專利名稱：含鉿和鋯的前體及使用它的方法
技術(shù)領域：
所公開的含鉿和鋯的前體可用于制造半導體器件、光生伏打器件、IXD-TFT器件或平板型器件的氣相沉積方法中，優(yōu)選ALD或PEALD中。
背景技術(shù)：
工業(yè)面臨的一個嚴重挑戰(zhàn)為開發(fā)用于DRAM和電容器的新柵極介電材料。數(shù)十年來，二氧化硅(SiO2)為可靠的電介質(zhì)。然而，因為晶體管不斷縮小，且技術(shù)已經(jīng)從“全Si”晶體管轉(zhuǎn)至“金屬柵極/高k”晶體管，所以基于SiO2的柵極電介質(zhì)的可靠性將達到其物理極限。一個解決方案為使用其他柵極介電材料，如基于鉿或基于鋯的金屬氧化物。這些高k材料(如此命名是因為其介電常數(shù)高)可制造得遠比SiO2厚，同時獲得相同的柵極電容。具有取代的環(huán)戊二烯基配體的含鉿和鋯的氨基化合物已有描述。參見例 如 Niinisto 等人，Journal of Materials Chemistry(2008),18(43), 5243-5247 ；TriChemical Laboratories,Inc 的 W02007/066546 ;L' Air Liquide Societe Anonyme PourL ' etude et L ' exploitation Des Procedes Georges Claude 的 W02007/140813 ；DNF Co Ltd 的 KR2007-0121281 ;Barry 等人的 US2008/0102205 ;UP Chemical Co Ltd 的KR10-2008-0101040 ’及 Sigma-Aldrich Co 的 W02009/036046。這些分子的穩(wěn)定性可導致較窄的沉積工藝窗(window)。因此仍需要含鉿和鋯的新前體。

發(fā)明內(nèi)容
符號和術(shù)語以下說明書和權(quán)利要求書中使用特定術(shù)語來表示各種組件及組分。本文使用元素周期表中元素的標準縮寫。應理解元素可由這些縮寫表示(例如，Hf是指鉿，Zr是指錯，Pd是指鈕，Co是指鈷,等)。如本文所用，術(shù)語“脂族基團”是指有機化合物(其為以開鏈方式連接的碳原子)的基團，如烷烴、烯烴和炔烴；術(shù)語“烷基”是指只含有碳原子和氫原子的飽和官能基團。此夕卜，術(shù)語“烷基”是指線性烷基、支化烷基或環(huán)烷基。線性烷基的實例包括但不限于甲基、乙基、丙基、丁基等。支化燒基的實例包括但不限于異丙基、叔丁基等。環(huán)燒基的實例包括但不限于環(huán)丙基、環(huán)戊基、環(huán)己基等。如本文所用，縮寫“CHD”是指環(huán)己二烯基；縮寫“Cp”是指環(huán)戊二烯基；縮寫“Me”是指甲基；縮寫“Et”是指乙基；縮寫“iPr”是指異丙基；縮寫“t-Bu”是指叔丁基。如本文所用，當術(shù)語“獨立地”用于描述R基時，應理解為表示個體R基不僅相對于帶有相同或不同下標或上標的其他R基獨立地選擇，而且相對于任何其他種類的相同R基獨立地選擇。舉例而言，在式MR1x(NR2R3)Ix)中，其中X為2或3，該2或3個R1基可以但不必須彼此相同或與R2或與R3相同。此外，應理解除非特別說明，否則當用于不同式中時，R基的涵義彼此獨立。發(fā)明摘要
本發(fā)明公開了具有式ML (NR7R8) 3的化合物，其中M為Hf或Zr，L為環(huán)己二烯基配體或五甲基環(huán)戊二烯基配體，且R7和R8獨立地選自H或具有I至6個碳原子的脂族基團(優(yōu)選脂族結(jié)構(gòu)部分)。所公開的化合物可包括一個或多個以下方面 化合物選自(五甲基環(huán)戊二烯基)三(二甲基氨基)鉿或(五甲基環(huán)戊二烯基)二( ~■甲基氣基)錯； L為環(huán)己二烯基配體且化合物具有下式
rLR5 R3 j R4 -M'[Sj-Ry
R7, N R8/ ' 0
Ra Rr
j其中VmR5和R6獨立地選自H或具有I至6個碳原子的脂族基團(優(yōu)選脂族結(jié)構(gòu)部分)； R1' R2、R3、R4、R5 和 R6 中至少 3 個不為 H ;及 化合物為(三甲基環(huán)己二烯基)三(二甲基氨基)鉿或(三甲基環(huán)己二烯基)
二( ~■甲基氣基)錯。本發(fā)明還公開了在放置于反應器中的基底上形成含鉿或鋯的層的方法。將包含至少一種所公開化合物中任一種的化合物的蒸氣引入反應器中。含鉿或鋯的層利用氣相沉積方法形成于基底上。所公開的方法可包括一個或多個以下方面 將包含至少一種第二前體的蒸氣引入反應器中； 該至少一種第二前體的金屬選自 Ti、Ta、Bi、Hf、Zr、Pb、Nb、Mg、Al、Sr、Y、Ba、
Ca、鑭系元素及其組合； 含鉿或鋯的層為氧化鉿層或氧化鋯層； 含鉿或鋯的層為硅酸鉿層或硅酸鋯層； 將至少一種共反應物(co-reactant)引入反應器中； 該共反應物選自02、O3> H2O, H2O2, NO、NO2、羧酸及其組合； 氣相沉積方法為化學氣相沉積方法；及 氣相沉積方法為原子層沉積方法。


為了進一步理解本發(fā)明的性質(zhì)和目標，應參考以下實施方式，結(jié)合附圖，其中圖I為說明(Me5Cp)Zr(匪e2)3的重量損失百分比相對溫度的熱重分析(TGA)數(shù)據(jù)圖；及圖 2 為(Me5Cp) Zr (NMe2) 3 在 C6D6 中的質(zhì)子 NMR 譜。優(yōu)選實施方式詳述本文公開了可用于制造半導體器件、光生伏打器件、IXD-TFT器件或平板型器件的方法和化合物的非限制性具體實例。
本發(fā)明公開了含鉿和鋯的前體。本發(fā)明還公開了使用所公開的含鉿和鋯的前體以在基底上沉積含鉿和鋯的層的方法。所公開的含鉿和鋯的前體具有式ML(NR7R8)3，其中M為Hf或Zr，L為環(huán)己二烯基(“CHD”)配體或五甲基環(huán)戊二烯基(Me5Cp)配體，且R7和R8獨立地選自H或具有I至6個碳原子的脂族基團(優(yōu)選脂族結(jié)構(gòu)部分)。優(yōu)選，所公開的含鉿和鋯的化合物具有適用于氣相沉積方法的性質(zhì)，如高蒸氣壓、低熔點(優(yōu)選在室溫下呈液體形式)、低升華點和高熱穩(wěn)定性。本發(fā)明申請人已發(fā)現(xiàn)使用環(huán)己二烯基或五甲基環(huán)戊二烯基可產(chǎn)生具有較高熱穩(wěn)定性的化合物，其可提供寬工藝窗，同時獲得高增長率。在不受理論限制的情況下，本發(fā)明申請人認為五甲基環(huán)戊二烯基或環(huán)己二烯基可使Hf-N鍵或Zr-N鍵穩(wěn)定，從而改進分子的熱穩(wěn)定性同時不會降低化合物的總反應性。例示性五甲基環(huán)戊二烯基鉿或鋯化合物可選自M (Me5Cp) (We2) 3、M (Me5Cp) (NEt2) 3、M(Me5Cp) (MleEt)3' M(Me5Cp) (NMeiPr)3' M(Me5Cp) (MletBu)3' M(Me5Cp) (MMe2)x (NMeEt) y、M(Me5Cp) (NEt2)x (NMeEt) y、M(Me5Cp) (NMeiPr) x (NMe2) y 及其組合，其中當 y = 2 時，x=l ;且當 y = I 時，X = 2。所公開的含鉿或鋯的化合物可包括(五甲基環(huán)戊二烯基)三(二甲基氨基)鉿(Me5Cp) Hf (NMe2) 3，或(五甲基環(huán)戊二烯基)三(二甲基氨基)鋯(Me5Cp)Zr(NMe2)315所公開的含鉿或鋯的五甲基環(huán)戊二烯基化合物可通過添加HNR7R8至BuLi/己烷冷溶液中來制備?？蓴嚢杌旌衔锛sI小時，接著冷卻至約0°c?？商砑覯e5CpMCl3至已冷卻的混合物中。所得混合物接著在室溫下攪拌過夜。過濾混合物且在真空下蒸發(fā)溶劑，制得粗產(chǎn)物M(Me5Cp) (NR7R8) 3，其可以已知方法純化。所有原材料均可購得。為制備所公開的具有不同氨基配體的含鉿或鋯的五甲基環(huán)戊二烯基化合物(即M(Me5Cp) (NR7R8)2(NR7R8))，將兩種不同的通過上述方法制得且具有所需氨基配體的五甲基環(huán)戊二烯基化合物在己烷中混合過夜，之后蒸發(fā)溶劑。所得粗產(chǎn)物可以已知方法純化。在第二實施方案中，所公開的含鉿或鋯的化合物具有環(huán)己二烯基配體及下式
rLR5
R3 R4Rg-^N^M^N^R7
R7 N R8 / ^ U R8 R7其中VmR5和R6獨立地選自H或具有I至6個碳原子的脂族基團(優(yōu)選脂族結(jié)構(gòu)部分)。在該實施方案中，本發(fā)明申請人認為處于環(huán)己二烯基(CHD)配體平面外的碳原子可降低所得化合物的熔點。優(yōu)選，H R3、R4、R5和R6中至少3個不為H。例示性環(huán)己二烯基鉿或鋯化合物可選自M (R1-R6CHD) (NMe2) 3、M (R1-R6CHD) (NEt2) 3、M(R1-R6CHD) (NMeEt)3' M(R1-R6CHD) (NMeiPr)3' M(R1-R6CHD) (NMetBu)3' M(R1-R6CHD) (MMe2)X(NMeEt)yJ(R1-R6CHD) (NEt2) x (NMeEt) y, M (R1-R6CHD) (NMeiPr) x (NMe2) y 及其組合，其中 R1-R6如上文定義，當y = 2時，x = l;當y=l時，x = 2。
所公開的含鉿或鋯的化合物可包括(三甲基環(huán)己二烯基)三(二甲基氨基)鋯(Me3CHD) Zr (NMe2) 3，和(三甲基環(huán)己二烯基)三(二甲基氨基)鉿(Me3CHD)Hf(NMe2)315所公開的含鉿或鋯的環(huán)己二烯基化合物可通過添加HNR7R8至BuLi/己烷冷溶液中來制備?？蓴嚢杌旌衔锛sI小時，接著冷卻至約0°c?？商砑涌梢砸阎椒ㄖ频玫腛V6CHD)皿(13至已冷卻的混合物中。所得混合物接著在室溫下攪拌過夜。過濾混合物且在真空下蒸發(fā)溶劑，制得粗產(chǎn)物M (R1-R6CHD) (NR7R8) 3，其可以已知方法純化。除可以本領域所公開的方法制得的(IV6CHD)MCl3之外，所有起始物質(zhì)均可購得。為制備所公開的具有不同氨基配體的含鉿或鋯的環(huán)己二烯基化合物(即M(R1^6CHD) (NR7R8)2(NR7R8)),將兩種不同的通過上述方法制得且具有所需氨基配體的環(huán)己二烯基化合物在己烷中混合過夜，之后蒸發(fā)溶劑。所得粗產(chǎn)物可以已知方法純化。所公開的方法使用所公開的前體以氣相沉積方法在基底(例如，半導體基底或基底組件)上形成含鉿或鋯的層。該方法可用于制造半導體結(jié)構(gòu)。該方法包括提供反應器 和放置于其中的至少一個基底；將包含所公開化合物的蒸氣引入反應器中；和在基底上形成含鉿或鋯的層。薄膜可使用本領域技術(shù)人員已知的任何氣相沉積方法由所公開的前體沉積。合適沉積方法的實例包括但不限于化學氣相沉積(CVD)、低壓CVD(LPCVD)、等離子體增強CVD(PECVD)、脈沖PECVD、原子層沉積(ALD)、等離子體增強ALD (PE-ALD)或其組合。優(yōu)選，沉積方法選自ALD、PEALD或其組合。等離子體方法可利用直接或遠程等離子體源。所公開的前體可以純凈形式或以與合適溶劑如乙苯、二甲苯、均三甲苯、癸烷、十二烷的摻混物的形式提供。所公開的前體可以不同濃度存在于溶劑中。純凈或經(jīng)摻混的前體以蒸氣形式引入反應器中。呈蒸氣形式的前體可通過使純凈或經(jīng)摻混的前體溶液經(jīng)由傳統(tǒng)氣化步驟如直接氣化、蒸餾或通過鼓泡來氣化而制得。純凈或經(jīng)摻混的前體可以液態(tài)形式供入氣化器中，在氣化器中氣化之后，將其引入反應器中。或者，純凈或經(jīng)摻混的前體可通過使載氣進入含有所公開前體的容器中或通過使載氣鼓泡至所公開的前體中來氣化。載氣可包括但不限于Ar、He、N2及其混合物。用載氣鼓泡也可移除存在于純凈或經(jīng)摻混的前體溶液中的任何溶解氧。載氣和所公開的前體接著以蒸氣形式引入反應器中。若需要，則可加熱所公開前體的容器至使前體呈其液相且具有足夠蒸氣壓的溫度。容器可維持在例如約0°c至約150°C范圍內(nèi)的溫度。本領域技術(shù)人員了解可以已知方式調(diào)節(jié)容器溫度以控制經(jīng)氣化前體的量。反應器可為裝置內(nèi)在適于引起前體反應并形成層的條件下進行沉積方法的任何密閉腔(enclosure)或室，例如但不限于平行板式反應器、冷壁式反應器、熱壁式反應器、單晶圓反應器、多晶圓反應器或其他類型的沉積系統(tǒng)。反應器含有一個或多個上面將沉積薄膜的基底。該一個或多個基底可為適用于制造半導體器件、光生伏打器件、平板器件或LCD-TFT器件的任何基底。合適基底的實例包括但不限于娃基底、~■氧化娃基底、氣化娃基底、氧氣化娃基底、鶴基底、氣化欽、氣化組或其組合。另外，可使用包含鎢或貴金屬(例如鉬、鈀、銠或金)的基底?；滓部删哂幸粚踊蚨鄬硬煌镔|(zhì)，其已由先前制造步驟沉積于基底上。反應器內(nèi)的溫度和壓力保持在適于沉積方法的條件下。舉例而言，反應器中的壓力根據(jù)沉積參數(shù)的需要可保持在約0. 5毫托與約20托之間，優(yōu)選在約0. 2托與10托之間，且更優(yōu)選在約I托與10托之間。同樣，反應器中的溫度可保持在約50°C與約600°C之間，優(yōu)選在約50°C與約250°C之間，更優(yōu)選在約50°C與約100°C之間。除所公開的前體之外，共反應物也可引入反應器中。共反應物可為氧化氣體如氧氣、臭氧、水、過氧化氫、氧化氮、二氧化氮、羧酸以及任何兩種或更多種這些氣體的混合物。或者，共反應物可為還原氣體如氫氣、氨、硅烷(例如SiH4、Si2H6, Si3H8)、含有Si-H鍵的烷基硅烷(例如SiH2Me2、SiH2Et2)、N(SiH3)3以及任何兩種或更多種這些氣體的混合物。優(yōu)選共反應物為H2或NH3。共反應物可經(jīng)等離子體處理，以使共反應物分解為其自由基形式。當用等離子體處理時，N2也可用作還原氣體。舉例而言，等離子體可以約50W至約500W，優(yōu)選約100W至約200W范圍內(nèi)的功率產(chǎn)生。等離子體可產(chǎn)生或存在于反應器自身內(nèi)?；蛘?，等離子體通常可位于遠離反應室的位置，例如在遠程位置等離子體系統(tǒng)中。本領域技術(shù)人員會想到適用于該等離子體處理的方法和裝置。
室內(nèi)的氣相沉積條件容許所公開的摻混物和任選的共反應物在基底的至少一個表面上形成含鉿或鋯的層。在某些實施方案中，本發(fā)明申請人相信對任選的共反應物進行等離子體處理可為任選的共反應物提供與所公開的摻混物反應所需的能量。視所要沉積的薄膜類型而定，可將第二前體引入反應器中。第二前體可為另一金屬源，如 Ti、Ta、Si、Bi、Hf、Zr、Pb、Nb、Mg、Mn、Ru、Cu、Al、Sr、Y、Ba、Ca、鑭系元素及其組合。使用含金屬的第二前體時，沉積于基底上的所得膜可含有至少兩種不同類型的金屬。所公開的前體和任何任選的共反應物及前體可同時(CVD)、相繼(ALD、P-CVD)或以其他組合引入反應器中。前體和共反應物可混合在一起以形成共反應物/前體混合物，接著以混合物形式引入反應器中?；蛘?，前體和共反應物可相繼引入反應室中，且在引入前體與引入共反應物之間用惰性氣體凈化。舉例而言，所公開的前體可引入一脈沖中而其他兩種含金屬的前體源可一起引入另一脈沖中[改性PE-ALD]?；蛘?，在引入所公開的前體之前，反應器可已含有共反應物質(zhì)，可在引入所公開的前體之后任選第二次引入共反應物質(zhì)。在另一替代方法中，所公開的前體可連續(xù)引入反應器中，而其他金屬源通過脈沖(脈沖PECVD)引入。在各實施例中，可在脈沖之后進行凈化或抽真空步驟以移除所引入的過量組分。在各實施例中，脈沖可持續(xù)的時段在約0. 01秒至約30秒，或者約0. 3秒至約10秒，或者約0. 5秒至約2秒的范圍內(nèi)。視特定工藝參數(shù)而定，沉積可進行不同長度的時間。通常，沉積可持續(xù)所要或所需長度的時間以制得具有必需性質(zhì)的膜。視特定沉積方法而定，典型的膜厚度可為幾百埃至幾百微米不等。沉積方法也可進行足夠多次以獲得所要膜。在一非限制性例示性PE-ALD式方法中，將所公開的前體的氣相引入反應器中，在反應器中其與合適的基底接觸。接著可通過將反應器凈化和/或抽真空而從反應器移除過量前體。還原氣體(例如H2)在等離子體功率下引入反應器中，其在反應器中以自限方式與已吸收的前體反應。通過將反應器凈化和/或抽真空從反應器移除任何過量的還原氣體。若所要膜為鉿膜或鋯膜，則該二步驟方法可提供所要膜厚度，或可重復直至獲得具有必需厚度的膜?；蛘撸羲殡p金屬膜，則可在上述二步驟方法之后，將含金屬的前體的蒸氣引入反應器中。含金屬的前體將基于所沉積的雙金屬膜的性質(zhì)來選擇。在引入反應器之后，含金屬的前體與基底接觸。通過將反應器凈化和/或抽真空從反應器移除任何過量的含金屬前體。還原氣體可再次引入反應器中與含金屬的前體反應。通過將反應器凈化和/或抽真空從反應器移除過量還原氣體。若已獲得所要膜厚度，則可終止該方法。然而，若需要較厚的膜，則可重復整個四步驟方法。通過交替提供所公開的前體、含金屬的前體和共反應物，可沉積具有所要組成和厚度的膜。由上述方法制得的含鉿或鋯的膜或?qū)涌砂兘饘?M);含雙金屬的膜(M1M2),如金屬硅酸鹽(MkSi1)膜或金屬鑭化物(MkLn1)膜、金屬氧化物(MnOni)膜或金屬氧氮化物(MxNyOz)膜，其中M = Hf或Zr且k、I、m、n、x、y和z為I至6范圍內(nèi)(包括I和6)的整數(shù)。優(yōu)選，含金屬的膜選自金屬鑭化物、Hf02*Zr02。本領域技術(shù)人員將認識到通過慎重選擇適當?shù)乃_的前體、任選含金屬的前體和任選共反應物質(zhì)，可獲得所要膜組成。
實施例提供以下非限制性實施例以進一步說明本發(fā)明的實施方案。然而，這些實施例不 意欲包括所有在內(nèi)，且不意欲限制本發(fā)明的范圍。實施例I，(Me5Cp) Zr (NMe2) 3通過添加HNMe2 (0. 186mol, 8. 4g另加3. 6g)至BuLi/己燒溶液的冰冷浴中來新鮮制備配體LiNMe2。攪拌所得混合物I小時。再次將燒瓶冷卻至(TC，接著添加Me5CpZrCl3固體，且在室溫下攪拌所得混合物過夜。過濾反應混合物，在真空下從濾液中蒸發(fā)溶劑，獲得黃色固體粗產(chǎn)物。使粗物質(zhì)升華得到18g(83% )呈白色固體的純產(chǎn)物。圖I為說明白色固體(Me5Cp)Zr (匪e2)3的重量損失百分比相對溫度的熱重分析(TGA)數(shù)據(jù)圖。圖2為(Me5Cp)Zr (NMe2) 3 在 C6D6 中的質(zhì)子 NMR 譜。1H NMR (C6D6, 8 ) :1.98(15H，s，(CH3)5C5), 2. 93(18H, s,N(CH3)2)。預示性實施例2 [Me5Cp] Zr (NMe2) 2 (NMeEt)實施例I的產(chǎn)物可與[(CH3)5C5] Zr (NMeEt)3 (其可通過與實施例I相同的方法用LiNMeEt替代LiNMe2制得)在己烷中反應過夜，并蒸發(fā)溶劑。粗產(chǎn)物可以已知方法純化。預示性實施例3，[Me5Cp=Hf(NMe2)3[Me5Cp]Hf (匪e2)3預期通過為實施例I鋯化合物制定的方法來合成，不同之處在于在反應中用Me5CpHfCl3替代Me5CpZrCl3t5預示性實施例4，(Me3CHD)Zr(NMe2)3(Me3CHD) Zr (^e2) 3預期通過以下程序來合成。通過添加HNMe2至BuLi/己烷溶液的冰冷浴中來新鮮制備配體LiNMe2。攪拌所得混合物。再次將燒瓶冷卻至(TC，接著添加可由已知方法制得的[(CH3)3CHD]ZrCl3，且在室溫下攪拌所得混合物過夜。過濾反應混合物；在真空下從濾液中蒸發(fā)溶劑，且獲得粗物質(zhì)。對粗物質(zhì)進行純化以分離純產(chǎn)物。預示性實施例5，(Me3CHD)Zr(NMe2)2(NMeEt)實施例4的產(chǎn)物可與[(CH3)3CHD]Zr (匪eEt)3 (其可通過與實施例4相同的方法用LiNMeEt替代LiNMe2制得)在己烷中反應過夜，并蒸發(fā)溶劑。粗產(chǎn)物可以已知方法純化。預示性實施例6，(Me3CHD)Hf(NMe2)3(Me3CHD) Hf (^e2) 3預期通過以下程序來合成。通過添加HNMe2至BuLi/己烷溶液的冰冷浴中來新鮮制備配體Li匪e2。攪拌所得混合物。再次將燒瓶冷卻至0°C，接著添加[(CH3)3CHD=HfCl3，且在室溫下攪拌所得混合物過夜。過濾反應混合物；在真空下從濾液中蒸發(fā)溶劑，獲得粗物質(zhì)。對粗物質(zhì)進行純化以分離純產(chǎn)物。應理解本領域技術(shù)人員可對本文為了說明本發(fā)明的性質(zhì)而描述并說明的細節(jié)、物質(zhì)、步驟和部分配置作出許多其他變化，其在隨附權(quán)利要求書所表述的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。因此，本發(fā)明不意欲限于上文和/或附圖給出的實施例中的特定實施 方案。
權(quán)利要求
1.ー種具有式ML (NR7R8)3的化合物，其中M為Hf或Zr，L為環(huán)己ニ烯基配體或五甲基環(huán)戊ニ烯基配體，且R7和R8獨立地選自H或具有I至6個碳原子的脂族基團(優(yōu)選脂族結(jié)構(gòu)部分)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I的化合物，其中化合物選自(五甲基環(huán)戊ニ烯基)三(ニ甲基氨基)鉿和(五甲基環(huán)戊ニ烯基)三(ニ甲基氨基)鋯。
3.根據(jù)權(quán)利要求I的化合物，其中L為環(huán)己ニ烯基配體且化合物具有下式
4.根據(jù)權(quán)利要求3的化合物，其中HR3> R4、R5和R6中至少3個不為H。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、3或4中任ー項的化合物，其中化合物選自(三甲基環(huán)己ニ烯基)三(ニ甲基氨基)鉿和(三甲基環(huán)己ニ烯基)三(ニ甲基氨基)鋯。
6.ー種在基底上形成含鉿或鋯的層的方法，所述方法包括 提供反應器和放置于其中的至少ー個基底； 將包含至少ー種根據(jù)權(quán)利要求1-4中任ー項的化合物的蒸氣引入反應器中；及 使用氣相沉積方法在基底上形成所述含鉿或鋯的層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其進ー步包括將包含至少ー種第二前體的蒸氣引入反應器中。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中所述至少ー種第二前體的金屬選自Ti、Ta、Bi、Hf、Zr、Pb、Nb、Mg、Al、Sr、Y、Ba、Ca、鑭系元素及其組合。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中含鉿或鋯的層為氧化鉿層或氧化鋯層。
10.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中含鉿或鋯的層為硅酸鉿層或硅酸鋯層。
11.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其進ー步包括將至少一種共反應物引入反應器中。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中共反應物選自02、O3>H2O, H2O2, NO、NO2、羧酸及其組ムロ ο
13.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中氣相沉積方法為化學氣相沉積方法。
14.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中氣相沉積方法為原子層沉積方法。
全文摘要
本發(fā)明公開了含鉿和鋯的前體及提供它的方法。所公開的前體包括配體和至少一個脂族基團作為所選擇的比一般取代基具有更大自由度的取代基。所公開的前體可用于使用氣相沉積方法沉積含鉿或鋯的層，例如化學氣相沉積或原子層沉積。
文檔編號C23C16/18GK102712662SQ201080035967
公開日2012年10月3日 申請日期2010年8月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月14日
發(fā)明者C·杜薩拉, V·M·奧馬爾吉, V·R·帕里姆 申請人:喬治洛德方法研究和開發(fā)液化空氣有限公司