專利名稱：射線管用內(nèi)屏蔽及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種陰極射線管用內(nèi)屏蔽(Inner Shield)及其制造方法。更詳細(xì)地說，是對垂直磁場和水平磁場構(gòu)成的地磁場能進(jìn)行有效的屏蔽，以提高陰極射線管的導(dǎo)磁效率，并使玻錐(funnel)和內(nèi)屏蔽之間的間隔既均勻且又最小化的陰極射線管用內(nèi)屏蔽及其制造方法。
從陰極射線管的電子槍發(fā)射的電子束，受到以地球的南極點和北極點為軸發(fā)生的電磁場的影響，路徑會改變。因此，陰極射線管中的純化(purity)特性降低，光柵(raster)位置變化、而且會聚(convergence)特性也變壞。
為此，在陰極射線管上設(shè)置了為屏蔽地磁場的內(nèi)屏蔽。內(nèi)屏蔽用夾子裝在罩框架的后端，該罩框架通過支撐彈簧懸掛在銷釘(スタツドピン)上，由此沿玻錐內(nèi)周面設(shè)置。
上述內(nèi)屏蔽的結(jié)構(gòu)，在圖3中充分表示了出來。當(dāng)對內(nèi)屏蔽10的中心的管軸方向成直角引虛擬的水平線時，如果位于長軸距離的短邊傾斜部12的頂端形成V型切口部14，則能夠減少地磁場影響引起的電子束移動量。
通常的陰極射線管處于從南朝北時，根據(jù)弗來明的左手定則，電子束要受到順時針方向產(chǎn)生的地磁場的影響。
另一方面，由于地磁場對導(dǎo)磁率高的材料來說具有直角入射的性質(zhì)，所以具有V型切口的內(nèi)屏蔽，將從電子槍向螢光屏突出的地磁場吸引到長邊傾斜部，引導(dǎo)成為垂直方向的地磁場，對電子槍發(fā)射的電子束施于反時針方向的影響。
但是，上述的內(nèi)屏蔽在陰極射線管東西方向配置時，相反也伴隨受地磁場影響很大的問題。
即，當(dāng)陰極射線管東西方向配置時，地磁場作用于內(nèi)屏蔽的長邊方向，換言之，作用在穿過V型切口部分的水平方向。V型切口部分越大，對地磁場的屏蔽領(lǐng)域越減小，使電子束的著屏(ランデイング)特性變差。
本發(fā)明就是為了解決這種問題而做出來的，其目的是提供一種能夠減少地磁場影響，映現(xiàn)出鮮明圖象的內(nèi)屏蔽及制造方法。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采取以下技術(shù)方案一種陰極射線管用內(nèi)屏蔽，其特征在于包括8個與蔭罩框架相結(jié)合的法蘭；從各法蘭按與管軸方向平行地折彎延伸的垂直部分；從該垂直部分以大體成梯形傾斜延伸的傾斜部；以及在該傾斜部分中相鄰接的一對傾斜部上形成的高阻部分的孔。
一種陰極射線管用內(nèi)屏蔽的制造方法，其特征在于包括以下工序剪切工序，該工序用于在一對原材料板的上段形成切口和高阻部分的孔，下段形成8個法蘭；成形工序，對上述原材料板進(jìn)行彎曲，以在與管軸方向相平行的垂直部分形成傾斜延伸的傾斜部分，而在其下段形成直角地折彎的法蘭的工序；以及對上述一對原材料板進(jìn)行一體化，以相對管軸方向的橫斷面形成大體為八角形的封閉曲線狀。
所記載的陰極射線管用內(nèi)屏蔽的制造方法，其特征在于在上述傾斜部中，相鄰接的兩個傾斜部上形成高阻部分的孔本發(fā)明的內(nèi)屏蔽包括8個與罩框架相結(jié)合的法蘭、從各法蘭按與管軸方向平行折彎延伸的垂直部分、從該垂直部分以大體成梯形傾斜延伸的傾斜部分、以及在該傾斜的部分中相鄰按的一部分上形成的高阻部分的孔(high resistance hole)。
這樣的陰極射線管用內(nèi)屏蔽可以通過以下的工序制造剪切工序，該工序用于在一對原材料板的上段形成切口和高阻部分的孔，下段形成8個法蘭；形成工序，該工序?qū)ι鲜鲈牧习暹M(jìn)行撓彎，在與管軸方向相平行的垂直部分的上段形成傾斜延伸的傾斜部分，而在其下段形成彎曲成直角的法蘭；以及成形工序，該工序用于在一對原材料板進(jìn)行一體化，對管軸方向的橫斷面形成大體為八角形的封閉曲線狀。
本發(fā)明的效果正如以上的說明，本發(fā)明的內(nèi)屏蔽從實質(zhì)上消除了現(xiàn)有的問題。
即，本發(fā)明的內(nèi)屏蔽的橫斷面形狀為八角形的封閉曲線狀，通過向從任一傾斜部入射的垂直磁場和水平磁場鄰接的傾斜部發(fā)射，穿過內(nèi)屏蔽的電子束都很少受到地磁場的影響，使在面板(パネル)的內(nèi)側(cè)面著屏的電子束枕形(ピンクツシヨン)化和光柵的桶形失真(バレル)化的影響減小。
進(jìn)而，通過將內(nèi)屏蔽的斷面形狀形成為八角形，從而可以得到與玻錐的內(nèi)側(cè)園形面幾乎一致的角度鄰近設(shè)置的效果。
另外，還可以減小現(xiàn)有具有V型切口部的地磁場所引起的電子束不穩(wěn)定發(fā)射。
以下參照附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的實施例

圖1表示安裝有本發(fā)明的內(nèi)屏蔽的陰極射線管斷面的概略圖。
圖2表示本發(fā)明的內(nèi)屏蔽的制造步驟的制作圖。
圖3表示現(xiàn)有的內(nèi)屏蔽的斜視圖。
下面通過附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的最佳實施例。
在說明本發(fā)明時，對于從現(xiàn)有技術(shù)引用的附圖相同的結(jié)構(gòu)，使用相同的序號。
圖1中，本發(fā)明的內(nèi)屏蔽20安裝在具有蔭罩14的蔭罩框(マスクフレ-ム)架6上。這時，用夾子4將內(nèi)屏蔽20的前法蘭(フランジ)22與蔭罩框架6相結(jié)合。
上述的內(nèi)屏蔽20，通過蔭罩框架6由支撐彈簧懸掛在銷釘10上，而沿著玻錐12的內(nèi)周面安裝。
此處，本發(fā)明的內(nèi)屏蔽20與現(xiàn)有的內(nèi)屏蔽不同，它具有8個與蔭罩框架6相結(jié)合的法蘭22，從各個法蘭延伸有與管軸方向平行地變折的垂直部，從該垂直部延伸形成有大體為梯形的傾斜部。而且，在多個傾斜部中相鄰接的一對傾斜部上形成高阻部分的孔27，從而減少E-W(東-西)方向的磁場影響造成的電子束移動量。
本發(fā)明的內(nèi)屏蔽20，可以由下述的制造工序來實現(xiàn)。
通過圖2可知，本發(fā)明的內(nèi)屏蔽20，首先將扁平的一對原材料板24，沿虛線所示的多條折彎線和多條剪切線剪切，在其上段形成切口26和高阻部分的孔27，在其下段形成8個法蘭22。
接著，將上述原材料板24一次彎曲，在與管軸方向平行的垂直部分28的上段形成按規(guī)定角度傾斜延伸的傾斜部分32，同時，在其下段形成與蔭罩框架6相結(jié)合的前面法蘭22。
然后，通過二次彎曲工序，使傾斜部分32的切口26的一端的突出部分26a垂疊在另一端端部的下方，進(jìn)行焊接，使一對原材料板24一體化。這時，使對管軸方向的橫斷面形狀形成大體為八角形的封閉曲線狀，從而從內(nèi)屏蔽20的任一傾斜面入射的水平磁場和垂直磁場構(gòu)成的地磁場發(fā)射到鄰接的傾斜部，使面板內(nèi)側(cè)面上著屏的電子束枕形(pincushion)化和光柵的桶形失真(barrel)化的影響減少。
權(quán)利要求
1.一種陰極射線管用內(nèi)屏蔽，其特征在于包括8個與蔭罩框架相結(jié)合的法蘭；從各法蘭按與管軸方向平行地折彎延伸的垂直部分；從該垂直部分以大體成梯形傾斜延伸的傾斜部；以及在該傾斜部分中相鄰接的一對傾斜部上形成的高阻部分的孔。
2.一種陰極射線管用內(nèi)屏蔽的制造方法，其特征在于包括以下工序剪切工序，該工序用于在一對原材料板的上段形成切口和高阻部分的孔，下段形成8個法蘭；成形工序，對上述原材料板進(jìn)行彎曲，以在與管軸方向相平行的垂直部分形成傾斜延伸的傾斜部分，而在其下段形成直角地折彎的法蘭的工序；以及對上述一對原材料板進(jìn)行一體化，以相對管軸方向的橫斷面形成大體為八角形的封閉曲線狀。
3.如權(quán)利要求2所記載的陰極射線管用內(nèi)屏蔽的制造方法，其特征在于在上述傾斜部中，相鄰接的兩個傾斜部上形成高阻部分的孔。
全文摘要
陰極射線管用內(nèi)屏蔽及其制造方法,其包括:從8個與蔭罩框架相結(jié)合的法蘭延伸出與管軸方向平行折彎的垂直部;從該垂直部延伸形成大體為相鄰接的一對傾斜部上形成高阻部的孔,其制造方法包括:剪切工序,形成與罩框架相結(jié)合的內(nèi)屏蔽下的8個法蘭而剪切8處;將內(nèi)屏蔽的上部原材料板相應(yīng)部分剪切形成切口的工序;將原材料板一次彎曲,從與管軸方向平行的垂直部分形成按規(guī)定角度傾斜部,使之對管方向的橫斷面形成大體為八角形的工序。
文檔編號H01J29/06GK1229262SQ9910339
公開日1999年9月22日 申請日期1999年3月17日 優(yōu)先權(quán)日1998年3月17日
發(fā)明者尹海洙, 盧煥哲 申請人:三星電管株式會社