專利名稱：一種掃描鍍膜裝置及掃描鍍膜組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體、LED、太陽能電池領(lǐng)域的鍍膜裝置及鍍膜組件。
背景技術(shù)：
在光伏裝置的制造中，源材料被沉積在基板上。在基板上沉積源材料以形成鍍膜的一種過程是使源材料汽化并將汽化的源材料引向基板表面，使得汽化的源材料冷凝并沉積在基板上，從而形成固體半導(dǎo)體膜。薄膜沉積方法有氣相傳輸沉積(VTD)、近空間升華法(CSS或加熱蒸發(fā)鍍膜)、電化學(xué)沉積(EOT)、PVD (濺鍍沉積)或CVD (化學(xué)氣相沉積)等。與CSS相比，VTD沉積工藝沉積速度較快，每分鐘可達(dá)20微米；源材料顆粒由傳輸氣體帶入，沒有重新裝填氣相傳輸沉積裝置即蒸鍍源的問題。然而現(xiàn)有的薄膜沉積設(shè)備通常只能進(jìn)行單基板鍍膜，例如First Solar公司的專利US6037241公開了一種沉積半導(dǎo)體材料的裝置及方法，其中的玻璃基板水平傳輸，蒸鍍源位于玻璃基板上方，蒸汽向下對玻璃基板表面沉積鍍膜；或者蒸鍍源位于玻璃基板下方， 蒸汽向上對玻璃基板表面沉積鍍膜。而實(shí)際上，蒸汽向上對玻璃基板表面沉積鍍膜的方式是難以實(shí)現(xiàn)的，因?yàn)槲挥谡翦冊瓷戏降牟ＡЩ灞囟ㄊ艿街亓τ绊?，而且沉積鍍膜中的玻璃基板的表面溫度達(dá)400°C以上，因此難以使玻璃基板在行進(jìn)過程中保持穩(wěn)定。同時，該鍍膜裝置存在鍍膜不均、溫度控制不穩(wěn)定、源材料利用率低的問題，并很難實(shí)現(xiàn)同時對兩片或兩片以上的基板進(jìn)行連續(xù)沉積鍍膜。Optisolar公司的美國專利US2010/0151680 (2010-6-17)公開了太陽能電池制備
中能夠加強(qiáng)溫度均勻性的基板載體裝置，通過在基板的一面安裝背板、在基板的四周安裝載體框、同時使用筋條及0型環(huán)等配件形成載體裝置，使基板在沉積鍍膜中通過加熱器后再傳過背板進(jìn)行加熱或冷卻。該專利公開文件雖然提及將基板垂直放置，但其使用的鍍膜源是非蒸發(fā)源。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一是提供一種可同時對兩片基板連續(xù)進(jìn)行氣相傳輸沉積的、鍍膜源外壁清潔、設(shè)計簡單、生產(chǎn)成本低的掃描鍍膜裝置。本發(fā)明的目的之二是提供一種可同時對多片基板進(jìn)行氣相傳輸沉積的掃描鍍膜組件。本發(fā)明所述的掃描是指基板的行進(jìn)方式，可以單程掃描、往返掃描、連續(xù)掃描或分步掃描。本發(fā)明的第一技術(shù)目的是通過以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn)的一種掃描鍍膜裝置，包括鍍膜源、真空腔體室和基板傳輸模塊，而所述鍍膜源為蒸鍍源，所述蒸鍍源包括溫度控制模塊、載流氣體進(jìn)氣模塊、喂料模塊、排氣模塊和絕熱模塊，所述溫度控制模塊、載流氣體進(jìn)氣模塊、喂料模塊和排氣模塊均設(shè)置于蒸鍍源本體中；
所述真空腔體室包圍所述蒸鍍源；所述蒸鍍源具有相背的兩個蒸鍍源工作面，所述蒸鍍源工作面與水平面所成角度為 65 115°。本發(fā)明的蒸鍍源工作面即該蒸鍍源進(jìn)行氣相傳輸工作所在的平面，通常即蒸鍍源上噴射口所在的平面。蒸鍍源工作面與水平面所成角度為65 115°，蒸鍍源工作面朝向基板的待涂膜面并與基板平行，該角度可以用來影響載流氣體分布的調(diào)節(jié)并加強(qiáng)基板運(yùn)行的穩(wěn)定性，而基板傳輸模塊可以是機(jī)械手或其他可使基板保持所述角度運(yùn)行的裝置；本發(fā)明的蒸鍍源與基板的相互位置關(guān)系以及蒸鍍源的結(jié)構(gòu)使所述掃描鍍膜裝置實(shí)現(xiàn)了同時對兩片無邊框的基板進(jìn)行氣相傳輸沉積鍍膜，使得生產(chǎn)效率加倍；大幅提高源材料利用率； 減少所述掃描鍍膜裝置的腔體壁上形成鍍膜，裝置外壁清潔；降低了設(shè)備維護(hù)費(fèi)用和生產(chǎn)成本；基板邊緣鍍膜均勻。本發(fā)明的蒸鍍源是使源材料揮發(fā)成氣體沉積到基板上的源或直接將導(dǎo)入的源材料氣體沉積到基板上的源，包括但不限于VTD (氣相傳輸沉積)源或CSS (加熱蒸發(fā)鍍膜) 源。本發(fā)明將組成鍍膜設(shè)備的各功能模塊整合在蒸鍍源本體中，可以達(dá)到穩(wěn)定均勻的溫度控制，組成結(jié)構(gòu)簡潔緊湊、整體熱導(dǎo)性好、熔點(diǎn)高、溫度穩(wěn)定、源材料利用率高的蒸鍍源。作為本發(fā)明技術(shù)方案的一種優(yōu)選，所述溫度控制模塊、載流氣體進(jìn)氣模塊、喂料模塊、排氣模塊位于構(gòu)成所述蒸鍍源本體的材料的空腔中。本發(fā)明的蒸鍍源本體包括經(jīng)過鑄造或切割加工形成的整體結(jié)構(gòu)和疊加塊，所述的疊加塊可以是左右疊加或垂直疊加。本發(fā)明的蒸鍍源本體尤其優(yōu)選經(jīng)過鑄造或切割加工形成的整體結(jié)構(gòu)，在該整體結(jié)構(gòu)中具有多個空腔，所述溫度控制模塊、載流氣體進(jìn)氣模塊、喂料模塊、排氣模塊均被設(shè)置在各個空腔內(nèi)，除了這些空腔以外，該整體結(jié)構(gòu)由實(shí)心的均一的本體材料構(gòu)成。作為本發(fā)明技術(shù)方案的一種優(yōu)選，所述蒸鍍源本體的材料熔融溫度大于400°C、熱導(dǎo)性大于20w/mk。本發(fā)明選擇耐高溫、導(dǎo)熱性好的材料如金、銀、銅、鉬、鈦、鎢、不銹鋼、氧化鋁陶瓷、 碳化硅陶瓷、氮化硅陶瓷、氮化鋁陶瓷、玻璃陶瓷、石英陶瓷或石墨陶瓷作為蒸鍍源本體材料，熔點(diǎn)高、導(dǎo)熱性好。作為本發(fā)明技術(shù)方案的一種優(yōu)選，所述蒸鍍源本體的材料為鋁、銅、不銹鋼、鎢、碳
化硅陶瓷、氮化鋁陶瓷、石墨或石墨陶瓷。作為本發(fā)明技術(shù)方案的一種優(yōu)選，所述溫度控制模塊包括加熱器和熱電偶。 本發(fā)明的熱電偶用于測量蒸鍍源本體的溫度，所述熱電偶和所述加熱器之間連接有溫度控制器，所述溫度控制器位于所述蒸鍍源本體之外，通過熱電偶對溫度的反饋實(shí)現(xiàn)溫度控制模塊對溫度的控制，溫度均勻易控、鍍膜均勻性好、厚度可調(diào)節(jié)性高，從而可對較大尺寸的非柔性基板如玻璃基板、金屬基板或有機(jī)基板鍍膜。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述加熱器為電阻加熱器、紅外加熱器或紫外加熱器。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述溫度控制模塊包括多個加熱器和多個熱電偶。采用多組加熱器和熱電偶的配合可以產(chǎn)生多個溫度控制區(qū)，實(shí)現(xiàn)多區(qū)域溫度控制，進(jìn)一步提高蒸鍍源本體的溫度均勻性。作為本發(fā)明技術(shù)方案的一種優(yōu)選，所述載流氣體進(jìn)氣模塊包括載流氣體分布管和與之相連通的載流氣體進(jìn)氣口，所述載流氣體分布管的材料熔融溫度大于400°C，所述載流氣體分布管為中空管，所述載流氣體分布管的側(cè)壁上分布有多個第一小孔，所述上下相鄰第一小孔的間距從進(jìn)氣口往下逐漸變小。本發(fā)明通過對載流氣體的結(jié)構(gòu)、材料和第一小孔的間距的優(yōu)化使載流氣體分布更均勻，從而使源材料蒸汽運(yùn)行速度更均勻，從而使源材料蒸汽均勻沉積到基板上，形成厚度均勻的鍍膜。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述第一小孔的直徑從進(jìn)氣口往下逐漸增大。通過對小孔直徑的優(yōu)化可加強(qiáng)載流氣體分布的均勻性。作為本發(fā)明技術(shù)方案的一種優(yōu)選，所述喂料模塊包括兩個以上的源材料室、與所述源材料室相通的兩個以上的源材料蒸汽噴射口，面對所述載流氣體模塊的所述源材料室的第一側(cè)面以及所述第一側(cè)面的相對面分布有多個第二小孔。所述源材料室的上方設(shè)有位于所述蒸鍍源本體之外的喂料機(jī)和料倉，通過所述喂料機(jī)和料倉實(shí)現(xiàn)對所述源材料室的喂料。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述源材料室與所述源材料蒸汽噴射口之間還設(shè)有緩沖室。載流氣體從所述載流氣體分布管的側(cè)孔噴出后流經(jīng)所述源材料室的小孔壁，將源材料蒸汽帶到所述緩沖室，進(jìn)一步進(jìn)行對流和混合，將源材料蒸汽從所述噴射口更均勻地噴射到基板上。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述源材料室的第二小孔的孔徑為0. OOlmm 5mm。作為本發(fā)明技術(shù)方案的一種優(yōu)選，所述排氣模塊包括廢氣排氣口以及與所述廢氣排氣口相連的排氣管路。所述蒸鍍源外接有真空泵與所述排氣管路相連，載流氣體帶著少量未被使用的源材料蒸汽進(jìn)入所述廢氣排氣口，經(jīng)過所述排氣管路被真空泵抽出。由于所述蒸鍍源一體化設(shè)計的優(yōu)越性，排氣管道的溫度與進(jìn)氣口管道溫度相同，所以未被使用的源材料蒸氣不會在所述蒸鍍源內(nèi)形成鍍膜，保證了蒸鍍源的內(nèi)部清潔度和溫度的穩(wěn)定性。作為本發(fā)明技術(shù)方案的一種優(yōu)選，所述絕熱模塊由絕熱板組成。所述絕熱模塊的設(shè)置可以進(jìn)一步提高蒸鍍源內(nèi)的溫度均勻性，減少能量損失，降低對待鍍膜的基板的溫度影響。作為本發(fā)明技術(shù)方案的一種優(yōu)選，所述真空腔體室能承受Imtorr Iatm的氣壓。本發(fā)明的第二技術(shù)目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種掃描鍍膜組件，包括多個所述掃描鍍膜裝置。本發(fā)明的掃描鍍膜組件可同時對多基板進(jìn)行氣相傳輸沉積，使得生產(chǎn)效率提高若干倍。綜上所述，本發(fā)明具有以下有益效果1、本發(fā)明的蒸鍍源與基板的相互位置關(guān)系以及蒸鍍源的結(jié)構(gòu)使所述掃描鍍膜裝置實(shí)現(xiàn)了同時對兩片無邊框的基板連續(xù)進(jìn)行氣相傳輸沉積鍍膜，使得生產(chǎn)效率加倍；大幅提高源材料利用率；減少所述掃描鍍膜裝置的腔體壁上形成鍍膜，裝置外壁清潔；降低了設(shè)備維護(hù)費(fèi)用和生產(chǎn)成本；基板邊緣鍍膜均勻；2、本發(fā)明將組成鍍膜設(shè)備的各功能模塊整合在蒸鍍源本體中，可以達(dá)到穩(wěn)定均勻的溫度控制，組成結(jié)構(gòu)簡潔緊湊、整體熱導(dǎo)性好、熔點(diǎn)高、溫度穩(wěn)定、源材料利用率高的蒸鍍源。3、本發(fā)明的掃描鍍膜組件可同時對多基板進(jìn)行氣相傳輸沉積，使得生產(chǎn)效率提高若干倍。


圖1是本發(fā)明掃描鍍膜裝置中的一種實(shí)施例的蒸鍍源的示意圖；圖2是本發(fā)明掃描鍍膜裝置的示意圖；圖3是本發(fā)明蒸鍍源的溫度控制模塊和溫度控制器的連接示意圖；圖4是本發(fā)明的載流氣體進(jìn)氣模塊、喂料模塊、排氣模塊的示意圖；圖5是本發(fā)明蒸鍍源的載流氣體分布管的示意圖；圖6A是傳統(tǒng)鍍膜裝置的示意圖；圖6B是傳統(tǒng)鍍膜裝置的側(cè)視圖；圖7A是本發(fā)明掃描鍍膜裝置的示意圖；圖7B是本發(fā)明掃描鍍膜裝置的側(cè)視圖；圖8是本發(fā)明掃描鍍膜組件的側(cè)視圖；圖中，1-蒸鍍源；2-蒸鍍源本體；3-熱電偶孔；4-加熱器孔；5-加熱器；6_溫度控制器；7-熱電偶；8-載流氣體分布管；9-源材料室；10-緩沖室；11-噴射口 ；12-基板；13-廢氣排氣口 ； 14-排氣管路；15-真空腔體室；16-第一小孔；17-載流氣體進(jìn)氣口 ； 18-喂料機(jī)；19-料倉；20-氣體流量控制器；21-真空泵；22-蒸鍍源工作面；23-絕熱模塊； 24-傳統(tǒng)鍍膜源；25-邊框。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。如圖6A和6B所示，傳統(tǒng)鍍膜裝置在基板的周圍安裝有邊框25，基板與水平面垂直。傳統(tǒng)鍍膜裝置的基板傳動和運(yùn)輸結(jié)構(gòu)復(fù)雜，只能進(jìn)行單基板鍍膜，生產(chǎn)效率低；并且，由于傳統(tǒng)鍍膜源M的結(jié)構(gòu)為分體式，各功能模塊特別是載流氣體進(jìn)氣模塊與排氣模塊分別獨(dú)立存在，排氣管道的溫度與進(jìn)氣口管道溫度相差較大，所以未被使用的源材料蒸氣容易在傳統(tǒng)傳統(tǒng)鍍膜源M的外壁形成鍍膜，導(dǎo)致源材料利用率降低，設(shè)備維護(hù)費(fèi)用增加。如圖7A和7B所示，本發(fā)明的掃描鍍膜裝置包括蒸鍍源1、包圍蒸鍍源1的真空腔體室15和基板傳輸模塊，蒸鍍源工作面22與基板12平行，蒸鍍源1具有相背的兩個蒸鍍源工作面22，蒸鍍源工作面22與水平面所成角度為65 115°，基板傳輸模塊可以是機(jī)械手或其他可使基板保持所述角度運(yùn)行的裝置。如圖1所示，本發(fā)明掃描鍍膜裝置的蒸鍍源1為一體化結(jié)構(gòu)，包括溫度控制模塊 (見圖幻、載流氣體進(jìn)氣模塊(見圖4和圖5)、喂料模塊、排氣模塊和絕熱模塊23，各模塊均位于一個蒸鍍源本體2中，蒸鍍源本體2為經(jīng)過鑄造或切割加工形成的整體結(jié)構(gòu)。在蒸鍍源1中挖空一些位置如熱電偶孔3、加熱器孔4放置所需的模塊或設(shè)備。如圖3所示，溫度控制模塊包括加熱器5和熱電偶7，加熱器5和熱電偶7之間連接有位于蒸鍍源本體2之外的溫度控制器6。加熱器5放置在加熱器孔4中，熱電偶7放置在熱電偶孔 3中。當(dāng)然，蒸鍍源1中其余模塊的組成設(shè)備也是放在相應(yīng)的孔中，在圖中不一一列出相應(yīng)的孔。如圖4所示，載流氣體進(jìn)氣模塊包括載流氣體分布管8和與之相連通的載流氣體進(jìn)氣口 17，載流氣體進(jìn)氣口 17與外接的氣體流量控制器20相連。排氣模塊包括廢氣排氣口 13以及與廢氣排氣口 13相連的排氣管路14，排氣管路14再依次與外接的閥門和真空泵 21相連。如圖1和圖4所示，喂料模塊包括源材料室9和與源材料室9相通的源材料蒸汽噴射口 11，源材料室的上方連接有位于蒸鍍源本體2之外的喂料機(jī)18和料倉19。面對載流氣體模塊的源材料室的第一側(cè)面以及第一側(cè)面的相對面分布有多個第二小孔。實(shí)施例一蒸鍍源本體的材料為碳化硅陶瓷，熔融溫度為2700°C、熱導(dǎo)性為360w/mk。選擇耐高溫、導(dǎo)熱性好的材料作為蒸鍍源本體2的材料，并將組成鍍膜設(shè)備的各功能模塊整合在一個單體結(jié)構(gòu)即蒸鍍源本體2中，可以達(dá)到穩(wěn)定均勻的溫度控制，組成結(jié)構(gòu)簡潔緊湊、整體熱導(dǎo)性好、熔點(diǎn)高、溫度穩(wěn)定、源材料利用率高的蒸鍍源1。如圖1所示，溫度控制模塊包括兩對電阻加熱器5和兩個熱電偶7，電阻加熱器5 和熱電偶7之間連接有位于蒸鍍源本體2之外的溫度控制器6。載流氣體進(jìn)氣模塊包括兩個載流氣體分布管8和兩個載流氣體進(jìn)氣口 17 ；喂料模塊包括兩個源材料室9和兩個噴射口 11 ；排氣模塊包括兩個廢氣排氣口 13和兩個排氣管路14。源材料室9與源材料蒸汽噴射口 11之間設(shè)有緩沖室10。噴射口 11所在平面為蒸鍍源工作面22，蒸鍍源工作面22與水平面所成角度為115°。載流氣體分布管8的材料為鎢，熔融溫度為3400°C、熱導(dǎo)性為180w/mk。如圖5所示，載流氣體分布管8為中空管，載流氣體的側(cè)壁上分布有多個第一小孔 16，上下相鄰的第一小孔16的間距從進(jìn)氣口 17往下逐漸變小，第一小孔16的直徑從進(jìn)氣口往下逐漸增大。面對載流氣體模塊的源材料室的第一側(cè)面以及第一側(cè)面的相對面分布的多個第二小孔的孔徑為0. 5mm。蒸鍍源本體2為立方體結(jié)構(gòu)，絕熱模塊23由六塊正方形絕熱板組成，包圍蒸鍍源本體2的外表面。除了需要與外界連接的地方，如載流氣體進(jìn)氣口 17和廢氣排氣口 13等， 蒸鍍源本體2的所有表面都被絕熱材料包圍，這樣進(jìn)一步提高單體內(nèi)的溫度均勻性，減少能量損失，降低對基板溫度的影響。實(shí)施例二如圖2所示，掃描鍍膜裝置包括蒸鍍源1、包圍蒸鍍源1的真空腔體室15和基板傳輸模塊，蒸鍍源工作面22與基板12平行，如圖7B所示，蒸鍍源工作面22與水平面所成角度為80°。與實(shí)施例一不同的是，蒸鍍源1中的溫度控制模塊包括三對電阻加熱器5、與電阻加熱器5相連的三個溫度控制器6以及與溫度控制器6相連的三個熱電偶7。蒸鍍源本體材料為石墨陶瓷，熔融溫度為3500°C、熱導(dǎo)性為150w/mk。載流氣體分布管8的材料為氮化鋁，熔融溫度為3000°C、熱導(dǎo)性為^5w/mk。源材料室的第二小孔的孔徑為0. 001mm。該掃描鍍膜裝置特別適用于源材料為金屬材料和其他化合物半導(dǎo)體如CdS，CdTe， CIGS的鍍膜。
實(shí)施例三掃描鍍膜裝置同實(shí)施例二，蒸鍍源工作面22與水平面所成角度為95°。蒸鍍源本體材料為不銹鋼，熔融溫度為1400°C、熱導(dǎo)性為70w/mk。載流氣體分布管8的材料為碳化硅，熔融溫度為2700°C、熱導(dǎo)性為360w/mk。源材料室的第二小孔的孔徑為5mm。蒸鍍源本體2為錐柱結(jié)構(gòu)，絕熱模塊23由弧形絕熱板組成，包圍蒸鍍源本體2的外表面。實(shí)施例四如圖8所示，掃描鍍膜組件包括4個掃描鍍膜裝置，同時對8片基板進(jìn)行氣相沉積掃描鍍膜，生產(chǎn)效率比單基板鍍膜提高了 7倍。本具體實(shí)施例僅僅是對本發(fā)明的解釋，其并不是對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀完本說明書后可以根據(jù)需要對本實(shí)施例做出沒有創(chuàng)造性貢獻(xiàn)的修改，但只要在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)都受到專利法的保護(hù)。
權(quán)利要求
1.一種掃描鍍膜裝置，包括鍍膜源、真空腔體室(1 和基板傳輸模塊，其特征在于所述鍍膜源為蒸鍍源(1)，所述蒸鍍源(1)包括溫度控制模塊、載流氣體進(jìn)氣模塊、喂料模塊、 排氣模塊和絕熱模塊(23)，所述溫度控制模塊、載流氣體進(jìn)氣模塊、喂料模塊和排氣模塊模塊均設(shè)置于蒸鍍源本體O)中；所述真空腔體室(1 包圍所述蒸鍍源(1)；所述蒸鍍源具有兩個相背的蒸鍍源工作面(22)，所述蒸鍍源工作面0 與水平面所成角度為65 115°。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種掃描鍍膜裝置，其特征在于所述溫度控制模塊、載流氣體進(jìn)氣模塊、喂料模塊和排氣模塊均位于構(gòu)成所述蒸鍍源本體O)的材料的空腔中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種掃描鍍膜裝置，其特征在于所述蒸鍍源本體O)的材料熔融溫度大于400°C、熱導(dǎo)性大于20w/mk。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種掃描鍍膜裝置，其特征在于所述蒸鍍源本體O)的材料為鋁、銅、不銹鋼、鎢、碳化硅陶瓷、氮化鋁陶瓷或石墨陶瓷。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4任一項(xiàng)所述的一種掃描鍍膜裝置，其特征在于所述溫度控制模塊包括加熱器( 和熱電偶(7)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種掃描鍍膜裝置，其特征在于所述加熱器(5)為電阻加熱器、紅外加熱器或紫外加熱器。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種掃描鍍膜裝置，其特征在于所述溫度控制模塊包括多個加熱器(5)和多個熱電偶(7)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 4任一項(xiàng)所述的一種掃描鍍膜裝置，其特征在于所述載流氣體進(jìn)氣模塊包括載流氣體分布管(8)和與之相連通的載流氣體進(jìn)氣口(17)，所述載流氣體分布管(8)的材料熔融溫度大于400°C，所述載流氣體分布管(8)為中空管，所述載流氣體分布管(8)的側(cè)壁上分布有多個第一小孔(16)，所述上下相鄰第一小孔(16)的間距從進(jìn)氣口往下逐漸變小。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種掃描鍍膜裝置，其特征在于所述第一小孔(16)的直徑從所述載流氣體進(jìn)氣口(17)往下逐漸增大。
10.根據(jù)權(quán)利要求1 4任一項(xiàng)所述的一種掃描鍍膜裝置，其特征在于所述喂料模塊包括兩個以上的源材料室(9)、與所述源材料室(9)相通的兩個以上的源材料蒸汽噴射口 (11)，面對所述載流氣體模塊的所述源材料室(9)的第一側(cè)面以及所述第一側(cè)面的相對面分布有多個第二小孔。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種掃描鍍膜裝置，其特征在于所述源材料室(9)與所述源材料蒸汽噴射口(11)之間還設(shè)有緩沖室(10)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種掃描鍍膜裝置，其特征在于所述源材料室(9)的第二小孔的孔徑為0. OOlmm 5mm。
13.根據(jù)權(quán)利要求1 4任一項(xiàng)所述的一種掃描鍍膜裝置，其特征在于所述排氣模塊包括廢氣排氣口(1 以及與所述廢氣排氣口(1 相連的排氣管路(14)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1 4任一項(xiàng)所述的一種掃描鍍膜裝置，其特征在于所述絕熱模塊 (23)由絕熱板組成。
15.根據(jù)權(quán)利要求1 4任一項(xiàng)所述的一種掃描鍍膜裝置，其特征在于所述真空腔體室(15)能承受Imtorr Iatm的氣壓。
16. 一種掃描鍍膜組件，其特征在于包括兩個或多個如權(quán)利要求1 4任一項(xiàng)所述的掃描鍍膜裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體、LED、太陽能電池領(lǐng)域的鍍膜裝置及鍍膜組件。一種掃描鍍膜裝置包括鍍膜源、真空腔體室和基板傳輸模塊，蒸鍍源包括溫度控制模塊、載流氣體進(jìn)氣模塊、喂料模塊、排氣模塊和絕熱模塊，前四個模塊均設(shè)置于蒸鍍源本體中；真空腔體室包圍蒸鍍源；蒸鍍源具有兩個相背的蒸鍍源工作面，蒸鍍源工作面與水平面所成角度為65～115°。本發(fā)明的蒸鍍源與基板的相互位置關(guān)系以及蒸鍍源的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了同時對兩片基板進(jìn)行連續(xù)的氣相傳輸沉積鍍膜，使得生產(chǎn)效率加倍；大幅提高源材料利用率；減少腔體壁上形成鍍膜，裝置外壁清潔；降低了生產(chǎn)成本；基板邊緣鍍膜均勻。掃描鍍膜組件可同時對多基板進(jìn)行氣相傳輸沉積，使得生產(chǎn)效率提高若干倍。
文檔編號C23C14/24GK102312199SQ201110190208
公開日2012年1月11日 申請日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者梅芳, 趙軍 申請人:上方能源技術(shù)(杭州)有限公司