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藍(lán)寶石基板的加工方法

文檔序號:3412472閱讀:155來源:國知局
專利名稱:藍(lán)寶石基板的加工方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及對作為在表面層疊有光器件層的基板的藍(lán)寶石基板進(jìn)行加工的加工方法。
背景技術(shù)
在光器件制造工序中,在大致圓板形狀的藍(lán)寶石基板的表面層疊由η型氮化物半導(dǎo)體層和P型氮化物半導(dǎo)體層構(gòu)成的光器件層,在由形成為格子狀的多條間隔道劃分出的多個區(qū)域形成發(fā)光二極管、激光二極管等光器件,從而構(gòu)成光器件晶片。接著,通過沿間隔道切斷光器件晶片,從而將形成有光器件的區(qū)域分割開,以制造出一個一個的光器件。(例如,參照專利文獻(xiàn)1。)藍(lán)寶石基板在被從藍(lán)寶石晶塊(sapphire ingot)切出后,通過實(shí)施研磨、拋光等加工而形成為均勻的厚度,然后通過對表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)加工,而形成為表面粗糙度在0. 01 μ m以下的平滑面。在如此地形成為平滑面的藍(lán)寶石基板的表面層疊由η型氮化物半導(dǎo)體層和P型氮化物半導(dǎo)體層構(gòu)成的光器件層,來形成光器件晶片。(例如,參照專利文獻(xiàn)2。)專利文獻(xiàn)1 日本專利第觀59478號專利文獻(xiàn)2 日本特開2006-347776號公報(bào)然而,在將藍(lán)寶石基板從藍(lán)寶石晶塊切出并實(shí)施研磨、拋光等加工而形成為均勻的厚度后,在通過化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)將藍(lán)寶石基板的表面精加工成表面粗糙度在 0. 01 μ m以下時,需要相當(dāng)長的加工時間,并且存在游離磨粒、化學(xué)性的蝕刻液,而且需要對它們進(jìn)行廢棄處理,因此存在著生產(chǎn)率差的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是鑒于上述事實(shí)而完成的,其主要的技術(shù)課題在于提供一種藍(lán)寶石基板的加工方法,能夠高效地精加工成使表面粗糙度在0. 01 μ m以下。為了解決上述主要的技術(shù)課題,根據(jù)本發(fā)明,提供一種藍(lán)寶石基板的加工方法,其是對作為在表面層疊光器件層的基板的藍(lán)寶石基板進(jìn)行加工的加工方法,其特征在于,該藍(lán)寶石基板的加工方法包括以下工序第一磨削工序,將從藍(lán)寶石晶塊切出的藍(lán)寶石基板的一個面?zhèn)缺3钟谀ハ餮b置的卡盤工作臺,并對藍(lán)寶石基板的另一個面進(jìn)行磨削,將藍(lán)寶石基板的所述另一個面上的起伏除去;第二磨削工序,將實(shí)施過所述第一磨削工序的藍(lán)寶石基板的所述另一個面?zhèn)缺3钟谀ハ餮b置的卡盤工作臺,并對藍(lán)寶石基板的所述一個面進(jìn)行磨削,將藍(lán)寶石基板的所述一個面上的起伏除去;以及表面研磨工序,將實(shí)施過所述第二磨削工序的藍(lán)寶石基板的所述一個面或者所述另一個面作為背面而保持于研磨裝置的卡盤工作臺,利用通過橡膠材料將二氧化硅顆粒固定而構(gòu)成的研磨墊,對藍(lán)寶石基板的表面進(jìn)行干式研磨,將該表面精加工成使表面粗糙度在Ο.ΟΙμπι以下。優(yōu)選的是,在該藍(lán)寶石基板的加工方法中實(shí)施背面研磨工序,在該背面研磨工序中,將實(shí)施過所述表面研磨工序的藍(lán)寶石基板的表面?zhèn)缺3钟谘心パb置的卡盤工作臺,利用所述研磨墊對所述背面進(jìn)行干式研磨,將磨削形變除去。本發(fā)明的藍(lán)寶石基板的加工方法包括第一磨削工序,將從藍(lán)寶石晶塊切出的藍(lán)寶石基板的一個面?zhèn)缺3钟谀ハ餮b置的卡盤工作臺,并對藍(lán)寶石基板的另一個面進(jìn)行磨削,將藍(lán)寶石基板的所述另一個面上的起伏除去;第二磨削工序,將實(shí)施過第一磨削工序的藍(lán)寶石基板的所述另一個面?zhèn)缺3钟谀ハ餮b置的卡盤工作臺,并對藍(lán)寶石基板的所述一個面進(jìn)行磨削,將藍(lán)寶石基板的所述一個面上的起伏除去;以及表面研磨工序,將實(shí)施過第二磨削工序的藍(lán)寶石基板的所述一個面或者所述另一個面作為背面而保持于研磨裝置的卡盤工作臺,利用通過橡膠材料將二氧化硅顆粒固定而構(gòu)成的研磨墊,對藍(lán)寶石基板的表面進(jìn)行干式研磨,將該表面精加工成使表面粗糙度在0. 01 μ m以下,因此不用像現(xiàn)有的加工方法中的研磨、拋光和CMP那樣需要游離磨粒、化學(xué)性的蝕刻液以及對它們的廢棄處理,能夠提高生產(chǎn)率。特別是由于在表面研磨工序中利用通過橡膠材料將二氧化硅顆粒固定而構(gòu)成的研磨墊進(jìn)行干式研磨,因此研磨墊的二氧化硅(SiO2)與藍(lán)寶石(AW3)發(fā)生反應(yīng)而生成粉末狀的莫來石(SiO2AlO3),能夠在短時間內(nèi)使藍(lán)寶石基板的表面形成為表面粗糙度在 O-Olym以下的平滑面。


圖1是利用本發(fā)明的藍(lán)寶石基板的加工方法進(jìn)行加工的、從藍(lán)寶石晶塊切出的藍(lán)寶石基板的立體圖。圖2是本發(fā)明的藍(lán)寶石基板的加工方法中的保護(hù)部件粘貼工序的說明圖。圖3是本發(fā)明的藍(lán)寶石基板的加工方法中的第一磨削工序的說明圖。圖4是本發(fā)明的藍(lán)寶石基板的加工方法中的保護(hù)部件剝離工序的說明圖。圖5是本發(fā)明的藍(lán)寶石基板的加工方法中的第二磨削工序的說明圖。圖6是本發(fā)明的藍(lán)寶石基板的加工方法中的表面研磨工序的說明圖。圖7是本發(fā)明的藍(lán)寶石基板的加工方法中的保護(hù)帶粘貼工序的說明圖。圖8是本發(fā)明的藍(lán)寶石基板的加工方法中的背面研磨工序的說明圖。標(biāo)號說明2 藍(lán)寶石基板;3 襯底;4 磨削裝置;41 磨削裝置的卡盤工作臺;42 磨削構(gòu)件; 424 磨輪;4 磨削磨具;5 研磨裝置;51 研磨裝置的卡盤工作臺;52 研磨構(gòu)件;5 研磨工具;5 研磨墊;6 保護(hù)帶。
具體實(shí)施例方式以下,對本發(fā)明的藍(lán)寶石基板的加工方法的優(yōu)選的實(shí)施方式參照附圖詳細(xì)地進(jìn)行說明。在圖1中示出了從藍(lán)寶石晶塊切出的藍(lán)寶石基板2。圖1所示的藍(lán)寶石基板2形成為例如厚度為600 μ m。在這樣從藍(lán)寶石晶塊切出的藍(lán)寶石基板2的表面加和背面2b形成有起伏20。如圖2所示,如此形成的藍(lán)寶石基板2的一個面(在圖示的實(shí)施方式中為背面2b)通過涂布在厚度均勻的襯底3的表面的石蠟等凹凸吸收粘接層30而粘貼于該襯底 3 (保護(hù)部件粘貼工序)。在實(shí)施保護(hù)部件粘貼工序后,實(shí)施第一磨削工序,在該第一磨削工序中,將藍(lán)寶石基板的一個面?zhèn)缺3钟谀ハ餮b置的卡盤工作臺并對藍(lán)寶石基板的另一個面進(jìn)行磨削,將藍(lán)寶石基板的另一個面的起伏除去。該第一磨削工序采用圖3的(a)所示的磨削裝置4實(shí)施。 圖3的(a)所示的磨削裝置4具備保持被加工物的卡盤工作臺41 ;和對保持于該卡盤工作臺41的被加工物進(jìn)行磨削的磨削構(gòu)件42。卡盤工作臺41在上表面吸引保持被加工物, 并使其向圖3的(a)的箭頭41a所示的方向旋轉(zhuǎn)。磨削構(gòu)件42具備主軸殼體421 ;旋轉(zhuǎn)主軸422,該旋轉(zhuǎn)主軸422以能夠自如旋轉(zhuǎn)的方式支撐于該主軸殼體421,并通過未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)進(jìn)行旋轉(zhuǎn);裝配部423,該裝配部423裝配于該旋轉(zhuǎn)主軸422的下端;以及磨輪424,該磨輪似4安裝于該裝配部423的下表面。該磨輪424由圓環(huán)狀的基座425和呈環(huán)狀地裝配于該基座425的下表面的磨削磨具4 構(gòu)成,基座425通過緊固螺栓427安裝在裝配部423的下表面。在使用上述的磨削裝置4實(shí)施上述第一磨削工序時,如圖3的(a)所示,將粘貼在上述藍(lán)寶石基板2的背面2b的襯底3側(cè)載置于卡盤工作臺41的上表面(保持面)。接著,利用未圖示的吸引構(gòu)件將藍(lán)寶石基板2吸附保持于卡盤工作臺41上(藍(lán)寶石基板保持工序)。由此,保持在卡盤工作臺41上的藍(lán)寶石基板2的表面加處于上側(cè)。在如此地將藍(lán)寶石基板2吸引保持于卡盤工作臺41上后,一邊使卡盤工作臺41向圖3的(a)中箭頭 41a所示的方向以例如500rpm的速度旋轉(zhuǎn),一邊使磨削構(gòu)件42的磨輪424向圖3的(a)中箭頭42 所示的方向以例如IOOOrpm的速度旋轉(zhuǎn),并如圖3 (b)所示,使磨削磨具4 與作為被加工面的藍(lán)寶石基板2的表面加接觸,對磨輪4 如圖3的(a)和圖3的(b)中箭頭 424b所示以預(yù)定的磨削進(jìn)給速度(例如0. 1 μ m/秒)向下方(相對于卡盤工作臺41的保持面垂直的方向)進(jìn)行例如IOOym的磨削進(jìn)給。在該第一磨削工序中,磨輪4 和藍(lán)寶石基板2被定位成呈環(huán)狀地裝配于磨輪424的基座425的下表面的磨削磨具似6通過藍(lán)寶石基板2的中心。其結(jié)果是,藍(lán)寶石基板2的表面加被與襯底3的表面平行地磨削,形成于藍(lán)寶石基板2的表面加的起伏20被除去。在實(shí)施了上述第一磨削工序后,如圖4所示,將實(shí)施過上述第一磨削工序的藍(lán)寶石基板2從襯底3剝離(保護(hù)部件剝離工序)。接下來,實(shí)施第二磨削工序,在該第二磨削工序中,將實(shí)施過上述第一磨削工序的、從襯底3剝離下來的藍(lán)寶石基板的另一個面?zhèn)缺3钟谀ハ餮b置的卡盤工作臺,并對藍(lán)寶石基板的一個面進(jìn)行磨削,以除去藍(lán)寶石基板的一個面上的起伏。該第二磨削工序采用上述圖3的(a)所示的磨削裝置4實(shí)施。S卩,如圖5(a)所示,將實(shí)施過上述的第一磨削工序并從襯底3剝離下來的藍(lán)寶石基板2的表面加側(cè)載置于卡盤工作臺41的上表面(保持面)。接著,通過未圖示的吸引構(gòu)件將藍(lán)寶石基板2吸附保持于卡盤工作臺41上(藍(lán)寶石基板保持工序)。由此,保持于卡盤工作臺41上的藍(lán)寶石基板2的背面2b處于上側(cè)。在如此地將藍(lán)寶石基板2吸引保持于卡盤工作臺41上后,與上述第一磨削工序一樣,一邊使卡盤工作臺41向圖5的(a)中箭頭41a所示的方向以例如500rpm的速度旋轉(zhuǎn),一邊使磨削構(gòu)件42的磨輪424向圖5的(a)中箭頭42 所示的方向以例如IOOOrpm的速度旋轉(zhuǎn),并如圖5的(b)所示地使磨削磨具4 與作為被加工面的藍(lán)寶石基板2的背面2b接觸,對磨輪 424如圖5的(a)和圖5的(b)中箭頭424b所示地以預(yù)定的磨削進(jìn)給速度(例如0. 1 μ m/ 秒)向下方(相對于卡盤工作臺41的保持面垂直的方向)進(jìn)行例如100 μ m的磨削進(jìn)給。 另外,該第二磨削工序也與上述第一磨削工序一樣,磨輪似4和藍(lán)寶石基板2被定位成呈環(huán)狀地裝配于磨輪424的基座425的下表面的磨削磨具4 通過藍(lán)寶石基板2的中心。其結(jié)果是,藍(lán)寶石基板2的背面2b被與表面加平行地磨削,均勻地形成例如400 μ m的厚度, 并且,形成于藍(lán)寶石基板2的背面2b的起伏20被除去。在實(shí)施過上述的第二磨削工序后,實(shí)施表面研磨工序,在該表面研磨工序中,將藍(lán)寶石基板的背面?zhèn)缺3钟谘心パb置的卡盤工作臺并對藍(lán)寶石基板的表面進(jìn)行研磨,精加工成使表面粗糙度在0.01 μ m以下。該表面研磨工序采用圖6的(a)所示的研磨裝置5實(shí)施。 圖6的(a)所示的研磨裝置5具備保持被加工物的卡盤工作臺51和對保持于該卡盤工作臺51的被加工物進(jìn)行研磨的研磨構(gòu)件52??ūP工作臺51在上表面吸引保持被加工物,并使其向圖6的(a)中箭頭51a所示的方向旋轉(zhuǎn)。研磨構(gòu)件52具備主軸殼體521 ;旋轉(zhuǎn)主軸522,該旋轉(zhuǎn)主軸522以能夠自如旋轉(zhuǎn)的方式支撐于該主軸殼體521,并通過未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)進(jìn)行旋轉(zhuǎn);裝配部523,該裝配部523裝配于該旋轉(zhuǎn)主軸522的下端;以及研磨工具524,該研磨工具5 安裝于該裝配部523的下表面。該研磨工具524由圓板狀的基座525和裝配于該基座525的下表面的研磨墊5 構(gòu)成,基座525通過緊固螺栓527安裝在裝配部523的下表面。另外,研磨墊5 采用通過橡膠材料將二氧化硅顆粒固定而構(gòu)成的研磨墊,這一點(diǎn)很重要。該研磨墊5 例如可以這樣形成將粒徑在50 μ m以下的二氧化硅(SiO2)顆粒和粒徑在500 μ m以下的丁腈橡膠(NBR)顆粒以重量比為95 70 5 30 的比例混合,并對該二氧化硅(SiO2)顆粒與丁腈橡膠(NBR)顆粒的混合物以200 1200N/ cm2的成型壓力進(jìn)行壓縮成型,在該壓縮成型后的狀態(tài)下,在150 190°C的燒結(jié)溫度進(jìn)行 4 10小時的燒結(jié)。此外,研磨墊526的直徑形成為比作為被加工物的藍(lán)寶石基板2的直徑大的值。在使用上述的研磨裝置5實(shí)施上述表面研磨工序時,如圖6的(a)所示,將實(shí)施過上述第二磨削工序的藍(lán)寶石基板2的背面2b側(cè)載置于卡盤工作臺51的上表面(保持面)。 接著,利于未圖示的吸引構(gòu)件將藍(lán)寶石基板2吸附保持于卡盤工作臺51上(藍(lán)寶石基板保持工序)。由此,保持在卡盤工作臺51上的藍(lán)寶石基板2的表面加處于上側(cè)。在如此將藍(lán)寶石基板2吸引保持于卡盤工作臺51上后,一邊使卡盤工作臺51向圖6的(a)中箭頭51a 所示的方向以例如60rpm的速度旋轉(zhuǎn),一邊使研磨構(gòu)件52的研磨工具524向圖6的(a)中箭頭52 所示的方向以例如1200rpm的速度旋轉(zhuǎn),并如圖6(b)所示地使研磨墊526與作為被加工面的藍(lán)寶石基板2的表面加接觸,以預(yù)定的壓力(例如,100N)進(jìn)行按壓來實(shí)施干式研磨。在該表面研磨工序中,研磨墊5 和藍(lán)寶石基板2被定位成在彼此的旋轉(zhuǎn)中心偏心的狀態(tài)下,研磨墊526的研磨面(下表面)與藍(lán)寶石基板2的被加工面即表面加的整個面接觸。這樣,在使用通過橡膠顆粒使二氧化硅(SiO2)顆粒固定而成的研磨墊5 研磨藍(lán)寶石(AlO3)基板2時,二氧化硅(SiO2)與藍(lán)寶石(AlO3)發(fā)生反應(yīng)而生成粉末狀的莫來石(SiO2AlO3),由此,藍(lán)寶石基板2的表面加被研磨,在表面加產(chǎn)生的加工形變被除去, 并且能夠?qū)⒈砻婕有纬蔀楸砻娲植诙仍?. 0002 μ m以下的平滑面。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明人等的實(shí)驗(yàn),通過實(shí)施上述的表面研磨工序,能夠在一分鐘內(nèi)研磨0. 6 μ m(0. 6 μ m/分鐘),若從藍(lán)寶石基板的表面進(jìn)行3 μ m的研磨,則能夠形成表面粗糙度為0. 0002 μ m的平滑面。因此,通過實(shí)施5分鐘的上述表面研磨工序,能夠?qū)⑺{(lán)寶石基板的表面精加工成表面粗糙度為0. 0002 μ m的平滑面。另一方面,由于CMP的加工速度為0. 06 μ m/分鐘,因此對藍(lán)寶石基板的表面進(jìn)行3 μ m的CMP加工需要50分鐘的加工時間。通過這樣實(shí)施本發(fā)明的研磨加工,能夠?qū)⒓庸r間縮短至CMP的十分之另外,實(shí)施過上述第二磨削工序的藍(lán)寶石基板2在如上所述地對表面加進(jìn)行研磨后,表面加側(cè)存在著呈凹狀地翹曲的傾向,因此優(yōu)選對背面2b也進(jìn)行研磨。研磨該藍(lán)寶石基板2的背面2b的背面研磨工序采用上述圖6的(a)所示的研磨裝置5實(shí)施。另外,在實(shí)施背面研磨工序時,為了保護(hù)實(shí)施過上述表面研磨工序的藍(lán)寶石基板2的表面2a,如圖7所示地在藍(lán)寶石基板2的表面加粘貼保護(hù)帶6 (保護(hù)帶粘貼工序)。在實(shí)施過上述的保護(hù)帶粘貼工序后,實(shí)施上述背面研磨工序。在背面研磨工序中, 如圖8的(a)所示地將粘貼于藍(lán)寶石基板2的表面加的保護(hù)帶6側(cè)載置于卡盤工作臺51 的上表面(保持面)。接著,利用未圖示的吸引構(gòu)件將藍(lán)寶石基板2隔著保護(hù)帶6吸附保持于卡盤工作臺51上(藍(lán)寶石基板保持工序)。由此,保持在卡盤工作臺51上的藍(lán)寶石基板2的背面2b處于上側(cè)。在如此地將藍(lán)寶石基板2隔著保護(hù)帶6吸引保持于卡盤工作臺51上后,與上述表面研磨工序同樣地,一邊使卡盤工作臺51向圖8的(a)中箭頭51a所示的方向以例如60rpm的速度旋轉(zhuǎn),一邊使研磨構(gòu)件52的研磨工具524向圖8的(a)中箭頭52 所示的方向以例如1200rpm的速度旋轉(zhuǎn),并如圖8 (b)所示地使研磨墊526與作為被加工面的藍(lán)寶石基板2的背面2b接觸,以預(yù)定的壓力(例如,100N)進(jìn)行按壓來實(shí)施干式研磨。另外,該背面研磨工序也與上述精加工工序一樣,研磨墊5 和藍(lán)寶石基板2被定位成在彼此的旋轉(zhuǎn)中心偏心的狀態(tài)下,研磨墊526的研磨面(下表面)與藍(lán)寶石基板2的被加工面即背面2b的整個面接觸。其結(jié)果是,藍(lán)寶石基板2的背面2b被研磨,在背面2b 產(chǎn)生的磨削形變被除去,并且與上述精加工工序一樣,能夠?qū)⒈趁?b形成為表面粗糙度在 0. 0002 μ m以下的平滑面。這樣,通過實(shí)施背面研磨工序,除去了產(chǎn)生于藍(lán)寶石基板2的背面2b的磨削形變,能夠防止藍(lán)寶石基板2產(chǎn)生翹曲。如上所述地研磨了表面和背面的藍(lán)寶石基板2被搬送到在表面層疊形成光器件層的光器件層形成工序。在上述的藍(lán)寶石基板的加工方法中,將從藍(lán)寶石晶塊切出的藍(lán)寶石基板的表面或者背面?zhèn)缺3钟谀ハ餮b置的卡盤工作臺,并對藍(lán)寶石基板的表面和背面進(jìn)行磨削,以除去藍(lán)寶石基板的表面和背面的起伏,從而形成為均勻的厚度,然后,將藍(lán)寶石基板的背面?zhèn)缺3钟谘心パb置的卡盤工作臺,并利用通過橡膠材料將二氧化硅顆粒固定而構(gòu)成的研磨墊, 對藍(lán)寶石基板的表面進(jìn)行干式研磨(表面研磨工序),精加工成使表面粗糙度在0. 01 μ m以下,由此,不用像研磨、拋光和CMP那樣需要游離磨粒、化學(xué)性的蝕刻液以及對它們的廢棄處理,能夠提高生產(chǎn)率。特別是在表面研磨工序中,利用通過橡膠材料將二氧化硅顆粒固定而構(gòu)成的研磨墊進(jìn)行干式研磨,因此研磨墊的二氧化硅(SiO2)與藍(lán)寶石(AW3)發(fā)生反應(yīng)而生成粉末狀的莫來石(S^2AlO3),由此,能夠?qū)⑺{(lán)寶石基板的表面在短時間內(nèi)(CMP的十分之一)形成為表面粗糙度在0.01 μ m以下的平滑面。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明人等的實(shí)驗(yàn),確認(rèn)到若對精加工至表面粗糙度為0. 0002 μ m的藍(lán)寶石基板的被加工面以二氧化硅顆粒作為研磨劑進(jìn)行CMP加工的話,能夠在10秒左右的短時間內(nèi)將藍(lán)寶石基板的被加工面精加工至表面粗糙度為0. 0001 μ m。因此,即使將本發(fā)明的加工方法與CMP并用,也能夠以5分零10 秒的加工時間將藍(lán)寶石基板的被加工面精加工至0. 0001 μ m的表面粗糙度。
權(quán)利要求
1.一種藍(lán)寶石基板的加工方法,該藍(lán)寶石基板的加工方法是對作為在表面層疊光器件層的基板的藍(lán)寶石基板進(jìn)行加工的加工方法,其特征在于,該藍(lán)寶石基板的加工方法包括以下工序第一磨削工序,將從藍(lán)寶石晶塊切出的藍(lán)寶石基板的一個面?zhèn)缺3钟谀ハ餮b置的卡盤工作臺,并對藍(lán)寶石基板的另一個面進(jìn)行磨削,將藍(lán)寶石基板的所述另一個面上的起伏除去;第二磨削工序,將實(shí)施過所述第一磨削工序的藍(lán)寶石基板的所述另一個面?zhèn)缺3钟谀ハ餮b置的卡盤工作臺,并對藍(lán)寶石基板的所述一個面進(jìn)行磨削,將藍(lán)寶石基板的所述一個面上的起伏除去;以及表面研磨工序,將實(shí)施過所述第二磨削工序的藍(lán)寶石基板的所述一個面或者所述另一個面作為背面而保持于研磨裝置的卡盤工作臺,利用通過橡膠材料將二氧化硅顆粒固定而構(gòu)成的研磨墊,對藍(lán)寶石基板的表面進(jìn)行干式研磨,將該表面精加工成使表面粗糙度在 Ο.ΟΙμ 以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)寶石基板的加工方法,其中,在該藍(lán)寶石基板的加工方法中實(shí)施背面研磨工序,在該背面研磨工序中,將實(shí)施過所述表面研磨工序的藍(lán)寶石基板的表面?zhèn)缺3钟谘心パb置的卡盤工作臺,利用所述研磨墊對所述背面進(jìn)行干式研磨,將磨削形變除去。
全文摘要
本發(fā)明提供一種藍(lán)寶石基板的加工方法,能高效地精加工至使表面粗糙度在0.01μm以下。該方法包括第一磨削工序,將藍(lán)寶石基板的一個面?zhèn)缺3钟谀ハ餮b置的卡盤工作臺,并對藍(lán)寶石基板的另一個面進(jìn)行磨削,以除去藍(lán)寶石基板的另一個面的起伏;第二磨削工序,將實(shí)施過第一磨削工序的藍(lán)寶石基板的另一個面?zhèn)缺3钟谀ハ餮b置的卡盤工作臺,并對藍(lán)寶石基板的一個面進(jìn)行磨削,以除去藍(lán)寶石基板的一個面的起伏;和表面研磨工序,將實(shí)施過第二磨削工序的藍(lán)寶石基板的一個面或另一個面作為背面保持于研磨裝置的卡盤工作臺,利用通過橡膠材料將二氧化硅顆粒固定而構(gòu)成的研磨墊對藍(lán)寶石基板的表面進(jìn)行干式研磨,精加工成使表面粗糙度在0.01μm以下。
文檔編號B24B37/00GK102189485SQ20111003431
公開日2011年9月21日 申請日期2011年2月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月10日
發(fā)明者不破德人, 北野元己, 梅田桂男 申請人:株式會社迪思科
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