專利名稱：用于激光束加工機中的卡盤工作臺的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在激光束加工機中用于保持工件的卡盤工作臺。
背景技術(shù)：
在半導體裝置的生產(chǎn)過程中，在大體盤形的半導體晶片的前表面上，由分割線(也稱分割道，“streets”)分切成排列為格子圖案的多個區(qū)域，且在每個被分切的區(qū)域中形成有電路如IC或LSI。通過沿分割線切割半導體晶片以將該半導體晶片分成上面形成有電路的多個區(qū)域，來制造單個的半導體芯片。光學裝置晶片，包括層壓在藍寶石基底的前表面上的氮化鎵基化合物半導體，其也被沿分割線切割而分成單個的光學裝置，例如廣泛用于電氣設(shè)備中的發(fā)光二極管或激光二極管等。
通常使用被稱為“切塊機(dicer)”的切割機，來沿上述半導體晶片或光學裝置晶片的分割線進行切割。這種切割機，包括用于保持工件(如半導體晶片或光學裝置晶片)的卡盤工作臺，用于切割被保持在該卡盤工作臺上的工件的切割裝置，及用于使該卡盤工作臺和該切割裝置相對移動的切割進給裝置。該切割裝置包括心軸單元，其中該心軸單元包括旋轉(zhuǎn)心軸、安裝在該心軸上的切割刀片及用于旋轉(zhuǎn)驅(qū)動該旋轉(zhuǎn)心軸的驅(qū)動機構(gòu)。該切割刀片包括盤狀的基座及安裝在該基座的側(cè)壁外周向部分上的環(huán)形切割刃；并通過電鑄將直徑約3μm的金剛石磨料固定在該基座上，以形成約20μm厚的切割刃。
由于藍寶石基底、碳化硅基底等具有較高的莫氏硬度，因此使用上述切割刀片進行切割并不總是很容易。此外，由于切割刀片厚度約為20μm，因此用于分切裝置的分割線的寬度必須約為50μm。因此，在裝置尺寸為300μm×300μm的情況下，分割道與晶片的面積比為14％，從而使生產(chǎn)率降低。
作為分割板狀工件(如半導體晶片等)的方法，現(xiàn)今已嘗試利用激光束加工方法，其將能夠穿過工件且?guī)в薪裹c集的脈沖激光束照射到待分割區(qū)域的內(nèi)部。在利用這種激光束加工技術(shù)的分割方法中，可按如下過程來分割工件將可從工件的一側(cè)穿過工件的紅外線范圍內(nèi)的脈沖激光束(其帶有焦點集)照射到內(nèi)部，以在工件的內(nèi)部沿分割線連續(xù)地形成變質(zhì)層；以及沿分割線施加外力，其中該分割線的強度因為變質(zhì)層的形成而變小。這種方法在日本專利No.3408805中公開。
為提高電路如IC或LSI的生產(chǎn)量，近來已經(jīng)使用在半導體基底(如硅晶片)的前表面上具有低介電絕緣膜(低-k膜)的半導體晶片，其中該低介電絕緣膜由無機材料(例如SiOF或BSG(SiOB))或者由有機材料如聚合物(例如聚酰亞胺或聚對二甲苯)制成。然而，由于低-k膜由多層組成(5～15層)且像云母一樣極易碎，因此當使用切割刀片沿分割線切割上述具有低-k膜的半導體晶片時，會產(chǎn)生這樣的問題，即低-k膜會被剝離掉，而這種剝離物會到達電路，從而對半導體芯片造成致命的損害。
為解決上述問題，JP-A 2003-320466中公開了一種用于除去低-k膜的加工機，所述加工機通過將激光束照射到形成在半導體晶片的分割線上的低-k膜上而除去低-k膜，并使用切割刀片沿分割線從被除去的低-k膜處切割半導體晶片。
為使用激光束加工半導體晶片，卡盤工作臺和激光束照射裝置在切割進給方向上彼此相對移動，同時激光束從激光束照射裝置被照射到保持在卡盤工作臺上的半導體晶片。然而，當被照射的激光束超出半導體晶片的周邊時，會產(chǎn)生這樣一個問題，即激光束照射在保持半導體晶片的卡盤工作臺上，并損壞卡盤工作臺的工件保持區(qū)域，從而降低表面精度。此外，為了沿分割線分割半導體晶片，在半導體晶片放置在切割帶上的狀態(tài)下，沿分割線照射該激光束；因此，當如上所述的激光束超出半導體晶片的范圍時，切割帶因受熱融化，并與卡盤工作臺的工件保持區(qū)域粘合。形成在卡盤工作臺的工件保持區(qū)域中的真空抽吸孔，可能會被該切割帶堵住，并且可能會降低工件保持區(qū)域的表面精度。因此，根據(jù)情況需要，必須使用磨石擦掉與工件保持區(qū)域粘合的切割帶，或必須更換卡盤工作臺。
為解決上述問題，本發(fā)明的申請人在日本專利申請No.2004-58380中提出一種激光束加工機，其可檢測形成在保持于卡盤工作臺上的工件上的分割線的起點坐標值和終點坐標值，將它們存儲在存儲裝置中，并從存儲在存儲裝置中的起點至終點的范圍內(nèi)照射激光束。
對每一條分割線而言，由于必須檢測保持在卡盤工作臺的工件保持區(qū)域上的工件的加工區(qū)域的坐標值，因此日本專利申請No.2004-58380所述的技術(shù)在生產(chǎn)率方面不令人滿意。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是提供一種用于激光束加工機中使用的卡盤工作臺；即使當照射到工件上的激光束超出工件的范圍，也不會損壞用于保持工件的工件保持區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明，本發(fā)明的上述目的可通過一種用于激光束加工機中的卡盤工作臺來實現(xiàn)，其具有用于保持工件的工件保持區(qū)域，其特征在于所述工件保持區(qū)域的形狀與所述工件相似，且其尺寸比所述工件??；同時，一個緩沖槽被這樣形成，以使所述緩沖槽環(huán)繞所述工件保持區(qū)域。
優(yōu)選地，激光束吸收元件放置在所述緩沖槽的底部。
由于本發(fā)明的卡盤工作臺的所述工件保持區(qū)域的形狀與所述工件相似，且其尺寸比所述工件??；同時，一個緩沖槽被這樣形成，以使所述緩沖槽環(huán)繞所述工件保持區(qū)域，因此即使當激光束超出該工件的范圍時，激光束也不被照射到工件保持區(qū)域上而是照射到激光束緩沖槽，從而可以防止工件保持區(qū)域受到損壞。此外，即使當激光束被照射到上述激光束緩沖槽時，緩沖槽的底部也完全遠離激光束的焦點，且激光束會漫射，因此能量密度也不會高到足以加工激光束緩沖槽，且卡盤工作臺也不會遭受損壞。當該工件放置在切割帶上時，如果發(fā)生上述超出的情況，那么激光束將被照射到該切割帶上，而該切割帶將因受熱融化。然而，由于該卡盤工作臺的工件保持區(qū)域不位于激光束照射到該切割帶上的區(qū)域中，所以融化的切割帶不會與該工件保持區(qū)域粘合。因此，不需對該卡盤工作臺進行維護，從而可以降低運行成本。


圖1是安裝有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)造的卡盤工作臺的激光束加工機的立體圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)造的卡盤工作臺的主要部分的立體圖；圖3是圖2所示的卡盤工作臺的截面圖；圖4是方塊圖，顯示在圖1所示的激光束加工機中的激光束加工裝置的構(gòu)造；圖5是示意圖，用于解釋從圖4所示的激光束加工裝置中照射的激光束的焦斑直徑；圖6是作為工件的半導體晶片的立體圖；圖7是圖6所示的半導體晶片的放大截面圖；圖8是立體圖，顯示圖6所示的半導體晶片已被放置到切割帶(其被粘附在環(huán)形切割框上)上的狀態(tài)；圖9(a)和圖9(b)是解釋由圖1所示的激光束加工機進行激光束照射步驟的示意圖；圖10是表明本發(fā)明實施方式的示意圖，其中在圖9(a)和圖9(b)所示的激光束照射步驟中，激光束超出了工件的范圍；及圖11是表明本發(fā)明另一實施方式的圖，其中在圖9(a)和圖9(b)所示的激光束照射步驟中，激光束超出了工件的范圍。
具體實施例方式
下面將結(jié)合附圖詳細地說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。
圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)造的激光束加工機的立體圖。圖1所示的激光束加工機，包括固定式基座2；用于保持工件的卡盤工作臺機構(gòu)3，其以可在箭頭X所代表的加工進給方向上移動的方式安裝在該固定式基座2上；激光束照射單元支承機構(gòu)4，其以可在箭頭Y所代表的分度進給方向(即垂直于箭頭X所代表的方向)上移動的方式安裝在該固定式基座2上；及激光束照射單元5，其以可在箭頭Z所代表的方向上移動的方式安裝在該激光束照射單元支承機構(gòu)4上。
上述卡盤工作臺機構(gòu)3，包括一對導軌31和31，其安裝在該固定式基座2上，并沿箭頭X所代表的加工進給方向彼此平行地排列；第一滑塊32，其以可在箭頭X所代表的加工進給方向上移動的方式安裝在該導軌31和31上；第二滑塊33，其以可在箭頭Y所代表的分度進給方向上移動的方式安裝在該第一滑塊32上；支承臺35，其由圓柱件34支承在該第二滑塊33上；及作為工件保持裝置的卡盤工作臺36。該卡盤工作臺36由金屬材料如不銹鋼等制成，且如圖2和圖3所示具有用于保持工件的工件保持區(qū)域360。頂部敞開的裝配孔361形成在該工件保持區(qū)域360中，且由多孔材料如多孔陶瓷等制成的吸附卡盤362裝配在該裝配孔361中。圓形抽吸槽363形成在上述裝配孔361底部的中心部分中，且環(huán)形抽吸槽364形成在該抽吸槽363的外側(cè)。該抽吸槽363和364通過抽吸道365與抽吸裝置(未示)相連通。上述工件保持區(qū)域360的形狀與工件相似，且其外周比工件的外周略小(3～5mm)，下文將進行說明。環(huán)形緩沖槽366被這樣形成，以使得可環(huán)繞具有工件保持區(qū)域360的卡盤工作臺36的工件保持區(qū)域360。該環(huán)形激光束緩沖槽366的深度為5～10mm，寬度為20～30mm。由防蝕鋁(alumite)等制成并用于吸收激光束的激光束吸收元件367，放置于該激光束緩沖槽366的底部處。這樣形成的卡盤工作臺36，例如將作為工件的盤狀半導體晶片放置在工件保持區(qū)域360上，并通過啟動未示的抽吸裝置來對其進行抽吸保持。通過安裝在圖1所示的圓柱件34中的脈沖馬達(未示)，來轉(zhuǎn)動該卡盤工作臺36。在示例性的實施方式中，該卡盤工作臺36包括用于固定切割框架的夾具368，其中粘附到作為工件的半導體晶片上的切割帶被固定在所述切割框架上。
參考圖1繼續(xù)說明，上述第一滑塊32在其下表面上具有被裝配到上述成對的導軌31和31上的一對導槽321和321，以及在其頂表面具有一對導軌322和322，所述一對導軌322和322被形成為彼此在箭頭Y所代表的分度進給方向上平行。通過將上述導槽321和321分別裝配到成對的導軌31和31上，上述構(gòu)造的第一滑塊32被構(gòu)造成，可沿成對的導軌31和31在箭頭X所代表的加工進給方向上移動。在示例性的實施方式中，卡盤工作臺機構(gòu)3包括加工進給裝置37，其用于使該第一滑塊32沿成對的導軌31和31在箭頭X所代表的加工進給方向上移動。該加工進給裝置37包括外螺桿371，其布置在上述成對的導軌31和31之間并與其平行；還包括用于旋轉(zhuǎn)驅(qū)動該外螺桿371的驅(qū)動源如脈沖馬達372等。該外螺桿371，在一端處旋轉(zhuǎn)地支承到固定在上述固定式基座2上的軸承座373上，在另一端處與上述脈沖馬達372的輸出軸傳動連接。該外螺桿371擰入到帶螺紋的通孔中，其中該通孔形成在從該第一滑塊32的中心部分的下表面突出的內(nèi)螺紋座(未示)中。因此，通過使用該脈沖馬達372在正常方向或反向方向上驅(qū)動該外螺桿371，該第一滑塊32在箭頭X所代表的加工進給方向上沿該導軌31和31移動。
上述第二滑塊33在其下表面包括一對導槽331和331，所述一對導槽331和331被裝配到設(shè)置在上述第一滑塊32頂表面上的成對的導軌322和322上；通過將導槽331和331分別安裝到成對的導軌322和322上，上述第二滑塊33被構(gòu)造可在箭頭Y所代表的分度進給方向上移動。在示例性的實施方式中，卡盤工作臺機構(gòu)3包括第一分度進給裝置38，用于使該第二滑塊33沿成對的導軌322和322在箭頭Y所代表的分度進給方向上移動，其中所述成對的導軌322和322設(shè)置在第一滑塊32上。該第一分度裝置38包括布置在上述成對的導軌322和322之間并與其平行的外螺桿381，及用于驅(qū)動該外螺桿381的驅(qū)動源如脈沖馬達382。該外螺桿381，在一端處旋轉(zhuǎn)地支承到固定在上述第一滑塊32頂表面上的軸承座383上，在另一端處與上述脈沖馬達382的輸出軸傳動連接。該外螺桿381擰入到帶螺紋的通孔中，其中該通孔形成于從該第二滑塊33的中心部分下表面突出的內(nèi)螺紋座(未示)中。因此，通過使用該脈沖馬達382在正常方向或反向方向上驅(qū)動該外螺桿381，該第二滑塊33在箭頭Y所代表的分度進給方向上沿該導軌322和322移動。
上述激光束照射單元支承機構(gòu)4，包括安裝在該固定式基座2上并在箭頭Y所代表的分度進給方向上彼此平行排列的一對導軌41和41，及以可在箭頭Y所代表的方向上移動的方式安裝在導軌41和41上的活動支承基座42。該活動支承基座42，包括可活動地安裝在該導軌41和41上的活動支承部分421，及安裝在該活動支承部分421上的安裝部分422。該安裝部分422在其一個的側(cè)翼flank設(shè)置有沿箭頭Z所代表的方向彼此平行而延伸的一對導軌423和423。在示例性的實施方式中，激光束照射單元支承機構(gòu)4，包括第二分度進給裝置43，其用于使該活動支承基座42沿成對的導軌41和41在箭頭Y所代表的分度進給方向上移動。該第二分度進給裝置43，包括放置在上述成對的導軌41和41之間并與其平行的外螺桿431，及用于旋轉(zhuǎn)驅(qū)動該外螺桿431的驅(qū)動源如脈沖馬達432。該外螺桿431，在其一端處旋轉(zhuǎn)地支承到固定在上述固定式基座2上的軸承座(未示)上，且在另一端處與上述脈沖馬達432的輸出軸傳動連接。該外螺桿431擰入到帶螺紋的通孔中，其中該通孔形成于從該活動支承部分421(其構(gòu)成該活動支承基座42)中心部分的下表面處突出的內(nèi)螺紋座(未示)中。因此，通過使用該脈沖馬達432在正常方向或反向方向上驅(qū)動該外螺桿431，該活動支承基座42在箭頭Y所代表的分度進給方向上沿該導軌41和41移動。
在示例性的實施方式中，激光束照射單元5，包括單元保持器51以及緊固到該單元保持器51上的激光束照射裝置52。該單元保持器51包括一對導槽511和511，所述成對的導槽511和511可滑動地裝配到設(shè)置于上述安裝部分422上的成對的導軌423和423上；通過將導槽511和511分別安裝在上述導軌423和423上，該單元保持器51以可在箭頭Z所代表的方向上移動的方式被支承著。
所示例的激光束照射裝置52，包括緊固到上述單元保持器51上并基本上水平方向延伸的圓筒形殼體521。如圖4所示，在殼體521中，安裝有脈沖激光束振蕩裝置522和傳輸光學系統(tǒng)523。該脈沖激光束振蕩裝置522由脈沖激光束振蕩器522a(其由YAG激光振蕩器或YVO4激光振蕩器組成)和連接到該脈沖激光束振蕩器522a上的重復頻率設(shè)置裝置522b組成。該傳輸光學系統(tǒng)523包括合適的光學元件如分光器等。容置由一組具有公知結(jié)構(gòu)的透鏡所構(gòu)成的聚光透鏡(未示)的聚光器524，連接到上述殼體521的末端上。
從上述脈沖激光束振蕩裝置522進行振蕩的激光束，通過傳輸光學系統(tǒng)523到達聚光器524，并從該聚光器524處以預定的焦斑直徑D照射到保持在上述卡盤工作臺36上的工件上。如圖5所示，當通過聚光器524的物鏡524a照射具有高斯分布的脈沖激光束時，該焦斑直徑D定義為D(μm)＝4×λ×f/(π×W)(其中，λ是脈沖激光束的波長(μm)，W是照射到物鏡524a上的脈沖激光束的直徑(mm)，f是物鏡524a的焦距(mm))。
參照圖1，圖像攝像裝置6用于檢測將由上述激光束照射裝置52進行加工的區(qū)域，且安裝在構(gòu)成上述激光束照射裝置52的殼體521的前端。該圖像攝像裝置6，包括用于照明該工件的照明裝置，用于捕獲被該照明裝置所照亮的區(qū)域的光學系統(tǒng)，及用于對由該光學系統(tǒng)所捕獲的圖像進行攝像的圖像攝像裝置(CCD)。圖像信號被傳輸?shù)轿词镜目刂蒲b置中。
在示例性的實施方式中，激光束照射單元5，包括用于沿成對的導軌423和423在箭頭Z所代表的方向上移動該單元保持器51的移動裝置53。該移動裝置53包括布置在成對的導軌423和423之間的外螺桿(未示)，及用于旋轉(zhuǎn)驅(qū)動該外螺桿的驅(qū)動源如脈沖馬達532。通過使用該脈沖馬達532在正常方向或反向方向上驅(qū)動該外螺桿(未示)，該單元保持器51和該激光束照射裝置52沿導軌423和423在箭頭Z所代表的方向上移動。在示例性實施方式中，通過在正常方向上驅(qū)動該脈沖馬達532，使該激光束照射裝置52向上移動；以及通過在反向方向上驅(qū)動該脈沖馬達532，使該激光束照射裝置52向下移動。
下面說明使用上述激光束加工機利用激光束進行加工工件的過程。
圖6是將被激光束所加工的半導體晶片(其作為工件)的立體圖，圖7是圖6所示的半導體晶片的分割線的放大截面圖。在圖6和圖7所示的半導體晶片20中，在半導體基底21(如硅晶片)的前表面21a上，由多條分割線分切成格子圖案的多個區(qū)域，且在每個被分切的區(qū)域中形成電路212(如IC或LSI)。該半導體晶片20包括層壓在該半導體基底21的前表面上的低介電絕緣膜213。
如圖8所示，如上述構(gòu)造的半導體晶片20放置在切割帶26上，其中該切割帶26由氯乙烯等合成樹脂薄層sheet組成，且該合成樹脂薄層以前表面21a朝上的方式粘附到環(huán)形切割框架25上。
通過該切割帶26而被支承到切割框架25上的半導體晶片20，被以前表面21a朝上的方式送到卡盤工作臺36的工件保持區(qū)域360上，該卡盤工作臺36構(gòu)成了如圖1所示的激光束加工機的卡盤工作臺機構(gòu)3；且該半導體晶片20借助于該切割帶26被放置在該工件保持區(qū)域360上。然后，通過啟動未示的抽吸裝置，將半導體晶片20抽吸保持在該工件保持區(qū)域360上。此時，如上所述，由于該工件保持區(qū)域360的形狀與該半導體晶片20相似，且其尺寸小于半導體晶片20，所以半導體晶片20的周向部分從該工件保持區(qū)域360的周邊向外突出，并位于該環(huán)形緩沖槽366上方。由設(shè)置在該卡盤工作臺36上的夾具368來固定該切割框架25。通過操作進給裝置37，用于抽吸保持半導體晶片20的卡盤工作臺36沿導軌31和31移動，且被送至安裝在該激光束照射單元5上的圖像攝像裝置6的正下方。
在該卡盤工作臺36位于該圖像攝像裝置6的正下方后，由該圖像攝像裝置6和未示的控制裝置來進行對準工作，該對準工作用于檢測半導體晶片20將被激光束所加工的加工區(qū)域。即，該圖像攝像裝置6和控制裝置(未示)進行圖像處理(例如圖形匹配等)，從而將形成在半導體晶片20的預定方向上的分割線211與激光束照射單元5的聚光器524對準，用以沿分割線211照射激光束，由此完成激光束照射位置的對準。同時，也沿垂直于上述預定方向、在形成于半導體晶片20上的分割線211上進行相似的激光束照射位置的對準。
在檢測分割線211(其形成在保持于卡盤工作臺36上的半導體晶片20上)并進行激光束照射位置的對準后，移動該卡盤工作臺36，以將在預定方向(圖9(a)中的水平方向)上延伸的預定分割線211送至該激光束照射裝置52的聚光器524的正下方位置。此外，如圖9(a)所示，分割線211的一端(圖9(a)中的左端)位于該聚光器524的正下方。然后，該卡盤工作臺36以預定進給速率在箭頭X1所代表的加工進給方向上移動，同時將激光束從該激光束照射裝置52的聚光器524照射到形成在分割線211上的低介電絕緣膜213上。此時，從聚光器524處所照射的激光束的焦點P，被設(shè)定在低介電絕緣膜213的表面上。如圖9(b)所示，當聚光器524的照射位置到達分割線211的另一端(圖9(b)中的右端)時，暫停激光束的照射。結(jié)果，除去了形成在分割線211上的低介電絕緣膜213(激光照射步驟)。
在上述激光束照射步驟中，如圖10所示，由于反應(yīng)延時或出錯，從激光束照射裝置52的聚光器524所照射的激光束可能超出半導體晶片20的范圍。此時，盡管激光束照射到切割帶26上且切割帶26受熱融化，但由于在激光束照射到切割帶26的區(qū)域中不存在該卡盤工作臺36的工件保持區(qū)域361，所以融化的切割帶不會粘合到該工件保持區(qū)域360上。如圖11所示，當作為工件的半導體晶片20不是放置在切割帶上而是直接保持在該卡盤工作臺36的工件保持區(qū)域360上時，如果在上述激光束照射步驟中從激光束照射裝置52的聚光器524中所照射的激光束超出半導體晶片20的范圍，那么激光束將直接照射到該卡盤工作臺36的激光束緩沖槽366上。由于激光束緩沖槽366的底部完全遠離激光束的焦點P，且激光束會漫射，因此能量密度也不會高到足以加工激光束緩沖槽366的地步，因此該卡盤工作臺36不會損壞。在示例性的實施方式中，由于激光束吸收元件367放置在激光束緩沖槽366的底部，因此可以確定地防止該卡盤工作臺36受到損壞。
在示例性的實施方式中，上述激光束照射步驟中的加工條件設(shè)置如下。
光源YAG激光或YVO4脈沖激光波長355nm輸出0.5W重復頻率50kHz脈沖寬度10ns焦斑直徑9.2μm加工進給速率100mm/sec當在如圖9(a)所示的預定分割線211上完成激光束照射步驟之后，該卡盤工作臺36在垂直于分割線211的分度進給方向上移動一段距離(其等于分割線之間距離)，以進行上述激光束照射步驟。重復進行分度進給步驟和激光束照射步驟，以除去形成在所有分割線211(其沿半導體晶片20的預定方向延伸)上的低介電絕緣膜213。如上所述，在沿半導體晶片20的預定方向延伸的分割線211上完成激光束照射步驟后，該卡盤工作臺36(即半導體晶片20)旋轉(zhuǎn)90°，以在沿垂直于分割線211(該分割線211沿上述預定方向延伸)的方向上延伸的分割線211上進行上述激光束照射步驟。結(jié)果，除去了形成在半導體晶片20的所有分割線211上的低介電絕緣膜213。
如上所述，在除去了形成在半導體晶片20的所有分割線211上的低介電絕緣膜213后，保持半導體晶片20的卡盤工作臺36返回到開始抽吸保持半導體晶片20的位置，以取消對半導體晶片20的抽吸保持。然后，通過未示的傳送裝置將半導體晶片20送到切割步驟。在該切割步驟中，用帶有切割刀片的切割機沿分割線211切割半導體晶片20，以將其分成單個的半導體芯片。由于低介電絕緣膜213已從分割線11上除去，因此可以防止在使用刀片切割低介電絕緣膜時發(fā)生低介電絕緣膜的剝離。
盡管上面已經(jīng)說明了用于除去形成在半導體晶片分割線上的低介電絕緣膜的激光加工實施方式，但是通過將可穿過半導體晶片的、波長為1,054nm的脈沖激光束沿半導體晶片的分割線照射至半導體晶片上，本發(fā)明的激光束加工機也可用于這樣的激光加工當中，即在半導體晶片的內(nèi)部形成連續(xù)的變質(zhì)層。
權(quán)利要求
1.一種用于激光束加工機中的卡盤工作臺，其具有用于保持工件的工件保持區(qū)域，其特征在于所述工件保持區(qū)域的形狀與所述工件相似，且其尺寸比所述工件小；同時，一個緩沖槽被這樣形成，以使所述緩沖槽環(huán)繞所述工件保持區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的用于激光束加工機中的卡盤工作臺，其特征在于激光束吸收元件放置在所述緩沖槽的底部。
全文摘要
一種用于激光束加工機中的卡盤工作臺，其具有用于保持工件的工件保持區(qū)域，其中所述工件保持區(qū)域的形狀與所述工件相似，且其尺寸比所述工件??；同時，一個緩沖槽被這樣形成，以使所述緩沖槽環(huán)繞所述工件保持區(qū)域。
文檔編號B23K26/00GK1669720SQ20051005511
公開日2005年9月21日 申請日期2005年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月17日
發(fā)明者飯塚健太呂 申請人:株式會社迪斯科