專利名稱：：電子設備用銅合金及其制造方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及鍍覆性得到改善的銅合金及其制造方法。技術背景為了賦予功能性，電子設備中使用的銅合金實施了各種鍍覆，例如在使用于引線框用途的情況下，實施了用于引線接合(wirebonding)的鍍銀或構成其底層的鍍銅、用于基板組裝的鍍焊錫等。另外，近年來，還使用了鍍覆引線框，所述鍍覆引線框是在利用蝕刻或壓制進行引線加工后再對整個引線框實施鍍覆，在這種情況下，實施鍍鈀或構成其底層的鍍鎳。近年來，要求電子設備中使用的電子部件進一步高集成化或小型化/薄型化，對應于這種要求，在引線框、端子、連接器中，多針化或窄間距化正在不斷發(fā)展。另外，從環(huán)境問題的觀點考慮，要求在基板組裝時使用的焊錫的無鉛化，但是在大量無鉛焊錫的情況下，基板組裝時的焊接焊錫的溫度上升。伴隨著窄間距化，在引線框的制造工序中，有時會產生下述的問題在實施鍍銀時，引起鍍覆的異常析出并成長為突起狀，引線接合的接合強度降低或在鄰接的引線之間發(fā)生短路。.另外，在未實施鍍銀的部分露出底層的鍍銅，在封裝工序中被加熱而在引線框表面形成氧化膜。此時，在引起鍍銅的異常析出例如多孔狀的析出時，存在下述問題在引線框表面形成密合性差的氧化膜，模塑樹脂和引線框的密合性降低，在對基板進行焊接焊錫時，在回焊爐(reflowfurnace)內產生封裝裂紋。針對這些問題，提出了將成為鍍覆異常析出的起點的銅合金中析出物的數量限制在一定值以下的方法或將添加元素或雜質元素的含量限制在一定值以下的方法等。但是，這些方法雖然對特定合金組成的銅合金是有效的，但并不能適用于其它的銅合金，沒有發(fā)現能夠適用于所有銅合金的方法。另外，目前雖然提出了改善存在于金屬材料表面的加工變質層的影響的方法，但這些方法是以改善鍍層的密合性或焊錫浸潤性為對象，與基于發(fā)現了鍍覆的異常析出(例如突起狀析出、多孔析出)和加工變質層厚度的關聯的本發(fā)明本質上是不同的。
發(fā)明內容按照本發(fā)明，能夠提供不會產生鍍覆的異常析出或氧化膜密合性降低的、鍍覆性優(yōu)異的電子設備用銅合金及其制造方法。本發(fā)明人等對于在鍍覆時或鍍覆后產生的上述問題點進行了悉心研究，結果發(fā)現在通過將鑄造、熱軋、冷軋、拋光處理、退火等工序進行適當組合的通常的工序制造的電子設備用銅合金的表層上存在包含非晶質組織的拜爾培層(上層)和極微細的結晶集合組織的微細結晶層(下層)的加工變質層，在該加工變質層的上面實施鍍覆時，引起鍍覆的異常析出，這成為上述問題點的原因，并進行進一步的研究，以至完成本發(fā)明。銅合金通常是適當組合鑄造、熱軋、冷軋、拋光處理、退火等工序而制造的，在該過程中，銅合金受到各種塑性加工。上述塑性加工的結果，在銅塑性變形層。在本說明書和權利要求書中，所謂"加工變質層，，是指上述各種塑性加工的結果，在銅合金的表層上產生的包含拜爾培層(上層)和微細結晶層(下層)的不均一且微細的結晶組織(例如非晶質~結晶粒徑不足0.2jum)。上述拜爾培層由非晶質組織構成，上述微細結晶層由極微細的結晶集合組織構成。上述塑性變形層由結晶集合組織構成，所述結晶集合組織的晶粒比微細結晶層粗大(例如結晶粒徑為0.23.0pm左右)，且越向下部越逐漸接近銅合金內部的晶粒大小(例如結晶粒徑為3.0~10.0pm左右)。本發(fā)明人等還發(fā)現銅合金的表層上有上述加工變質層這樣的不均一且微細的結晶組織的情況下，容易引起從鍍覆初期階段生成的核中優(yōu)先進行核成長而成為突起狀，或者在表層難以引起均勻的核生成而使鍍覆皮膜成為多孔狀等的異常析出。本發(fā)明是基于上述發(fā)現而完成的。按照本發(fā)明，提供以下的方法(l)一種電子設備用銅合金，其中，表層的加工變質層的厚度為0.2pm以下。(2)上述(])所迷的電子設備用銅合金，其中，在上述銅合金上實施鍍覆。(3)上述(1)或(2)所述的電子設備用銅合金，其中，在上述銅合金上實施鍍銀或鍍銅。(4)上述(1)~(3)中任一項所述的電子設備用銅合金，其含有0.05~0.5質量％的Cr、0.05~2.0質量％的Sn和0.05~1.0質量％的Zn,根據需要還含有0.01~0.5質量％的Si和0.01-0.5質量％的Zr中的一種或兩種且合計為0.01~0.5質量％,其余部分包括銅(Cu)和不可避免的雜質。(5)上述(1)~。)中任一項所述的電子設備用銅合金，其含有2.0~4.0質量o/。的Ni、0.4~0.8質量％的Si，根據需要還含有0.05~0.15質量％的Mg、0.005~0.1質量％的Ag、0.005~0.1質量％的Mn、0.05~2.0質量％的Sn和0.05~1.0質量％的Zn中的一種或兩種以上且合計為0.005~2.0質量％,其余部分包括Cu和不可避免的雜質。(6)—種引線框，其中，使用了上述(l)-(5)中任一項所述的電子設備用銅合金。("一種端子，其中，使用了上述(1)~(5)中任一項所述的電子設備用銅入奪(8)—種連接器，其中，使用了上述(l)-(5)中任一項所述的電子設備用銅合金。(9)一種電子設備用銅合金的制造方法，其中，除去表層的加工變質層，使加工變質層的厚度為0.2pm以下。(10)上述(9)所述的電子設備用銅合金的制造方法，其中，通過化學的溶解處理除去所述加工變質層。(11)上述(9)所述的電子設備用銅合金的制造方法，其中，通過電化學的溶解處理除去所迷加工變質層。(12)上述(9)所述的電子設備用銅合金的制造方法，其中，通過熱處理除去所述加工變質層。(13)上述(9)(12)中任一項所述的電子設備用銅合金的制造方法，其中，上述電子設備用銅合金含有0.05~0.5質量％的Cr、0.05~2.0質量％的Sn和0.05~1.0質量°/。的Zn,根據需要還含有0.01~0.5質量％的Si和0.01~0.5質量％的Zr中的一種或兩種且合計為0.01~0.5質量％，其余部分包括Cu和不可避免的雜質，并且表層的加工變質層的厚度為0.2nm以下。(14)上述(9)(12)中任一項所述的電子設備用銅合金的制造方法，其中，上述電子設備用銅合金含有2.0-4.0質量°/。的Ni、0.4~0.8質量％的Si,根據需要還含有0.05~0.15質量％的Mg、0.005~0.1質量％的Ag、0.005~0,1質量％的Mn、0.05~2.0質量％的Sn、0.05~1.0質量％的Zn中的一種或兩種以上且合計為0.005-2.0質量％,其余部分包括Cu和不可避免的雜質，并且表層的加工變質層的厚度為0.2jim以下。通過與附圖一起考慮，根據下述的記載可知本發(fā)明的上述及其它特征和優(yōu)點。[圖l]圖1是SIM觀察的銅合金的截面圖照片。[圖2]圖2是包含加工變質層1和塑性變形層2的銅合金的截面圖。具體實施方式下面，i羊細i也i兌明本發(fā)明。在本發(fā)明中，為了防止鍍覆異常析出而獲得優(yōu)異的鍍覆性，需要將加工變質層的厚度減薄至不會對鍍覆析出時的結晶性帶來影響的程度，優(yōu)選使其厚度為0.2(im以下。特別是在要求高信賴性的用途中，更加優(yōu)選使加工變質層的厚度為0.05pm以下。在本發(fā)明中，在上述銅合金上實施的鍍覆可以使用鍍銀、鍍銅、鍍焊錫或鍍錫、鍍鎳等，特別優(yōu)選使用在用于引線框、端子、連接器等的銅合金上實施的鍍銀或鍍銅。在本發(fā)明中，作為上述銅合金，可使用Cu-Sn系或Cu-Zn系的固溶型合金，也可以使用Cu-Cr-Sn系、Cu-Cr系、Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系、Cu-Ni陽Sn系的析出型銅合金等，但特別優(yōu)選使用在引線間隔狹小的多針用途的引線框中使用的Cu-Cr-Sn系、Cu-Ni-Si系銅合金。為了得到作為引線框的良好的強度和導電性，上述Cu-Cr-Sn系銅合金優(yōu)選化學成分組成為以下的范圍。鉻(Cr)是在銅中引起析出而提高銅合金的強度的添加元素。Cr過少時，其效果?。欢^多時，其效果飽和。在本發(fā)明中，優(yōu)選為0.05~0.5質量％的范圍，更優(yōu)選為0.1~0.45質量％,進一步優(yōu)選為0.2-0.4質量％。錫(Sn)、鋅(Zn)是固溶于銅中的添加元素，在固溶強化和之后的冷加工中，具有顯著提高強度的效果。添加量少時，其效果??；添加量多時，損害導電性。為了在電子設備中確保優(yōu)選的導電性，Sn量優(yōu)選為0.05-2.0質量%,Zn量優(yōu)選為0.05~1.0質量％。Sn量更優(yōu)選為0.1~0.5質量％、進一步優(yōu)選為0.2-0.4質量％。另外，Zn量更優(yōu)選O.l~0.5質量％、進一步優(yōu)選為0.15~0.3質量％。此外，為了提高強度，可以在Cu-Cr-Sn系銅合金中添加硅(Si)、鋯(Zr)之一或兩者。Si是與Cr形成Cr-Si析出物，并通過Cr和Cr-Si的復合析出而提高銅合金強度的添加元素。過少時，其效果??；過多時，損害導電性。在本發(fā)明中，優(yōu)選為0.01~0.5質量％,更優(yōu)選為0.05~0.4質量％,進一步優(yōu)選為0.1~0.3質量％。Zr是在銅中引起析出而提高銅合金強度的添加元素。過少時，其效果??；過多時，其效果飽和。在本發(fā)明中，優(yōu)選為0.01-0.5質量％,更優(yōu)選為0.05~0.4質量％，進一步優(yōu)選為0.1~0.3質量％。在本發(fā)明中，Si和Zr的總量優(yōu)選為0.01~0.5質量％的范圍。為了得到作為引線框的良好的強度和導電性，上述Cu-Ni-Si系銅合金優(yōu)選化學成分組成為下述范圍。Ni和Si是通過控制添加比形成Ni-Si析出物而進行析出強化，從而提高銅合金強度的添加元素。Ni量過少時，得不到充分的析出強度；過多時，損害導電性。在本發(fā)明中，優(yōu)選為2.0~4.5質量％,更優(yōu)選為2.0-4.0質量％，進一步優(yōu)選為2.5~4.0質量°/0。Si量由于在為Ni添加量的約1/5時，強化量變得最大，因此，優(yōu)選為0.25~1.0質量％,更優(yōu)選為0.4~0.9質量％,進一步優(yōu)選為0.4~0.8質量％，最優(yōu)選為0.5~0.8質量％。此外，為了提高特性，還可以在Cu-Ni-Si系銅合金中添加Mg、Ag、Mn、Sn、Zn。鎂(Mg)是在銅中引起固溶或析出而提高銅合金強度的添加元素。過少時，其效果??；過多時，使鑄塊的熱加工性降低。在本發(fā)明中，優(yōu)選為0.05~0.3質量％,更優(yōu)選為0.05-0.15質量％,進一步優(yōu)選為0.1~0.2質量％,特別優(yōu)選為0.13~0.17質量％。銀(Ag)是在銅中固溶而提高銅合金強度的添加元素。過少時，其效果??；過多時，其效果飽和且成本變高。在本發(fā)明中，優(yōu)選為0.005~0.2質量％,更優(yōu)選為0.005~0.1質量％，進一步優(yōu)選為0.01~0.1質量％，特別優(yōu)選為0.02~0.05質量％。錳(Mn)是使鑄塊的熱加工性良好的添加元素。過少時，其效果??；過多時，損害導電性。在本發(fā)明中，優(yōu)選為0.005-0.2質量％,更優(yōu)選為0.005~0.1質量％,進一步優(yōu)選為0.01~0.15質量％,特別優(yōu)選為0.07~0.12質量％。Sn、Zn是固溶于銅中的元素，在固溶強化和之后的冷加工中，有顯著提高強度的效果。過少時，其效果小；添加量多時，損害銅合金的導電性。為了在電子設備中確'保優(yōu)選的導電性，Sn量優(yōu)選為0.05-2.0質量％,Zn量優(yōu)選為0.05~1.0質量％。Sn量更優(yōu)選為0.05-1.0質量°/。，進一步優(yōu)選為0.1~0.2質量％。Zn量更優(yōu)選為0.05~1.0質量％，進一步優(yōu)選為0.1~0.7質量％。在本發(fā)明中，Ag、Mg、Mn、Sn、Zn的總量優(yōu)選為0.005~2.0質量％的范圍。在本發(fā)明中，在上述銅合金的加工變質層的除去中，可使用通過化學的溶解處理或電化學的溶解處理、濺射等的物理處理的除去方法。另外，還可以同樣地使用如下方法在非氧化性氣氛下實施熱處理以恢復非晶質或微細的結晶組織的結晶性，從而成為與塑性變形層或銅合金內部的結晶組織同樣的組織，由此使加工變質層消失。由于在可以適用于賊射等物理處理時的尺寸或處理時間方面有限制，因此，作為工業(yè)的方法，化學的或電化學的溶解處理或熱處理的除去方法是合適的。作為上述化學的溶解處理，可以使用組合了酸和氧化劑的酸溶解液，可組合使用硫酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、磷酸等酸和過氧化氫、鉻酸鹽、過硫酸鹽等氧化劑，但考慮到溶解速度或環(huán)境方面/操作性，硫酸和過氧化氫的組合是優(yōu)選的。作為上述電化學的溶解處理，可使用在酸性溶液中的陽極電解，可以使用在磷酸、硫酸等酸中添加鉻酸這類無機酸的電解液。對于銅合金，具有長的實效和優(yōu)異的研磨效果的磷酸系電解液是優(yōu)選的。作為上述熱處理，可使用在還原性氣氛或惰性氣氛的加熱爐中的加熱處理，可使用通過適當組合加熱溫度和加熱時間而在退火爐中的間歇式加熱或在移動退火爐中的移動加熱等。在加工變質層的除去處理中，為了防止表層的氧化，優(yōu)選在氫等的還原性氣氛中的加熱，從熱處理中的氣濃度的穩(wěn)定性方面考慮，優(yōu)選在鐘罩式爐等中的間歇式加熱。在本發(fā)明中，通過在板厚方向的截面上放大觀察銅合金的表層部分來觀察上述銅合金的加工變質層。為了明確識別組織，組織觀察優(yōu)選使用電子顯微鏡放大至10000倍左右來進行，特別優(yōu)選使用SIM或FE-SEM等觀察裝置。另外，在截面加工中，優(yōu)選不形成加工變質層的方法，特別優(yōu)選使用FIB等裝置。使用圖1和圖2對銅合金的截面結構進行說明。圖1是基于SIM觀察的銅合金的截面圖照片。圖2是包含加工變質層1和塑性變形層2的銅合金的截面圖。由圖2可知上述加工變質層1由拜爾培層3(上層)和微細結晶層4(下層)構成，上述拜爾培層3由非晶質組織構成，上述微細結晶層4由極微細的結晶集合組織構成。在加工變質層1的更下部存在的塑性變形層2的晶粒比微細結晶層粗大，如圖1所示，加工變質層l(用虛線圍起的部分)的結晶組織與塑性變形層2明顯不同，所以兩者能夠容易地識別。由于加工變質層的形成量根據加工的程度而變化，因此在利用顯微鏡進行放大觀察的視野內或多個觀察位置的比較中，其厚度有時發(fā)生變化。因此，在放大觀察的視野內計測加工變質層最厚位置的厚度，將5個觀察位置的計測值的平均值定義為加工變質層的厚度。的加工變質層而抑制其厚度為0.2pm以下，通過在其上面實施鍍覆，防止異常析出，鍍銀或對氧化膜密合性造成影響的鍍銅等的鍍覆性變得良好。本發(fā)明是通過使銅合金的表層上存在的加工變質層為0.2|im以下而使鍍覆性良好的發(fā)明，對于合金組成或性質不同(質別)的各種銅合金，均表現出其效果。另外，除鍍銀或鍍銅以外，對于鍍焊錫或鍍鎳等，也同樣地可以防止鍍覆的異常析出而得到優(yōu)異的鍍覆性。使用了本發(fā)明的電子設備用銅合金的引線框、端子、連接器，在其制造工序中，由于不發(fā)生起因于鍍覆性的不良情況，因而成品率高，另外，在封裝工序或基板組裝工序以及以后的使用階段中，都帶來高的信賴性。以下，基于實施例更詳細地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于此。實施例實施例1對表1所示的化學成分組成的銅合金進行鑄造、軋制、拋光處理、退火，制作厚度0.15mm的銅合金板。對這些銅合金板實施脫脂處理和酸洗處理后，對利用化學溶解實施了加工變質層的除去處理的材料進行鍍銀，評價銀鍍覆性。表1__<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>上述脫脂處理是在含有cleaner160S(商品名，Meltex(>A亍7夕乂)公司制造)60g/l的脫脂液中，在液溫60°C、電流密度2.5A/dm2的條件下進行30秒鐘的陰極電解。另外，上述酸洗處理是在含有硫酸100g/l的酸洗液中，在室溫下浸漬30秒鐘進行的。上述加工變質層的除去處理是在含有硫酸100g/l、過氧化氬15g/l的水溶液中，在室溫下浸漬而進行的。除去處理后的加工變質層的厚度在本發(fā)明例中為O、0.02、0.05、0.1、0.2lam五種，在比較例中為0.3(am。在含有氰化銀鉀55g/I、氰化鉀75g/1、氫氧化鉀10g/、碳酸鉀25g/I的鍍銀溶液中，在室溫下，在電流密度為1.0A/dn^的條件下，進行上述鍍銀，使I4覆厚度為3(im。上述銀鍍覆性如下進行評^介使用顯微鏡(基恩士(Keyence,《一工乂^)公司制造)，將鍍銀表面放大至450倍進行觀察，計數在鍍銀表面上產生的突起狀的異常析出位置的個數，每單位面積的個數為5個/mi^以下的情況記為◎,5~10個/mm2的情況記為O,比10個/mm2多的情況記為x。實施例1的評價結果如表2所示。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>實施例2除在加工變質層的除去方法中使用電解溶液以外，利用與實施例1一樣的方法進行鍍銀，進行銀鍍覆性的評價。上述加工變質層的除去處理是在含有磷酸700g/1的水溶液中，在室溫、電流密度10A/dn^的條件下進行陽極電解而進行的。除去處理后的加工變質12層的厚度在本發(fā)明例中為0、0.02、0.05、0.1、0.2pm五種,在比較例中為0,3jim。實施例2的評價結果如表3所示。表3備注合金種類力口工變質層厚度(拜)銀鍍覆性的判定<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>實施例3除在加工變質層的除去方法中使用熱處理以外，利用與實施例1一樣的方法進行鍍銀，進行銀鍍覆性的評價。上述加工變質層的除去處理是在氫還原氣氛的加熱爐中通過2小時的熱處理而進行的。除去處理后的加工變質層的厚度在本發(fā)明例中為0、0.02、0.05、0.1、0.2(im五種，在比較例中為0.3pm。另夕卜，相對于加工變質層的厚度為0.4pm的坯材，用于使加工變質層的厚度為0、0.02、0.05、0.1、0.2、0.3jim的熱處理溫度分別為600、585、565、540、500、450°C。實施例3的評價結果如表4所示。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>由表2、表3、表4可知在本發(fā)明例中，在任一種鍍銀中產生的突起狀異常析出的個數都少，在加工變質層的厚度薄至0.05jLim以下的情況下，異常析出的發(fā)生數非常少，銀鍍覆性特別優(yōu)異。另外，在銅合金的合金系不同的情況或加工變質層的除去方法不同的情況下，在加工變質層的厚度相同時，得到同樣的結果，在任一種情況下，通過使加工變質層為0.2pm以下，都得到優(yōu)異的銀鍍覆性。與此相反，在比較例中，由于銅合金表層的不均勻且微細的加工變質層未被充分除去而有殘留，因而引起源于上述加工變質層的異常析出而使銀鍍覆性降低。實施例4對表1所示的化學成分組成的銅合金進行鑄造、軋制、退火，制作厚度0.15mm的銅合金板。對這些銅合金板實施脫脂處理和酸洗處理后，對利用化學溶解實施了加工變質層的除去處理的材料進行鍍銅，進行銅鍍覆性的評價。上述脫脂處理是在含有cleanerl60S(商品名少^亍^夕只公司制造)60g/1的脫脂液中，在液溫60°C、電流密度2.5A/dm2的條件下進行30秒鐘的陰極電解而進行的。另外，上述酸洗處理是在含有^L酸100g/l的酸洗液中，在室溫下浸漬30秒鐘而進行的。上述加工變質層的除去處理是在含有硫酸100g/l、過氧化氬15g/l的水溶液中，在室溫下浸漬而進行的。除去處理后的加工變質層的厚度在本發(fā)明例中為O、0.02、0.05、0.1、0.2jim五種，在比較例中為0.3)am。在含有氰化銅65g/1、氰化鉀110g/1、碳酸鉀7.5g/l的鍍銅溶液中，在液溫45。C、在電流密度1.5A/dm2的條件下進行上述鍍銅，使鍍覆厚度為O.lpm。上述銅鍍覆性通過膠帶剝離試驗進行評價。在鍍銅后，切成長度為30mm、寬度為10mm的試樣，在35(TC下使用熱板對試樣實施7分鐘的大氣加熱，在試樣表面形成的氧化膜的上面貼附膠粘帶(寺岡制作所631S)，在撕下膠粘帶時，幾乎沒有發(fā)現剝離的情況評價為,發(fā)現部分剝離的情況評價為〇，發(fā)現剝離面積為一半以上的情況評價為x。實施例4的評價結果如表5所示。表5備注合金種類加工變質層厚度(—銅鍍覆性的判定0◎0.02◎A0.05◎0.1〇0.2〇0◎0.02◎B0.05◎0.1〇0.2〇0◎0.02本發(fā)明例C0.05◎0.1〇0.2o0◎0.02◎D0.05◎0.1〇0.2〇0◎0.02◎E0.050.100.2〇A0.3XB0.3X比車交例C0.3XD0.3XJ￡0.3X實施例5除在加工變質層的除去方法中使用電解溶液以外，利用與實施例4一樣的方法進行鍍銅，進行銅鍍覆性的評價。上述加工變質層的除去處理是在含有700g/l磷酸的水溶液中，在室溫、電流密度10A/dm"的條件下進行陽極電解而進行的。除去處理后的加工變質層的厚度在本發(fā)明例中為0、0.02、0.05、0.1、0.2pm五種，在比較例中為0.3拜。實施例5的評價結果如表6所示。表6<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>實施例6除在加工變質層的除去方法中使用熱處理以外，利用與實施例4一樣的方法進行鍍銅，進行銅鍍覆性的評價。上述加工變質層的除去處理是在氫還原氣氛的加熱爐中通過2小時的熱處理進行的。除去處理后的加工變質層的厚度在本發(fā)明例中為0、0.02、0.05、0.1、0.2(im五種，在比較例中為0.3|im。另外，相對于加工變質層的厚度為0.4pm的坯材，用于使加工變質層的厚度為0、0.02、0.05、0.1、0.2、0.3pm的熱處理溫度分別為600、585、565、540、500、450°C。實施例6的評價結果如表7所示。表7<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>由表5、表6、表7可知在本發(fā)明例中，任一種鍍銅后的氧化膜剝離面積都小，在加工變質層的厚度薄至0.05pm以下的情況下，氧化膜剝離面積非常小，銅鍍覆性特別優(yōu)異。另外，在銅合金的合金系不同的情況或加工變質層的除去方法不同的情況下，在加工變質層的厚度相同時，得到同樣的結果，在任一種情況下，通過使加工變質層為0.2lim以下，都得到優(yōu)異的銅鍍覆性。與此相反，在比較例中，由于銅合金表層的不均勻且微細的加工變質層未被充分除去而有殘留，因而引起源于上述加工變質層的異常析出而使銅鍍覆性降低。工業(yè)實用性本發(fā)明的銅合金的鍍覆性優(yōu)異，可以適用于半導體引線框、端子、連接器等電子設備用部件等中。另外，本發(fā)明的銅合金的制造方法作為這類鍍覆性優(yōu)異的銅合金的制作方法是優(yōu)選的。雖然對本發(fā)明及其實施方式進行了說明，但我們認為只要沒有特別指定，就不是想在說明書的哪個細節(jié)中限定我們的發(fā)明，應該在不違背所附的權利要求書的發(fā)明精神和范圍的基礎上進行更寬的解釋。權利要求1.一種電子設備用銅合金，其中，表層的加工變質層的厚度為0.2μm以下。2.權利要求1所述的電子設備用銅合金，其中，在上述銅合金上實施鍍覆。3.權利要求1所述的電子設備用銅合金，其中，在上述銅合金上實施鍍銀或鍍銅。4.權利要求1所述的電子設備用銅合金，其含有0.05~0.5質量％的Cr、0.05~2.0質量％的Sn和0,05~1,0質量％的Zn,根據需要還含有0.01~0.5質量％的Si和0.01~0.5質量％的Zr中的一種或兩種且合計為0.01~0.5質量％,其余部分包括Cu和不可避免的雜質。5.權利要求1所述的電子設備用銅合金，其含有2.04.0質量。/。的Ni、0.4~0.8質量％的Si,根據需要還含有0.05~0.15質量Q/o的Mg、0.005~0.1質量％的Ag、0.005~0.1質量％的Mn、0.05~2.0質量％的Sn和0.05~1.0質量％的Zn中的一種或兩種以上且合計為0.005~2.0質量％,其余部分包括Cu和不可避免的雜質。6.—種引線框，其中，使用了權利要求1所述的電子設備用銅合金。7.—種端子，其中，使用了權利要求1所述的電子設備用銅合金。8.—種連接器，其中，使用了權利要求l所述的電子設備用銅合金。9.一種電子設備用銅合金的制造方法，其中，除去表層的加工變質層，使加工變質層的厚度為0.2pm以下。10.權利要求9所述的電子設備用銅合金的制造方法，其中，通過化學的溶解處理除去所述加工變質層。11.權利要求9所述的電子設備用銅合金的制造方法，其中，通過電化學的溶解處理除去所述加工變質層。12.權利要求9所述的電子設備用銅合金的制造方法，其中，通過熱處理除去所述加工變質層。13.權利要求9所述的電子設備用銅合金的制造方法，其中，上述電子設備用銅合金含有0.05-0.5質量％的Cr、0.05~2.0質量％的Sn和0.05~1.0質量。/。的Zn，根據需要還含有0.01~0.5質量％的Si和0.01~0.5質量％的Zr中的一種或兩種且合計為0.01~0.5質量％,其余部分包括Cu和不可避免的雜質。14.權利要求9所述的電子設備用銅合金的制造方法，其中，上述電子設備用銅合金含有2.04.0質量。/。的Ni、0.4~0.8質量％的Si，根據需要還含有0.05~0.15質量％的Mg、0.005~0.1質量％的Ag、0.005~0.1質量％的Mn、0.05~2.0質量％的Sn和0.05~1.0質量％的Zn中的一種或兩種以上且合計為0.005~2.0質量％,其余部分包括Cu和不可避免的雜質。全文摘要本發(fā)明涉及一種以表層的加工變質層的厚度為0.2μm以下為特征的電子設備用銅合金及其制造方法。文檔編號C22C9/02GK101213314SQ20068002408公開日2008年7月2日申請日期2006年7月4日優(yōu)先權日2005年7月5日發(fā)明者三原邦照,宇野岳夫,菅原親人申請人:古河電氣工業(yè)株式會社