專利名稱：Al基合金濺射靶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及Al基合金濺射靶，詳細(xì)地說(shuō)，是涉及在使用濺射靶形成薄膜時(shí)，能夠 消除在濺射的初期階段發(fā)生的問(wèn)題(例如飛濺的個(gè)數(shù)的增加和所形成的薄膜的電阻的上 升等)，可以縮短預(yù)濺射時(shí)間的Al基合金濺射靶。
背景技術(shù)：
Al由于電阻率低，容易加工等理由，在液晶顯示器(IXD =LiquidCrystal Display)、等離子體顯示板(PDP =Plasma Display Panel)、電致發(fā)光顯示器(ELD =Electro Luminescence Display)、場(chǎng)致發(fā)射顯示器(FED =Field Emission Display)、微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS =Micro Electro MechanicaBystems)顯示器等的平板顯示器(FPD :Flat Panel Display)，觸摸屏、電子紙的領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用，被利用于布線膜、電極膜、反射電極膜等的材 料。例如，有源矩陣型的液晶顯示器具有TFT基板，該TFT基板具有作為開關(guān)元件的 薄膜晶體管(TFT:Thin Film Transistor)；由導(dǎo)電性氧化膜構(gòu)成的像素電極；和含有掃描 線和信號(hào)線的布線。在構(gòu)成掃描線和信號(hào)線的布線材料中，一般使用的是純Al或Al-Nd合 金的Al基合金膜。可是，在Al基合金薄膜的形成中，一般會(huì)采用的是使用濺射靶的濺射法。所謂濺 射法，就是在基板和與薄膜材料同樣的材料所構(gòu)成的濺射靶(靶材)之間形成等離子體放 電，使經(jīng)由等離子體放電而離子化的氣體碰撞靶材，從而沖擊出靶材的原子，使之堆積在基 板上而制造薄膜的方法。濺射法與真空蒸鍍法不同，其具有的優(yōu)點(diǎn)是，能夠形成與靶材同組 成的薄膜。特別是以濺射法形成的Al合金膜，能夠使平衡狀態(tài)下不固溶的Nd等的合金元 素固溶，作為薄膜發(fā)揮出優(yōu)異的性能，因此在工業(yè)上是有效的薄膜制作方法，作為其原料的 濺射靶材的開發(fā)推進(jìn)。用于上述濺射法的Al基合金濺射靶例如通過(guò)噴射成形(sprayforming)法和熔融 鑄造法等制造。在濺射的初期，一般會(huì)進(jìn)行被稱為預(yù)濺射的操作。因?yàn)樵跒R射靶的使用初 期，濺射靶表面的污垢會(huì)致使濺射不穩(wěn)定，結(jié)果是所形成的薄膜的特性也不穩(wěn)定，因此出于 除去污垢等的目的而進(jìn)行該預(yù)濺射。例如，在使用Al基合金濺射靶形成薄膜時(shí)，在濺射的 初期階段，飛濺(微細(xì)的熔融粒子)會(huì)大量發(fā)生，出現(xiàn)所形成的布線薄膜的電阻上升等的問(wèn) 題，在現(xiàn)場(chǎng)要進(jìn)行預(yù)濺射直至其穩(wěn)定下來(lái)。但是，預(yù)濺射時(shí)間的增加帶來(lái)生產(chǎn)率的降低。作為降低飛濺的方法，例如在日本專利第3410278號(hào)公報(bào)中，公開有一種以維氏 硬度(Hv)計(jì)，將硬度控制在25以下的Al基合金濺射靶。另外，作為一種不是以Al基合金濺射靶為對(duì)象，但卻是降低基于飛濺的現(xiàn)象的塊 狀的異物的發(fā)生的方法，在日本專利2001-316808號(hào)公報(bào)中，公開有一種濺射面的最大高 度Ry為10 μ m以下的Mo-W合金濺射靶。另外還公開，由于構(gòu)成飛濺現(xiàn)象的原因的異常放 電容易在相鄰的凸部間發(fā)生，因此將存在于濺射面的深度5μπι以上的凹部的寬度作為粗 糙度曲線的局部波峰的間隔而優(yōu)選控制在70 μ m以上。
另外，雖然不是以Al基合金濺射靶為對(duì)象，但在日本特開平10-158828號(hào)公報(bào)中 公開有一種Ti濺射靶，其為了降低進(jìn)行濺射中發(fā)生的微粒(微細(xì)的粉塵)，使被濺射的面成 為具有規(guī)定曲率的凹面，并且對(duì)于該濺射面實(shí)施鏡面加工，將其算術(shù)平均粗糙度Ra控制在 Ο.ΟΙμ 以下。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種新穎的Al基合金濺射靶，其能夠消除在濺射的初期 階段發(fā)生的問(wèn)題(例如飛濺的個(gè)數(shù)的增加和所形成的布線薄膜的電阻的上升等)，可以縮 短預(yù)濺射時(shí)間。本發(fā)明包括以下的形態(tài)。(1) 一種Al基合金濺射靶，其特征在于，以JIS Β060Κ2001)所規(guī)定的方法測(cè)量 濺射面的表面粗糙度時(shí)，算術(shù)平均粗糙度Ra為1. 50 μ m以下，以及最大高度Rz為10 μ m以 下，并且，將從粗糙度曲線的中心線至波峰或波谷的高度超過(guò)0. 25XRz的峰值高度分別設(shè) 為為P或Q，跨越基準(zhǔn)長(zhǎng)度100mm，依次計(jì)數(shù)P和Q時(shí)，P緊鄰其后出現(xiàn)的Q再到緊鄰該Q出 現(xiàn)的P之間的間隔L的平均值為0. 4mm以上。本發(fā)明的Al基合金濺射靶，不僅被控制濺射面的表面粗糙度，而且還以使由L值 代表的峰間隔的平均值(周期)延長(zhǎng)的方式進(jìn)行控制，所以能夠迅速地將濺射靶在使用初 期階段發(fā)生的飛濺和由該濺射靶所形成的薄膜的電阻降低至規(guī)定水平。因此，如果使用本 發(fā)明的濺射靶，則能夠縮短直至上述的飛濺和薄膜電阻穩(wěn)定化所實(shí)施的預(yù)濺射時(shí)間。


圖1(a)和圖1(b)是用于說(shuō)明本發(fā)明所規(guī)定的L值(峰間隔)的模式圖。圖2(a)表示實(shí)施例1的試料No. 7 (比較例)的濺射面的表面粗糙度曲線，圖2 (b) 表示實(shí)施例1的試料No.2(本發(fā)明例)的濺射面的表面粗糙度曲線。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明者們，為了提供一種能夠消除在濺射靶的使用初期階段發(fā)生的飛濺(初期 飛濺)和由該濺射靶形成的薄膜的電阻上升這樣的問(wèn)題，可以縮短預(yù)濺射時(shí)間的Al基鋁合 金濺射靶而反復(fù)進(jìn)行研究。其結(jié)果發(fā)現(xiàn)，如果所使用的Al基合金濺射靶中，不僅適當(dāng)控制 濺射面的表面粗糙度(在本發(fā)明中為Ra和Rz)，而且以使由L值代表的峰間隔的平均值延 長(zhǎng)的方式進(jìn)行控制，則能夠達(dá)成預(yù)期的目的，從而完成了本發(fā)明。S卩，本發(fā)明的Al基合金濺射靶，其特征在于，以JIS B060K2001)所規(guī)定的方法測(cè) 量濺射面的表面粗糙度時(shí)，算術(shù)平均粗糙度Ra為1. 50 μ m以下，以及最大高度Rz為10 μ m 以下，并且，將從粗糙度曲線的中心線至波峰或波谷的高度超過(guò)(0.5XRZ)的峰值高度分 別設(shè)為P或Q，跨越基準(zhǔn)長(zhǎng)度100mm，依次計(jì)數(shù)P和Q時(shí)，P到緊鄰其后出現(xiàn)的Q再到緊鄰該 Q后出現(xiàn)的P之間的間隔L的平均值為0. 4mm以上。首先，本發(fā)明的Al基合金濺射靶中，算術(shù)平均粗糙度Ra控制在1. 50 μ m以下，以 及最大高度Rz控制在10 μ m以下。通過(guò)將Ra控制在1. 50 μ m以下，將Rz控制在10 μ m以下，能夠縮短使初期飛濺的個(gè)數(shù)和所形成的薄膜的電阻均降低化(穩(wěn)定化)至一定水平的 預(yù)濺射的時(shí)間(參照后述的實(shí)施例)。優(yōu)選的Ra和Rz的上限為Ra 1. 0 μ m，Rz :8. 0 μ m，更 優(yōu)選Ra和Rz的上限為Ra :0. 8ym,Rz :6. Oym0還有Ra和Rz的下限從上述觀點(diǎn)出發(fā)沒(méi)有特 別限制，越小越好，但若考慮到機(jī)械加工和研磨加工的精度等，則大致優(yōu)選為Ra :0. 1 μ m， Rz :1· 0 μ m。還有，也可以適宜組合Ra和Rz的上限和下限而形成其各自的范圍。此外，本發(fā)明的Al基合金濺射靶，其特征在于，由L值代表的峰間隔的平均值被控 制在0. 4mm以上。如后述的實(shí)施例所示，只是控制Ra和Rz還得不到預(yù)期的特性，只有全部 兼具這三個(gè)要件時(shí)，才能夠迅速實(shí)現(xiàn)初期飛濺和薄膜電阻的降低這兩個(gè)方面，才能夠縮短 預(yù)濺射時(shí)間。一邊參照?qǐng)D1(a)和圖1(b)，一邊對(duì)于本發(fā)明最具特征的L值進(jìn)行說(shuō)明。圖1 (a) 和圖1(b)是針對(duì)濺射靶的濺射面，以JIS B060K2001)所規(guī)定的方法進(jìn)行測(cè)量時(shí)的粗糙 度曲線的概略圖。L值是任意取基準(zhǔn)長(zhǎng)度IOOmm的粗糙度曲線，以如下方式進(jìn)行計(jì)算時(shí)的 值。夾隔粗糙度曲線的中心，將峰方向的頂點(diǎn)稱為波峰(山的峰值)，將谷方向的底點(diǎn)稱 為波谷(谷的峰值)，在本發(fā)明中，超過(guò)中心線+(0.25XRZ)的位置的波峰為P，超過(guò)中心 線-(0.25 X Rz)的波谷為Q。首先，參照?qǐng)D1(a)。在上圖的粗糙度曲線中，基準(zhǔn)長(zhǎng)度為100mm，H表示中心線 士(0.25XRZ)的位置。設(shè)高于(中心線+H)的波峰(山的峰值)為P，低于(中心線-H) 的波谷(谷的峰值)為Q時(shí)，圖1(a)中從最左側(cè)依次為P1、Q1、P2、Q2、P3。在本發(fā)明中，峰 間隔L值為Pl — Ql — P2之間的距離，詳細(xì)地說(shuō)就是從P1、Q1、P2的各點(diǎn)向中心線引垂線 取交點(diǎn)(Pi、ql、P2)時(shí)，pl-ql-p2之間的距離?？缭交鶞?zhǔn)長(zhǎng)度100m，以上述方式求得峰間 隔L值，計(jì)算其平均值。對(duì)于粗糙度曲線的任意3處進(jìn)行同樣的操作，計(jì)算其平均值，得到 L值的平均值。上述的圖1 (a)是超過(guò)(中心線士H)的位置的P和Q交互輪流連續(xù)形成的例子， 但粗糙度曲線例如如圖1(b)所示，有在P與Q之間存在未超過(guò)H的位置的波峰和波谷的情 況。這時(shí)的L值的計(jì)算方法如下。以下，由P’表示未超過(guò)H的位置的波峰，由Q’表示未超 過(guò)H的位置的波谷。若參照?qǐng)D1 (b)，則以從最左側(cè)開始，順次連續(xù)形成有超過(guò)H的位置的波峰P1、超 過(guò)H的位置的波峰P2、未超過(guò)H的位置的波峰P’ 1、未超過(guò)H的位置的波谷Q’ 1、超過(guò)H 的位置的波峰P3、超過(guò)H的位置的波谷Q1、超過(guò)H的位置的波峰P4。這時(shí)，峰間隔L值為 Pl — Ql —P4之間的距離。在圖1(b)中，Pl后面出現(xiàn)的是P2，而超過(guò)H的波峰連續(xù)兩次顯示的這一情況的P2 被忽視。在本發(fā)明中，波峰一波谷一波峰的順序受到重視。另外在本發(fā)明中，沒(méi)有超過(guò)H的 波峰(P’ )和沒(méi)有超過(guò)H的波谷(Q’ )即使表現(xiàn)出來(lái)也被忽視。根據(jù)本發(fā)明者們的基礎(chǔ)實(shí) 驗(yàn)判明，以上述方式定義的峰間隔與初期飛濺的迅速的降低化和薄膜電阻的迅速的降低化 有著密切的相關(guān)關(guān)系。如此計(jì)算出的L值的平均值以大為宜，優(yōu)選為0. 5mm以上，更優(yōu)選為0. 6mm以上。 但是，為了增大L值的平均值，機(jī)械加工和表面研磨加工所花費(fèi)的加工時(shí)間就有可能過(guò)長(zhǎng)， 因此優(yōu)選使上限為2. 0mm，更優(yōu)選為1. 0mm。
在本發(fā)明中，通過(guò)以上述方式控制L值的平均值，飛濺的降低和所形成的薄膜電 阻的降低能夠迅速實(shí)現(xiàn)的理由其詳情尚不明確，但推測(cè)主要原因是由于峰間隔變寬，周期 延長(zhǎng)，致使濺射靶的表面積變小，因此存在于表面的Al氧化層變少，其結(jié)果是所形成的薄 膜中的氧量也變少。薄膜中的氧量被認(rèn)為會(huì)對(duì)預(yù)濺射的次數(shù)和時(shí)間產(chǎn)生很大的影響，但根 據(jù)本發(fā)明，考慮到由于該氧量的降低，飛濺和成膜后的薄膜電阻會(huì)迅速地降低。以上對(duì)于本發(fā)明最具特征的表面粗糙度和峰間隔的平均值進(jìn)行了說(shuō)明。此外，本發(fā)明的Al基合金濺射靶優(yōu)選維氏硬度(Hv)為沈以上。例如在前述的日 本特開平10-1588 號(hào)公報(bào)中，通過(guò)使Hv在25以下來(lái)降低飛濺的發(fā)生，相對(duì)于此，在本發(fā) 明中反而將Hv控制在沈以上(大致為沈 50Hv左右)，由此能夠容易地控制前述的表 面粗糙度和L值的平均值，能夠降低飛濺等的發(fā)生。其理由詳情不明，但推測(cè)可能是如下原 因在日本特開2001-316808號(hào)公報(bào)中，是以缺乏加工性的Mo合金為對(duì)象，相對(duì)于此，在本 發(fā)明中，如以下詳述，實(shí)質(zhì)上是以純Al或合金元素的添加量非常少、約為2.0原子％左右的 富有加工性的Al合金為對(duì)象，這種基體的合金的組成的不同表現(xiàn)為硬度的差異。本發(fā)明所使用的Al基合金，除了純Al以外，還可以列舉如下作為布線薄膜用Al 基合金濺射靶被廣泛使用的含有Nd等元素的Al-Nd合金；含有稀土類元素(優(yōu)選為Nd、La、 Y)的Al-稀土類元素合金；用于提供可以不經(jīng)由墊疊金屬層而直接與構(gòu)成像素電極的導(dǎo)電 性氧化膜直接接觸的直接接觸技術(shù)的Al-Ni合金；還含有Nd或Y等稀土類元素的Al-Ni-稀 土類元素合金；含有Ta的Al-Ta合金等。優(yōu)選NcUNi和Y等合金元素的量(合計(jì)量)大致 為2. 0原子以下。在純Al和Al合金中，作為不可避免的雜質(zhì)，例如含有在制造過(guò)程等之中 不可避免混入的元素，例如有!^e、Si、Cu、C、0、N等。接下來(lái)，說(shuō)明制造本發(fā)明的濺射靶的方法。本發(fā)明規(guī)定的表面粗糙度和L值的平均值能夠通過(guò)下述方式實(shí)現(xiàn)遵循常規(guī)方法 加工成既定的形狀后，適當(dāng)控制作為濺射面的精加工的機(jī)械加工的條件，再根據(jù)需要適當(dāng) 控制與該機(jī)械加工一起進(jìn)行的表面研磨加工的條件。機(jī)械加工代表性的是進(jìn)行使用銑床 的銑磨加工，優(yōu)選將轉(zhuǎn)數(shù)控制在大約2500 4500rpm(更優(yōu)選為3000 4000rpm)，將切入 量控制在0. 02 0. 2mm左右(更優(yōu)選為0. 05 0. 15mm)，將送給速度控制為大約400 1800mm/min(更優(yōu)選為大約600 lOOOmm/min)。還有，關(guān)于上述轉(zhuǎn)數(shù)、切如量、送給速度各 條件，也可以為適宜將其上限和下限加以組合而成的范圍。另外，表面研磨加工是在上述的機(jī)械加工后再根據(jù)需要進(jìn)行，優(yōu)選使用適當(dāng)?shù)牧?度的磨石進(jìn)行研磨，以便容易獲得預(yù)期的表面性狀。具體來(lái)說(shuō)，是優(yōu)選使用涂布有磨石的粒 度編號(hào)(磨粒)大致為200 1200的磨粒的無(wú)紡布等，直到磨削至預(yù)期的性狀。更優(yōu)選的 磨粒的下限大致為400。在本發(fā)明中，最優(yōu)選使用大致800左右的磨粒進(jìn)行研磨。還有，磨 石的粒度(磨粒)是磨粒編號(hào)越大，磨粒越細(xì)。在本發(fā)明中所具有的特征在于，如上述通過(guò)適當(dāng)控制機(jī)械加工或表面研磨加工， 從而控制表面性狀，其以外的制造工序未特別限定，能夠采用Al基合金濺射靶的制造通 常所使用的工序。具體來(lái)說(shuō)，能夠采用公知的噴射成形和熔融鑄造法等。本發(fā)明所使用 的噴射成形法沒(méi)有特別限定，但例如能夠參照日本特開2009-35766號(hào)公報(bào)、日本特開 2008-240141號(hào)公報(bào)、日本特開2008-127632號(hào)公報(bào)、日本特開2007-247006號(hào)公報(bào)、日本特 開2005-擬855號(hào)公報(bào)等的記載。為了降低制造成本，優(yōu)選采用熔融鑄造法。
實(shí)施例以下，列舉實(shí)施例更具體地說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明不受下述實(shí)施例限定，在能夠符 合本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)可以適當(dāng)加以變更實(shí)施，這些均包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。實(shí)施例1準(zhǔn)備表1所示的組成的Al基合金(余量A1和不可避免的雜質(zhì))，按以下的方法 制作濺射靶。其中Al-Nd合金是使用噴射成形法制造鑄塊，進(jìn)行熱處理、熱加工(軋制)，該噴射 成形法是在惰性氣氛中的室內(nèi)對(duì)Al合金熔湯流噴送高壓的惰性氣體而進(jìn)行噴霧化，使急 冷至半熔融狀態(tài)、半凝固狀態(tài)、固相狀態(tài)的粒子堆積，從而得到既定形狀的原形材(預(yù)成型 坯)的方法。另外，純Al通過(guò)DC鑄造法鑄成厚IOOmm的鑄塊后，以400°C進(jìn)行4小時(shí)均熱 處理，接著在室溫下以75%的壓下量進(jìn)行冷加工后，以200°C進(jìn)行熱處理，在室溫下以40% 的壓下量進(jìn)行冷軋。接著，切斷如此得到的Al-Nd合金和純Al的軋制板，以表1所示的加工條件，對(duì)軋 制板的表面進(jìn)行機(jī)械加工或進(jìn)行機(jī)械加工和表面研磨加工，得到濺射靶的各試料。使用如此得到的試料，進(jìn)行表面粗糙度的算術(shù)平均粗糙度(Ra)和最大高度(Rz) 的測(cè)量。上述算術(shù)平均粗糙度(Ra)和最大高度(Rz)的測(cè)量使用$ 7卜3 (三豐)制表面 粗糙度測(cè)量?jī)xSJ-301進(jìn)行測(cè)量。評(píng)價(jià)長(zhǎng)度為100mm。此外，基于前述的方法計(jì)算L值的平 均值。另外，使用上述濺射靶的各試料形成薄膜，評(píng)價(jià)直至薄膜滿足規(guī)定的條件的濺射 時(shí)間。具體來(lái)說(shuō)，通過(guò)DC磁控管濺射法，進(jìn)行預(yù)濺射和濺射下的成膜。預(yù)濺射時(shí)，在靶與 基板之間插入擋板(〉W々一)而不在基板上成膜，濺射時(shí)移開擋板而在基板上進(jìn)行成 膜。預(yù)濺射條件和濺射條件的詳情如下，除濺射功率不同以外其他均相同。濺射裝置(通用)株式會(huì)社島津制作所制“濺射系統(tǒng)HSR-M2S”預(yù)濺射條件背壓0.43 X KT3Pa 以下Ar 氣壓0. 67Pa濺射功率800W濺射條件背壓0.43 X KT3Pa 以下Ar 氣壓0. 67Pa濺射功率300W極間距離100mm基板溫度室溫基板玻璃基板(尺寸直徑6英寸)詳細(xì)地說(shuō)，就是使用上述濺射靶的各試料，以上述條件進(jìn)行預(yù)濺射4分鐘后，再以 上述條件進(jìn)行濺射而形成薄膜(膜厚300nm)，以此作為一套操作而反復(fù)進(jìn)行，以如下方式 分別測(cè)量(1)飛濺個(gè)數(shù)達(dá)到基準(zhǔn)值以下的預(yù)濺射時(shí)間，和(2)形成的薄膜的電阻(布線電阻)相對(duì)于正常值達(dá)到+15%以下的預(yù)濺射時(shí)間。
(1)飛濺個(gè)數(shù)達(dá)到基準(zhǔn)值以下的預(yù)濺射時(shí)間的評(píng)價(jià)方法對(duì)于以上述濺射條件形成的薄膜，按以下的條件測(cè)量發(fā)生的飛濺(初期飛濺)的 個(gè)數(shù)。使用粒子計(jì)數(shù)器(株式會(huì)社拓普康制晶片表面檢查裝置|WM-3)，計(jì)測(cè)在上述薄 膜的表面確認(rèn)到的粒子的位置座標(biāo)、尺寸(平均粒徑)和個(gè)數(shù)。在此，尺寸為3μπι以上的 視為粒子。其后對(duì)該薄膜表面進(jìn)行光學(xué)顯微鏡觀察(倍率1000倍)，形狀為半球形的視為 飛濺，計(jì)測(cè)單位面積中的飛濺的個(gè)數(shù)。在本實(shí)施例中，反復(fù)進(jìn)行預(yù)濺射和濺射，直至如此得 到的初期飛濺的發(fā)生數(shù)達(dá)到8個(gè)/cm2以下。在本實(shí)施例中，初期飛濺的發(fā)生數(shù)達(dá)到8個(gè)/ cm2以下的預(yù)濺射時(shí)間在60分鐘以下的試料為合格。(2)薄膜的電阻相對(duì)于正常值達(dá)到+15%以下的預(yù)濺射時(shí)間的測(cè)量方法對(duì)于以上述濺射條件所形成的薄膜，設(shè)想在實(shí)際工序中受到的熱過(guò)程而進(jìn)行 以320°C保持30分鐘的熱處理后，加工成線寬IOOym的條紋圖案(stripe pattern)形 狀，通過(guò)濕刻蝕加工成線寬ΙΟΟμπκ線長(zhǎng)IOmm的布線電阻測(cè)量用圖案狀。濕刻蝕使用 H3PO4 HNO3 H2O = 75 5 20的混合液。對(duì)于加工成圖案狀的薄膜，通過(guò)四探針?lè)ㄔ?室溫下測(cè)量電阻率值。反復(fù)進(jìn)行預(yù)濺射和濺射，直至如此得到的電阻率值相對(duì)于正常值(Al-2. O原子％ Nd合金為4. 6 μ Ω · cm，純Al為3. 2μ Ω · cm)達(dá)到+15%以下。在本實(shí)施例中，電阻率值 達(dá)到正常值+15%以下的預(yù)濺射時(shí)間在60分鐘以下的試料為合格。這些測(cè)量結(jié)果顯示在表1中。另外，為了參考，在圖2(a)中顯示試料No. 7(比較例)的濺射面的表面粗糙度曲 線，在圖2(b)中顯示試料No. 2 (本發(fā)明例)的濺射面的表面粗糙度曲線。
權(quán)利要求
1. 一種Al基合金濺射靶，其特征在于，以JIS B060K2001)所規(guī)定的方法測(cè)量濺射面 的表面粗糙度時(shí)，算術(shù)平均粗糙度Ra為1. 50 μ m以下，以及最大高度Rz為10 μ m以下，并 且，將從粗糙度曲線的中心線至波峰或波谷的高度超過(guò)0. 25XRz的峰值高度分別設(shè)為P 或Q，跨越基準(zhǔn)長(zhǎng)度100mm，依次計(jì)數(shù)P和Q時(shí)，P到緊鄰其后出現(xiàn)的Q再到緊鄰該Q后出現(xiàn) 的P之間的間隔L的平均值為0. 4mm以上。
全文摘要
提供一種Al基合金濺射靶，其能夠消除在濺射的初期階段發(fā)生的問(wèn)題(例如飛濺的個(gè)數(shù)的增加和所形成的薄膜的電阻的上升)，可以縮短預(yù)濺射時(shí)間。本發(fā)明涉及一種Al基合金濺射靶，其中，以JIS B0601(2001)所規(guī)定的方法測(cè)量濺射面的表面粗糙度時(shí)，算術(shù)平均粗糙度Ra為1.50μm以下，以及最大高度Rz為10μm以下，并且，將從粗糙度曲線的中心線至波峰或波谷的高度超過(guò)0.25×Rz的峰值高度分別設(shè)為P或Q，跨越基準(zhǔn)長(zhǎng)度100mm，依次計(jì)數(shù)P和Q時(shí)，P到緊鄰其后出現(xiàn)的Q再到緊鄰該Q后出現(xiàn)的P之間的間隔L的平均值為0.4mm以上。
文檔編號(hào)C23C14/34GK102102183SQ20101059785
公開日2011年6月22日 申請(qǐng)日期2010年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月18日
發(fā)明者巖崎祐紀(jì), 松本克史, 蒔野秀忠, 長(zhǎng)尾護(hù), 高木敏晃 申請(qǐng)人:株式會(huì)社神戶制鋼所, 株式會(huì)社鋼臂功科研