两个人的电影免费视频_国产精品久久久久久久久成人_97视频在线观看播放_久久这里只有精品777_亚洲熟女少妇二三区_4438x8成人网亚洲av_内谢国产内射夫妻免费视频_人妻精品久久久久中国字幕

表面層貧鈷的梯度硬質(zhì)合金上進(jìn)行金剛石涂層的方法

文檔序號(hào):3368807閱讀:944來源:國知局
專利名稱:表面層貧鈷的梯度硬質(zhì)合金上進(jìn)行金剛石涂層的方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種在表面層貧鈷的梯度硬質(zhì)合金上進(jìn)行金剛石涂層的方法,屬于金剛石涂層工具制造領(lǐng)域。
背景技術(shù)
由于金剛石具有高硬度、高導(dǎo)熱率、低摩擦系數(shù)、化學(xué)穩(wěn)定性好等特點(diǎn),作為工具材料早已廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域的許多方面。但是單晶金剛石稀少昂貴,聚晶金剛石制造成本高、難以用于復(fù)雜形狀刀具的制造,因此,促使研究者尋找新的金剛石工具制造方法。80年代以來,發(fā)展了采用化學(xué)氣相沉積法(CVD)制作金剛石涂層工具,這種新型刀具加工層不含金屬或非金屬結(jié)合劑,制造成本低,可用于復(fù)雜形狀刀具,因而受到越來越多的重視。但長期以來困擾研究者最大的問題是金剛石涂層與硬質(zhì)合金基體附著差。其主要原因來自于硬質(zhì)合金中作為粘結(jié)相的鈷的影響。鈷的負(fù)面作用表現(xiàn)為推遲并阻礙金剛石的成核和生長;催化非金剛石碳例石墨、非晶態(tài)碳的形成;在長時(shí)間金剛石膜生長過程中溶解金剛石涂層等。為了改進(jìn)金剛石涂層與硬質(zhì)合金基體附著性,這些年的研究論文、專利非常多,匡同春在《硬質(zhì)合金》2001年18卷第1期“CVD金剛石涂層刀片的基體預(yù)處理方法進(jìn)展”中進(jìn)行了總結(jié),研究思路分為兩類,一是采用基體表面預(yù)處理方法,主要目的是降低基體表面鈷含量,改善基體表面金剛石成核,使用方法包括化學(xué)脫鈷法、等離子體刻蝕法、等離子體共滲法、激光燒蝕法等。然而,在金剛石涂層生長過程中的長時(shí)間高溫作用下,鈷向表面擴(kuò)散仍會(huì)在一定程度上影響金剛石涂層與基體附著。二是施加過渡層的方法,主要目的是改善金剛石涂層與基體材料界面的應(yīng)力,同時(shí)阻擋鈷在金剛石涂層生長過程中向表面擴(kuò)散,目前沉積的過渡層有TiC、W/WC、鎢-金剛石成分梯度層、類金剛石膜、巴基管或C60、C70涂層等。從專利方面來看,有關(guān)金剛石涂層工具影響最大的是Michael G.Peters等1996年10月22日公開的美國專利U.S.5567526“Cemented Tungsten Carbide Substrates havingadherent Diamond Films Coating Thereon”,它公開的是采用化學(xué)試劑,例Murakami試劑、硝酸、硫酸、過氧化氫等對(duì)未拋光的硬質(zhì)合金基體進(jìn)行一系列處理后再制備金剛石涂層的方法。其它專利也是關(guān)于各種表面處理或施加過渡層方法。
總之,表面貧鈷是硬質(zhì)合金基體上獲得高結(jié)合強(qiáng)度金剛石涂層的必要條件。過去采用的各種表面去鈷法在實(shí)際應(yīng)用中都存在著弱點(diǎn),如酸蝕法、電解腐蝕、氫氧等離子刻蝕等去鈷法雖可較干凈地除去表層的鈷,但同時(shí)會(huì)使表層因失鈷而結(jié)構(gòu)疏松,再制備的CVD金剛石涂層常常因起源于疏松表層中的缺陷而碎裂或剝落;激光燒蝕去鈷法雖可以同時(shí)達(dá)到表面去鈷及粗化的目的,且表層結(jié)構(gòu)還會(huì)因重熔變得密實(shí),但這種處理不適于復(fù)雜形狀基體且費(fèi)用昂貴,不具備生產(chǎn)實(shí)用價(jià)值;表面涂覆過渡層的方法雖能在基體表面得到不含鈷的新表面層,但工藝復(fù)雜,成本高,且可靠性差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種在表面層貧鈷的梯度硬質(zhì)合金上進(jìn)行金剛石涂層的方法,其特點(diǎn)是不需要用基體表面預(yù)處理或施加過渡層方法去除鈷或阻擋鈷的擴(kuò)散,而且在金剛石涂層生長過程中基體表面的鈷向硬質(zhì)合金內(nèi)部遷移而不是表面富集。
本發(fā)明的目的由以下技術(shù)措施實(shí)現(xiàn)1、采用表面層貧鈷的梯度硬質(zhì)合金基體,這種硬質(zhì)合金具有三層結(jié)構(gòu)0.1-1mm表面層中鈷含量比內(nèi)部低一倍以上,一般小于3.5wt%,并且從表面到內(nèi)部呈現(xiàn)鈷由少增多的梯度結(jié)構(gòu),稱為貧鈷層;鄰近表面層以內(nèi)是富鈷層;然后是硬質(zhì)合金的剛性芯部。
2、將表面層貧鈷的梯度硬質(zhì)合金按一般硬質(zhì)合金工具加工辦法加工成規(guī)定形狀,然后采用金剛石磨盤進(jìn)行拋光。
3、拋光后的硬質(zhì)合金工具,按常規(guī)方法清洗干凈后,用10mg/ml金剛石粉的乙醇或丙酮懸浮液超聲清洗,再用乙醇或丙酮超聲清洗,吹干后待用。
4、將清洗好的樣品放入CVD反應(yīng)腔的基臺(tái)上,反應(yīng)腔抽真空,開啟微波發(fā)生器。反應(yīng)氣體為含碳?xì)怏w(例CH4、C2H2)、氫氣、氬氣等用于金剛石膜制備的常用氣體,含碳?xì)怏w濃度0.1-5vol%,基體溫度600-1000℃,工作氣體壓力2-10KPa,微波輸出功率600-1200W(根據(jù)微波源功率而定)。生長過程進(jìn)行到期望達(dá)到的涂層厚度后,關(guān)斷氣源和微波發(fā)生器。
金剛石涂層厚度可為1-50μm。在金剛石涂層生長過程中,基體表面的鈷向硬質(zhì)合金內(nèi)部遷移而不是表面富集,金剛石涂層生長后硬質(zhì)合金表面鈷含量比生長前更低,為0.1-2.5wt%,有利于提高金剛石涂層與硬質(zhì)合金基體結(jié)合強(qiáng)度。
金剛石涂層方法有微波等離子體CVD法、熱絲CVD法或直流等離子體噴射法。
硬質(zhì)合金為碳化鎢基如WC-Co、WC-Ti-Co和/或WC-Ta-Co表面層貧鈷的梯度硬質(zhì)合金。
本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)1、采用的特殊結(jié)構(gòu)硬質(zhì)合金不僅保持甚至超過同類牌號(hào)硬質(zhì)合金性能,例YG6(WC-6%Co)表面層貧鈷的梯度合金,耐磨性比常規(guī)YG6合金好,強(qiáng)度可達(dá)到常規(guī)YG6中的最佳強(qiáng)度值。
2、采用的特殊結(jié)構(gòu)硬質(zhì)合金表面層中鈷呈現(xiàn)梯度分布,表層鈷含量低一般小于3.5wt%,但能保持金剛石形核和生長所要求的基體材料表面結(jié)構(gòu)的致密,而且在金剛石涂層生長過程中,基體表面的鈷向硬質(zhì)合金內(nèi)部遷移而不是表面富集。金剛石涂層生長后硬質(zhì)合金表面鈷含量比生長前更低,同時(shí)到達(dá)表層去除鈷和阻擋鈷向表層富集的目的,從而提高了金剛石涂層與硬質(zhì)合金基體結(jié)合強(qiáng)度。
3、用于金剛石涂層的這種特殊結(jié)構(gòu)硬質(zhì)合金可以按常規(guī)硬質(zhì)合金工具加工辦法加工,不受基體表面形狀的限制,又不需要附加處理工藝,例如基體表面預(yù)處理或施加過渡層方法去除鈷或阻擋鈷的擴(kuò)散,因此本發(fā)明實(shí)現(xiàn)金剛石涂層更簡(jiǎn)便、經(jīng)濟(jì),易于工業(yè)化。
4、采用微波等離子體CVD法、熱絲CVD法、直流等離子體噴射法等金剛石膜常用制備方法制備金剛石涂層,不用對(duì)設(shè)備、工藝進(jìn)行大改進(jìn)。


圖1為梯度硬質(zhì)合金剖面鈷含量分布圖(電子探針分析)。
圖中顯示了硬質(zhì)合金從表面到內(nèi)層0.5mm厚度內(nèi)鈷含量呈現(xiàn)明顯的梯度分布,表層鈷(Co)含量明顯低于內(nèi)層,而鎢(W)含量是均勻分布的。
具體實(shí)施例方式
下面通過實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行具體描述,有必要在此指出的是本實(shí)施例只用于對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步說明,不能理解為對(duì)本發(fā)明范圍的限制,該領(lǐng)域的技術(shù)熟練人員可以根據(jù)上述發(fā)明的內(nèi)容作出一些非本質(zhì)的改進(jìn)和調(diào)整。
實(shí)施例1一表面層貧鈷的WC-6%Co梯度硬質(zhì)合金A118刀片,經(jīng)金剛石磨盤拋光后,電子探針測(cè)試表面鈷含量為3.19wt%,貧鈷層厚度0.5mm,按常規(guī)方法清洗干凈后,用10mg/ml金剛石粉的乙醇或丙酮懸浮液超聲清洗30分鐘,再用乙醇或丙酮超聲清洗5分鐘,吹干,置于天線鐘罩式微波等離子體CVD反應(yīng)腔中,反應(yīng)腔抽真空,開啟微波發(fā)生器。在CH4/H2為1.0vol%,工作氣體壓力5.3KPa,微波輸出功率1000W條件下沉積10小時(shí),涂層厚度為5微米。沉積后涂層與硬質(zhì)合金基體附著好。利用金剛石涂層抗沖擊性差,剝離涂層露出基體表面,測(cè)試表面鈷含量為1.0%,比沉積前低。相同條件下化學(xué)脫鈷硬質(zhì)合金沉積10小時(shí)后取出,部分涂層自然剝落,沉積前表面鈷含量0.2wt%,沉積后升高為1.85wt%。
實(shí)施例2在實(shí)例1的處理、沉積條件下延長沉積時(shí)間至20小時(shí),涂層厚度為10微米,沉積后涂層與硬質(zhì)合金基體附著好,表面鈷含量1.14%。
實(shí)施例3在實(shí)例1的處理、沉積條件下采用1.0%CH4/97%H2/2.0%Ar氣源,沉積10小時(shí),涂層厚度為6微米,沉積后涂層與硬質(zhì)合金基體附著好,表面鈷含量1.21wt%。
實(shí)施例4在實(shí)例1的處理、沉積條件下降低微波輸出功率至800W,沉積6小時(shí),涂層厚度為3微米,沉積后涂層與硬質(zhì)合金基體附著好,表面鈷含量1.35wt%。
實(shí)施例5一表面層貧鈷的WC-14%Ti-6%Co梯度硬質(zhì)合金A118刀片,經(jīng)金剛石磨盤拋光后,表面層鈷含量3.42wt%,貧鈷層厚度0.5mm,按實(shí)例1的條件處理、沉積,沉積后涂層與硬質(zhì)合金基體附著好,表面層鈷含量1.89wt%。
實(shí)施例6按照實(shí)例1的樣品及預(yù)處理?xiàng)l件,將樣品置于電子輔助熱絲CVD法反應(yīng)腔中,在燈絲溫度2573K,反應(yīng)壓力7KPa,直流偏流密度5000A/m2,CH4/H2為3vol%,燈絲與樣品距離0.08m條件下,沉積5小時(shí),涂層厚度為15微米,電子探針測(cè)試基體表面鈷含量1.43%。
權(quán)利要求
1.表面層貧鈷的梯度硬質(zhì)合金上進(jìn)行金剛石涂層的方法,其特征在于(1)采用表面層貧鈷的梯度硬質(zhì)合金基體,這種硬質(zhì)合金在0.1-1mm表面層鈷含量比內(nèi)部低一倍以上,一般小于3.5wt%,表面層從表面到內(nèi)部呈現(xiàn)鈷由少增多的梯度結(jié)構(gòu),表面層以內(nèi)是富鈷層,然后是硬質(zhì)合金的剛性芯部。(2)表面層貧鈷的梯度硬質(zhì)合金按常規(guī)硬質(zhì)合金工具加工法加工。(3)用金剛石磨盤進(jìn)行拋光,拋光后的梯度硬質(zhì)合金用10mg/ml金剛石粉乙醇或丙酮懸浮液超聲清洗,再用乙醇或丙酮超聲清洗,吹干后待用。(4)將清洗好的樣品放入CVD反應(yīng)腔的基臺(tái)上,反應(yīng)腔抽真空,開啟微波發(fā)生器。反應(yīng)氣體為含碳?xì)怏w(例CH4、C2H2等)、氫氣、氬氣等用于金剛石膜制備的常用氣體,含碳?xì)怏w濃度0.1-5vol%,基體溫度600-1000℃,工作氣體壓力2-10KPa,微波輸出功率600-1200W(根據(jù)微波源功率而定)。生長過程進(jìn)行到期望達(dá)到的涂層厚度后,關(guān)斷氣源和微波發(fā)生器。涂層厚度可為1-50μm,金剛石涂層生長后硬質(zhì)合金表面鈷含量比生長前更低為0.1-2.5wt%。
2.按照權(quán)利要求1所述表面層貧鈷的梯度硬質(zhì)合金上進(jìn)行金剛石涂層的方法,其特征在于金剛石涂層的制備方法為微波等離子體CVD法、熱絲CVD法或直流等離子體噴射法。
3.按照權(quán)利要求1所述表面層貧鈷的梯度硬質(zhì)合金上進(jìn)行金剛石涂層的方法,其特征在于,硬質(zhì)合金為碳化鎢基,如WC-Co、WC-Ti-Co和/或WC-Ta-Co表面層貧鈷的梯度硬質(zhì)合金。
全文摘要
表面層貧鈷的梯度硬質(zhì)合金上進(jìn)行金剛石涂層的方法,其特點(diǎn)是采用表面層貧鈷的梯度硬質(zhì)合金基體,這種硬質(zhì)合金在0.1-1mm表面層中鈷含量比內(nèi)部低一倍以上,一般小于3.5wt%,表面層從表面到內(nèi)部呈現(xiàn)鈷由少增多的梯度結(jié)構(gòu),表面層以內(nèi)是富鈷層;然后是硬質(zhì)合金的剛性芯部。將硬質(zhì)合金工具用金剛石磨盤拋光,用10mg/ml金剛石粉的乙醇或丙酮懸浮液清洗,再用乙醇或丙酮超聲清洗、吹干后放入微波等離子體反應(yīng)腔的基臺(tái)上,抽真空,開啟微波發(fā)生器。反應(yīng)氣體為含碳?xì)怏w、氫氣、氬氣等,含碳?xì)怏w濃度0.1-5vol%,基體溫度600-1000℃,工作氣體壓力2.0-10KPa,微波輸出功率600-1200W。達(dá)到期望的涂層厚度后,關(guān)斷氣源和微波發(fā)生器。金剛石涂層后硬質(zhì)合金表面鈷含量為0.1-2.5wt%。
文檔編號(hào)C23C16/26GK1455017SQ03117958
公開日2003年11月12日 申請(qǐng)日期2003年5月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月29日
發(fā)明者芶立, 冉均國, 張繼芳, 熊繼, 王兵 申請(qǐng)人:四川大學(xué)
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1
昆山市| 澄江县| 友谊县| 平遥县| 阜城县| 灵宝市| 威远县| 武邑县| 阿坝县| 托克托县| 修武县| 买车| 抚顺县| 襄城县| 垣曲县| 喀什市| 濉溪县| 定日县| 东乡族自治县| 南召县| 平远县| 比如县| 屏东市| 曲沃县| 灵石县| 新和县| 通化市| 辽阳县| 家居| 武强县| 漳浦县| 哈尔滨市| 广饶县| 射阳县| 乌海市| 青铜峡市| 皋兰县| 眉山市| 将乐县| 台东市| 乐东|