本發(fā)明的任何改進，對本發(fā)明產(chǎn)品各原料的等效替換及輔助成分的添加、具體方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護范圍和公開范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種鎂合金無氰電鍍工藝打底銅處理液，其特征在于，該處理液由下列組份組成:二價銅離子60-80g/L，鎳離子10-20g/L，鎂離子0_6g/L，醋酸10_16g/L，檸檬酸8_12g/L，羥基亞乙基二膦酸(HEDP) 20-24g/L，硫脲或其衍生物適量，十二烷基硫酸鈉l_2g/L，處理液pH 值為 0.5-1.5。
2.如權(quán)利要求1所述的一種鎂合金無氰電鍍工藝打底銅處理液，其特征在于，其中二價銅離子是無機酸或有機酸的銅鹽，所述的銅鹽為硫酸銅，碳酸銅，醋酸銅。
3.如權(quán)利要求1所述的一種鎂合金無氰電鍍工藝打底銅處理液，其特征在于，其中檸檬酸可用酒石酸或葡萄糖酸代替。
4.如權(quán)利要求1所述的一種鎂合金無氰電鍍工藝打底銅處理液，其特征在于，其中羥基亞乙基二膦酸(HEDP )可用乙二胺四乙酸代替。
【文檔編號】C23C18/40GK103668137SQ201210323957
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年9月4日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月4日
【發(fā)明者】丁漢林, 魏峰, 嚴峻, 陳偉 申請人:無錫福鎂輕合金科技有限公司