專(zhuān)利名稱(chēng)：基板處理裝置及其處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到基板處理裝置及其處理方法，尤其是對(duì)去除對(duì)象的物質(zhì)膜進(jìn)行改質(zhì)，然后通過(guò)清洗或蝕刻，能很容易地去除經(jīng)過(guò)改質(zhì)的物質(zhì)膜的基板處理裝置及其處理方法。
背景技術(shù)：
一般，LCD(液晶顯示器)作為基板的一種，其包括基板區(qū)域，其包括薄膜晶體管以及透明電極；液晶區(qū)域，位于基板區(qū)域上并進(jìn)行偏光；濾色板區(qū)域，位于液晶區(qū)域上并決定色彩。
制造上述LCD的過(guò)程中，反復(fù)進(jìn)行薄膜的真空涂膜(vacuumevaporation)和形成圖樣(Pattern)。在真空涂膜或圖樣形成過(guò)程中，如果薄膜出現(xiàn)異常，不是將其廢棄，而是進(jìn)行再加工(Rework)。
現(xiàn)有的再加工過(guò)程是，使用濕式清洗設(shè)備或干式清洗設(shè)備，對(duì)濾色板(Color filter)，聚酰亞胺(Polyimide)等的不良薄膜，進(jìn)行選擇性的去除(Strip)，再進(jìn)行真空涂膜。
這時(shí)，用于去除的化學(xué)藥劑主要是氫氧化鉀(KOH)。
上述聚酰亞胺對(duì)化學(xué)藥品具有很強(qiáng)的耐腐蝕性，為了對(duì)不良薄膜進(jìn)行徹底去除，需要相當(dāng)?shù)臅r(shí)間。
另外，濕式清洗設(shè)備體積大，而且因操作過(guò)程中大量使用有毒化學(xué)物質(zhì)，對(duì)操作人員健康非常有害。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在解決上述問(wèn)題，其目的在于，提供一種可快速方便地進(jìn)行物質(zhì)膜的去除的基板處理裝置及其處理方法。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種設(shè)備體積小，而且可減少有毒物質(zhì)使用量的基板處理裝置及其處理方法。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種不僅使用于LCD等平板顯示器，還可對(duì)各種微小部件進(jìn)行清洗的基板處理裝置及其處理方法。
另外，本發(fā)明的另一目的在于，提供一種在基板處理過(guò)程中可提高噴射效率，并具有優(yōu)良可加工性的噴管。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明包括裝載部，裝載形成有物質(zhì)膜的基板；干冰供給部，供給干冰粒子或二氧化碳；噴射處理部，包括一個(gè)以上的噴管，向上述基板上噴射由上述干冰供給部所提供的干冰粒子，或?qū)⒍趸脊袒髧娚涞交迳?，以?duì)物質(zhì)膜進(jìn)行初步表面處理；表面處理部，對(duì)上述經(jīng)過(guò)初步表面處理的物質(zhì)膜進(jìn)行選擇性的去除。
另外，本發(fā)明包括裝載階段，裝載形成有物質(zhì)膜的基板；前處理階段，向上述裝載的基板上噴射干冰粒子，以對(duì)上述基板上的物質(zhì)膜進(jìn)行初步表面處理；表面處理階段，對(duì)上述經(jīng)過(guò)初步表面處理的物質(zhì)膜進(jìn)行選擇性去除。
本發(fā)明使用不留殘屑的干冰粒子，對(duì)物質(zhì)膜進(jìn)行改質(zhì)或部分去除，并通過(guò)清洗或蝕刻等表面處理，去除物質(zhì)膜，以此可縮短物質(zhì)膜脫膜去除工時(shí)。
另外，在去除物質(zhì)膜的過(guò)程中，不會(huì)給該物質(zhì)膜的下部組織帶來(lái)?yè)p傷，而且因化學(xué)藥品的使用量少，比較經(jīng)濟(jì)，還可減少操作人員暴露在有毒環(huán)境中的時(shí)間和次數(shù)，提高了安全性。
另外，本發(fā)明在一個(gè)噴管中進(jìn)行多次絕熱膨脹，而且使用絕熱效果高的構(gòu)造，從而提高了干冰粒子的生成率，提高了基板處理效率。
另外，本發(fā)明中使用直管形噴管，具有優(yōu)良的可加工性，并可降低噴管的制造費(fèi)用。


圖1為本發(fā)明之基板處理裝置的一實(shí)施例的構(gòu)成示意圖；圖2a至圖2d為本發(fā)明之基板處理方法中一實(shí)施例的加工程序的剖視圖；圖3為圖1之噴射裝置的一實(shí)施例示意圖；圖4為本發(fā)明之基板處理裝置的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為圖4之干冰供給部的另一實(shí)施例示意圖；圖6至圖12分別為圖5中的噴管的另一實(shí)施例的剖視圖。
10基板 11底板層12去除對(duì)象層 20平板21滾筒 30干冰供給部40噴射裝置 50濕式裝置60控制板 70排氣部
具體實(shí)施例方式
以下，參考附圖對(duì)本發(fā)明之實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
實(shí)施例1圖1為本發(fā)明中基板處理裝置的一實(shí)施例的平面構(gòu)成圖。
如圖所示，本發(fā)明中的基板處理裝置包括平板20，設(shè)有多個(gè)滾筒21，用于裝載需要脫膜的基板10；干冰供給部30，提供干冰粒子；噴射裝置40，向裝載在上述平板20上的基板的去除對(duì)象膜的整個(gè)表面，噴射由上述干冰供給部30提供的干冰粒子；濕式裝置50，對(duì)上述平板20上經(jīng)過(guò)干冰粒子噴射的基板10的去除目標(biāo)層進(jìn)行濕式清洗；控制板60，對(duì)上述平板20、干冰供給部30以及噴射裝置40進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制。
以下，對(duì)具有上述構(gòu)成的本發(fā)明之基板處理裝置的一實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖2a至圖2d為本發(fā)明之基板處理方法的一實(shí)施例的加工程序剖視圖。
如圖2a所示，形成有濾色板，聚酰亞胺或保護(hù)涂層(Overcoating)等需去除的物質(zhì)膜的基板10，被裝載到平板20上。
這時(shí)，上述平板20的滾筒21在控制板60的控制下進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，并將上述基板10裝載到平板20上部，當(dāng)裝載完成時(shí)，滾筒21的旋轉(zhuǎn)則會(huì)停止。
上述基板10的實(shí)際結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，這里將其簡(jiǎn)化成，包括玻璃基板等部件的底板層11，以及位于該底板層11上的去除對(duì)象層12。
上述去除對(duì)象層12可以是濾色板，聚酰亞胺或保護(hù)涂層。
上述平板20上設(shè)有多個(gè)滾筒21，用于裝載基板10以及向濕式裝置50卸載。
當(dāng)形成有去除對(duì)象層12的基板10裝載于平板20上后，干冰供給部30則向噴射裝置40提供干冰粒子。
這時(shí)，由干冰供給部30提供到噴射裝置40的干冰具有0.5～3.0mm的粒子徑。之所以對(duì)干冰粒子徑進(jìn)行限制，是因?yàn)楫?dāng)干冰粒子徑小于0.5mm時(shí)，很難改變?nèi)コ龑?duì)象層12的膜質(zhì)，而粒徑在3.0mm以上時(shí)，粒徑過(guò)大有可能給底板層11帶來(lái)?yè)p傷。
上述干冰供給部30利用高壓氮?dú)饣騼艋諝鈬娚涓杀⑼ㄟ^(guò)噴射裝置40上的噴管，噴射到裝載在平板20上的基板10表面。
使用上述氮?dú)饣騼艋諝?，可防止二次污染發(fā)生。
其次，如圖2b所示，通過(guò)上述噴射裝置40向裝載在平板20上的基板10之去除對(duì)象層12整個(gè)或部分表面均勻噴射干冰粒子。
通過(guò)這種噴射，上述去除對(duì)象層12受到損傷，從而形成凹陷，或發(fā)生龜裂，一部分則完全去除。
圖3為上述噴射裝置40的正面示意圖。
如圖所示，上述噴射裝置40包括從平板20上部距離一定距離并可隨該平板20移動(dòng)的移動(dòng)架41；在上述平板20上方，順著上述移動(dòng)架41進(jìn)行直線(xiàn)往復(fù)運(yùn)動(dòng)的至少一個(gè)以上的噴管42。
這樣，通過(guò)上述噴射裝置40噴射的干冰粒子均勻噴射到上述去除對(duì)象層12全表面，而由干冰粒子所沖擊的去除對(duì)象層12表面產(chǎn)生一定深度和面積的凹陷或龜裂。
這時(shí)，通過(guò)所發(fā)生的上述凹陷或龜裂，去除對(duì)象層12發(fā)生變化，一部分則被完全去除，露出去除對(duì)象層12下方的底板層11。
上述噴射裝置40的噴管42可以是上述的可移動(dòng)的，也可以是縮小設(shè)置間隔并以固定狀態(tài)安裝，可取得相同的效果。
從上述噴管42噴射的干冰粒子沖擊去除對(duì)象層12表面后，升化而不在去除對(duì)象層留下殘屑，并在升化過(guò)程中其體積急劇增加，使剝離效果更加突出。
為了使上述噴射的干冰粒子容易升化，上述平板20的溫度和壓力等條件應(yīng)維持適當(dāng)水平。
上述實(shí)施例中使用了干冰粒子，除了干冰粒子外，通過(guò)使用其他升化性固體粒子，也可取得同樣效果。
其次，如圖2c所示，經(jīng)過(guò)干冰噴射去除對(duì)象層12表面而其表面受損的所在基板10，移動(dòng)到濕式裝置50，使用化學(xué)藥劑對(duì)其實(shí)施濕式清洗。
而且，使用多種化學(xué)藥劑的濕式或干式去除(Wet/Dry strip)，也可取得相同效果，只要是能有效去除經(jīng)上述干冰沖擊而變化的去除對(duì)象層12，對(duì)其方法并不作限定。
上述基板10向濕式裝置50的移動(dòng)，通過(guò)平板20的滾筒21來(lái)完成。
移動(dòng)至上述濕式裝置50的基板10通過(guò)化學(xué)藥劑的噴射或浸泡，去除對(duì)象層12。
這時(shí)，上述去除對(duì)象層12表面已發(fā)生凹陷或龜裂而發(fā)生改質(zhì)，并且這些凹陷或龜裂，使化學(xué)藥劑和去除對(duì)象層12接觸面積增大。
這樣，清洗面積增大，可進(jìn)行快速去除，并可減少藥劑使用量，去除工序成本降低。
另外，通過(guò)減少氫氧化鉀等有毒化學(xué)物質(zhì)的使用量和使用時(shí)間，大幅降低操作人員暴露在有毒物質(zhì)中的時(shí)間。
圖2d為經(jīng)過(guò)上述清洗，去除對(duì)象層12完全去除后的示意圖。
實(shí)施例2圖4為本發(fā)明之基板處理裝置的另一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。
如圖所示，本發(fā)明中的基板處理裝置包括平板20，設(shè)有多個(gè)滾筒21，以裝載需要去除處理的基板10；噴射部40，向裝載在上述平板20上的基板的去除對(duì)象膜整個(gè)表面，噴射干冰粒子；干冰顆粒供給部31，儲(chǔ)藏并供給顆粒(Pellet)狀干冰；粉碎部32，將干冰顆粒供給部31所提供的顆粒狀干冰粉碎成粒徑為0.5至3.0mm粒子；噴射部33，將上述經(jīng)過(guò)粉碎的干冰粒子通過(guò)上述噴射裝置40的噴管進(jìn)行噴射；濕式裝置50，對(duì)上述平板20上經(jīng)過(guò)干冰粒子噴射的基板10的去除對(duì)象層進(jìn)行濕式清洗；排氣部70，將上述平板20上所產(chǎn)生的雜物與干冰粒子升化所成的二氧化碳一起進(jìn)行排氣；控制板60，對(duì)上述各個(gè)部分進(jìn)行控制。
通過(guò)上述結(jié)構(gòu)，將顆粒狀的干冰粒子儲(chǔ)藏在干冰顆粒供給部31中，然后在粉碎部32將儲(chǔ)藏的干冰粉碎成具有一定粒徑的干冰粒子，并使用高壓凈化空氣或氮?dú)?，從上述噴射裝置40的噴管進(jìn)行噴射。
通過(guò)向去除對(duì)象層12表面噴射干冰粒子，基板的去除對(duì)象層12表面發(fā)生改質(zhì)，這樣，濕式裝置50中可容易地對(duì)去除對(duì)象層12進(jìn)行去除，其效果在上述實(shí)施例1中已進(jìn)行充分說(shuō)明，這里不再敷述。
上述沖擊到去除對(duì)象層12的干冰粒子發(fā)生升化，而通過(guò)升化生成的二氧化碳以及沖擊產(chǎn)生的去除對(duì)象層12的微粒，隨同氣流從排氣部70向外排出。
實(shí)施例3在上述實(shí)施例1及實(shí)施例2中，干冰供給部30從外部接受固體狀的干冰，對(duì)基板10表面噴射干冰，也可以是，在干冰供給部30中提供液體或氣體狀二氧化碳和載氣(Carrier gas)，然后在噴管42中將二氧化碳改變成固體并進(jìn)行噴射。
圖5為本發(fā)明中的基板處理裝置的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
如圖所示，本發(fā)明之基板處理裝置中的干冰供給部30包括分別提供二氧化碳和載氣的二氧化碳供給源34以及載氣供給源35；對(duì)上述二氧化碳供給源34的所提供的二氧化碳進(jìn)行冷卻，并提供到噴射裝置40之噴管42的冷卻裝置36；檢測(cè)上述噴管42的溫度，并根據(jù)其結(jié)果，對(duì)上述冷卻裝置36動(dòng)作進(jìn)行控制的溫度控制部37；分別對(duì)上述載氣供給源35的載氣壓力和流量進(jìn)行控制，并供給到上述噴管42的壓力調(diào)節(jié)部38及流量控制部39。
以下，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和功能進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
二氧化碳供給源34為儲(chǔ)存液體二氧化碳的容器，載氣供給源35為儲(chǔ)存凈化空氣或氮?dú)獾容d氣的容器。
上述二氧化碳供給源34所提供的二氧化碳經(jīng)過(guò)噴管?chē)娚鋾r(shí)，為了容易轉(zhuǎn)換成固態(tài)干冰粒子，在冷卻裝置36中對(duì)二氧化碳進(jìn)行冷卻并提供到噴射裝置40的噴管42。
同時(shí)，載氣供給源35中的載氣也供給到噴射裝置40的噴管42上，而載氣供給中，由壓力調(diào)節(jié)部38和流量控制部39對(duì)其壓力和流量進(jìn)行控制。
這樣，接受載氣和經(jīng)冷卻的二氧化碳的噴管42，通過(guò)其構(gòu)造，利用絕熱膨脹，使二氧化碳固體化，從而生成干冰粒子，然后噴射該干冰粒子和載氣。
圖6為本發(fā)明中噴管42的一實(shí)施例的截面示意圖。
如圖所示，在上述噴管42中接受二氧化碳和載氣并噴射干冰粒子時(shí)，從二氧化碳流入口43流入的二氧化碳經(jīng)過(guò)第一噴嘴部45時(shí)相變成干冰粒子，并以浮質(zhì)(aeroso1)的狀態(tài)噴射，而通過(guò)載氣流入口44流入的載氣經(jīng)過(guò)上述第一噴嘴部45外側(cè)，并同第一噴嘴部45噴射的浮質(zhì)一起，從第二噴嘴部46噴射。
即，上述噴管42結(jié)構(gòu)為，在第二噴嘴部46內(nèi)側(cè)設(shè)有第一噴嘴部45，通過(guò)第一噴嘴部45噴射并加壓的二氧化碳，在第二噴嘴部46經(jīng)過(guò)絕熱膨脹形成含有干冰粒子的浮質(zhì)，該浮質(zhì)和流入第二噴嘴部46的載氣一起噴射至基板10。
上述第一噴嘴部45和第二噴嘴部46的噴口比流入口小，故可向二氧化碳施加高壓，這樣，二氧化碳進(jìn)行絕熱膨脹并相變成干冰粒子。
上述冷卻的二氧化碳在噴管42的多重噴嘴部結(jié)構(gòu)中，經(jīng)過(guò)壓力變化，相變成干冰粒子，并噴射到基板10，對(duì)基板10表面進(jìn)行處理。
上述噴管42中設(shè)有溫度傳感器，溫度控制部37根據(jù)上述溫度傳感器的溫度檢測(cè)結(jié)果，對(duì)冷卻裝置36的運(yùn)行進(jìn)行控制。即，當(dāng)噴管42的溫度為設(shè)定溫度以上時(shí)，啟動(dòng)冷卻裝置36冷卻二氧化碳，以促進(jìn)相變過(guò)程，而噴管42溫度低于所設(shè)定溫度時(shí)，則停止冷卻裝置36運(yùn)行，以防止噴管42的噴射口堵塞。
上述設(shè)定溫度為固化物生成最佳溫度，即-10℃至-100℃之間。
上述結(jié)構(gòu)是干冰粒子和載氣在第二噴嘴部46中混合并噴射的構(gòu)造，其噴嘴噴射速度相對(duì)較低。
這種弱清洗用噴管適用于鏡頭類(lèi)，電荷耦合裝置(Charge CoupledDeviceCCD)，CMOS(Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor)照相機(jī)芯片等用強(qiáng)清洗有可能損壞清洗對(duì)象的精密部件。
上述精密部件清洗時(shí)，噴射干冰后，不經(jīng)過(guò)濕式裝置50而直接卸載。
實(shí)施例4圖7為上述噴管42的另一實(shí)施例的剖視圖。
如圖所示，本發(fā)明之實(shí)施例3中所述噴管42之另一實(shí)施例，包括第一噴嘴部45，對(duì)通過(guò)二氧化碳流入口43流入的二氧化碳進(jìn)行加壓噴射，通過(guò)絕熱膨脹生成干冰粒子；第二噴嘴部46，將通過(guò)載氣流入口44流入的載氣和通過(guò)第一噴嘴部45生成的干冰進(jìn)行混合并噴射；第三噴嘴部47，對(duì)通過(guò)上述第二噴嘴部46噴射的干冰及載氣，以及從第二噴嘴部46外側(cè)進(jìn)入的載氣進(jìn)行混合后噴射。
上述第二噴嘴部46入口處設(shè)有，使載氣可選擇性地流入第二噴嘴部?jī)?nèi)側(cè)的第一路徑48；使載氣流入第三噴嘴部47內(nèi)側(cè)的第二路徑49。
上述第一噴嘴部45和第二噴嘴部46，與如圖6所示噴管42具有相同功能，而在第三噴嘴部47中，將第二噴嘴部47噴射物和通過(guò)第一路徑48流入的載氣混合并噴射。通過(guò)上述結(jié)構(gòu)，可防止噴管42表面即第三噴嘴部47表面生成凝結(jié)水的現(xiàn)象，提高了清洗效率。
即，可防止外部環(huán)境導(dǎo)致噴管42中的二氧化碳溫度上升，容易進(jìn)行絕熱膨脹，從而提高了干冰粒子的生成率，提高清洗效率。
實(shí)施例5圖8為實(shí)施例3中所述噴管42的另一實(shí)施例結(jié)構(gòu)圖。
如圖所示，其結(jié)構(gòu)包括與上述圖7相同的第一噴嘴部45、第二噴嘴部46以及第三噴嘴部47，并設(shè)有向第三噴嘴部47上供給載氣的第一路徑48和向第二噴嘴部46供給載氣的第二噴嘴部49。
其中，第二噴嘴部46的出口端口徑，從里向外開(kāi)始保持一定口徑，然后逐漸增大。
第二噴嘴部46出口端具有上述形狀，所噴射的含有干冰的浮質(zhì)經(jīng)過(guò)絕熱膨脹，使未固化的液狀二氧化碳再次固化。通過(guò)這種雙重絕熱膨脹結(jié)構(gòu)，可生成尺寸較大的干冰粒子，且噴射的干冰粒子數(shù)量也增多，因而可進(jìn)行強(qiáng)清洗。
實(shí)施例6圖9為上述實(shí)施例3中所述噴管42的另一實(shí)施例結(jié)構(gòu)圖。
如圖所示，噴管42包括第一噴嘴部45，對(duì)通過(guò)二氧化碳流入口43和載氣流入口44流入的二氧化碳和載氣進(jìn)行混合，其內(nèi)部具有多數(shù)絕熱膨脹結(jié)構(gòu)，從而可噴射含有干冰粒子的浮質(zhì)；第二噴嘴部46，與上述第一噴嘴部45外側(cè)隔著一空間，并對(duì)通過(guò)該空間供給的載氣和上述第一噴嘴部45的噴射物進(jìn)行混合并噴射。
上述第一噴嘴部45一端設(shè)有載氣流入口44供載氣流入，隨著該載氣的流入，二氧化碳從第一噴嘴部45側(cè)面的二氧化碳流入口43流入。
上述第一噴嘴部45中，載氣和二氧化碳進(jìn)行混合的部分的直徑相對(duì)較小，從該部分至第一噴嘴部45出口端設(shè)有多數(shù)的絕熱膨脹結(jié)構(gòu)。
即，直徑大的部分和直徑小的部分相互交錯(cuò)，而且直徑由小到大。這樣，在第一噴嘴部45內(nèi)通過(guò)多次絕熱膨脹，獲得數(shù)量更多，粒徑更大的干冰粒子，而含有這種干冰粒子的浮質(zhì)在第二噴嘴部46與載氣混合后，噴射到基板10。
這種結(jié)構(gòu)既提高絕熱效果，又可進(jìn)行多次絕熱膨脹，從而提高了清洗效果。
實(shí)施例7

圖10為上述實(shí)施例3中所述噴管42的另一實(shí)施例的剖視圖。
如圖所示，噴管42包括混合管81，供載氣和二氧化碳流入并混合；結(jié)晶成長(zhǎng)管82，連接在上述混合管81一端，并具有比混合管81內(nèi)徑更小的內(nèi)徑；噴射管83，連接在上述結(jié)晶成長(zhǎng)管82一端，加速清洗粒子的成長(zhǎng)，并將該粒子噴射至基板10的表面上。
上述混合管81、結(jié)晶成長(zhǎng)管82以及噴射管83的形狀為，其各自?xún)?nèi)徑和外徑保持一定的直管形狀。
這種直管形狀的混合管81，結(jié)晶成長(zhǎng)管82以及噴射管83與上述實(shí)施例3至實(shí)施例6中所述噴管結(jié)構(gòu)相比，其加工性好，制造成本也低。
上述混合管81設(shè)有，使二氧化碳和載氣分別流入的流入口11、12。上述流入口43、44可分別設(shè)置一個(gè)或兩個(gè)以上。
上述流入口43、44的設(shè)置位置并無(wú)特別限定，如圖8同樣，將載氣流入口44方向設(shè)置成結(jié)晶成長(zhǎng)管82及噴射管83的管路相一致為佳。
在混合管81內(nèi)經(jīng)過(guò)混合的二氧化碳和載氣，在通過(guò)流入口43、44流入的載氣及二氧化碳的壓力下，流入結(jié)晶成長(zhǎng)管82內(nèi)。
上述結(jié)晶成長(zhǎng)管82直徑比上述混合管81直徑小，隨著壓力增大，二氧化碳轉(zhuǎn)換為微粒，其微粒逐漸成長(zhǎng)，以形成干冰粒子。
雖然與所使用二氧化碳為液體狀還是氣體狀而有些差異，隨著氣體或液體壓力增大，二氧化碳變成固體狀，這可從二氧化碳的相變曲線(xiàn)中得到確認(rèn)。
上述結(jié)晶成長(zhǎng)管82內(nèi)的壓力大于混合管81內(nèi)的壓力，通過(guò)該壓力差，使用液體狀或低溫氣體狀的二氧化碳時(shí)，生成干冰結(jié)晶。
上述結(jié)晶成長(zhǎng)管82的直徑應(yīng)處于混合管81直徑的20％至50％范圍之內(nèi)。
上述結(jié)晶成長(zhǎng)管82中的含有干冰的浮質(zhì)以及載氣，通過(guò)噴射管83噴射至基板10的表面。
其中，噴射管83的直徑為混合管18直徑的10％至30％之間，這樣，可提供更高的壓力，再次增大生成在上述結(jié)晶成長(zhǎng)管82中的干冰粒子大小，并將液體狀或氣體狀的二氧化碳轉(zhuǎn)化為固體。
另外，可進(jìn)行高壓高速?lài)娚?，提高了清洗效率?br> 上述混合管81和結(jié)晶成長(zhǎng)管82之間，以及結(jié)晶成長(zhǎng)管82和噴射管83之間的內(nèi)徑連接部分為傾斜面，因而可防止渦流的發(fā)生。
實(shí)施例8圖11為上述實(shí)施例3所述噴管42的一實(shí)施例剖視圖。
如圖所示，直管形狀的混合管81和噴射管83之間設(shè)有第一及第二結(jié)晶成長(zhǎng)管84、85。
第二結(jié)晶成長(zhǎng)管85的直徑比上述連接在混合管81的第一結(jié)晶成長(zhǎng)管84的直徑小。
通過(guò)以直徑由大至小的順序依次將直管連接起來(lái)，可對(duì)二氧化碳和載氣混合物實(shí)施階段性的加壓，即在第一結(jié)晶成長(zhǎng)管84以及第二結(jié)晶成長(zhǎng)管85中分別生成干冰，并增大該干冰粒徑。
浮質(zhì)中包含有上述第二結(jié)晶成長(zhǎng)管85中生成并增大粒徑的干冰，并通過(guò)噴射管83噴射至基板10表面。
這時(shí)，噴射管83內(nèi)的壓力增大導(dǎo)致干冰生成以及粒徑增大，干冰數(shù)量的增加及粒徑的增大可進(jìn)一步提高清洗效率。
上述混合管81和第一結(jié)晶成長(zhǎng)管84之間、第一結(jié)晶成長(zhǎng)管84和第二結(jié)晶成長(zhǎng)管85之間、第二結(jié)晶成長(zhǎng)管85和噴射管83之間的內(nèi)徑連接部分為傾斜面，以防止渦流發(fā)生。
實(shí)施例9圖12為上述實(shí)施例3中所述噴管42的一實(shí)施例剖視圖。
如圖所示，噴管42基本構(gòu)成與實(shí)施例7中的構(gòu)成相同，在結(jié)晶成長(zhǎng)管82中，可對(duì)二氧化碳和載氣混合氣體或浮質(zhì)的溫度進(jìn)行檢測(cè)。
一般物質(zhì)的相變曲線(xiàn)中可知，冷卻至三相點(diǎn)以下溫度的低溫氣體隨著壓力的增加，相變成固體，而略高于三相點(diǎn)的液體也隨著壓力的增加，可相變成固體。
要通過(guò)加壓引起相變，需要將二氧化碳的溫度維持在一定范圍內(nèi)，故可增加溫度傳感器86來(lái)檢測(cè)溫度。
上述實(shí)施例3中的溫度控制部37，根據(jù)上述溫度傳感器86所檢測(cè)溫度，對(duì)冷卻裝置36的動(dòng)作進(jìn)行控制。
以上，對(duì)本發(fā)明中特定的較佳實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不僅限于上述實(shí)施例，本領(lǐng)域?qū)I(yè)人員在本發(fā)明概念的范圍之內(nèi)，可對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種各樣的變更。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，其特征在于，包括一裝載部，用于裝載形成有物質(zhì)膜的基板；一干冰供給部，供給干冰粒子或二氧化碳；一噴射處理部，包括一個(gè)以上的噴管，向上述基板噴射由上述干冰供給部所提供的干冰粒子，或?qū)⒍趸脊袒髧娚涞交迳?，以?duì)物質(zhì)膜進(jìn)行初步表面處理；一表面處理部，對(duì)上述經(jīng)過(guò)初步表面處理的物質(zhì)膜進(jìn)行選擇性的去除。
2.如權(quán)利要求1所述基板處理裝置，其特征在于上述表面處理部對(duì)上述基板進(jìn)行清洗或蝕刻處理，以去除物質(zhì)膜。
3.如權(quán)利要求1所述基板處理裝置，其特征在于，上述干冰供給部包括干冰顆粒供給部，儲(chǔ)藏并供給顆粒狀干冰；粉碎部，對(duì)干冰顆粒供給部所提供的顆粒狀干冰進(jìn)行粉碎；噴射部，將上述粉碎部中經(jīng)過(guò)粉碎的干冰粒子，通過(guò)上述噴射處理部進(jìn)行噴射。
4.如權(quán)利要求1所述基板處理裝置，其特征在于，上述干冰供給部包括提供二氧化碳的二氧化碳供給源；提供載氣的載氣供給源；對(duì)上述二氧化碳供給源所提供的二氧化碳進(jìn)行冷卻的冷卻裝置。
5.如權(quán)利要求4所述基板處理裝置，其特征在于，還包括對(duì)從上述載氣供給源供給到噴管的載氣的壓力和流量，進(jìn)行控制的壓力控制部及流量控制部。
6.如權(quán)利要求4所述基板處理裝置，其特征在于，還包括檢測(cè)上述噴射處理部的噴管溫度，并根據(jù)噴管檢測(cè)溫度對(duì)冷卻裝置的動(dòng)作進(jìn)行控制的溫度控制部。
7.如權(quán)利要求1或4所述基板處理裝置，其特征在于，上述噴射處理部的噴管包括噴嘴部，對(duì)二氧化碳進(jìn)行一次以上的絕熱膨脹，以生成干冰或增大干冰粒徑；載氣流入口，使上述經(jīng)過(guò)絕熱膨脹的干冰和載氣混合；最終噴射口，將與上述載氣混合的干冰噴射至基板表面。
8.如權(quán)利要求7所述基板處理裝置，其特征在于上述載氣流入口中，通過(guò)位于上述噴嘴部外周面的路徑，使載氣流入，以防止噴嘴部中生成凝結(jié)水。
9.如權(quán)利要求1或4所述基板處理裝置，其特征在于，上述噴射處理部的噴管包括混合管，對(duì)載氣和二氧化碳進(jìn)行混合；至少一個(gè)以上的結(jié)晶成長(zhǎng)管，連接在上述混合管一端并與混合管相比，直徑更小，而且其直徑分階段地減少，以生成干冰同時(shí)使該干冰成長(zhǎng)；噴射管，連接在上述結(jié)晶成長(zhǎng)管一端，用于噴射干冰，并具有比上述結(jié)晶成長(zhǎng)管的末端更小的直徑。
10.如權(quán)利要求1所述基板處理裝置，其特征在于，上述噴射處理部包括隨平板移動(dòng)的移動(dòng)架；設(shè)在上述移動(dòng)架，并對(duì)去除對(duì)象層噴射干冰粒子的一個(gè)以上的噴管。
11.如權(quán)利要求10所述基板處理裝置，其特征在于上述噴管可順著移動(dòng)架進(jìn)行直線(xiàn)往復(fù)移動(dòng)。
12.如權(quán)利要求1所述基板處理裝置，其特征在于上述噴射處理部還包括，對(duì)初步表面處理過(guò)程中所產(chǎn)生的副產(chǎn)物進(jìn)行排氣的排氣部。
13.一種基板處理方法，其特征在于，包括裝載階段，裝載形成有物質(zhì)膜的基板；前處理階段，向上述裝載的基板噴射干冰粒子，以對(duì)上述基板上的物質(zhì)膜進(jìn)行初步表面處理；表面處理階段，對(duì)上述經(jīng)過(guò)初步表面處理的物質(zhì)膜進(jìn)行選擇性去除。
14.如權(quán)利要求13所述基板處理方法，其特征在于在上述表面處理階段中，對(duì)上述基板進(jìn)行清洗或蝕刻處理，以去除物質(zhì)膜。
15.如權(quán)利要求13所述基板處理方法，其特征在于上述干冰粒子的粒徑處于0.5mm至3.0mm之間。
16.如權(quán)利要求13所述基板處理方法，其特征在于上述干冰粒子是通過(guò)以粒子狀態(tài)提供；或?qū)ν獠刻峁┑母杀鶋K進(jìn)行粉碎；或?qū)Χ趸冀?jīng)過(guò)絕熱膨脹而獲得。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種基板處理裝置，其包括裝載部，用于裝載形成有物質(zhì)膜的基板；干冰供給部，供給干冰粒子或二氧化碳；噴射處理部，包括一個(gè)以上的噴管，向上述基板上噴射由上述干冰供給部所提供的干冰粒子，或?qū)⒍趸脊袒髧娚涞交迳希詫?duì)物質(zhì)膜進(jìn)行初步表面處理；表面處理部，對(duì)上述經(jīng)過(guò)初步表面處理的物質(zhì)膜進(jìn)行選擇性的去除。本發(fā)明使用不留殘屑的干冰粒子，對(duì)物質(zhì)膜進(jìn)行改質(zhì)或部分去除，并通過(guò)清洗或蝕刻等表面處理，去除經(jīng)改質(zhì)的物質(zhì)膜，以此可縮短物質(zhì)膜去除所需工時(shí)。
文檔編號(hào)C23C14/02GK1796008SQ20051013461
公開(kāi)日2006年7月5日 申請(qǐng)日期2005年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月31日
發(fā)明者金世鎬, 樸鐘秀, 尹哲男 申請(qǐng)人:K.C.科技株式會(huì)社