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設(shè)計(jì)噴灑氣流以鍍膜均勻硅薄膜的制作方法

文檔序號:3417649閱讀:276來源:國知局
專利名稱:設(shè)計(jì)噴灑氣流以鍍膜均勻硅薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本方法是將薄膜太陽能中的技術(shù)核心PECVD的傳片技術(shù),主要是當(dāng)TCO玻璃進(jìn)入到制程腔時,會由氣流孔開始通入制程氣體,并由蝶閥進(jìn)行開度控制,以保持腔體內(nèi)部固定制程壓力,并由RF power supply開啟以進(jìn)行制程,而在氣體由氣流孔進(jìn)入到腔體內(nèi)時,其氣體都有一固定的流向,需讓氣體能夠平均且穩(wěn)定的流入到腔體內(nèi)部,并在蝶閥控壓及pump抽氣的情況下,其氣流仍為順暢而沒有擾流的情形發(fā)生,故其showerhead的設(shè)計(jì)就非常重要,此技術(shù)主要是設(shè)計(jì)showerhead的氣流方式,目的讓氣體能夠藉由showerhead的擴(kuò)散均勻的流到腔體內(nèi)部,如此能夠提高太陽能硅薄膜的均勻度,并能提高整體效率。
背景技術(shù)
目前,業(yè)界對于薄膜太陽能電池中已有許多的研究,在制作核心PECVD時也有特殊的設(shè)計(jì)方式,主要是臥式以及直立式為主,當(dāng)中在業(yè)界與學(xué)術(shù)界常使用的機(jī)臺模組,是以臥式的設(shè)計(jì)居多,而在臥式的設(shè)計(jì)當(dāng)中,如何去控制氣體的流向是非常重要,因?yàn)槿魵怏w流向在蝶閥控壓以及抽氣pump下造成有擾流的情形的話,其腔體內(nèi)部的氣體流向就會非?;靵y,會導(dǎo)致RF power supply開啟時,其娃原子沉積在TCO玻璃上就會非常的不均勻,其膜層會因?yàn)閿_流的方向而變得不均勻,此就會造成其太陽能硅薄膜電池效率明顯降低,因此此發(fā)明就是要讓氣體在showerhead設(shè)計(jì)下,能夠均勻的擴(kuò)散到腔體內(nèi)部,在盡管有蝶閥控壓及pump抽氣的作用下仍然能夠保持腔體氣流穩(wěn)定,如此一來,鍍膜出來的玻璃均勻度會提升,且因?yàn)闅怏w原子在showerhead流出后擴(kuò)散非常均勻,而使得每個膜層都含有固定量的硅原子,可以使得硅薄膜均勻度提升,且制程出的太陽能電池效率也能夠提升,以達(dá)到業(yè)界所需要高效率電池的要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要目的是設(shè)計(jì)showerhead氣流以鍍膜均勻硅薄膜。其系統(tǒng)內(nèi)部主要包含了入口端、抽真空腔、P.1. N型半導(dǎo)體制程腔、破真空腔及出口端。在每個腔體內(nèi)都設(shè)有傳動滾輪及真空Pump,及Slit valve,而在制程腔內(nèi)部則有加熱裝置、RF電極板,以及最重要的showerhead,以進(jìn)行制程。本發(fā)明最重要的就是showerhead設(shè)計(jì),其主要是分成了三個部分,當(dāng)氣體從源頭端流出時,會先到showerhead的第一層,此層的孔徑主要是設(shè)計(jì)筆直狀,能夠讓氣體均勻的流出,接著氣體會到達(dá)showerhead的第二層,此層的孔徑也是筆直狀,但是會與第一層有交錯的設(shè)計(jì),此主要就是讓氣體不要一次直接筆直到達(dá)TCO玻璃,在還沒有開始擴(kuò)散就被Pump抽氣帶走,且可以保持showerhead有均勻的氣流,最后是到達(dá)showerhead的第三層,此層的設(shè)計(jì)是帶有漏斗狀的設(shè)計(jì),其主要目的就是讓氣體能夠像漏斗般的流出,能夠完整均勻的流向TCO玻璃上,且不會受到蝶閥控壓及Pump抽氣而有擾流的情形,故此發(fā)明showerhead設(shè)計(jì)就可以讓TCO玻璃有均勻的氣體流向,且在RF電極開啟Power的時候,這些均勻的氣流就可以開始分解成硅原子,并且能夠均勻的鍍膜在玻璃上,藉此來得到均勻的膜層,并且能夠追求有高效率的太陽能硅薄膜電池。


下面是結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)一步說明圖1是本發(fā)明之動作流程示意圖,圖2是本發(fā)明之入口端示意圖,圖3是本發(fā)明之抽真空腔體示意圖,圖4是本發(fā)明之P.1. N型半導(dǎo)體薄膜制程腔及Showerhead示意圖,圖5是本發(fā)明之破真空腔示意圖,圖6是本發(fā)明之出口端示意圖,主要元件符號說明1…傳動滾輪,2…支撐架,3…TCO玻璃,4…定位 Sensor,5 …抽氣 Pump, 6…Slit valve, 7…Showerhead, 8…氣流孔,9…RF powersupply, 10 …蝶閥。
具體實(shí)施例方式茲將本發(fā)明配合附圖,詳細(xì)說明如下所示請參閱圖1,為本發(fā)明設(shè)計(jì)showerhead氣流以鍍膜均勻硅薄膜的流程圖,由圖中可知,TCO玻璃先放置在入口端,隨后由滾輪送至 抽真空腔內(nèi),并由抽氣Pump開始抽氣,隨后送到制程腔內(nèi)部后,此時氣體開始流出,并由showerhead擴(kuò)散出來到腔體內(nèi)部,在蝶閥以及抽氣Pump作用下,保持內(nèi)部固定壓力,并由RF power supply開啟進(jìn)行電漿制程,完成后再傳片至破真空腔,隨后傳到出口端破真空,及完成此動作流程。請參閱圖2,此為本發(fā)明設(shè)計(jì)showerhead氣流以鍍膜均勻娃薄膜的入口端示意圖,由圖中得知,當(dāng)TCO玻璃3由傳動滾輪I傳至入口端時,其支撐座2會完全固定住入口端,使其不易有搖晃的可能性,隨后其Sensor 4會開始對玻璃進(jìn)行定位校正,待完成后,將傳動滾輪會傳入到抽真空腔內(nèi)部。請參閱圖3此為設(shè)計(jì)showerhead氣流以鍍膜均勻娃薄膜的抽真空腔示意圖,由圖中得知,當(dāng)Slit valve 6開啟后其玻璃3會由滾輪I傳動到抽真空腔內(nèi),此時Sensor 4會作定位校正,以避免當(dāng)Slit valve關(guān)閉時會擠壓碎玻璃,隨后其Slit valve關(guān)閉,且由抽氣Pump 5開始進(jìn)行抽氣,當(dāng)抽氣至底壓后,其玻璃會再由Slit valve傳片至制程腔內(nèi)開始進(jìn)行鍍膜。請參閱圖4,此為設(shè)計(jì)showerhead氣流以鍍膜均勻娃薄膜的制程腔示意圖,由圖中得知,當(dāng)Slit valve 6開啟將玻璃3由滾輪I傳至制程腔內(nèi),其Sensor 4進(jìn)行校正定位,隨后關(guān)閉Slit valve,此時氣體會從氣流孔8開始進(jìn)氣到showerhead 7,此Showerhead設(shè)計(jì)有三層,第一層設(shè)計(jì)為筆直狀,且孔徑較大,主要讓氣體能夠完全的流入到第一層內(nèi),且因?yàn)榭讖捷^大,故其不同氣體混合較為均勻,隨后會慢慢流入到第二層,此第二層設(shè)計(jì)也是筆直狀,但其孔徑較小其裝置較為細(xì)長,主要是讓氣體能夠緩慢且均勻的流入,再來是第三層設(shè)計(jì),則是設(shè)計(jì)呈漏斗狀,其氣體可以由漏斗狀的設(shè)計(jì),能夠均勻的擴(kuò)散出來,并流入到TCO玻璃3表面上,并且由蝶閥10以及抽氣Pump 5進(jìn)行控壓動作,隨后當(dāng)氣體內(nèi)部的壓力固定恰當(dāng)時,其RF power 9開始開啟產(chǎn)生電漿,并且將硅原子解離出來,并沉積于玻璃上,開始進(jìn)行鍍膜制程。請參閱圖5,此為設(shè)計(jì)showerhead氣流以鍍膜均勻娃薄膜的破真空腔示意圖,由圖中得知,當(dāng)鍍膜完成后,其Slit valve 6開啟,并將玻璃3由滾輪I傳至破真空腔內(nèi),并且由Sensor 4進(jìn)行校正定位,隨后開始破真空到大氣狀態(tài)下,此時完成此制程。請參閱圖6,此為設(shè)計(jì)showerhead氣流以鍍膜均勻娃薄膜的出口端示意圖,當(dāng)玻璃3破真空后,會傳至出口端,并且在支撐架2固定下,不會讓玻璃有晃動情形,并且傳動滾輪I會傳送玻璃至定位Sensor作固定,此時完成整片鍍膜制程,且此制程因?yàn)橛刑厥鈙howrerhead設(shè)計(jì)下,可以讓玻璃鍍膜更佳均勻,使其可以提高太陽能娃薄膜電池效率。以上說明,對本發(fā)明而言只是說明性的,非限制性的,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解, 在不脫離權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下,可作出許多修正、變化或等效,但都將落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.本發(fā)明主要目的是設(shè)計(jì)showerhead氣流以鍍膜均勻硅薄膜,其系統(tǒng)內(nèi)部主要包含了入口端、抽真空腔、P.1. N型半導(dǎo)體制程腔、破真空腔及出口端,在每個腔體內(nèi)都設(shè)有傳動滾輪及真空Pump,及Slit valve,而在制程腔內(nèi)部則有加熱裝置、RF電極板,以及最重要的showerhead,以進(jìn)行制程;本發(fā)明最重要的就是showerhead設(shè)計(jì),其主要是分成了三個部分,當(dāng)氣體從源頭端流出時,會先到showerhead的第一層,此層的孔徑主要是設(shè)計(jì)筆直狀,能夠讓氣體均勻的流出,接著氣體會到達(dá)showerhead的第二層,此層的孔徑也是筆直狀,但是會與第一層有交錯的設(shè)計(jì),此主要就是讓氣體不要一次直接筆直到達(dá)TCO玻璃,在還沒有開始擴(kuò)散就被Pump抽氣帶走,且可以保持showerhead有均勻的氣流,最后是到達(dá)showerhead的第三層,此層的設(shè)計(jì)是帶有漏斗狀的設(shè)計(jì),其主要目的就是讓氣體能夠像漏斗般的流出,能夠完整均勻的流向TCO玻璃上,且不會受到蝶閥控壓及Pump抽氣而有擾流的情形,故此發(fā)明showerhead設(shè)計(jì)就可以讓TCO玻璃有均勻的氣體流向,且在RF電極開啟Power的時候,這些均勻的氣流就可以開始分解成硅原子,并且能夠均勻的鍍膜在玻璃上,藉此來得到均勻的膜層,并且能夠追求有高效率的太陽能硅薄膜電池。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種設(shè)計(jì)showerhead氣流以鍍膜均勻娃薄膜,其中入口端、抽真空腔、制程腔、破真空腔及出口端都設(shè)計(jì)傳動滾輪及定位Sensor,可以使玻璃在傳送時可以平穩(wěn)傳送,且到達(dá)定位時可以作定位校正,不會因?yàn)镾lit valve作開關(guān),而去擠壓到玻璃,可以保護(hù)玻璃安全。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種設(shè)計(jì)showerhead氣流以鍍膜均勻娃薄膜,其抽真空腔、制程腔以及破真空腔,都設(shè)計(jì)抽氣Pump以及Slit valve,其Pump可以將腔體抽至底壓,以便能夠進(jìn)行制程,且其抽及破真空腔都各有vent的功能,可由電腦界面作控制,依腔體實(shí)際情形及需求作抽及真空的動作,且其Slit valve可以作開關(guān)動作,可以讓玻璃進(jìn)行傳片,且電腦界面可以監(jiān)控當(dāng)抽真空腔、制程腔及破真空腔都是真空下時,其Slit valve才可進(jìn)行作動。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)計(jì)showerhead氣流以鍍膜均勻娃薄膜,其制程腔內(nèi)部設(shè)有一組特殊設(shè)計(jì)的showerhead,此Showerhead有三層設(shè)計(jì),第一層為筆直狀,且孔徑較大,可以讓氣體大量的進(jìn)入到Showerhead且讓氣體作混合,第二層也是筆直狀,孔徑較小,但氣流長度較長,可以讓氣體緩慢且均勻的流入到第三層,第三層則設(shè)計(jì)漏斗狀,主要是要讓氣體從第二層出來時,就可以作擴(kuò)散的動作,可以把氣體均勻的擴(kuò)散到TCO玻璃表面上,并由RF power supply開啟產(chǎn)生電楽;進(jìn)行娃薄膜鍍膜制程。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)計(jì)showerhead氣流以鍍膜均勻娃薄膜,其制程腔內(nèi)部設(shè)有一組蝶閥,此蝶閥的功能是控制開度并將氣體由Pump抽走,其蝶閥開度會依氣體流量大小,以及制程所需的壓力作一個控制,可以讓氣體從showerhead擴(kuò)散下來時,均勻的抽走不需要或者是殘留的氣體,可以讓腔體內(nèi)部達(dá)到一個穩(wěn)定的趨勢,并能夠穩(wěn)定進(jìn)行制程,可以使得整體制程是均勻狀態(tài)下,且可以提高太陽能硅薄膜的效率。
全文摘要
本發(fā)明主要目的是設(shè)計(jì)showerhead氣流以鍍膜均勻硅薄膜。其系統(tǒng)內(nèi)部主要包含了入口端、抽真空腔、P.I.N型半導(dǎo)體制程腔、破真空腔及出口端。在每個腔體內(nèi)都設(shè)有傳動滾輪及真空Pump,及Slit valve,而在制程腔內(nèi)部則有加熱裝置、RF電極板,以及最重要的showerhead,以進(jìn)行制程。
文檔編號C23C16/24GK103014661SQ20111027964
公開日2013年4月3日 申請日期2011年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月20日
發(fā)明者戴嘉男, 劉幼海, 劉吉人 申請人:吉富新能源科技(上海)有限公司
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