專利名稱：磁控濺射環(huán)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子技術(shù)，屬于半導(dǎo)體晶片濺射領(lǐng)域內(nèi)磁力控制方法應(yīng)用技術(shù)，特 別是一種磁控濺射環(huán)。
背景技術(shù)：
濺射是在充滿惰性氣體的處理容器中對(duì)半導(dǎo)體晶片或其它基片進(jìn)行涂鍍的一 種方法。這些容器中包含有濺射靶和靠近濺射靶處放置的磁控濺射環(huán)件。容器中 的電場(chǎng)使惰性氣體產(chǎn)生電離，并從靶材上撞擊出原子，以將濺射靶材料沉積到晶 片上。同時(shí)，濺射靶材料上被撞擊出的原子為漫反射狀，需要對(duì)其加以約束。磁 控濺射環(huán)件就是配合平面靶材濺射使用的部件，其主要作用是通過(guò)其產(chǎn)生的電磁 場(chǎng)對(duì)濺射出的靶材料原子運(yùn)動(dòng)進(jìn)行約束，同時(shí)吸附濺射過(guò)程中有可能出現(xiàn)的大的 顆粒。
中國(guó)專利磁控管濺射室上的分離磁體環(huán)(200680008750.7)公開(kāi)了一種磁體環(huán)， 該發(fā)明的環(huán)體結(jié)構(gòu)與本發(fā)明有較大區(qū)別，其應(yīng)用目的也與本發(fā)明不同。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種用于半導(dǎo)體晶片濺射沉積裝置內(nèi)的磁控濺射環(huán)。 本發(fā)明的目的按照下述方案實(shí)現(xiàn)
一種磁控濺射環(huán)，包括用鉭或鈮金屬制成的圓形環(huán)體(1)，沿環(huán)體外緣裝有起 固定和引入電流作用的凸結(jié)體(2)，圓形環(huán)體(1)表面有凸菱形滾花； 所述凸結(jié)體(2)與環(huán)體(1)采用電子束焊接連接；
所述凸結(jié)體(2)為圓柱狀，外端沿軸心位置有螺紋孔(6)，在螺紋孔(6)外 有環(huán)形凹槽(5)，沿徑向有與螺紋孔相通的圓孔(7)。
本發(fā)明在鉭作為靶材在濺射機(jī)上使用，各方面性能達(dá)到設(shè)計(jì)要求。


圖l是本發(fā)明俯視示意圖；圖2是本發(fā)明正面示意圖3是本發(fā)明A-A剖視示意圖4是本發(fā)明凸臺(tái)的仰視圖。
具體實(shí)施例方式
如圖1、圖2所示，本發(fā)明由一個(gè)圓形環(huán)體(1)和位于其外緣的若干個(gè)凸 結(jié)體(2)構(gòu)成，材料采用純度超過(guò)99.9%的鉭或鈮金屬，兩者的連接采用電子束 焊接，主要起固定和引入電流作用；凸結(jié)體(2)的結(jié)構(gòu)如圖3、圖4所示，其 整體是呈T形的圓柱狀，外端沿軸心位置開(kāi)有螺紋孔(6)，在螺紋孔(6)外有 環(huán)形凹槽(5),沿徑向有與螺紋孔相通的圓孔(7)，在加工時(shí)，在圓形環(huán)體外側(cè) 的相應(yīng)位置開(kāi)有與凸結(jié)體(2)大頭直徑相配合的圓孔，將凸結(jié)體(2)鑲?cè)牒箅?子束焊接，凸結(jié)體(2)外露部分進(jìn)行噴砂處理，圓形環(huán)體(1)的表面進(jìn)行滾花 處理，在圖3、圖4上表示為滾花區(qū)(3)和噴砂區(qū)(4)，所滾花的標(biāo)準(zhǔn)為80TPI (每英寸范圍內(nèi)有80 "道"凸棱)凸菱形滾花。
權(quán)利要求
1、一種磁控濺射環(huán)，包括用鉭或鈮金屬制成的圓形環(huán)體(1)，其特征在于沿環(huán)體外緣裝有起固定和引入電流作用的凸結(jié)體(2)，圓形環(huán)體(1)表面有凸菱形滾花。
2、 如權(quán)利要求1所述的磁控濺射環(huán)，其特征在于所述凸結(jié)體(2)與環(huán)體(1) 采用電子束焊接連接。
3、 如權(quán)利要求l所述的磁控濺射環(huán)，其特征在于所述凸結(jié)體(2)為圓柱狀，外 端沿軸心位置有螺紋孔(6)，在螺紋孔(6)外有環(huán)形凹槽(5)，沿徑向有與 螺紋孔相通的圓孔(7)。
全文摘要
一種磁控濺射環(huán)，包括用鉭或鈮金屬制成的圓形環(huán)體(1)，沿環(huán)體外緣裝有起固定和引入電流作用的凸結(jié)體(2)，圓形環(huán)體(1)表面有凸菱形滾花。本發(fā)明在鉭作為靶材在濺射機(jī)上使用，各方面性能達(dá)到設(shè)計(jì)要求。
文檔編號(hào)C23C14/35GK101565819SQ20091011730
公開(kāi)日2009年10月28日 申請(qǐng)日期2009年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月4日
發(fā)明者磊 同, 張春恒, 李桂鵬, 凱 汪, 鐘景明 申請(qǐng)人:西北稀有金屬材料研究院