專利名稱：提高固定研磨料在研磨墊上進(jìn)行cmp工藝穩(wěn)定性的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路及其制造領(lǐng)域，尤其涉及提高固定研磨料在研磨墊上進(jìn)行CMP工藝穩(wěn)定性的方法。
背景技術(shù)：
固定研磨料在研磨墊上(Fixed Abrasive web，簡(jiǎn)稱FA web)為采用固定研磨料在研磨墊上來(lái)實(shí)現(xiàn)化學(xué)機(jī)械研磨(Chemical Mechanical Polishing，簡(jiǎn)稱CMP)工藝。圖1是本發(fā)明背景技術(shù)中采用傳統(tǒng)FA web進(jìn)行CMP工藝裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；如圖 1所示，在固定研磨料在研磨墊上(Fixed Abrasive web，簡(jiǎn)稱FA web)進(jìn)行工藝過(guò)程中，F(xiàn)A web末端采用透明膜狀材料(transparent)纏繞在供給卷筒上，由于FA web是有一定的使用長(zhǎng)度，當(dāng)在每片晶圓(wafer)研磨后，F(xiàn)A web兩端裝有滾軸的傳送帶會(huì)帶動(dòng)研磨墊向前相應(yīng)移動(dòng)一段距離，當(dāng)FA web上固定有研磨顆粒的研磨墊部分被耗盡后，由于機(jī)臺(tái)運(yùn)作需要，供給卷軸仍然會(huì)輸出采用透明膜狀材料的研磨墊末端，由于此時(shí)的研磨墊上沒(méi)有研磨顆粒，且當(dāng)晶圓進(jìn)行CMP研磨時(shí)，CMP機(jī)臺(tái)無(wú)法自動(dòng)檢測(cè)到晶圓已經(jīng)處于非正常的研磨墊上研磨，會(huì)造成晶圓表面產(chǎn)生大量的嚴(yán)重刮傷(Killer Scratches)，最終導(dǎo)致晶圓良率不達(dá)標(biāo)，甚至報(bào)廢；如美國(guó)專利(申請(qǐng)?zhí)朥S20000593045)就公開(kāi)了一種通過(guò)采用固定研磨料在研磨墊上的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)化學(xué)機(jī)械研磨，但該發(fā)明不能及時(shí)的探測(cè)到FA web的使用終點(diǎn)，使得晶圓由于在沒(méi)有研磨顆粒的研磨墊上研磨產(chǎn)生損傷而報(bào)廢。
在進(jìn)行CMP工藝時(shí)，一般是通過(guò)設(shè)置在襯墊上的通氣孔及底座上的吸氣泵將研磨墊吸附在襯墊上，若出現(xiàn)研磨墊吸附不嚴(yán)產(chǎn)生漏氣時(shí)機(jī)臺(tái)就會(huì)自動(dòng)報(bào)警。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明公開(kāi)了一種提高固定研磨料在研磨墊上進(jìn)行CMP工藝穩(wěn)定性的方法，在一 CMP工藝機(jī)臺(tái)上，其中，包括以下步驟
步驟Sl 將一固定有研磨顆粒的研磨墊的末端設(shè)置至少一個(gè)透氣孔； 步驟S2 進(jìn)行CMP工藝，當(dāng)該研磨墊上設(shè)置有透氣孔的部分通過(guò)機(jī)臺(tái)環(huán)形吸氣研磨區(qū)時(shí)產(chǎn)生漏氣，觸發(fā)機(jī)臺(tái)報(bào)警。上述的提高固定研磨料在研磨墊上進(jìn)行CMP工藝穩(wěn)定性的方法，其中，透氣孔距離透明薄膜為10cm。上述的提高固定研磨料在研磨墊上進(jìn)行CMP工藝穩(wěn)定性的方法，其中，設(shè)置有透氣孔的研磨墊部分通過(guò)機(jī)臺(tái)環(huán)形吸氣研磨區(qū)時(shí)，該透氣孔位于環(huán)形吸氣研磨區(qū)域內(nèi)。上述的提高固定研磨料在研磨墊上進(jìn)行CMP工藝穩(wěn)定性的方法，其中，透氣孔的面積為 0. 5cm2、1 cm2 或 1. 5 cm2 等。上述的提高固定研磨料在研磨墊上進(jìn)行CMP工藝穩(wěn)定性的方法，其中，透氣孔的形狀為方形、圓形或多邊形等。綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明提出一種提高固定研磨料在研磨墊上進(jìn)行CMP工藝穩(wěn)定性的方法，通過(guò)在固定有研磨顆粒的研磨墊的末端設(shè)置有透氣孔，當(dāng)研磨墊快要耗盡時(shí)設(shè)置有透氣孔的研磨墊部分通過(guò)機(jī)臺(tái)環(huán)形吸氣研磨區(qū)時(shí)產(chǎn)生漏氣，觸發(fā)機(jī)臺(tái)報(bào)警，從而能實(shí)時(shí)的探測(cè)到研磨墊的設(shè)置有固定顆粒部分的使用終點(diǎn)，避免晶圓被沒(méi)有設(shè)置有研磨顆粒部分的研磨墊嚴(yán)重刮傷甚至因此產(chǎn)生報(bào)廢，節(jié)省了其他設(shè)備檢查被損傷晶圓的時(shí)間和成本，同時(shí)也避免了后續(xù)晶圓被損傷，且工藝簡(jiǎn)單，實(shí)時(shí)可控。


圖1是本發(fā)明背景技術(shù)中采用傳統(tǒng)FA web進(jìn)行CMP工藝裝置的結(jié)構(gòu)示意圖2-3是本發(fā)明提高固定研磨料在研磨墊上進(jìn)行CMP工藝穩(wěn)定性的方法的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步的說(shuō)明
圖2-3是本發(fā)明提高固定研磨料在研磨墊上進(jìn)行CMP工藝穩(wěn)定性的方法的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2-3所示，本發(fā)明一種提高固定研磨料在研磨墊上進(jìn)行CMP工藝穩(wěn)定性的方法，在一 CMP工藝機(jī)臺(tái)上，在固定有研磨顆粒的研磨墊1的末端設(shè)置透氣孔5后，將該研磨墊1的末端通過(guò)透明薄膜2纏繞在機(jī)臺(tái)的供給滾軸上，以用于進(jìn)行CMP工藝；其中，透氣孔 5距離透明薄膜2的距離為10cm。進(jìn)行CMP工藝時(shí)，研磨墊1在正常的研磨狀態(tài)下隨著研磨晶圓步進(jìn)，當(dāng)該研磨墊1 上設(shè)置有透氣孔5的部分通過(guò)機(jī)臺(tái)環(huán)形吸氣研磨區(qū)4時(shí)會(huì)產(chǎn)生漏氣，觸發(fā)機(jī)臺(tái)報(bào)警，以警示工藝人員研磨墊快要耗盡，從而能實(shí)時(shí)的探測(cè)到研磨墊的設(shè)置有固定顆粒部分的使用終點(diǎn)，避免晶圓被沒(méi)有設(shè)置有研磨顆粒部分的研磨墊嚴(yán)重刮傷甚至因此產(chǎn)生報(bào)廢，節(jié)省了其他設(shè)備檢查被損傷晶圓的時(shí)間和成本，同時(shí)也避免了后續(xù)晶圓被損傷。進(jìn)一步的，設(shè)置有透氣孔5的研磨墊部分通過(guò)機(jī)臺(tái)環(huán)形吸氣研磨區(qū)4時(shí)，該透氣孔 5位于環(huán)形吸氣研磨區(qū)4區(qū)域內(nèi)。進(jìn)一步的，透氣孔5的面積為0. 5cm2、1 cm2或1. 5 cm2等。進(jìn)一步的，透氣孔5的形狀還可以為方形、圓形或多邊形等。其中，透氣孔5的形狀、大小、個(gè)數(shù)等可根據(jù)具體的實(shí)際工藝進(jìn)行設(shè)定。綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明提出一種提高固定研磨料在研磨墊上進(jìn)行CMP工藝穩(wěn)定性的方法，通過(guò)在固定有研磨顆粒的研磨墊的末端設(shè)置有透氣孔，當(dāng)研磨墊快要耗盡時(shí)設(shè)置有透氣孔的研磨墊部分通過(guò)機(jī)臺(tái)環(huán)形吸氣研磨區(qū)時(shí)產(chǎn)生漏氣，觸發(fā)機(jī)臺(tái)報(bào)警，從而能實(shí)時(shí)的探測(cè)到研磨墊的設(shè)置有固定顆粒部分的使用終點(diǎn)，避免晶圓被沒(méi)有設(shè)置有研磨顆粒部分的研磨墊嚴(yán)重刮傷甚至因此產(chǎn)生報(bào)廢，節(jié)省了其他設(shè)備檢查被損傷晶圓的時(shí)間和成本，同時(shí)也避免了后續(xù)晶圓被損傷，且工藝簡(jiǎn)單，實(shí)時(shí)可控。通過(guò)說(shuō)明和附圖，給出了具體實(shí)施方式
的特定結(jié)構(gòu)的典型實(shí)施例，基于本發(fā)明精神，還可作其他的轉(zhuǎn)換。盡管上述發(fā)明提出了現(xiàn)有的較佳實(shí)施例，然而，這些內(nèi)容并不作為局限。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，閱讀上述說(shuō)明后，各種變化和修正無(wú)疑將顯而易見(jiàn)。因此，所附的權(quán)利要求書(shū)應(yīng)看作是涵蓋本發(fā)明的真實(shí)意圖和范圍的全部變化和修正。在權(quán)利要求書(shū)范圍內(nèi)任何和所有等價(jià)的范圍與內(nèi)容，都應(yīng)認(rèn)為仍屬本發(fā)明的意圖和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種提高固定研磨料在研磨墊上進(jìn)行CMP工藝穩(wěn)定性的方法，在一CMP工藝機(jī)臺(tái)上， 其特征在于，包括以下步驟步驟Sl 將一固定有研磨顆粒的研磨墊的末端設(shè)置至少一個(gè)透氣孔；步驟S2 進(jìn)行CMP工藝，當(dāng)該研磨墊上設(shè)置有透氣孔的部分通過(guò)機(jī)臺(tái)環(huán)形吸氣研磨區(qū)時(shí)產(chǎn)生漏氣，觸發(fā)機(jī)臺(tái)報(bào)警。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高固定研磨料在研磨墊上進(jìn)行CMP工藝穩(wěn)定性的方法，其特征在于，透氣孔距離透明薄膜為10cm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高固定研磨料在研磨墊上進(jìn)行CMP工藝穩(wěn)定性的方法，其特征在于，設(shè)置有透氣孔的研磨墊部分通過(guò)機(jī)臺(tái)環(huán)形吸氣研磨區(qū)時(shí)，該透氣孔位于環(huán)形吸氣研磨區(qū)域內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高固定研磨料在研磨墊上進(jìn)行CMP工藝穩(wěn)定性的方法，其特征在于，透氣孔的面積為0. 5cm2、1 cm2或1. 5 cm2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高固定研磨料在研磨墊上進(jìn)行CMP工藝穩(wěn)定性的方法，其特征在于，透氣孔的形狀為方形、圓形或多邊形。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種提高固定研磨料在研磨墊上進(jìn)行CMP工藝穩(wěn)定性的方法。本發(fā)明提高固定研磨料在研磨墊上進(jìn)行CMP工藝穩(wěn)定性的方法，通過(guò)在固定有研磨顆粒的研磨墊的末端設(shè)置有透氣孔，當(dāng)研磨墊快要耗盡時(shí)設(shè)置有透氣孔的研磨墊部分通過(guò)機(jī)臺(tái)環(huán)形吸氣研磨區(qū)時(shí)產(chǎn)生漏氣，觸發(fā)機(jī)臺(tái)報(bào)警，從而能實(shí)時(shí)的探測(cè)到研磨墊的設(shè)置有固定顆粒部分的使用終點(diǎn)，避免晶圓被沒(méi)有設(shè)置有研磨顆粒部分的研磨墊嚴(yán)重刮傷甚至因此產(chǎn)生報(bào)廢，節(jié)省了其他設(shè)備檢查被損傷晶圓的時(shí)間和成本，同時(shí)也避免了后續(xù)晶圓被損傷，且工藝簡(jiǎn)單，實(shí)時(shí)可控。
文檔編號(hào)B24B37/00GK102441839SQ20111035628
公開(kāi)日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2011年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月11日
發(fā)明者白英英, 黃耀東 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司