專(zhuān)利名稱(chēng)：清潔圖案化設(shè)備以及在襯底上沉積層系統(tǒng)的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)圖案化設(shè)備進(jìn)行清潔的方法，所述圖案化設(shè)備至少具有
沉積于其上的有機(jī)涂敷材料(OLED材料)；在襯底上沉積層系統(tǒng)的方 法，優(yōu)選為這樣的層系統(tǒng)，所述層系統(tǒng)包括至少一個(gè)包括有機(jī)發(fā)光半導(dǎo)體 材料(OLED材料)的層；用于對(duì)圖案化設(shè)備進(jìn)行清潔的系統(tǒng)，所述圖案 化設(shè)備至少具有沉積于其上的有機(jī)涂敷材料(OLED材料)；以及用于在 襯底上沉積層系統(tǒng)的涂敷系統(tǒng)，優(yōu)選為這樣的層系統(tǒng)，所述層系統(tǒng)包括至 少一個(gè)包括有機(jī)發(fā)光半導(dǎo)體材料(OLED材料)的層。
背景技術(shù)：
在多種技術(shù)應(yīng)用中，需要在襯底上沉積層或多層系統(tǒng)。例如，在生產(chǎn) 所謂的OLED (有機(jī)發(fā)光二極管)顯示器或屏幕時(shí)，各個(gè)層系統(tǒng)具有至少 一個(gè)光發(fā)射層，光發(fā)射層包括沉積在透明襯底(例如玻璃)上的有機(jī)電致 發(fā)光材料(OLED材料)。發(fā)光的有機(jī)材料的一種典型示例是Alq3。
OLED層可以具有微結(jié)構(gòu)，例如用于提供像素，所述像素可以被相應(yīng) 的電極層活化以發(fā)射光。微結(jié)構(gòu)是通過(guò)圖案化設(shè)備(例如蔭罩)來(lái)產(chǎn)生 的，所述圖案化設(shè)備具有與OLED層的微結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的/互補(bǔ)的結(jié)構(gòu)。
微結(jié)構(gòu)化的OLED材料通常被利用真空涂敷處理沉積在襯底上。蔭罩 被置于襯底表面與材料源之間的襯底上，所述材料源提供將被沉積在襯底 表面上的有機(jī)涂敷材料。
在涂敷處理過(guò)程中，涂敷顆粒也不可避免地?zé)o意沉積在蔭罩上。因 此，具有很小尺度微結(jié)構(gòu)的蔭罩受到污染，必須在一個(gè)或多個(gè)涂敷循環(huán)之 后被拆下進(jìn)行清潔。因此，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，OLED蔭罩在預(yù)定的使用時(shí)間 長(zhǎng)度之后被從真空涂敷室拆下。隨后，在大氣壓下執(zhí)行濕法化學(xué)清潔處 理。因此，在使用濕法化學(xué)清潔處理時(shí)，涂敷室的在線(xiàn)(in-line)設(shè)備中的OLED涂敷處理不得不被中斷，以從各個(gè)真空涂敷室拆下蔭罩。
此外，已經(jīng)實(shí)驗(yàn)了使用氧/氬(02/Ar)混合物的線(xiàn)性離子源來(lái)清潔蔭 罩。但是，對(duì)于使用商業(yè)應(yīng)用中的處理而言，用于對(duì)蔭罩進(jìn)行清潔的周期 太長(zhǎng)了。此外，金屬蔭罩的溫度發(fā)生顯著升高，給蔭罩造成了較高的熱負(fù) 荷、熱應(yīng)力和破壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供清潔方法、OLED涂敷方法、清潔系統(tǒng)、 OLED涂敷系統(tǒng)，它們便于在線(xiàn)(in-line) OLED涂敷設(shè)備的連續(xù)工作。
上述目的是通過(guò)提供下列內(nèi)容而解決的根據(jù)權(quán)利要求1對(duì)圖案化設(shè) 備進(jìn)行清潔的方法、根據(jù)權(quán)利要求11在襯底上沉積層系統(tǒng)的方法、根據(jù) 權(quán)利要求12對(duì)圖案化設(shè)備進(jìn)行清潔的系統(tǒng)、以及根據(jù)權(quán)利要求17在襯底 上沉積層系統(tǒng)的涂敷系統(tǒng)。優(yōu)選實(shí)施例的特征在從屬權(quán)利要求中描述。
根據(jù)本發(fā)明對(duì)圖案化設(shè)備進(jìn)行清潔的方法被提供來(lái)清潔圖案化設(shè)備， 所述圖案化設(shè)備至少具有沉積于其上的包括有機(jī)涂敷材料(OLED材料) 的層。該方法包括這樣的步驟提供清潔等離子體，以通過(guò)等離子體刻蝕 處理從所述圖案化設(shè)備除去所述涂敷材料。
發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在真空氣氛中對(duì)蔭罩進(jìn)行清潔時(shí)，可以便于在線(xiàn) OLED涂敷設(shè)備中的連續(xù)涂敷處理?？梢圆槐嘏趴誒LED涂敷設(shè)備中的涂 敷室、處理室或傳送室。由于在真空氣氛下執(zhí)行等離子體刻蝕處理，所以
可以在涂敷室自身中清潔蔭罩，或優(yōu)選地在另一個(gè)真空室中進(jìn)行，所述另 一個(gè)真空室是為進(jìn)行清潔而提供的，并耦合到所述涂敷系統(tǒng)。
優(yōu)選地，在從所述圖案化設(shè)備除去所述涂敷材料的所述步驟過(guò)程中， 所述圖案化設(shè)備的溫度不超過(guò)120°C，特別是100。C，特別是80。C。
由于通常圖案化設(shè)備是由金屬材料制成的或至少包括金屬材料的蔭 罩，所以在超過(guò)特定的溫度時(shí)(至少在特定的時(shí)間長(zhǎng)度內(nèi))不能避免對(duì)蔭 罩的破壞。當(dāng)然，最大溫度取決于所用的材料、刻蝕處理種類(lèi)等。最大溫 度可以是120。C、 110°C、 100°C、 90。C、 80。C或更低。
優(yōu)選地，在從所述圖案化設(shè)備除去所述涂敷材料的所述步驟過(guò)程中，所述圖案化設(shè)備的溫度不超過(guò)給所述圖案化設(shè)備造成破壞的臨界溫度。
在從所述圖案化設(shè)備除去所述涂敷材料的所述步驟過(guò)程中，優(yōu)選地維
持至少0.2(am/min、特別是0.5|iim/min 、特別是lpm/min、特別是 2.5|iim/min、特別是5(im/min的等離子體刻蝕率。
這意味著將有機(jī)涂敷材料從蔭罩刻蝕掉所需的時(shí)間長(zhǎng)度很短。例如， 在將經(jīng)過(guò)處理的襯底傳送到在線(xiàn)OLED涂敷設(shè)備的下一個(gè)真空室中的同 時(shí)，可以在涂敷循環(huán)之后對(duì)蔭罩進(jìn)行清潔。由于高刻蝕率，所以只需要一 個(gè)蔭罩組。
刻蝕率必須高到足以提供與在線(xiàn)OLED涂敷設(shè)備的循環(huán)時(shí)間相當(dāng)?shù)难?環(huán)時(shí)間。例如，1分鐘的循環(huán)時(shí)間可以足以確保在線(xiàn)涂敷設(shè)備不中斷的連 續(xù)工作。另一方面，蔭罩當(dāng)然不能被刻蝕。
因此，對(duì)清潔系統(tǒng)的要求是在刻蝕處理過(guò)程中蔭罩溫度低、不刻蝕蔭 罩，而刻蝕率高到足以確保在線(xiàn)OLED涂敷處理的連續(xù)性。
在本發(fā)明的一種具體實(shí)施例中，用于從圖案化設(shè)備除去涂敷材料的等 離子體是通過(guò)下述方式產(chǎn)生的使活化氣體活化以在活化區(qū)域中產(chǎn)生所述 等離子體。在從圖案化設(shè)備除去涂敷材料的處理過(guò)程中，圖案化設(shè)備被放 置在活化區(qū)域外側(cè)。在本實(shí)施例中，將遠(yuǎn)程等離子體用于刻蝕處理。
基本上，可以產(chǎn)生等離子體與襯底直接接觸，用于處理襯底。因此， 通過(guò)與襯底表面鄰近的活化氣體來(lái)使反應(yīng)氣體活化。但是，根據(jù)本發(fā)明， 反應(yīng)氣體的活化，即反應(yīng)分子的產(chǎn)生，也可以在離襯底表面遠(yuǎn)程的地方發(fā) 生。這種等離子體稱(chēng)為遠(yuǎn)程等離子體、下游(downstream)等離子體、或 余輝(afterglow)等離子體。
通過(guò)將使反應(yīng)刻蝕顆?；罨膮^(qū)域與襯底表面附近的刻蝕區(qū)域分開(kāi)， 可以減小高刻蝕率下的熱負(fù)荷。在這種"遠(yuǎn)程"的活化區(qū)域中，反應(yīng)顆粒 在刻蝕區(qū)域外側(cè)產(chǎn)生/活化，并被強(qiáng)氣流傳送到刻蝕區(qū)域中。"遠(yuǎn)程"等離 子體刻蝕處理的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是在這樣的工作壓力下執(zhí)行處理在所述工作 壓力下，離子的壽命足夠短，在撞擊到蔭罩之前就衰滅(decay) 了。
例如，在遠(yuǎn)程等離子體CVD處理中，活化氣體經(jīng)過(guò)用于產(chǎn)生活化原 子/分子(例如02、 H2、 N20)的放電區(qū)域。在位于活化區(qū)域下游的余輝區(qū)域中，活化氣體與刻蝕氣體或多種刻蝕氣體的混合物在遠(yuǎn)離活化區(qū)域且靠 近襯底表面的位置混合?？涛g氣體也可以穿過(guò)與活化氣體的該活化區(qū)域分 開(kāi)的活化區(qū)域。
活化氣體與刻蝕氣體在混合區(qū)域中反應(yīng)。激發(fā)能量從活化氣體的分子/ 原子輸送給刻蝕氣體的分子/原子以產(chǎn)生均勻的預(yù)反應(yīng)。在進(jìn)一步的反應(yīng) 中，刻蝕分子/原子與蔭罩反應(yīng)并從蔭罩除去有機(jī)涂敷顆粒。
通過(guò)使用遠(yuǎn)程等離子體刻蝕處理，可以提供具有高刻蝕率的有效的等 離子體刻蝕處理，而不在處理過(guò)程中將蔭罩暴露于高溫。此外，蔭罩不會(huì) 被具有高能量的活化氣體的分子/原子破壞。通過(guò)活化氣體(混合物)的高 能離子在蔭罩表面上的撞擊，襯底溫度(即蔭罩的溫度)被顯著升高。發(fā) 明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，可以減小離子轟擊以減少施加給蔭罩的熱負(fù)荷，同時(shí)在使 用遠(yuǎn)程等離子體源時(shí)維持高刻蝕率。
另外，在使用遠(yuǎn)程等離子體源時(shí)，蔭罩不暴露于用于活化氣體分子/原
子的RF或微波激發(fā)輻射，因?yàn)榛罨瘏^(qū)域遠(yuǎn)離蔭罩表面。蔭罩被置于等離 子體活化區(qū)域外側(cè)。
本發(fā)明的方法包括使用一個(gè)或多個(gè)刻蝕處理，無(wú)論是結(jié)合使用還是順 序地使用。
特別是，本發(fā)明包括提供脈沖能量以在從所述圖案化設(shè)備除去涂敷材 料的所述步驟中產(chǎn)生脈沖清潔等離子體。
這種實(shí)施例包括在直接等離子體刻蝕處理中，在與蔭罩表面鄰近的
等離子體產(chǎn)生區(qū)域中提供脈沖能量；或者在遠(yuǎn)程等離子體刻蝕處理中，在 遠(yuǎn)離蔭罩表面的區(qū)域提供脈沖能量。通過(guò)提供脈沖能量，可以通過(guò)所提供 的能量的頻率和功率水平來(lái)控制供給蔭罩的功率。因此，可以有效地控制 蔭罩的溫度升高。
實(shí)際上，在使用脈沖等離子體刻蝕處理時(shí)，脈沖長(zhǎng)度、頻率和功率可 以設(shè)定和優(yōu)化，使得在維持刻蝕率足夠高的同時(shí)，減小襯底(即蔭罩)的 熱應(yīng)力。反應(yīng)顆粒在能量脈沖(例如微波或RF輻射)過(guò)程中產(chǎn)生。在反 應(yīng)顆粒用盡之前，脈沖引發(fā)的化學(xué)過(guò)程一直持續(xù)，甚至在能量供應(yīng)的兩個(gè) 脈沖之間也持續(xù)。在一種優(yōu)選實(shí)施例中，通過(guò)將RF和/或HF和/或微波輻射引入等離子 體活化區(qū)域中來(lái)產(chǎn)生清潔等離子體。如上所述，等離子體活化區(qū)域可以位 于蔭罩附近(直接等離子體刻蝕處理)或遠(yuǎn)離蔭罩處(遠(yuǎn)程等離子體刻蝕 處理)。輻射被以合適的施加速率耦合到活化氣體和/或反應(yīng)氣體混合物。
優(yōu)選地，從所述圖案化設(shè)備除去所述涂敷材料的處理是在清潔室中執(zhí) 行的，所述清潔室具有的內(nèi)部壓力小于10mbar，特別是5mbar，特別是 lmbar，特別是O.lmbar。重要的是在真空氣氛中執(zhí)行蔭罩清潔處理以確保 連續(xù)的在線(xiàn)OLED涂敷處理。可以在涂敷室或處理室內(nèi)執(zhí)行清潔處理。
或者，在一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述方法是在與OLED涂敷室分開(kāi)的清 潔室中執(zhí)行的。清潔室可以耦合到OLED涂敷室。在將蔭罩從OLED涂敷 室傳輸?shù)角鍧嵤抑袝r(shí)，不需要顯著改變這些室中任何一者的壓力。此外， 不需要提供鎖定和/或解鎖室來(lái)在清潔蔭罩之前將蔭罩從涂敷系統(tǒng)卸下以及 在清潔之后將其帶回系統(tǒng)中。
清潔等離子體可以是由至少氧(02)與含鹵化物的分子的混合物所產(chǎn) 生的等離子體。例如，已經(jīng)使用包含02和CHF3、或者SF6與02的等離子 體獲得了良好的結(jié)果。
所發(fā)明的一種在襯底上沉積層系統(tǒng)的方法，所述層系統(tǒng)包括至少一個(gè) 包括有機(jī)發(fā)光半導(dǎo)體材料(OLED材料)的層，所述方法包括下列步驟 將所述襯底布置在涂敷室中，所述涂敷室具有用于提供涂敷材料的源，所 述涂敷材料將被沉積在所述襯底上；在所述襯底與所述源之間提供圖案化 設(shè)備；在所述襯底上沉積層，所述層包括有機(jī)發(fā)光半導(dǎo)體材料；從所述涂 敷室除去所述圖案化設(shè)備并將所述圖案化設(shè)備布置在清潔室中；以及執(zhí)行 上述清潔方法以從所述圖案化設(shè)備除去涂敷材料。
在執(zhí)行該方法時(shí)，襯底可以已經(jīng)具有一個(gè)或多個(gè)沉積于其上的層。此 外，蔭罩可以在受到清潔之前用于一個(gè)或多個(gè)OLED涂敷循環(huán)。OLED涂 敷處理可以包括各種涂敷方法，特別是PVD (物理氣相沉積)、CVD (化 學(xué)氣相沉積)、PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)、汽化 (vaporisation)處理、濺射等。特別是，在從涂敷室中除去圖案化設(shè)備并 執(zhí)行等離子體清潔處理之前，將襯底布置在涂敷室中以及在襯底上沉積包括有機(jī)發(fā)光半導(dǎo)體材料的層這些步驟可以重復(fù)執(zhí)行n次，其中n=0, 1， 2, 3，...。這意味著在每次運(yùn)行之后或者在n次運(yùn)行之后對(duì)蔭罩進(jìn)行清潔。
圖案化設(shè)備設(shè)在襯底與用于涂敷材料的材料源之間。提供圖案化設(shè)備 意味著圖案化設(shè)備被布置在涂敷室內(nèi)。在開(kāi)始涂敷處理之前，圖案化設(shè)備 和/或襯底可以彼此相對(duì)對(duì)準(zhǔn)，和/或與涂敷材料源對(duì)準(zhǔn)。
本發(fā)明的一種用于對(duì)圖案化設(shè)備進(jìn)行清潔的系統(tǒng)，所述圖案化設(shè)備至 少具有沉積于其上的有機(jī)涂敷材料(OLED材料)，所述系統(tǒng)包括用于 提供清潔等離子體的等離子體源，所述清潔等離子體用于通過(guò)等離子體刻 蝕處理從所述圖案化設(shè)備除去所述涂敷材料。
優(yōu)選地，所述系統(tǒng)包括用于將所述圖案化設(shè)備的溫度維持為不超過(guò) 120°C，特別是100°C，特別是80°C的裝置。在處理中，維持的等離子體 刻蝕率至少0.2jim/min，特別是0.5nm/min，特別是1)im/min，特別是 2.5fim/min，特另U是5nm/min。
此外，優(yōu)選地，所述系統(tǒng)包括用于將所述圖案化設(shè)備的溫度維持為不 超過(guò)給所述圖案化設(shè)備造成破壞的臨界溫度的裝置。特別是，在從蔭罩除 去有機(jī)分子的處理過(guò)程中，不可以超過(guò)所述圖案化設(shè)備的熔融溫度達(dá)較長(zhǎng) 的時(shí)間。
所述等離子體源可以是至少使活化區(qū)域中的活化氣體活化的遠(yuǎn)程等離 子體源，在所述刻蝕處理過(guò)程中，所述圖案化設(shè)備被放置在所述活化區(qū)域 之外?；罨瘹怏w可以是惰性氣體、02、 H2、 N20等?；罨瘹怏w分子/原子在 活化區(qū)域中被激發(fā)。此后，它們被輸送到混合和等離子體產(chǎn)生區(qū)域中。它 們?cè)谠搮^(qū)域中與刻蝕氣體混合?；钚詺怏w分子/原子和活化的刻蝕氣體原子 /分子構(gòu)成了刻蝕等離子體。混合和等離子體產(chǎn)生區(qū)域的位置鄰近蔭罩表面 以對(duì)蔭罩表面進(jìn)行處理。在本實(shí)施例中，活性區(qū)域在清潔處理過(guò)程中遠(yuǎn)離 圖案化設(shè)備，使得活化區(qū)域與圖案化設(shè)備之間的距離足夠大，以防止活化 區(qū)域中產(chǎn)生的離子在其壽命期間撞擊到圖案化設(shè)備，即，清潔系統(tǒng)的工作 壓力很低，使受到活化的離子不到達(dá)圖案化設(shè)備的表面。
優(yōu)選地，等離子體源是脈沖等離子體源。
本發(fā)明的一種用于在襯底上沉積層系統(tǒng)的涂敷系統(tǒng)，所述層系統(tǒng)優(yōu)選地包括至少一個(gè)包括有機(jī)發(fā)光半導(dǎo)體材料(OLED材料)的層，所述涂敷 系統(tǒng)包括至少一涂敷室，用于在襯底上沉積涂敷層；至少一個(gè)圖案化設(shè) 備，用于選擇性和/或局部地阻擋涂敷顆粒被沉積在所述襯底的特定表面區(qū) 域上而形成結(jié)構(gòu)化層，所述結(jié)構(gòu)化層至少包括所述有機(jī)發(fā)光半導(dǎo)體材料； 和用于對(duì)上述圖案化設(shè)備進(jìn)行清潔的系統(tǒng)。
優(yōu)選地，用于對(duì)所述圖案化設(shè)備進(jìn)行清潔的所述系統(tǒng)包括(真空)清 潔室，所述(真空)清潔室被配置成與所述(真空)涂敷室分開(kāi)的室。清 潔室的壓力水平可以與涂敷室的壓力水平相同或相似。因此，不需要花費(fèi) 時(shí)間來(lái)補(bǔ)償壓力差?；蛘?，用于清潔的系統(tǒng)可以設(shè)在所述(真空)涂敷室 中。
優(yōu)選地，所述涂敷系統(tǒng)是在線(xiàn)OLED涂敷系統(tǒng)。


根據(jù)下面參考附圖對(duì)具體實(shí)施例的說(shuō)明可以了解更多的目的和優(yōu)點(diǎn)。 附圖示出了根據(jù)本發(fā)明的蔭罩清潔系統(tǒng)的示意圖。
具體實(shí)施例方式
附示了根據(jù)本發(fā)明的蔭罩清潔系統(tǒng)1。在本實(shí)施例中，蔭罩清潔 系統(tǒng)1包括遠(yuǎn)程等離子體源。由箭頭A所示的活性氣體或氣體混合物被傳 輸?shù)交罨瘏^(qū)域2中，活化區(qū)域2位于離開(kāi)金屬蔭罩3的表面較遠(yuǎn)處。有機(jī) 顆粒沉積在蔭罩3的表面上，等離子刻蝕處理中蔭罩3需要被拆下?；罨?氣體A的原子/分子在活化區(qū)域2中被脈沖RF或微波輻射R活化，所述脈 沖RF或微波輻射R是由脈沖RF或微波輻射源(未示出)提供的。
在被活化之后，由箭頭A'表示的活化氣體原子/分子進(jìn)入混合和激發(fā) 區(qū)域4，所述混合和激發(fā)區(qū)域4位于蔭罩3的表面附近并與之相鄰。在該 區(qū)域4中，被活化的原子/分子Y與由箭頭P所示的處理氣體分子/原子 (刻蝕分子/原子)混合。被活化的分子/原子A、每該區(qū)域4內(nèi)的處理氣體 原子/分子P激發(fā)，使該區(qū)域4中產(chǎn)生刻蝕等離子體?？涛g等離子體與蔭罩 3的表面接觸，因而以相當(dāng)高的速率清潔蔭罩3。用過(guò)的氣體混合物如箭頭E所示被從蔭罩表面3除去。
由于a)等離子體是脈沖等離子體，以及b)活化氣體A的活化是在 離蔭罩3表面較遠(yuǎn)的區(qū)域2中執(zhí)行的，所以金屬蔭罩3的溫度被維持得足 夠低，以防止蔭罩3的熱破壞并防止蔭罩的刻蝕。
本發(fā)明的更多參數(shù)將在下面的示例列出。
<示例1>
在根據(jù)本發(fā)明的清潔系統(tǒng)中，涂敷了有機(jī)材料(例如Alq3分子)的蔭 罩被放在相對(duì)于真空室中產(chǎn)生的等離子體區(qū)域預(yù)定距離處。
該系統(tǒng)包括等離子體產(chǎn)生源，以產(chǎn)生和維持用于對(duì)蔭罩進(jìn)行清潔的刻 蝕等離子體。在本示例中，產(chǎn)生等離子體的氣體混合物包括流率為 200sccm至400sccm的8 6/02混合物(由質(zhì)量流量控制器設(shè)定)。
等離子體產(chǎn)生源包括微波源，該微波源提供2.45GHz的微波輻射來(lái)使 氣體/氣體混合物解離以產(chǎn)生等離子體。用頻率為666Hz的6kW功率脈沖 供電。真空清潔室中的總壓力為O.lmbar。以240nm/min的刻蝕率將Alq3 從蔭罩除去。蔭罩溫度被保持在100°C以下，蔭罩溫度的升高只有幾。C， 并且不發(fā)生金屬蔭罩的刻蝕。
可以用直接等離子體或遠(yuǎn)程等離子體來(lái)執(zhí)行刻蝕處理。進(jìn)一步的刻蝕 處理可以與所述刻蝕處理結(jié)合執(zhí)行，或者隨后執(zhí)行。
<示例2>
使用CHF3/02的用于產(chǎn)生等離子體的氣體混合物已經(jīng)獲得了非常好的 結(jié)果。已經(jīng)在蔭罩溫度不顯著升高的情況下獲得了高達(dá)0.5)Lim/min的刻蝕 率和小于lmin的循環(huán)時(shí)間。因此，可以實(shí)現(xiàn)OLED在線(xiàn)涂敷設(shè)備的連續(xù) 操作。
權(quán)利要求
1.一種對(duì)圖案化設(shè)備進(jìn)行清潔的方法，所述圖案化設(shè)備至少具有沉積于其上的有機(jī)涂敷材料(OLED材料)，所述方法的特征在于，所述方法包括這樣的步驟提供清潔等離子體，以通過(guò)等離子體刻蝕處理從所述圖案化設(shè)備除去所述涂敷材料。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在從所述圖案化設(shè)備除去所述涂敷材料的所述步驟過(guò)程中，所述圖案 化設(shè)備的溫度不超過(guò)120°C，特別是100。C，特別是80。C。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于， 在從所述圖案化設(shè)備除去所述涂敷材料的所述步驟過(guò)程中，所述圖案化設(shè)備的溫度不超過(guò)給所述圖案化設(shè)備造成破壞的臨界溫度。
4. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于， 在從所述圖案化設(shè)備除去所述涂敷材料的所述步驟過(guò)程中，維持至少0.2pm/min的等離子體刻蝕率，特別是0.5nm/min，特別是lpm/min，特別 是2nm/min，特另ll是2.5pm/min。
5. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于， 用于從所述圖案化設(shè)備除去所述涂敷材料的所述等離子體是通過(guò)使活化氣體活化而產(chǎn)生的，所述活化氣體用于在活化區(qū)域中產(chǎn)生所述等離子 體，在從所述圖案化設(shè)備除去所述涂敷材料的處理過(guò)程中，所述圖案化設(shè) 備被放置在所述活化區(qū)域之外。
6. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于， 所述方法包括在從所述圖案化設(shè)備除去所述涂敷材料的所述步驟過(guò)程中，提供脈沖能量以產(chǎn)生脈沖的清潔等離子體。
7. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于， 所述清潔等離子體是通過(guò)將RF和/或HF和/或微波輻射引入等離子體活化區(qū)域中而產(chǎn)生的。
8. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，從所述圖案化設(shè)備除去所述涂敷材料的所述處理是在清潔室中執(zhí)行的，所述清潔室的內(nèi)部壓力小于10mbar，特別是5mbar，特別是lmbar， 特別是0.1mbar。
9. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于， 所述方法是在與OLED涂敷室分開(kāi)的清潔室中執(zhí)行的。
10. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于， 所述清潔等離子體是由混合物產(chǎn)生的等離子體，所述混合物是至少氧氣(02)與含鹵化物的分子的混合物。
11. 一種在襯底上沉積層系統(tǒng)的方法，所述層系統(tǒng)優(yōu)選地包括至少一 個(gè)包括有機(jī)發(fā)光半導(dǎo)體材料的層，所述方法包括下列步驟將所述襯底布置在涂敷室中，所述涂敷室具有用于提供涂敷材料的源，所述涂敷材料將被沉積在所述襯底上；在所述襯底與所述源之間提供圖案化設(shè)備； 在所述襯底上沉積層，所述層包括有機(jī)發(fā)光半導(dǎo)體材料； 從所述涂敷室除去所述圖案化設(shè)備并將所述圖案化設(shè)備布置在清潔室中；以及執(zhí)行根據(jù)前述權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的清潔方法，以從所述 圖案化設(shè)備除去涂敷材料。
12. —種用于對(duì)圖案化設(shè)備進(jìn)行清潔的系統(tǒng)，所述圖案化設(shè)備至少具 有沉積于其上的有機(jī)涂敷材料，所述系統(tǒng)包括用于提供清潔等離子體的 等離子體源，所述清潔等離子體用于通過(guò)等離子體刻蝕處理從所述圖案化 設(shè)備除去所述涂敷材料。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包括用于將所述圖案化設(shè)備的溫度維持為不超過(guò)120°C，特 別是100°C，特別是80°C的裝置。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的系統(tǒng)，其特征在于， 所述系統(tǒng)包括用于將所述圖案化設(shè)備的溫度維持為不超過(guò)給所述圖案化設(shè)備造成破壞的臨界溫度的裝置。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12至14中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述等離子體源是至少使活化區(qū)域中的活化氣體活化的遠(yuǎn)程等離子體 源，在所述刻蝕處理過(guò)程中，所述圖案化設(shè)備被放置在所述活化區(qū)域之 外。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12至15中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于， 所述等離子體源是脈沖等離子體源。
17. —種用于在襯底上沉積層系統(tǒng)的涂敷系統(tǒng)，所述層系統(tǒng)優(yōu)選地包括至少一個(gè)包括有機(jī)發(fā)光半導(dǎo)體材料的層，所述涂敷系統(tǒng)包括至少一個(gè)涂敷室，用于在襯底上沉積涂敷層；至少一個(gè)圖案化設(shè)備，用于選擇性和/或局部地阻擋涂敷顆粒被沉積在 所述襯底的特定表面區(qū)域上而形成結(jié)構(gòu)化層，所述結(jié)構(gòu)化層至少包括所述 有機(jī)發(fā)光半導(dǎo)體材料；和用于對(duì)根據(jù)前述權(quán)利要求12至16中任一項(xiàng)所述的圖案化設(shè)備進(jìn)行清 潔的系統(tǒng)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的涂敷系統(tǒng)，其特征在于， 用于對(duì)所述圖案化設(shè)備進(jìn)行清潔的所述系統(tǒng)包括清潔室，所述清潔室被配置成與所述涂敷室分開(kāi)的室。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的涂敷系統(tǒng)，其特征在于， 所述涂敷系統(tǒng)是在線(xiàn)OLED涂敷系統(tǒng)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種清潔圖案化設(shè)備以及在襯底上沉積層系統(tǒng)的方法和系統(tǒng)。圖案化設(shè)備至少具有沉積于其上的有機(jī)涂敷材料，方法包括這樣的步驟提供清潔等離子體，以通過(guò)等離子體刻蝕處理從圖案化設(shè)備除去涂敷材料。在從圖案化設(shè)備除去涂敷材料的步驟期間，圖案化設(shè)備的溫度不超過(guò)給圖案化設(shè)備造成破壞的臨界溫度，同時(shí)維持的等離子體刻蝕率至少為0.2μm/min，特別是0.5μm/min，特別是1μm/min，特別是2.5μm/min，特別是5μm/min。為了產(chǎn)生脈沖清潔等離子體，提供脈沖能量。該方法可以在直接等離子體刻蝕處理中或遠(yuǎn)程等離子體刻蝕處理中執(zhí)行。不同的刻蝕處理可以組合或者順序執(zhí)行。
文檔編號(hào)C23C14/04GK101315879SQ200810109520
公開(kāi)日2008年12月3日 申請(qǐng)日期2008年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月31日
發(fā)明者烏里·霍夫曼, 卓斯·曼紐爾·迪格茨-加波 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料公司