專利名稱：分體式等離子弧切割噴嘴的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種分體式等離子弧切割噴嘴。
等離子弧切割噴嘴是切割割炬構(gòu)成部件之一，是等離子弧切割割炬的主要消耗部件。噴嘴前端為噴嘴頭，后端為噴嘴座，通常采用純銅整體加工，工藝復(fù)雜，耗材較大。使用時(shí)，由于該噴嘴為一整體結(jié)構(gòu)，引弧切割損耗噴嘴即整體報(bào)廢，因此造成極大的浪費(fèi)且切割成本高。同時(shí)目前所生產(chǎn)使用的噴嘴不能充分利用工作氣壓，不能有效提高工作氣壓強(qiáng)度保證引弧率，而且噴嘴散熱效果較差，從而影響噴嘴的使用壽命。
本實(shí)用新型的目的在于改進(jìn)上述不足，提供一種分體式等離子弧切割噴嘴。將噴嘴整體部件消耗分解成只有噴嘴頭為消耗件，通過噴嘴頭與噴嘴座上設(shè)有的子口配合將噴嘴形成一整體，并在噴嘴座上加設(shè)分流散熱槽，將有效的提高工作氣壓，增加切割厚度，同時(shí)可增強(qiáng)散熱，提高噴嘴的使用壽命。
本實(shí)用新型的具體實(shí)施步驟如下一種分體式等離子弧切割噴嘴，是由噴嘴頭、噴嘴座兩部分所構(gòu)成，噴嘴頭前端部設(shè)有噴嘴孔，噴嘴座外側(cè)后部設(shè)有凸緣，其特征是噴嘴頭與噴嘴座為分體式，設(shè)有子口緊配合連接，噴嘴座外側(cè)均布設(shè)有分流散熱槽。
本實(shí)用新型由于采用分體式結(jié)構(gòu)，子口的緊配合使得噴嘴頭與噴嘴座連接的密封性及同心度好。加工工藝簡(jiǎn)單，裝配使用方便，可根據(jù)需要只更換噴嘴頭易耗部分，減少浪費(fèi)，降低切割成本。噴嘴座上設(shè)有分流散熱槽，可有效提高工作氣壓強(qiáng)度，氣體分流后確保引弧率100％，從而增加切割厚度達(dá)30％，同時(shí)增強(qiáng)了噴嘴的散熱效果，提高噴嘴的使用壽命。


圖1、本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖(噴嘴頭扣合噴嘴座)圖2、本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖(噴嘴座扣合噴嘴頭)圖3、本實(shí)用新型側(cè)視圖1、噴嘴頭，2、噴嘴座，3、噴嘴孔，4、凸緣，5、分流散熱槽，6、子口。
實(shí)施例一種分體式等離子弧切割噴嘴，是由噴嘴頭(1)、噴嘴座(2)兩部分所構(gòu)成，噴嘴頭(1)前端部設(shè)有噴嘴孔(3)，噴嘴座(2)外側(cè)后部設(shè)有凸緣(4)，其特征是噴嘴頭(1)與噴嘴座(2)為分體式，設(shè)有子口(6)緊配合連接，噴嘴座(2)外側(cè)均布設(shè)有分流散熱槽(5)。
噴嘴頭(1)與噴嘴座(2)緊配合連接的子口(6)結(jié)構(gòu)是噴嘴頭(1)扣合噴嘴座(2)，如圖1所示，或噴嘴座(2)扣合噴嘴頭(1)，如圖2所示。噴嘴座(2)可采用黃銅制成。
噴嘴座(2)外側(cè)設(shè)有的分流散熱槽(5)為直槽或斜槽，分流散熱槽(5)將凸緣(4)部分分割斷開形成氣隙，分流散熱槽(5)可根據(jù)切割電流的大小，一般可開設(shè)8-36個(gè)直槽或斜槽分流散熱。
使用時(shí)，將噴嘴頭與噴嘴座輕拍緊配合即可，然后與其它部件組裝構(gòu)成切割割炬。
權(quán)利要求1.一種分體式等離子弧切割噴嘴，是由噴嘴頭、噴嘴座兩部分所構(gòu)成，噴嘴頭前端部設(shè)有噴嘴孔，噴嘴座外側(cè)后部設(shè)有凸緣，其特征是噴嘴頭與噴嘴座為分體式，設(shè)有子口緊配合連接，噴嘴座外側(cè)均布設(shè)有分流散熱槽。
2.如權(quán)利要求1所述的一種分體式等離子弧切割噴嘴，其特征是噴嘴頭與噴嘴座緊配合連接的子口結(jié)構(gòu)是噴嘴頭扣合噴嘴座或噴嘴座扣合噴嘴頭。
3.如權(quán)利要求1所述的一種分體式等離子弧切割噴嘴，其特征是噴嘴座外側(cè)設(shè)有的分流散熱槽為直槽或斜槽，分流散熱槽將凸緣分割斷開形成氣隙。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種分體式等離子弧切割噴嘴,是由噴嘴頭、噴嘴座兩部分所構(gòu)成,噴嘴頭前端部設(shè)有噴嘴孔,噴嘴座外側(cè)后部設(shè)有凸緣,其特征是噴嘴頭與噴嘴座為分體式,設(shè)有子口緊配合連接,噴嘴座外側(cè)均布設(shè)有分流散熱槽。本實(shí)用新型由于采用分體式結(jié)構(gòu),子口的緊配合使得噴嘴頭與噴嘴座連接的密封性及同心度好,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,降低損耗。加設(shè)分流散熱槽,有效的提高工作氣壓,從而增加切割厚度,同時(shí)增強(qiáng)散熱,提高噴嘴的使用壽命。
文檔編號(hào)B23K10/00GK2361425SQ9920108
公開日2000年2月2日 申請(qǐng)日期1999年1月28日 優(yōu)先權(quán)日1999年1月28日
發(fā)明者高學(xué)章 申請(qǐng)人:高學(xué)章