專利名稱：：電子發(fā)生設(shè)備、成像設(shè)備及其制造和調(diào)節(jié)特性的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及在基片上設(shè)置一批表面導(dǎo)電發(fā)射器件組成的電子發(fā)生設(shè)備、調(diào)節(jié)此電子發(fā)生設(shè)備特性的方法、制造此電子發(fā)生設(shè)備的方法、以及應(yīng)用了這種電子發(fā)生設(shè)備的成像設(shè)備。作為電子發(fā)射器件，傳統(tǒng)上周知的兩類是熱電子陰極器件與冷陰極器件。冷陰極器件例如有表面導(dǎo)電發(fā)射器件、場(chǎng)致發(fā)射型發(fā)射器件(以后稱作FE型器件)與金屬/絕緣體/金屬型發(fā)射器件(以后稱作MIM型器件)。FE型器件的已知例子描述于W.P.Dyke與W.W.Dolan的“FieldEmission”，《AdvanceinElectronPhysics》，8，89(1956)以及C.A.Spindt的“PhysicalPropertiesofthin-filmfieldemissioncathodeswithmolybdenumcones”，《J.Appl.Phys.》，47，5248(1976)中。MIM型器件的已知例子描述于C.A.Mead的“OperationofTunnel-emissionDevices”，《J.Appl.Phys.》，32，646(1961)中。表面導(dǎo)電發(fā)射器件的例子例如有M.I.Elinson描述于《Radio，Eng.ElectronPhys.》，10(1965)中的，其它一些例子將于下面說明。表面導(dǎo)電發(fā)射器件利用了下述現(xiàn)象使電流平行地通過在基片上形成的薄膜的表面，會(huì)在小面積的薄膜上引起電子發(fā)射。這種表面導(dǎo)電發(fā)射器件包括應(yīng)用Au薄膜的器件(G.Dittmer《ThinSolidFilms》，9，317(1972))，應(yīng)用In2O3/SnO2薄膜的器件(M.Hartwell與C.G.Fonstad，《IEEETrans.EDConf.》，519(1975))，應(yīng)用碳薄膜的器件(HisashiAraki，etal《Vacuum》，Vol.26，No.1.p.22(1983))，等等，以及根據(jù)上述的Elinson的應(yīng)用SnO2薄膜的器件。圖27是M.Hartwell等人的表面導(dǎo)電發(fā)射器件的平面圖，這一例子反映了這類表面導(dǎo)電發(fā)射器件的典型結(jié)構(gòu)。參看圖27，標(biāo)號(hào)3001指基片而3004指由濺射形成的金屬氧化物薄膜。此導(dǎo)電薄膜3004呈H形構(gòu)型，如圖27所示。相對(duì)導(dǎo)電薄膜3004執(zhí)行起電過程(以后稱作激勵(lì)形成過程)，形成了電子發(fā)射部3005。參看圖27，有一設(shè)定為0.5至1mm的間隙L和一設(shè)定至0.1mm的寬度W。為便于圖示，電子發(fā)射部3005呈矩形且位于導(dǎo)電薄膜3004的中央，但這并非精確地表明了此電子發(fā)射部的正確位置與外形。在M.Hartwell等人的上述表面導(dǎo)電發(fā)射器件中，電子發(fā)射部3005通常是由在電子發(fā)射之前對(duì)導(dǎo)電薄膜3004施行稱之為激勵(lì)形成過程的起電過程而形成的。在此激勵(lì)形成過程中，進(jìn)行起電時(shí)是以極慢速率例如1V/min的速率，將恒定的DC電壓施加到導(dǎo)電薄膜3004的兩端來部分地使導(dǎo)電薄膜3004破壞或變形或改變導(dǎo)電薄膜3004的性質(zhì)，由此形成高電阻的電子發(fā)射部3005。注意，導(dǎo)電薄膜3004的破壞了的或變形了的部分或是性質(zhì)已改變了的部分上存在裂縫。當(dāng)在激勵(lì)形成過程之后將適當(dāng)?shù)碾妷杭拥綄?dǎo)電薄膜3004之上，在此裂縫附近即產(chǎn)生電子發(fā)射。上述表面導(dǎo)電發(fā)射器件的優(yōu)點(diǎn)在于是冷陰極器件，它們的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于制造。因此，可以在廣泛領(lǐng)域內(nèi)構(gòu)成許多裝置。例如在本申請(qǐng)人所申請(qǐng)的日本專利(公開)64-31332號(hào)中，已公開了用來配置和驅(qū)動(dòng)一批這類器件的方法。已研究了關(guān)于表面導(dǎo)電發(fā)射器件在例如諸如圖象顯示設(shè)備的成象設(shè)備、圖象記錄設(shè)備、帶電束源等方面的應(yīng)用。關(guān)于在成像設(shè)備中的應(yīng)用，正如本申請(qǐng)人所申請(qǐng)的美國(guó)專利5066883號(hào)與日本專利(公開)2-257551與4-28137號(hào)所公開的，已研究了表面導(dǎo)電發(fā)射器件與電子束輻射下發(fā)光的熒光體相結(jié)合的形式。這類圖像顯示設(shè)備預(yù)期具有較傳統(tǒng)的圖像顯示設(shè)備更為優(yōu)越的種種性質(zhì)。例如，與當(dāng)前通用的液晶顯示設(shè)備相比，上述的顯示設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)在于它是光發(fā)射型而不需背景光以及它有寬廣的視角。本發(fā)明人等除上述傳統(tǒng)的器件外，還研究了各種材料、各種制造方法與各種結(jié)構(gòu)的冷陰極器件。本發(fā)明人等還研究了配置有一批冷陰極器件的多電子束源以及用到了這種多電子束源的圖像顯示設(shè)備。本發(fā)明人等也研究了圖28所示的根據(jù)布線方法的多電子束源。具體地說，這種多電子束源是由二維排列的大量的冷陰極器件與把這些器件由導(dǎo)線連接成的矩陣結(jié)構(gòu)所組成，如圖28所示。參看圖28，標(biāo)號(hào)4001指冷陰極器件，4002指行布線層，4003指列布線層。行布線層4002與列布線層4003實(shí)際上具有的有限電阻由圖28中的導(dǎo)線電阻4004與4005表示。圖28中所示的布線稱之為簡(jiǎn)單的矩陣布線。為便于圖示，圖28中所示多電子束源是由6×6矩陣構(gòu)成。顯然，矩陣的行X列數(shù)并不限于所述布置形式。在圖像顯示設(shè)備的多電子束源中，布置了和用導(dǎo)線連接有足夠多的能執(zhí)行所需圖像顯示的上述器件。在表面導(dǎo)電發(fā)射器件由導(dǎo)線連接成簡(jiǎn)單矩陣的多電子束源中，是將適當(dāng)?shù)碾娦盘?hào)提供給行布線層4002與列布線層4003以輸出所需的電子束。當(dāng)驅(qū)動(dòng)此矩陣任一行中的表面導(dǎo)電發(fā)射器件時(shí)，就有選擇電壓Vs加到所選擇的這一行中的行布線層4002上。同時(shí)有非選擇電壓Vns施加到未選擇行的行布線層4002上。與上述操作相同步，用于輸出電子束的驅(qū)動(dòng)電壓Ve便施加到列布線層4003上。在此方法下，有電壓(Ve-Vs)加到選擇的行的表面導(dǎo)電發(fā)射器件上，同時(shí)有電壓(Ve-Vns)加到未選擇的行的表面導(dǎo)電發(fā)射器件上，但此時(shí)假定因?qū)Ь€電阻4004與4005造成的電壓降可以忽略。當(dāng)電壓Ve、Vs與Vns調(diào)節(jié)到合適的電平時(shí)，便只從所選擇的行的表面導(dǎo)電發(fā)射器件輸出具有所需強(qiáng)度的電子束。當(dāng)以不同的驅(qū)動(dòng)電壓Ve施加到各個(gè)列布線層4003上，便從所選擇行的各個(gè)器件中輸出不同強(qiáng)度的電子束。由于表面導(dǎo)電發(fā)射器件的響應(yīng)高，電子束的輸出時(shí)間也可以根據(jù)用于施加驅(qū)動(dòng)電壓Ve的時(shí)間而改變。這種具有表面導(dǎo)電發(fā)射器件排成簡(jiǎn)單矩陣的的多電子束源可以有種種應(yīng)用。例如，它通過適當(dāng)?shù)毓┙o圖像信息的電信號(hào)，就可適當(dāng)?shù)赜米鲌D象顯示設(shè)備的電子源。為了改進(jìn)表面導(dǎo)電發(fā)射器件特性所作的廣泛研究的結(jié)果，本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)制造過程中的激活過程是有效的。如前所述，當(dāng)表面導(dǎo)電發(fā)射器件的電子發(fā)射部待形成時(shí)，采取了使電流流到導(dǎo)電薄膜上來局部地破壞、變形或損傷此薄膜而形成裂縫的過程(激勵(lì)形成過程)。然后，在進(jìn)行激活過程時(shí)，就可顯著改進(jìn)電子發(fā)射特性。確切地說，這種激活過程是在適當(dāng)條件下對(duì)激勵(lì)形成過程形成的電子發(fā)射部施行起電，將碳或碳化合物淀積到電子發(fā)射部的周圍。例如，于真空氣氛中周期性地施加電壓脈沖，此氣氛中存在有在適當(dāng)分壓下的有機(jī)物質(zhì)，總壓力為10-4～10-5乇。在此過程中，各種微晶石墨、多晶石墨、無定形碳及它們的混合物在電子發(fā)射部附近沉積到約500?；蜉^小的厚度。這些條件只是些例子，必須根據(jù)表面導(dǎo)電發(fā)射器件的材料與外形適當(dāng)?shù)刈儎?dòng)。將采用了上述過程的電子發(fā)射部與激活過程前的相比，在施加同一電壓下的發(fā)射電流通常約提高100倍或更高。在完成此激活過程后，最好減少真空氣氛中有機(jī)物質(zhì)的分壓。于是，在制造其中有一批表面導(dǎo)電發(fā)射器件、此器件還由導(dǎo)線連接成簡(jiǎn)單矩陣的多電子束源時(shí)，最好對(duì)各個(gè)器件都施行激活過程。在按上述方式制得的多電子束源中，電子源的發(fā)射特性會(huì)因上述過程中的種種變化而改變。要是把這種器件用來形成顯示設(shè)備，發(fā)射特性的變化就表現(xiàn)為亮度變化。存在著多種會(huì)改變多電子束源中各電子源的電子發(fā)射特性的因素電子發(fā)射部所用材料組分的變化、器件的部件的尺寸誤差、激勵(lì)形成過程中不一致的起電條件、以及激活過程中的不均一的起電條件或不均一的氣氛氣體。但是，為了消除所有這類因素，就需要最先進(jìn)的制造設(shè)備和最嚴(yán)格的過程管理，而這將使制造成本增大到不實(shí)際的水平。本發(fā)明考慮到了上述通常性的問題，其目的在于提供能消除由上述種種因素引起的多電子束源中電子發(fā)射特性改變的電子發(fā)生設(shè)備、調(diào)節(jié)此種電子發(fā)生設(shè)備特性的方法、制造此種電子設(shè)備的方法、以及應(yīng)用此種電子發(fā)生設(shè)備的成像設(shè)備。本發(fā)明的另一目的在于提供通過利用表面導(dǎo)電發(fā)射器件的特有性質(zhì)使多電子束源特性均衡化的電子發(fā)生設(shè)備、調(diào)節(jié)此種電子發(fā)生設(shè)備特性的方法、制造該電子發(fā)生設(shè)備的方法以及應(yīng)用了此種電子發(fā)生設(shè)備的成像設(shè)備。為了達(dá)到上述種種目的，本發(fā)明提供了這樣一種調(diào)節(jié)具有多電子束源的電子發(fā)生設(shè)備特性的方法，此設(shè)備中有一批表面導(dǎo)電發(fā)射器件配置在基片上并有用來對(duì)多電子束源輸出驅(qū)動(dòng)電壓的驅(qū)動(dòng)裝置，所述方法包括下述步驟施加特性測(cè)量電壓來測(cè)量這批表面導(dǎo)電發(fā)射器件的特性；根據(jù)測(cè)得的電子發(fā)射特性來求得這批表面導(dǎo)電發(fā)射器件特性的參考值；以及給這批表面導(dǎo)電發(fā)射器件中的相應(yīng)一個(gè)施加特性移位電壓，以使這批表面導(dǎo)電發(fā)射器件的電子發(fā)射特性變成與上述參考值對(duì)應(yīng)的值，其中的特性移位電壓高于特性測(cè)量電壓，而特性測(cè)量電壓又高于上述驅(qū)動(dòng)電壓。最好在其中有機(jī)氣體的分壓不超過10-8乇的氣氛中施加上述特性移位電壓。上述方法還包括有這樣的幾個(gè)步驟在施加特性移位電壓后再來測(cè)量這批表面導(dǎo)電發(fā)射器件的特性，以及根據(jù)此再測(cè)量的結(jié)果將上述移位電壓再施加到相應(yīng)的表面導(dǎo)電發(fā)射器件上。在上述測(cè)量步驟中，可以在每次驅(qū)動(dòng)表面導(dǎo)電發(fā)射器件時(shí)測(cè)量表面導(dǎo)電發(fā)射器件所發(fā)射出的發(fā)射電流。在上述測(cè)量步驟中，可以在每次驅(qū)動(dòng)表面導(dǎo)電發(fā)射器件時(shí)測(cè)量表面導(dǎo)電發(fā)射器件中流動(dòng)的器件電流。在上述測(cè)量步驟中，可以在每次驅(qū)動(dòng)表面導(dǎo)電發(fā)射器件時(shí)測(cè)量表面導(dǎo)電發(fā)射器件中電子發(fā)射的光發(fā)射亮度，同時(shí)可將此測(cè)得的亮度變換為與上述發(fā)射電流或器件電流相對(duì)應(yīng)的值。本發(fā)明還包括制造電子發(fā)生設(shè)備的方法。根據(jù)本發(fā)明，提供了制造電子發(fā)生設(shè)備的方法，此設(shè)備具有多電子束源，其中的一批表面導(dǎo)電發(fā)射器件在基片上配置成矩陣形式，具有將驅(qū)動(dòng)電壓輸出給此多電子束源的驅(qū)動(dòng)裝置，所述方法包括下述步驟對(duì)基片上的這批表面導(dǎo)電發(fā)射器件形成電極與導(dǎo)電膜；通過上述電極對(duì)所述導(dǎo)電膜起電為這批表面導(dǎo)電發(fā)射器件形成其電子發(fā)射部；激活這些電子發(fā)射部；施加特性測(cè)量電壓來測(cè)量這批表面導(dǎo)電發(fā)射器件的特性；根據(jù)測(cè)量出的電子發(fā)射特性求得這批表面導(dǎo)電發(fā)射器件特性的參考值；以及給這批表面導(dǎo)電發(fā)射器件中相應(yīng)的一個(gè)施加特性移位電壓，使得這批表面導(dǎo)電發(fā)射器件的電子發(fā)射特性成為與上述參考值相對(duì)應(yīng)的值，其中上述特性移位電壓高于所述特性測(cè)量電壓，而此特性測(cè)量電壓又高于所述驅(qū)動(dòng)電壓。最好在其中有機(jī)氣體的分壓不超過10-8乇的氣氛中施加上述特性移位電壓。上述方法還包括有這樣幾個(gè)步驟在施加特性移位電壓后再來測(cè)量這批表面導(dǎo)電發(fā)射器件的特性，以及根據(jù)此再測(cè)量的結(jié)果將上述移位電壓再施加到相應(yīng)的表面導(dǎo)電發(fā)射器件上。在上述測(cè)量步驟中，可以在每次驅(qū)動(dòng)表面導(dǎo)電發(fā)射器件時(shí)測(cè)量表面導(dǎo)電發(fā)射器件所發(fā)射出的發(fā)射電流。在上述測(cè)量步驟中，可以在每次驅(qū)動(dòng)表面導(dǎo)電發(fā)射器件時(shí)測(cè)量表面導(dǎo)電發(fā)射器件中流動(dòng)的器件電流。在上述測(cè)量步驟中，可以在每次驅(qū)動(dòng)表面導(dǎo)電發(fā)射器件時(shí)測(cè)量表面導(dǎo)電發(fā)射器件中電子發(fā)射的光發(fā)射亮度，同時(shí)可將此測(cè)得的亮度變換為與上述發(fā)射電流或器件電流相對(duì)應(yīng)的值。本發(fā)明還包括電子發(fā)生設(shè)備與圖像顯示設(shè)備本身。本發(fā)明提供的電子發(fā)生設(shè)備包括多電子束源，它有一批表面導(dǎo)電發(fā)射器件配置于基片上；以及驅(qū)動(dòng)裝置，它根據(jù)圖像信號(hào)來驅(qū)動(dòng)此多電子束源，其中，此電子發(fā)生設(shè)備是由上述方法制造的。本發(fā)明提供的圖像顯示設(shè)備包括上述的電子發(fā)生設(shè)備以及熒光體，此熒光體在多電子束源的電子束輻射時(shí)發(fā)光。在本發(fā)明中，于測(cè)量各表面導(dǎo)電發(fā)射器件的電子發(fā)射特性之前或之后，同時(shí)是在施加用來改變此器件的特性移位電壓之前，必須從此器件周圍除去所述有機(jī)氣體。為了防止此器件的特性為顯示驅(qū)動(dòng)脈沖所改變，施加到各表面導(dǎo)電發(fā)射器件上的電壓值最好滿足下述關(guān)系(顯示驅(qū)動(dòng)脈沖的峰值)＜(測(cè)量中施加的電壓值)＜(存儲(chǔ)波形信號(hào)的峰值)。顯示驅(qū)動(dòng)脈沖也稱為驅(qū)動(dòng)電壓。測(cè)量中所施加的電壓值也稱為特性測(cè)量電壓。存儲(chǔ)波形信號(hào)也稱為特性移位電壓。本發(fā)明的電子發(fā)生設(shè)備可以用于半導(dǎo)體制造工藝中的EB(電子束)光刻。此外，在完成這種電子發(fā)生設(shè)備后，當(dāng)表面導(dǎo)電發(fā)射器件的電子發(fā)射特性隨著時(shí)間的流逝而有了改變時(shí)，也可以利用上述調(diào)節(jié)本發(fā)明的電子發(fā)生設(shè)備特性的方法。根據(jù)本發(fā)明，可以用簡(jiǎn)單的工藝過程來消除種種因素引致的電子發(fā)射器件的電子發(fā)射特性的改變。根據(jù)本發(fā)明，可以利用表面導(dǎo)電發(fā)射器件的特有性質(zhì)使電子發(fā)射器件的特性基本上均衡。本發(fā)明的其它特點(diǎn)與優(yōu)點(diǎn)可以從下面結(jié)合附圖進(jìn)行的說明中獲得理解，在本發(fā)明的所有附圖中以相同的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的部件。圖1A與1B示明了本發(fā)明的表面導(dǎo)電發(fā)射器件的存儲(chǔ)波形信號(hào)的例子；圖2A與2B中的曲線圖，用來解釋相對(duì)于表面導(dǎo)電發(fā)射器件的驅(qū)動(dòng)電壓的發(fā)射電流特性間的差別；圖3中的框圖表明，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例用來將存儲(chǔ)波形信號(hào)加到多電子束源的設(shè)備的布局；圖4中的曲線圖表明，在改變驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)觀察到的發(fā)射器件的發(fā)射電流特性，此發(fā)射器件具有在制造多電子束源的過程中產(chǎn)生的不同的電子發(fā)射特性；圖5中的曲線圖表明，在改變存儲(chǔ)波形信號(hào)的峰值時(shí)觀察到的電子發(fā)射電流特性；圖6是曲線圖，用來說明在施加存儲(chǔ)波形信號(hào)后，由預(yù)定的驅(qū)動(dòng)電壓Vf1所驅(qū)動(dòng)的這種發(fā)射器件的發(fā)射電流特性；圖7是流程圖，示明第一實(shí)施例的電子源中各表面導(dǎo)電發(fā)射器件的電子發(fā)射特性的測(cè)量過程；圖8是流程圖，示明根據(jù)測(cè)得的電子發(fā)射特性來施加存儲(chǔ)波形信號(hào)的過程；圖9是框圖，示明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的用來將存儲(chǔ)波形信號(hào)施加到多電子束源的設(shè)備的布局；圖10是曲線圖，表明在改變驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)觀察到的發(fā)射器件的發(fā)射電流特性，此發(fā)射器件具有在制造多電子束源的過程中產(chǎn)生的不同的電子發(fā)射特性。圖11是曲線圖，表明在改變存儲(chǔ)波形信號(hào)的峰值時(shí)觀察到的器件電流特性；圖12是曲線圖，用來說明在施加存儲(chǔ)波形信號(hào)后，由預(yù)定的驅(qū)動(dòng)電壓所驅(qū)動(dòng)的這種發(fā)射器件的器件電流特性；圖13是框圖，示明根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的，用來將存儲(chǔ)波形信號(hào)施加到多電子束源的設(shè)備的布局；圖14是流程圖，表明制造本發(fā)明的多電子束源的步驟；圖15是部分切除的透視圖，表明本發(fā)明的圖像顯示設(shè)備的顯示板；圖16A與16B是平面圖，表明熒光體在本發(fā)明顯示板面板上的布置形式；圖17A與17B是本發(fā)明所用平面型表面導(dǎo)電發(fā)射器件的平面圖和剖面圖；圖18A至18E是表明上述平面型表面導(dǎo)電發(fā)射器件制造步驟的剖面圖；圖19是曲線圖，表明激勵(lì)成形過程中施加的電壓的波形；圖20A與20B是曲線圖。分別表明激活過程中施加的電壓的以及發(fā)射電流Ie的變化的波形；圖21是本發(fā)明中所用階梯型表面導(dǎo)電發(fā)射器件的剖面圖；圖22A至22F是剖面圖，表明上述階梯型表面導(dǎo)電發(fā)射器件制造步驟的剖面圖；圖23是曲線圖，表明本發(fā)明中所用表面導(dǎo)電發(fā)射器件的典型特性；圖24是本發(fā)明中所用多電子束源的基片的平面圖；圖25是本發(fā)明中所用多電子束源的基片的局部剖面圖；圖26是框圖，表明本發(fā)明的多功能圖像顯示設(shè)備的布局；圖27是平面圖，表明通常的表面導(dǎo)電發(fā)射器件的結(jié)構(gòu)；而圖28則是用來說明通常的多電子束源的矩陣式布線的示意圖。下面詳細(xì)說明本發(fā)明的最佳實(shí)施例。首先詳述說明本發(fā)明的最佳實(shí)施例。首先詳述用來解決上述問題的措施。本發(fā)明中，應(yīng)用使表面導(dǎo)電發(fā)射器件具有電子發(fā)射特性加以存儲(chǔ)的功能(以后稱為電子發(fā)射特性存儲(chǔ)功能)，將預(yù)定的電子發(fā)射特性存儲(chǔ)于表面導(dǎo)電發(fā)射器件的單元中。采用這種安排方式，使得各個(gè)表面導(dǎo)電發(fā)射器件的電子發(fā)射特性變得均衡。下面說明本發(fā)明的表面導(dǎo)電發(fā)射器件所顯示的電子發(fā)射特性存儲(chǔ)功能。本發(fā)明人等驅(qū)動(dòng)了一種在有機(jī)氣體分壓減小了的氣氛中經(jīng)歷了激勵(lì)成形過程與激活過程的表面導(dǎo)電發(fā)射器件，同時(shí)測(cè)量了這種器件的電性質(zhì)。圖1A與1B是曲線圖，表明了施加到本發(fā)明的表面導(dǎo)電發(fā)射器件上的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓波形。橫軸表示時(shí)間軸線，縱軸表示施加于此表面導(dǎo)電發(fā)射器件上的電壓(以后稱之為器件電壓Vf)。如圖1A所示，應(yīng)用連續(xù)的矩形電壓脈沖作為驅(qū)動(dòng)信號(hào)，電壓脈沖的施加時(shí)間分為第一至第三個(gè)周期。每個(gè)周期內(nèi)部施加以100個(gè)一致的脈沖。圖1B是圖1A所示這樣一個(gè)電壓脈沖的波形。測(cè)量的條件是每個(gè)周期內(nèi)的脈沖寬度T1＝66.8μs，脈沖周期T2＝16.7ms。這些條件是在表面導(dǎo)電發(fā)射器件應(yīng)用于一般TV接收機(jī)時(shí)，相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)條件組確定的。但是，上述存儲(chǔ)功能可以在其它條件下測(cè)定。應(yīng)知在進(jìn)行所述測(cè)量時(shí)，從驅(qū)動(dòng)信號(hào)源到各表面導(dǎo)電發(fā)射器件的布線線路的阻抗已降低到足以使有效地施加到表面導(dǎo)電發(fā)射器件上的電壓脈沖的上升時(shí)間Tr與下降時(shí)間Tf小于等于100ns。器件電壓Vf在第一與第三周期為Vf＝Vf1，在第二周期為Vf＝Vf2。這兩個(gè)器件電壓Vf1與Vf2都設(shè)定為高于各表面導(dǎo)電發(fā)射器件的電子發(fā)射閾電壓同時(shí)滿足Vf1＜Vf2。由于電子發(fā)射閾電壓隨表面導(dǎo)電發(fā)射器件的形狀與材料而變化，因而此種電壓要根據(jù)待測(cè)量的表面導(dǎo)電發(fā)射器件作出合適的設(shè)定。至于測(cè)量中表面導(dǎo)電發(fā)射器件周圍的氣氛，總壓力為1×10-6乇，有機(jī)氣體的分壓為1×10-9乇。圖2A與2B為曲線圖，表明在施加圖1A與1B所示驅(qū)動(dòng)信號(hào)下表面導(dǎo)電發(fā)射器件的電氣特性。參看圖2A，橫軸表示器件電壓Vf，縱軸表示表面導(dǎo)電發(fā)射器件發(fā)射的電流(以后稱作發(fā)射電流Ie)的測(cè)量值。再看圖2B，橫軸表示器件電壓Vf，縱軸表示在表面導(dǎo)電發(fā)射器件中流動(dòng)的電流(以后稱作器件電流If)的測(cè)量值。首先說明圖2A中所示發(fā)射電流Ie相對(duì)于器件電壓Vf的特性曲線。在圖1A所示的第一周期內(nèi)，表面導(dǎo)電發(fā)射器件響應(yīng)于一驅(qū)動(dòng)脈沖，按照特性曲線Iec(1)輸出發(fā)射電流。在驅(qū)動(dòng)脈沖的上升時(shí)間Tr內(nèi)，當(dāng)施加的電壓Vf超過Vth1，發(fā)射電流Ie則按特性曲線Iec(1)激增。在Vf＝Vf1期間，即脈沖寬度T1的間隔內(nèi)，發(fā)射電流保持于Ie1。在驅(qū)動(dòng)脈沖的下降時(shí)間Tf內(nèi)，發(fā)射電流Ie依據(jù)特性Iec(1)激減。在第二周期內(nèi)，當(dāng)開始施加由Vf＝Vf2給定的脈沖時(shí)，特性曲線Iec(1)即改變?yōu)樘匦郧€Iec(2)。具體地說，在驅(qū)動(dòng)脈沖的上升時(shí)間Tr內(nèi)，當(dāng)施加的電壓Vf超過Vth2，發(fā)射電流Ie即依特性曲線Iec(2)劇增。在Vf＝Vf2周期內(nèi)即在區(qū)間T1內(nèi)，發(fā)射電流Ie保持于Ie2。在驅(qū)動(dòng)脈沖的下降時(shí)間Tf內(nèi)，發(fā)射電流Ie依特性曲線Iec(2)激減。在第三周期內(nèi)，雖然再次施加由Vf＝Vf1給定的脈沖，但發(fā)射電流Ie依特性曲線Iec(2)變化。具體地說，在驅(qū)動(dòng)脈沖的上升時(shí)間Tr內(nèi)，當(dāng)施加的電壓Vf超過Vth2，發(fā)射電流便依特性曲線Iec(2)劇增，在Vf＝Vf1的周期即區(qū)間T1內(nèi)，發(fā)射電流保持于Ie3。在驅(qū)動(dòng)脈沖的下降時(shí)間Tf內(nèi)，發(fā)射電流Ie則依特性曲線Iec(2)劇減。如上所述，在第三周期內(nèi)，由于已存儲(chǔ)有第二周期內(nèi)的特性曲線Iec(2)，發(fā)射電流Ie即從Ie1降至Ie3，變得比第一周期內(nèi)的小。同樣，再來討論器件電流If相對(duì)于器件電壓Vf的特性曲線，如圖2B所示，此器件在第一周期內(nèi)依特性曲線Ifc(1)工作。但在第二周期內(nèi)，器件則按特性曲線Ifc(2)工作。而在第三周期，此裝置便依據(jù)第二周期內(nèi)存儲(chǔ)的特性曲線Ifc(2)工作。為便于說明，只設(shè)定了第一至第三共三個(gè)周期。但顯然可不限于以上的設(shè)定情形。在將脈沖電壓施加給具有存儲(chǔ)功能的表面導(dǎo)電器件時(shí)，當(dāng)施加的脈沖所具有的電壓值大于先前施加的脈沖的電壓值時(shí)，特性曲線即移位，而存儲(chǔ)所得到的特性曲線。此后，除非施加具有較大電壓值的脈沖時(shí)，上述特性曲線(電子發(fā)射特性)繼續(xù)被存儲(chǔ)。這樣的存儲(chǔ)功能在其它的電子發(fā)射器件包括FE型電子發(fā)射器件中未能觀察到。于是，此種特征乃是表面導(dǎo)電發(fā)射器件所特有的。下面說明為實(shí)現(xiàn)上述電子發(fā)射特性存儲(chǔ)功能所必需的環(huán)境。要想能滿意地實(shí)現(xiàn)上述存儲(chǔ)功能，必須減小表面導(dǎo)電發(fā)射器件周圍真空氣氛中有機(jī)氣體的分壓，這樣就能在即使有電壓施加到表面導(dǎo)電發(fā)射器件上，也可防止碳或碳化合物進(jìn)一步淀積，而且必須保持這種狀態(tài)。最好是使氣氛中的有機(jī)氣體分壓減小至10-8乇或更低。如可能的話，最好將該分壓保持在10-10乇或更低。應(yīng)知這一有機(jī)氣體的分壓，是通過對(duì)主要由碳與氫組成且由質(zhì)譜法以定量方式測(cè)得的質(zhì)量數(shù)為13至200的有機(jī)分子的分壓進(jìn)行積分求得的。減小表面導(dǎo)電發(fā)射器件周圍有機(jī)氣體分壓的典型方法如下。對(duì)內(nèi)部設(shè)有基片而基片上形成有所述表面導(dǎo)電發(fā)射器件的真空容器加熱。在從此容器內(nèi)各器件表面除去有機(jī)氣體分子時(shí)，用例如吸附泵一類的真空泵或不用油的離子泵進(jìn)行真空抽空。在此方式下減小了有機(jī)氣體的分壓后，用沒有油的真空泵繼續(xù)抽空來保持這種狀態(tài)。但是，取決于應(yīng)用目的，這種利用真空泵連續(xù)抽空的方法在容量、能耗、重量與成本方面都存在缺點(diǎn)。當(dāng)需將這種表面導(dǎo)電發(fā)射器件用于圖像顯示設(shè)備中時(shí)，需將有機(jī)氣體分子充分地除去以減小有機(jī)氣體的分壓，之后在真空容器中形成吸氣膜，與此同時(shí)密封住排氣管而保持住這種狀態(tài)。在多數(shù)情形下，留在真空氣氛中的有機(jī)氣體來源于旋轉(zhuǎn)泵或油擴(kuò)散泵之類真空排氣裝置中所用油的蒸氣，或是表面導(dǎo)電發(fā)射器件制造過程中所用有機(jī)溶劑的殘余物。這種有機(jī)氣體的例子是例如烷烴、烯烴或炔之類的脂族烴類、芳烴類、醇類、醛類、酮類、胺類、酚類、羧酸或磺酸之類的有機(jī)酸、或是上述有機(jī)物質(zhì)的衍生物；具體地說，則是丁二烯、正己烷、1-己烯、苯、甲苯、鄰二甲苯、苯基氰、氯乙烯、三氯乙烯、甲醇、乙醇、異丙醇、甲醛、乙醛、丙酮、丁酮、二乙酮、甲胺、乙胺、醋酸與丙酸。下面參看附圖詳述本發(fā)明的最佳實(shí)施例。第一實(shí)施例在第一實(shí)施例中，在將各表面導(dǎo)電發(fā)射器件實(shí)際用于顯示圖像之前都對(duì)其測(cè)量了它的電子發(fā)射特性。要是各器件的電子發(fā)射特性有差異，就必須校正使之一致。校正的方法包括幾個(gè)步驟，而在每個(gè)步驟中需施加如下設(shè)定的電壓。具體地說，在測(cè)量步驟中加驅(qū)動(dòng)電壓VE測(cè)量，用來測(cè)量各器件的發(fā)射電流特性；在調(diào)節(jié)步驟中加特性移位電壓V移位，用來將各器件的特性調(diào)節(jié)至均一；再添加用來驅(qū)動(dòng)器件以顯示圖像的最大電壓V驅(qū)動(dòng)。上述各電壓的關(guān)系如下V驅(qū)動(dòng)＜VE測(cè)量＜V移位如上所述，由于VE測(cè)量高于V驅(qū)動(dòng)，可事先在各器件上施加較顯示圖像用的驅(qū)動(dòng)電壓更高的電壓。于是在實(shí)際應(yīng)用中可使各器件的特性不因施加高壓而改變。此外，由于已設(shè)V移位＞VE測(cè)量，V移位便是加到各表面導(dǎo)電發(fā)射器件上的最大電壓。因此通過施加V移位就可將各器件的電子發(fā)射特性校正至所需值。還由于已設(shè)V移位＞V驅(qū)動(dòng)，在各器件的特性已調(diào)節(jié)至一致后，各器件的特性在實(shí)際使用中就不會(huì)改變。圖3是框圖，示明驅(qū)動(dòng)電路的配置，此驅(qū)動(dòng)電路將存儲(chǔ)的波形信號(hào)加到顯示板1的各個(gè)表面導(dǎo)電發(fā)射器件上，以改變電子源基片上各表面導(dǎo)電發(fā)射器件的電子發(fā)射特性。參看圖3，在顯示板1中，于真空容器內(nèi)設(shè)有具有一批表面導(dǎo)電發(fā)射器件排列成矩陣形式的基片、設(shè)在此基片上方并有在上述器件的電子輻射下發(fā)光的熒光體的面板，等等。設(shè)有接頭2從高壓源11將高壓施加給顯示板1的熒光體。開關(guān)矩陣3與4分別選擇行布線層與列布線層，以選定將脈沖電壓施加于其上的電子發(fā)射器件。脈沖發(fā)生器6與7分別為前述存儲(chǔ)功能給出脈沖波形信號(hào)Px與Py。脈沖峰值設(shè)定電路8輸出脈沖設(shè)定信號(hào)，以測(cè)定脈沖發(fā)生器6與7的脈沖信號(hào)輸出的峰值?？刂齐娐?探測(cè)此設(shè)定值與電流探測(cè)器12探測(cè)出的發(fā)射電流值Ie間的差，同時(shí)輸出用于設(shè)定峰值的數(shù)據(jù)Tv給脈沖峰值設(shè)定電路8。CPU9a控制著控制電路9的作業(yè)。存儲(chǔ)器9b存儲(chǔ)CPU9a的控制程序(圖7與8中的流程)以及各種數(shù)據(jù)。開關(guān)矩陣控制電路10輸出開關(guān)變換信號(hào)Tx與Ty以控制開關(guān)矩陣3與4的開關(guān)選擇，由此來選擇將對(duì)其施加存儲(chǔ)功能用脈沖電壓的電子發(fā)射器件。下面說明此驅(qū)動(dòng)電路的工作。此驅(qū)動(dòng)電路的工作包括測(cè)量顯示板1各表面導(dǎo)電發(fā)射器件的電子發(fā)射電流的一級(jí)，以及相應(yīng)于探測(cè)出的發(fā)射電流Ie施加存儲(chǔ)功能用的脈沖波形信號(hào)的一級(jí)。首先說明測(cè)量發(fā)射電流Ie的方法。根據(jù)來自控制電路9的開關(guān)矩陣控制信號(hào)Tsw，開關(guān)矩陣控制電路10進(jìn)行有選擇的連接，使得開關(guān)矩陣3與4可分別選擇預(yù)定的行與列的布線層，以驅(qū)動(dòng)所需的表面導(dǎo)電發(fā)射器件?？刂齐娐?輸出電子發(fā)射特性測(cè)量的峰值數(shù)據(jù)Tv給脈沖峰值設(shè)定電路8。從脈沖峰值設(shè)定電路8輸出峰值數(shù)據(jù)Lpx與Lpy分別給脈沖發(fā)生器6與7。根據(jù)此峰值數(shù)據(jù)Lpx與Lpy，脈沖發(fā)生器6與7分別輸出驅(qū)動(dòng)脈沖Px與Py，它們由開關(guān)矩陣3與4加到所選定的器件上。驅(qū)動(dòng)脈沖Px與Py具有相反的極性，并具有加到表面導(dǎo)電發(fā)射器件上用于測(cè)量的電壓(峰值)Vf1振幅1/2的振幅。與此同時(shí)，將預(yù)定的電壓從高壓源11施加到顯示板1的熒光體上。用電流探測(cè)器12測(cè)量在表面導(dǎo)電發(fā)射器件為驅(qū)動(dòng)脈沖Px與Py所驅(qū)動(dòng)時(shí)流動(dòng)的發(fā)射電流Ie。圖7是流程圖，表明由控制電路9進(jìn)行的特性測(cè)量過程。在步驟S1，輸出開關(guān)矩陣控制信號(hào)Tsw，并由開關(guān)矩陣控制電路10開關(guān)所述開關(guān)矩陣3與4，由此來選擇顯示板1的表面導(dǎo)電發(fā)射器件。在步驟S2，將要施加到已選定的器件上的脈沖信號(hào)的峰值數(shù)據(jù)Tv輸出給脈沖峰值設(shè)定電路8。這一用于測(cè)量的峰值高于用來顯示圖像的驅(qū)動(dòng)電壓Vf。在步驟S3，脈沖發(fā)生器6與7提供的用來測(cè)量電子發(fā)射器件特性的脈沖信號(hào)施加到通過開關(guān)矩陣3與4在步驟S1中所選擇的表面導(dǎo)電發(fā)射器件上。此時(shí)，電子發(fā)射電流Ie于步驟S4中輸入，并在步驟S5中存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器9b中。在步驟S6，檢驗(yàn)是否對(duì)顯示板1上所有的表面導(dǎo)電發(fā)射器件都進(jìn)行了測(cè)量。如果步驟S6中為“否”，則流程進(jìn)到步驟S7。此時(shí)輸出開關(guān)矩陣控制信號(hào)Tsw來選擇下一個(gè)表面導(dǎo)電發(fā)射器件，同時(shí)流程返回到步驟S3。要是在步驟S6中為“是”，則流程進(jìn)到步驟S8對(duì)顯示板1的所有表面導(dǎo)電發(fā)射器件的發(fā)生電流Ie進(jìn)行比較。正如后面將要參照例如圖4與5將以描述的，確定待施加到各個(gè)器件上的存儲(chǔ)應(yīng)用電壓值。確定的電壓值存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器9b中。下面參照?qǐng)D4說明依上述方式測(cè)量的發(fā)射電流例。圖4是曲線圖，表明了在改變驅(qū)動(dòng)電壓(驅(qū)動(dòng)脈沖的峰值)時(shí)觀察到的、具有在本實(shí)施例顯示板1的多電子束源的制造過程中產(chǎn)生的不同發(fā)射特性的表面導(dǎo)電發(fā)射器件的發(fā)射電流特性。參看圖4，將某個(gè)表面導(dǎo)電發(fā)射器件的電子發(fā)射特性用性能曲線(a)表示，而將另一個(gè)器件的此種特性用性能曲線(b)表示。于是，對(duì)于具有特性(a)的電子發(fā)射器件，在驅(qū)動(dòng)電壓Vf1下的發(fā)射電流是Ie1，而對(duì)于具有特性(b)的電子發(fā)射器件，此電流為Ie2(Ie1＞Ie2)。如上所述，本發(fā)明的表面導(dǎo)電發(fā)射器件所具有的發(fā)射電流特性對(duì)應(yīng)于先前所加電壓的驅(qū)動(dòng)脈沖的最大峰值。在圖5中，當(dāng)用于存儲(chǔ)功能的波形信號(hào)的最大值Vfm改變時(shí)，器件本身由一個(gè)小于Vfm值的預(yù)定值的信號(hào)所驅(qū)動(dòng)。于是，通過將具有不同最大峰值的適當(dāng)脈沖(以后稱作存儲(chǔ)波形信號(hào))施加到各表面導(dǎo)電發(fā)射器件上，可使電子發(fā)射特性均一。在圖4中，為了使顯示出發(fā)射特性曲線(a)的發(fā)射器件的特性與顯示出發(fā)射特性曲線(b)的發(fā)射器件的特性相一致，可參考圖5所示特性將存儲(chǔ)波形信號(hào)施加到顯示出特性曲線(a)的發(fā)射器件上，由此使驅(qū)動(dòng)電壓Vf1下的發(fā)射電流Ie從Ie1變到Ie2。換句話說，為均衡這批電子發(fā)射器件的電子發(fā)射特性，使一器件的電特性曲線(Vf-Ie)在曲線圖(圖2A)中向右移動(dòng)，目的在于使特性曲線定位于最右側(cè)的器件的特性作為靶(基準(zhǔn))，從而使該器件與靶相匹配。在這種情況下，結(jié)施加于各個(gè)電子發(fā)射器件的存儲(chǔ)電壓波形(即移位電壓)的電平由與靶的差別來決定。與靶的差別越大(例如，圖4中的Ie1與Ie2之差變大)，即，曲線圖中器件的特性曲線越靠左，需要移動(dòng)的量就越大。同時(shí)，為確定如何根據(jù)施加于具有初始特性的電子發(fā)射器件的移位電壓的電平向右移動(dòng)特性曲線，進(jìn)行了多次上述參照?qǐng)D1A-2B所描述的實(shí)驗(yàn)。這里，通過選擇各具有不同初始特性的電子發(fā)射器件來進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，對(duì)各器件施加不同的電壓Vf2，并存儲(chǔ)所得數(shù)據(jù)。注意，在圖3所示裝置中，這些數(shù)據(jù)被預(yù)先存儲(chǔ)于控制電路9中作為查找表(look-uptable)。圖5示出了從用于具有圖4中標(biāo)號(hào)a所示相同的初始特性的電子發(fā)射器件的查找表中挑選數(shù)據(jù)所得到的曲線。圖中，橫軸表示移位電壓，縱軸表示發(fā)射電流Ie。通過對(duì)器件施加移位電壓并進(jìn)而施加與Vf1相同的驅(qū)動(dòng)電壓可得到該曲線，測(cè)量了發(fā)射電流。因此，為確定施加于具有圖4特性a的器件的移位電壓的水平，在圖5中讀入了Ie＝Ie2時(shí)的Vfm值。重新參照?qǐng)D7，下面對(duì)其補(bǔ)充說明。圖7的步驟S8中，圖3中的控制電路9決定以下步驟中的移位電壓(即存儲(chǔ)電壓)。首先選擇靶電子發(fā)射器件(基準(zhǔn))。更具體地說，各電子發(fā)射器件Ie的測(cè)量結(jié)果彼此比較，從所有電子發(fā)射器件中選出特性曲線(Vf-Ie)在曲線圖(圖2A)中最靠右的器件。以后將所選電子發(fā)射器件稱為基準(zhǔn)器件。注意，當(dāng)有多個(gè)特性曲線最靠右的器件時(shí)，將這多個(gè)器件作為基準(zhǔn)器件。然后，確定除基準(zhǔn)器件以外的器件的存儲(chǔ)電壓?？刂齐娐?從預(yù)先存儲(chǔ)的查找表中，讀入最類似于被確定器件的初始特性的數(shù)據(jù)。從所讀入的數(shù)據(jù)中，選擇用于均衡被確定器件與基準(zhǔn)器件的特性的存儲(chǔ)電壓(根據(jù)圖5參考前面的說明)。以上述方式確定每個(gè)器件的存儲(chǔ)電壓，在步驟S9中將結(jié)果存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器9b中。由于基準(zhǔn)器件的特性曲線不需移位，關(guān)于基準(zhǔn)器件所施加的存儲(chǔ)電壓的區(qū)分信息也就不必儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器9b中。另一種方式是可將低于步驟S3中所施加的測(cè)量電壓的電壓值存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器9b中。下面說明應(yīng)用存儲(chǔ)波形信號(hào)來使電子發(fā)射特性均衡的方法。此時(shí)，顯示出圖4中發(fā)射特性曲線(a)的發(fā)射器件的特性改變?yōu)橛商匦郧€(b)表示的電子發(fā)射特性。下面將參看圖8中的流程圖來描述一個(gè)例子，其中在預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓Vf1下的發(fā)射電流值改變到Ie2。圖8中的流程圖表明了使顯示板1的所有表面導(dǎo)電發(fā)射器件的電子發(fā)射特性均一化的過程，這一過程是通過本實(shí)施例的控制電路進(jìn)行的。在步驟S11，開關(guān)矩陣3與4通過開關(guān)矩陣控制電路10為開關(guān)矩陣控制信號(hào)Tsw所控制，得以選定顯示板1的被施加有存儲(chǔ)波形信號(hào)的表面導(dǎo)電發(fā)射器件。在步驟12，從存儲(chǔ)器9b讀出所選定的表面導(dǎo)電發(fā)射器件的存儲(chǔ)電壓數(shù)據(jù)。在步驟13，確定是否必須將存儲(chǔ)波形信號(hào)施加給表面導(dǎo)電發(fā)射器件。當(dāng)該特性待與圖4中的特性曲線(b)所表示的特性均一化時(shí)，對(duì)于已具有為特性曲線(b)所表示特性的表面導(dǎo)電發(fā)射器件，就不必施加存儲(chǔ)波形信號(hào)。在執(zhí)行步驟13中的確定是為了防止將存儲(chǔ)波形信號(hào)施加到已具有這種特性的表面導(dǎo)電發(fā)射器件上。要是在步驟S13中為“否”，流程即進(jìn)到步驟S16。要是在步驟S13中為“是”，流程即進(jìn)到步驟S14，同時(shí)根據(jù)峰值設(shè)定信號(hào)TV由峰值設(shè)定電路8設(shè)定脈沖信號(hào)的峰值。在步驟S15，脈沖峰值設(shè)定電路8輸出峰值數(shù)據(jù)Lpx與Lpy。脈沖發(fā)生器6與7分別輸出具有基于峰值數(shù)據(jù)Lpx和Lpy的設(shè)置峰值的驅(qū)動(dòng)脈沖Px與Py。在這樣的方式下，施加步驟S11中所選定的表面導(dǎo)電發(fā)射器件特性所對(duì)應(yīng)的移位脈沖(存儲(chǔ)信號(hào))于其上。在步驟S16，檢驗(yàn)此過程是否對(duì)于顯示板1的所有表面導(dǎo)電發(fā)射器件都已完成。要是在步驟16中為“否”，則流程進(jìn)至步驟17，這時(shí)輸出開關(guān)矩陣控制信號(hào)Tsw來選擇施加存儲(chǔ)波形信號(hào)的下一個(gè)表面導(dǎo)電發(fā)射器件。結(jié)果如圖6所示，表面導(dǎo)電發(fā)射器件的發(fā)射特征曲線(a)改變?yōu)樘卣髑€(c)。在驅(qū)動(dòng)電壓Vf1下的發(fā)射電流成為Ie2。于是，顯示板1的所有表面導(dǎo)電發(fā)射器件的電子發(fā)射特性可以均一。第二實(shí)施例下面說明本發(fā)明的第二實(shí)施例。在第二實(shí)施例中，在將各表面導(dǎo)電發(fā)射器件實(shí)際用于顯示圖像之前都對(duì)其測(cè)量了電子發(fā)射特性。要是各器件的電子發(fā)射特性有差異，就必須校正使之一致。校正的方法包括幾個(gè)步驟，而在每個(gè)步驟中需施加如下設(shè)定的電壓。具體地說，在測(cè)量步驟中加驅(qū)動(dòng)電壓VE測(cè)量，用來測(cè)量各器件的發(fā)射電流特性；在調(diào)節(jié)步驟中加特性移位電壓V移位，用來將各器件的特性調(diào)節(jié)至均一；再添加用來驅(qū)動(dòng)器件以顯示圖像的最大電壓V驅(qū)動(dòng)。上述各電壓的關(guān)系如下V驅(qū)動(dòng)＜VE測(cè)量＜V移位這樣，由于VE測(cè)量高于V驅(qū)動(dòng)，可事先在各器件上施加較顯示圖像用的驅(qū)動(dòng)電壓要高的電壓。于是在實(shí)際應(yīng)用中可使各器件的特性不因施加高壓而改變。此外，由于已設(shè)V移位＞VE測(cè)量，V移位便是加到各器件上的最大電壓。因此通過施加V移位就可將各器件的電子發(fā)射特性校正至所需值。還由于已設(shè)V移位＞V驅(qū)動(dòng)，在各器件的特性已調(diào)節(jié)至一致后，各器件的特性在實(shí)際使用中就不會(huì)改變。圖9是框圖，示明用來使顯示板1的表面導(dǎo)電發(fā)射器件的電子發(fā)射特性均一化的設(shè)備的布置。用圖3中的相同標(biāo)號(hào)表示圖9中對(duì)應(yīng)的相同部件而略去其詳細(xì)說明。在第二實(shí)施例中，要注意相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電壓Vf，器件電流If與發(fā)射電流Ie之間有很強(qiáng)的相關(guān)性。這一實(shí)施例與圖3所示的不同點(diǎn)在于使器件電流If均一化以均衡來自顯示板的表面導(dǎo)電發(fā)射器件的電子發(fā)射電流Ie，為此目的，設(shè)置了用來測(cè)量各器件的器件電流If的電流探測(cè)器5。標(biāo)號(hào)9指對(duì)應(yīng)于控制電路9的控制電路。圖10是曲線圖，其中示出表面導(dǎo)電發(fā)射器件中，器件電流If表示為驅(qū)動(dòng)電壓Vf的函數(shù)，該器件具有在制造顯示板1的多電子束源的工藝過程中產(chǎn)生的不同發(fā)射特性。圖11中的曲線圖所表明的器件電流If是在存儲(chǔ)波形信號(hào)的最大值Vfm已改變，且器件是由具有的預(yù)定峰值小于Vfm的信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)觀察到的。發(fā)射電流值Ie在表面導(dǎo)電發(fā)射器件的單元內(nèi)變化。但是，由于器件電流If與發(fā)射電流Ie之間有很強(qiáng)的相關(guān)關(guān)系，故可以通過施加存儲(chǔ)波形信號(hào)來改變器件電流特性來使發(fā)射特性一致。下面說明使顯示板1的表面導(dǎo)電發(fā)射器件的器件電流If均一化的方法。至于圖9所示電路的工作，第二實(shí)施例的測(cè)量對(duì)象是器件電流If，即不同于第一實(shí)施例的發(fā)射電流Ie。除此之外，可進(jìn)行與第一實(shí)施例中的相同操作，在施加存儲(chǔ)波形信號(hào)之前來測(cè)量器件電流。隨后，在參考圖11中所示的特性曲線的情況下將存儲(chǔ)波形信號(hào)施加到顯示出圖10中器件電流特性曲線(a)的發(fā)射器件上，使器件電流與預(yù)定的器件電流(If2)一致。結(jié)果如圖12所示，至此已顯示出器件電流特性曲線(a)的表面導(dǎo)電發(fā)射器件顯示出特性曲線(c)，使之能在驅(qū)動(dòng)電壓Vf1下取得與顯示出特性曲線(b)的表面導(dǎo)電發(fā)射器件的器件電流相同的器件電流If2。通過對(duì)顯示板1所有的表面導(dǎo)電發(fā)射器件進(jìn)行上述工作，就可使顯示板1的所有表面導(dǎo)電發(fā)射器件具有一致的器件電流。當(dāng)以其值小于任意器件存儲(chǔ)波形信號(hào)峰值的驅(qū)動(dòng)電壓來驅(qū)動(dòng)依上述方式通過施加存儲(chǔ)波形信號(hào)而獲得均勻特性的顯示板1時(shí)，就可使所得到的顯示板1具有的各個(gè)表面導(dǎo)電發(fā)射器件都顯示出一致的發(fā)射電流Ie。按上述方式，可以消除顯示板1的各表面導(dǎo)電發(fā)射器件發(fā)射電流的不同，使圖象顯示具有均勻分布的亮度。至于第二實(shí)施例的工作，其中將第一實(shí)施例的流程(圖7與圖8)的發(fā)射電流Ie的探測(cè)代之以器件電流If的探測(cè)確定存儲(chǔ)波形信號(hào)的峰值。于是可以進(jìn)行與第一實(shí)施例相同的操作而略去其詳細(xì)說明。第三實(shí)施例下面描述本發(fā)明的第三實(shí)施例。在第三實(shí)施例中，在將各表面導(dǎo)電發(fā)射器件實(shí)際用于顯示圖像之前測(cè)量了與其相應(yīng)的各熒光體發(fā)射光的亮度。要是各熒光體的亮度有差異，就必須校正使之一致。校正的方法包括幾個(gè)步驟，而在每個(gè)步驟中需施加如下設(shè)定的電壓。具體地說，在測(cè)量步驟中加驅(qū)動(dòng)電壓VL測(cè)量，用來測(cè)量各熒光體的亮度；在調(diào)節(jié)步驟中加特性移位電壓V移位，用來將各熒光體的亮度調(diào)節(jié)至均一；再添加用來驅(qū)動(dòng)器件以顯示圖像的最大電壓V驅(qū)動(dòng)。上述各電壓的關(guān)系如下V驅(qū)動(dòng)＜VL測(cè)量＜V移位這樣，由于VL測(cè)量高于V驅(qū)動(dòng)，可事先在各器件上施加較顯示圖像用的驅(qū)動(dòng)電壓要高的電壓。于是在實(shí)際應(yīng)用中可使各器件的特性不因施加高壓而改變。此外，由于已設(shè)V移位＞VL測(cè)量，V移位便是加到各器件上的最大電壓。因此通過施加V移位就可將各器件的電子發(fā)射特性校正至所需值。還由于已設(shè)V移位＞V驅(qū)動(dòng)，在各熒光體的亮度已調(diào)節(jié)至一致后，各器件的特性在實(shí)際使用中就不會(huì)改變。圖13以框圖形式表明了依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的用來改變表面導(dǎo)電發(fā)射器件電子發(fā)射特性的設(shè)備的配置。用圖3或9中相同的參考標(biāo)號(hào)指相同的部件，并略去其詳細(xì)說明。此設(shè)備使對(duì)應(yīng)于各發(fā)射器件的熒光體的光發(fā)射亮度一致。圖13所示的設(shè)備與圖3所示的不同之處在于，配置測(cè)量熒光體的光發(fā)射亮度的亮度測(cè)量裝置13，和將測(cè)得的亮度變換為與其對(duì)應(yīng)的發(fā)射電流Ie或器件電流If的亮度信號(hào)提取電路14來取代用來測(cè)量發(fā)射電流Ie的電流探測(cè)器12。下面說明用這種設(shè)備使相應(yīng)于各發(fā)射器件的熒光體的波峰的亮度均一化的方法。由于熒光體的光發(fā)射亮度可以視作為正比于發(fā)射電流Ie，電子發(fā)射特性可以隨所測(cè)光發(fā)射亮度的變化而變化。具體地說，由亮度測(cè)定裝置13測(cè)得的亮度數(shù)據(jù)經(jīng)亮度信號(hào)提取電路14變換為與發(fā)射器件發(fā)射電流Ie或器件電流If相對(duì)應(yīng)的值B，此值B則輸出至控制電路91。與第一和第二實(shí)施例中所述方法相同，在預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓Vf下的發(fā)射電流Ie或器件電流If被改變。這一情形不同于第一與第二實(shí)施例中之處在于，對(duì)亮度的變化，包括熒光體的光發(fā)射特性的部分變化進(jìn)行校正。通過對(duì)所有發(fā)射器件進(jìn)行上述操作，就能使顯示板1的所有的表面導(dǎo)電發(fā)射器件的器件電流均一。第三實(shí)施例中由控制電路91控制的過程可以按第一實(shí)施例的相同方式(圖7與8中的流程)進(jìn)行，這里略去其詳細(xì)說明。當(dāng)其所有表面導(dǎo)電發(fā)射器件都依上述方式施加存儲(chǔ)波形信號(hào)而取得了一致的電子發(fā)射特性的顯示板1被其值小于任意表面導(dǎo)電發(fā)射器件所用的存儲(chǔ)波形信號(hào)峰值的驅(qū)動(dòng)電壓Vf所驅(qū)動(dòng)時(shí)，就能使顯示板1在所有的顯示區(qū)上獲得均勻的光發(fā)射亮度。圖14是流程圖，示明了制造本發(fā)明的多電子束源的步驟。在步驟S100，如后面將加以說明的，在基片上形成電極與導(dǎo)電薄膜。在步驟S101，在上述電極間施加電壓來形成電子發(fā)射部。在步驟S102，對(duì)電子發(fā)射部進(jìn)行起電以進(jìn)行激活過程。在上述方式下完成基本的多電子束源。此外，執(zhí)行了作為本發(fā)明特點(diǎn)的使所有表面導(dǎo)電發(fā)射器件特性均一化過程(步驟S103)，而可以在顯示板的所有區(qū)域上取得均勻的亮度。第三實(shí)施例的顯示板的配置與制造方法下面參照一詳細(xì)例子說明應(yīng)用了本發(fā)明的圖像顯示設(shè)備顯示板的配置與制造方法。圖15是本發(fā)明中所用顯示板1的部分切開的透視圖，表明這種板的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。參看圖15，標(biāo)號(hào)1005指后板、1006指?jìng)?cè)板、1007指面板。這幾個(gè)板件1005至1007形成了保持顯示板1的真空的容器。為了構(gòu)成此氣密的容器，必須密封連接各個(gè)板件使其結(jié)合部保持充分的強(qiáng)度與氣密條件。例如將熔結(jié)用玻璃料涂布到這些結(jié)合部，并于400～500℃在空氣或氮?dú)夥罩袩Y(jié)10分鐘或更長(zhǎng)時(shí)間以密封連結(jié)這些板件。下面說明抽空氣密容器的方法。后板1005上固定有基片1001，上面形成有N×M個(gè)表面導(dǎo)電發(fā)射器件。M與N為≥2的正整數(shù)，要根據(jù)顯示象素的靶數(shù)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。例如，在高清晰度電視顯示中，最好是N≥3000而M≥1000。在本發(fā)明中，N＝3071和M＝1024。此N×M個(gè)表面導(dǎo)電發(fā)射器件排成有M行布線層1003和N列布線層1004的簡(jiǎn)單矩陣。由板件1001至1004組成的部分稱作多電子束源。下面詳述多電子束源的制造方法與結(jié)構(gòu)。本發(fā)明中，多電子束源的基片1001固定于氣密容器的后板1005之上。但要是多電子束源的基片1001具有足夠的強(qiáng)度，就可把多電子源基片1001本身用作氣密容器的后板。此外，在面板1007的下表面上形成有熒光體膜。本實(shí)施例的顯示板1是用于彩色顯示設(shè)備的顯示板，熒光體膜1008涂有紅(R)、綠(G)與藍(lán)(B)熒光體，即用于CRT(陰極射線管)領(lǐng)域中的三原色熒光體。如圖16A所示，此R、G與B熒光體是按條狀配置形式應(yīng)用的。在熒光體帶之間設(shè)有黑色導(dǎo)電材料1010。設(shè)置黑色導(dǎo)電材料的目的是能在即使電子束輻照位置有某種程度移位時(shí)也能防止顏色重合不良、防止由于遮住外部光的反射造成顯示對(duì)比度降低、以及防止由于電子束導(dǎo)致熒光體膜帶電，等等。這種黑色導(dǎo)電材料1010主要由石墨構(gòu)成，但也可采用任何能達(dá)到上述目的材料。三原色R、G與B的熒光體的配置形式并不限于圖16A所示的條狀。例如可采用圖16B中所示的三角形排列方式或其它方式。在形成單色顯示板時(shí)，必須將單色熒光材料用于熒光體膜1008。這時(shí)，并不一定要用黑色導(dǎo)體材料。此外，在熒光體膜1008的后板側(cè)表面上設(shè)有CRT領(lǐng)域中普遍用到的金屬背襯1009。設(shè)置金屬背襯1009的目的在于提高熒光體膜1008發(fā)射的光由鏡面反射部分的光利用率，保護(hù)熒光體膜1008不為負(fù)離子碰撞，將金屬背襯1009用作施加電子束加速電壓的電極，將金屬背襯1009用作激發(fā)熒光體膜1008的電子束的傳導(dǎo)路徑，等等。金屬背襯1009是這樣地形成的在面板1007上形成熒光體膜1008，對(duì)此熒光體膜表面施行平滑化處理、然后用真空淀積法于其上淀積上鋁(Al)。注意，當(dāng)采用低電壓型的熒光體材料作為熒光體膜1008時(shí)，不使用金屬背襯1009。此外，為了應(yīng)用加速電壓或是為了提高熒光膜的電導(dǎo)率，可在面板1007與熒光體膜1008之間設(shè)置例如由ITO制的透射電極。設(shè)置接頭Dx1至Dxm，Dy1至Dyn以及Hv是用于氣密結(jié)構(gòu)的電連接接頭，用來將顯示板1電連到有關(guān)電路(未示明)上。接頭Dx1至Dxm是電連接到多電子束源的行布線層1003之上，接頭Dy1至Dyn是連接到多電子束源的列布線層1004之上，而接頭Hv則電連接到面板的金屬背襯1009之上。為了抽空氣密容器，在形成氣密容器后，連接上排氣管與真空泵(均未示明)，將氣密容器抽空至約10-7乇的真空。然后密封排氣管。為了保持氣密容器中的真空，在緊接著氣密容器密封之前或之后，于其中一預(yù)定位置處形成有除氣膜(未示明)。此除氣膜是通過加熱或RF加熱主要由例如Ba組成的除氣材料，使其蒸發(fā)而形成的。此除氣膜的吸氣效應(yīng)能在此氣密容器中保持1×10-5至1×10-7乇的真空。這時(shí)，主要由碳與氫組成的并且有13～200質(zhì)量數(shù)的有機(jī)氣體的分壓調(diào)節(jié)到小于10-8乇。至此已經(jīng)說明了本發(fā)明的顯示板1的基本配置與制造方法。下面再描述本發(fā)明顯示板1中所用多電子束源的制造方法。對(duì)于本發(fā)明圖像顯示設(shè)備中所用的多電子束源，可以采用表面導(dǎo)電發(fā)射器件的任意材料、外形以及任意的制造方法，只要這種多電子束源具有排列成簡(jiǎn)單矩陣的表面導(dǎo)電發(fā)射器件即可。但是，本發(fā)明人業(yè)已發(fā)現(xiàn)，在這類表面導(dǎo)電發(fā)射器件中，具有由細(xì)粒膜組成的電子發(fā)射部或其周邊部分的一種器件能夠取得優(yōu)良的電子發(fā)射特性和易于制造。因此，這樣的器件是最適于用在高亮度、大屏幕圖像顯示設(shè)備中的表面導(dǎo)電發(fā)射器件。在本發(fā)明的顯示板中，各個(gè)表面導(dǎo)電發(fā)射器件具有由細(xì)粒膜形成的電子發(fā)射部或周邊部。首先描述這種優(yōu)選的表面導(dǎo)電發(fā)射器件的基本結(jié)構(gòu)、制造方法與特性，然后描述以多個(gè)這樣的器件配置成簡(jiǎn)單矩陣的多電子束源的結(jié)構(gòu)。表面導(dǎo)電發(fā)射器件的優(yōu)選結(jié)構(gòu)與制造方法具有由細(xì)粒膜制成的電子發(fā)射部或其周邊部的表面導(dǎo)電發(fā)射器件的典型結(jié)構(gòu)包括平面型的結(jié)構(gòu)與階梯形的結(jié)構(gòu)。平面型表面導(dǎo)電發(fā)射器件首先說明平面型表面導(dǎo)電發(fā)射器件的結(jié)構(gòu)與制造方法。此過程相當(dāng)于圖14中的步驟S100。圖17A與17B是用來說明平面型表面導(dǎo)電發(fā)射器件結(jié)構(gòu)的平面圖與剖面圖。參看圖17A與17B，標(biāo)號(hào)1101指基片，1102與1103指器件的電極，1104指導(dǎo)電薄膜，1105指由激勵(lì)形成過程形成的電子發(fā)射部，而1113指激活過程形成的薄膜。作為基片1101，可以用各種玻璃基片，例如石英玻璃與堿石灰玻璃基片；各種陶瓷基片，例如氧化鋁基片；或任何在上面形成例如由SiO2組成的絕緣層的基片，形成于基片1101之上且與基片表面平行并相互相對(duì)的器件電極1102與1103是由導(dǎo)電材料制成。例如可以選用下述材料中之一Ni、Cr、Au、Mo、Pt、Ti、Cu、Pd和Ag；這些材料的合金，例如In2O3-SnO2之類金屬氧化物；以及例如多晶硅之類半導(dǎo)體材料。器件電極1102和1103可容易地用真空淀積以及例如光刻或刻蝕之類的圖形刻蝕技術(shù)來形成，但是可以采用任何其它方法(例如印刷技術(shù))。器件電極1102與1103的形狀要適當(dāng)?shù)馗鶕?jù)電子發(fā)射器件的應(yīng)用目的來設(shè)計(jì)。一般，電極間隔L設(shè)計(jì)成從數(shù)百個(gè)埃至數(shù)百個(gè)μm這樣一個(gè)范圍內(nèi)。顯示設(shè)備的最佳范圍從數(shù)μm至數(shù)十μm。至于器件電極的厚度d，一般是從數(shù)百個(gè)埃至若干μm的范圍內(nèi)選取適當(dāng)?shù)闹怠?dǎo)電薄膜1104是由細(xì)粒膜制成。所謂細(xì)粒膜是指含有一批細(xì)粒(包括孤立的聚集體)的膜。在顯微鏡觀察下，這種細(xì)粒膜中顯現(xiàn)出相互分開的、相互鄰接的或相互疊置的各個(gè)細(xì)粒。細(xì)粒膜中細(xì)粒的粒徑從幾個(gè)埃到數(shù)千埃。最好的粒徑范圍是10埃至200埃。在合適地設(shè)定細(xì)粒膜的厚度時(shí)考慮到了下述條件與器件電極1002或1003電連接的條件、將于后面說明的用于激勵(lì)形成過程的條件、如后所述的將細(xì)粒膜的電阻設(shè)定到適當(dāng)值的條件。具體地說，膜厚設(shè)定在數(shù)埃至數(shù)4埃而最好是10埃至500埃的范圍。用來形成細(xì)粒膜的材料包括金屬，例如Pd、Pt、Ru、Au、Ti、In、Cu、Cr、Fe、Zn、Sn、Ta、W與Pb；氧化物，例如PdO、SnO2、In2O3、PbO與Sb2O3；硼化物，例如HfB2、ZrB2、LaB6、CeB6、YB4與GdB4；碳化物，例如TiC、ZrC、HfC、TaC、SiC與WC；氮化物，例如TiN、ZrN、HfN；半導(dǎo)體，例如Si與Ge，以及碳?？梢詮纳鲜霾牧现羞x出一種適當(dāng)?shù)牟牧稀Ｈ缟纤?，?dǎo)電薄膜1104是用細(xì)粒膜形成，而這種薄膜的表面電阻設(shè)定在103～107Ω/□的范圍內(nèi)。由于最好是使導(dǎo)電薄膜1104與器件電極1102和1103電連接，故把此薄膜設(shè)置成與這兩個(gè)電極相互部分地搭疊。參看圖17A與17B，各相應(yīng)部分依下述順序從下往上疊置基片、器件電極、導(dǎo)電薄膜。這種疊置順序也可以是從底部開始為基片、導(dǎo)電薄膜與器件電極。電極發(fā)射部1105是形成在導(dǎo)電薄膜1104一部分的裂縫。電子發(fā)射部1105的電阻比周邊導(dǎo)電薄膜的電阻高。此裂縫都是經(jīng)激勵(lì)形成過程(以后說明)形成于導(dǎo)電薄膜1104之上。在某些情形下，在裂縫部?jī)?nèi)設(shè)有粒度從數(shù)埃到數(shù)百埃的顆粒料。由于難以精確地描述電子發(fā)射部的實(shí)際位置和形狀，圖17A與17B只是示意地表明了這種裂縫部。由碳或碳化合物組成的薄膜1113覆蓋住電子發(fā)射部1105及其周邊部。薄膜1113是在激勵(lì)過程之后由后述的激活過程形成。薄膜1113最好是由單晶石墨、多晶石墨、無定形碳或它們的混合物制成，其厚度≤500埃，更具體些則是≤300埃。同樣很難精確地描述薄膜1113的實(shí)際位置或形狀。圖17A與17B也只是示意地表明這種薄膜。圖17A是平面圖，表明的是其中將一部分薄膜除去的器件。器件的優(yōu)選基本結(jié)構(gòu)業(yè)已在上面說明了。在本發(fā)明中實(shí)際使用的是下述器件?；?101由堿石灰玻璃制成，上面有器件電極1102與1103由Ni薄膜組成。器件電極的厚度d是1000埃，電極的間距L是2μm。Pd或PdO則用作細(xì)粒膜的主要材料。細(xì)粒膜的厚度與寬度W分別設(shè)定為約100埃與100μm。下面描述制造平面型表面導(dǎo)電發(fā)射器件的優(yōu)選方法。圖18A至18D是剖面圖，說明平面型表面導(dǎo)電發(fā)射器件的制造步驟。與圖17A與17B相同的標(biāo)號(hào)表示圖18A至18D中相同的部件，略去其詳細(xì)說明。(1)首先如圖18A所示，于基片1101上形成器件電極1102與1103。在形成器件電極1102與1103時(shí)，用洗滌劑、純凈水與有機(jī)溶劑徹底洗凈基片1101，將器件電極用材料淀積于基片1101上。作為這種材料的淀積方法，可采用真空淀積或真空濺射等真空成膜技術(shù)。然后由光刻法形成淀積的電極材料的圖形。這樣便形成了圖18A中的器件電極對(duì)(1102與1103)。(2)其次如圖18B所示，形成導(dǎo)電薄膜1104。在導(dǎo)電薄膜的形成過程中，先將有機(jī)金屬溶液涂布到圖18A的基片上，然后干燥和燒結(jié)此涂布的溶液，由此形成細(xì)粒膜。再由光刻法將此細(xì)粒膜形成預(yù)定形狀。這里的有機(jī)金屬溶液是指含有用于導(dǎo)電薄膜中作為主要元素的細(xì)粒料的有機(jī)金屬化合物溶液。在本發(fā)明中，以Pd為主要元素，同時(shí)是用浸漬法來涂布有機(jī)金屬溶液，但也可采用旋轉(zhuǎn)涂覆法或噴涂法。作為形成由細(xì)粒膜組成的導(dǎo)電膜的方法，可以取代本發(fā)明所用的涂布有機(jī)金屬溶液的方法而采用任何其它方法，例如真空淀積法、濺射法或化學(xué)汽相淀積法。(3)如圖18C所示，從激勵(lì)形成過程用的電源1110給器件電極1102與1103間施加適當(dāng)?shù)碾妷?，以進(jìn)行此激勵(lì)形成過程來形成電子發(fā)射部1105(此過程相當(dāng)于圖14中的激勵(lì)形成過程)。這一激勵(lì)形成過程是用來使細(xì)粒膜構(gòu)成的導(dǎo)電薄膜1104起電，而適當(dāng)?shù)仄茐?、變形或損傷此導(dǎo)電薄膜的一部分，由此將薄膜變成了適用于電子發(fā)射的結(jié)構(gòu)。在這種由細(xì)粒膜構(gòu)成的導(dǎo)電薄膜中，變成了適用于電子發(fā)射的結(jié)構(gòu)的這部分(即電子發(fā)射部1105)具有在薄膜中的適當(dāng)裂縫。將此具有電子發(fā)射部1105的薄膜與激勵(lì)形成過程前的薄膜相比較，器件電極1102與1103間測(cè)出的電阻已大大增加。下面參看圖19詳述激勵(lì)形成過程的起電方法，圖19例示了從激勵(lì)形成過程用電源1110施加的適當(dāng)電壓的波形。在對(duì)細(xì)粒膜構(gòu)成的導(dǎo)電薄膜進(jìn)行的激勵(lì)形成過程中，最好采用脈沖式電壓。在本發(fā)明中，如圖19所示，按脈沖間隔T4連續(xù)地施加脈沖寬度T3的三角形脈沖。這時(shí)三角形脈沖的峰值Vpf相繼地增加。此外，在各三角形脈沖之間依適當(dāng)?shù)拈g隔插入監(jiān)控脈沖Pm，以監(jiān)控電子發(fā)射部1105的形成狀態(tài)同時(shí)用安培計(jì)測(cè)量在進(jìn)行上述插入下流過的電流。在此實(shí)施例中，于10-5乇的真空氣氛中，脈沖寬度T3設(shè)定為1ms，脈沖間隔設(shè)定為10ms。在各脈沖下，峰值Vpf增加0.1V。每次施加5個(gè)三角形脈沖，插入一個(gè)監(jiān)控脈沖Pm。為免對(duì)激勵(lì)形成過程有不利影響，監(jiān)控脈沖的電壓Vpm設(shè)定為0.1V。當(dāng)裝置電極1102與1103間的電阻變?yōu)?×10-6Ω，即在施加監(jiān)控脈沖下安培計(jì)1111測(cè)得的電流成為1×10-7A或更小時(shí)，即終止激勵(lì)形成過程的起電。注意，上述方法對(duì)于本發(fā)明的表面導(dǎo)電發(fā)射器件是較為理想的方法。當(dāng)改變器件的設(shè)計(jì)時(shí)，例如細(xì)粒膜的材料或厚度、或是器件電極間的間距L以及起電條件，最好應(yīng)根據(jù)器件設(shè)計(jì)的變動(dòng)而變動(dòng)。4)如圖18D所示，接著從激活用電源1112將適當(dāng)?shù)碾妷杭尤氲狡骷姌O1102與1103，即開始激活過程來改進(jìn)電子發(fā)射特性(這一過程對(duì)應(yīng)于圖14中步驟S102)。這里的激活過程是用來在適當(dāng)條件下使由激勵(lì)形成過程形成的電子發(fā)射部1105起電，將碳或碳化合物淀積到電子發(fā)射部1105的周圍(圖18D將淀積的碳或碳化合物材料表示為材料1113)。將電子發(fā)射部1105與激活過程前的情形比較，在施加同一電壓下，發(fā)射電流一般可增加100倍或更大。在激活過程中，于10-2～10-5乇真空氣氛中周期性地施加電壓脈沖，來淀積主要從真空氣氛中存在的有機(jī)化合物中衍生出的碳或碳化合物。淀積的材料1113可以是任何單晶石墨、多晶石墨、無定形碳及其混合物。淀積材料1113的厚度是500埃，最好是300?；蚋?。圖20A例示了從激活用電源1112所施加的適當(dāng)?shù)碾妷旱牟ㄐ危靡愿敿?xì)地說明激活過程的起電方法。在本發(fā)明中，通過周期性地施加恒定的矩形電壓來進(jìn)行激活過程。具體地說，設(shè)定所示的矩形電壓Vac為14V，脈沖寬度T5為1ms，脈沖間隔T6為10ms。注意，上述起電條件對(duì)于制造本發(fā)明的表面導(dǎo)電發(fā)射器件是較為理想的條件。當(dāng)器件的設(shè)計(jì)改變時(shí)，上述條件也最好要根據(jù)器件設(shè)計(jì)的變化而改變。參看圖18D，標(biāo)號(hào)1114指連接到DC高壓電源1115與安培計(jì)1116的陽極電極，以俘獲表面導(dǎo)電發(fā)射器件發(fā)射出的發(fā)射電流Ie。注意，當(dāng)在激活過程前將基片1101裝設(shè)于顯示板1時(shí)，顯示板1的熒光體表面使用作為陽極電極1114。在從激活用電源1112施加電壓的同時(shí)，安培計(jì)1116即測(cè)量發(fā)射電流Ie的監(jiān)控激活過程的進(jìn)程來控制激活用電源1112的操作。圖20B例示了由安培計(jì)1116測(cè)得的發(fā)射電流。當(dāng)從激活用電源1112開始施加脈沖電壓時(shí)，發(fā)射電流Ie隨時(shí)間的流逝而增加，漸至飽和而后極少增加。在發(fā)射電流Ie的基本飽和點(diǎn)，中止從激活用電源施加電壓，然后結(jié)束激活過程。注意，對(duì)于制造本發(fā)明的表面導(dǎo)電發(fā)射器件，上述起電條件是優(yōu)選的。當(dāng)器件的設(shè)計(jì)改變時(shí)，這些條件也最好隨器件設(shè)計(jì)的變化而變化。圖18E所示平面型表面導(dǎo)電發(fā)射器件便是依上述方式制造的。階梯型表面導(dǎo)電發(fā)射器件下面描述具有由細(xì)粒膜形成的電子發(fā)射部或其周邊部的另一種典型的表面導(dǎo)電發(fā)射器件，即階梯型表面導(dǎo)電發(fā)射器件。圖21是剖面圖，用來說明這種階梯型表面導(dǎo)電發(fā)射器件的基本結(jié)構(gòu)。參看圖21，標(biāo)號(hào)1201指基片，1202與1203指器件電極，1206指階梯形成部件，1204指采用細(xì)粒膜的導(dǎo)電薄膜，1205指由激勵(lì)形成過程形成的電子發(fā)射部，1213指由激活過程形成的薄膜。階梯型表面導(dǎo)電發(fā)射器件不同于上述平面型表面導(dǎo)電發(fā)射器件之處在于，在階梯形成部件1206上形成有一個(gè)器件電極1202而導(dǎo)電薄膜1204則覆蓋著階梯形成件1206的一個(gè)側(cè)面。于是，圖17A與17B中所示平面型器件的器件電極間距L便相當(dāng)于階梯型器件的階梯形成部件1206的高度。對(duì)于基片1201、器件電極1202與1203以及采用細(xì)粒膜的導(dǎo)電薄膜1204，可以采用平面型表面導(dǎo)電發(fā)射器件描述中所列舉的材料。至于階梯形成部件1206，采用的是例如SiO2之類絕緣材料。下面說明此階梯型器件的制造方法。圖22A至22F為說明其制造步驟的剖面圖。與圖21中相同的標(biāo)號(hào)表示圖22A至22F中相同的部件，略去其詳細(xì)說明。(1)如圖22A所示，于基片1201上形成器件電極1203。(2)如圖22B所示，在所形成的結(jié)構(gòu)上疊置上用于形成階梯形成部件的絕緣層，例如是由濺射法形成的SiO2層。但也可采用例如真空淀積或印刷的另一種成膜法。(3)如圖22C所示，器件電極1202形成在絕緣層上。(4)如圖22D所示，例如通過腐蝕除去部分絕緣層來暴露器件電極1203。(5)如圖22E所示，形成采用細(xì)粒膜的導(dǎo)電薄膜1204。為了形成導(dǎo)電薄膜1204，可以如平面型表面導(dǎo)電發(fā)射器件中采用的例如涂敷法之類的成膜法。(6)與平面型器件中的情形相同，進(jìn)行激勵(lì)形成過程來形成電子發(fā)射部(進(jìn)行與平面型器件中相同的業(yè)已相對(duì)于圖18C描述過的激勵(lì)形成過程)。(7)與平面型器件中的情形相同，進(jìn)行激活過程在電子發(fā)射部附近淀積碳或碳化合物(進(jìn)行與平面型器件中相同的業(yè)已相對(duì)于圖18D描述過的激活形成過程)。在上述方式下，制造了圖22F中所示的階梯型表面導(dǎo)電發(fā)射器件。顯示設(shè)備中所用表面導(dǎo)電發(fā)射器件的特點(diǎn)前面已經(jīng)說明了平面型與階梯型器件的配置形式與制造方法。下面描述用于顯示設(shè)備的器件的特性。圖23是曲線圖，表明了發(fā)射電流Ie相對(duì)于器件施加電壓Vf的特性以及器件電流If相對(duì)于器件施加電壓Vf的特性的典型例。發(fā)射電流Ie遠(yuǎn)比器件電流If小，這兩類特性很難根據(jù)同一標(biāo)度說明。此外，這些特性在器件的設(shè)計(jì)參數(shù)(包括大小與形狀)改變時(shí)改變。為此，圖23中的兩種特性是分別用獨(dú)立的單位表明。這種顯示設(shè)備中所用的表面導(dǎo)電發(fā)射器件具有下述的關(guān)于發(fā)射電流Ie的三個(gè)特點(diǎn)。第一，當(dāng)將高于某個(gè)電壓(以后稱為閾電壓)的電壓施加到所述器件上時(shí)，發(fā)射電流Ie便劇增。當(dāng)所加電壓低于閾電壓Vth時(shí)，幾乎探測(cè)不出發(fā)射電流。這就是說，表面導(dǎo)電發(fā)射器件是具有明確規(guī)定的關(guān)于發(fā)射電流Ie的閾電壓Vth的非線性器件。第二，由于發(fā)射電流Ie根據(jù)施加到器件上的電壓Vf而變化，故可由電壓Vf控制發(fā)射電流的大小。第三，由于從器件發(fā)射出的電流Ie相對(duì)于施加到器件上的電壓Vf的響應(yīng)高，從器件發(fā)射出的電子的電荷量可以由施加電壓Vf時(shí)的時(shí)間長(zhǎng)度來控制。由于以上特點(diǎn)，這種器件就可適用于顯示設(shè)備。例如，當(dāng)將第一特點(diǎn)用于其中設(shè)有對(duì)應(yīng)于顯示屏的像素的一批器件的顯示設(shè)備中時(shí)，此顯示屏能相繼地掃描進(jìn)行顯示操作。具體地說，依據(jù)所需的光發(fā)射亮度，將一等于或大于閾電壓Vth的電壓適當(dāng)?shù)丶佑诒或?qū)動(dòng)的器件上，而將低于閾電壓Vth的電壓加于不選擇的器件上。通過相繼地開關(guān)待驅(qū)動(dòng)的器件，顯示屏就能相繼地被掃描進(jìn)行顯示操作。當(dāng)利用第二與第三特點(diǎn)時(shí)，能夠控制光發(fā)射亮度。于是可以進(jìn)行明暗顯示。具有布線成簡(jiǎn)單矩陣的多電子束源的結(jié)構(gòu)下面描述多電子束源的結(jié)構(gòu)，其中上述的表面導(dǎo)電發(fā)射器件設(shè)在基片上并布線成簡(jiǎn)單矩陣。圖24是平面圖，示明用于圖15所示顯示板1中的多電子束源。將各具有與圖17A與17B相同的結(jié)構(gòu)的表面導(dǎo)電發(fā)射器件配置于基片1001上。這些器件布線成行布線層1003與列布線層1004形成的簡(jiǎn)單矩陣，在這兩種層的交匯處則形成有絕緣層(未示明)以保持電絕緣。圖25是沿圖24的A-A’截取的剖面圖。依下述方式制造了具有上述結(jié)構(gòu)的多電子束源。在所述基片上事先形成行布線層1003、列布線層1004、極間絕緣層(未示明)以及表面導(dǎo)電發(fā)射器件的器件電極與導(dǎo)電薄膜。然后經(jīng)行布線層1003與列布線層1004給各器件通電以進(jìn)行激勵(lì)成形過程與激勵(lì)過程，由此即可制得如前所述的多電子束源。應(yīng)用例圖26是框圖，例示了多功能的顯示設(shè)備，它能在利用本發(fā)明的表面導(dǎo)電發(fā)射器件作為電子發(fā)射器件的顯示板上，顯示從各種圖像信息源，例如TV廣播供給的圖像信息。參看圖26，標(biāo)號(hào)1指本發(fā)明的顯示板、2101指顯示板1的驅(qū)動(dòng)器、2102指顯示板控制器、2103指多路調(diào)制器、2104指譯碼器、2105指輸入/輸出接口電路、2106指CPU、2107指圖像發(fā)生器、2108至2110指圖像存儲(chǔ)器接口電路、2111指圖像輸入接口電路、2112與2113指TV信號(hào)接收器、2114指輸入裝置。當(dāng)此例中的顯示設(shè)備接收到例如包括視頻信息與聲頻信息的TV信號(hào)時(shí)，自然就會(huì)同時(shí)產(chǎn)生視頻圖像與聲音。這里省略了有關(guān)聲頻信息接收、分離、處理與存儲(chǔ)等的電路以及揚(yáng)聲器的描述，因此這些部件與本例的顯示板的特點(diǎn)并無直接關(guān)聯(lián)。有關(guān)各部件的功能將依據(jù)圖像信號(hào)流說明于下。TV信號(hào)接收器是用來接收經(jīng)無線傳輸系統(tǒng)例如電波傳輸或空間光通信系統(tǒng)傳送來的TV圖像信號(hào)的電路。用來接收TV信號(hào)的標(biāo)準(zhǔn)并無特別限定，可采用NTSC、PAL與SECAM各標(biāo)準(zhǔn)中的任何一種。此外，包括有更大量掃描線的TV信號(hào)(例如由MUSE標(biāo)準(zhǔn)表示的所謂高清晰度TV的信號(hào))，則是能利用適用于大顯示屏與極多像素的顯示板的有利特點(diǎn)的較佳信號(hào)源。TV信號(hào)接收機(jī)2113接收到的TV信號(hào)輸出給譯碼器2104。TV信號(hào)接收機(jī)2112則是用來接收通過同軸電纜系統(tǒng)或光纖系統(tǒng)的一類電纜傳輸系統(tǒng)傳來的TV圖像信號(hào)的電路。與TV信號(hào)接收機(jī)2113相同，對(duì)于所接收的TV信號(hào)標(biāo)準(zhǔn)并無特別限制。TV信號(hào)接收機(jī)2112接收到的TV信號(hào)也輸出給譯碼器2104。圖像輸入接口電路2111是用來接收從例如TV攝像機(jī)或圖像讀出掃描器之類圖像輸入裝置供給的圖像信號(hào)的電路。接收到的圖像信號(hào)輸出給譯碼器2104。圖像存儲(chǔ)器接口電路2110是用來接收存儲(chǔ)于磁帶錄像機(jī)(以后簡(jiǎn)化為VTR)中圖像信號(hào)的電路。接收到的圖像信號(hào)輸出給譯碼器2104。圖像存儲(chǔ)器接口電路2109是用來接收存儲(chǔ)于視盤中的圖像信號(hào)。接收到的圖像信號(hào)輸出給譯碼器2104。圖像存儲(chǔ)器接口電路2108則是用來接收例如來自存儲(chǔ)靜止圖像數(shù)據(jù)的靜止圖像盤一類裝置的圖像信號(hào)的電路。接收到的靜止圖像數(shù)據(jù)輸出給譯碼器2104。輸入/輸出接口電路2105是用來將此顯示設(shè)備連接到外部計(jì)算機(jī)、計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)或例如打印機(jī)一類輸出裝置的電路。此輸入/輸出接口電路2105不僅輸入/輸出圖像數(shù)據(jù)或字符數(shù)據(jù)/圖表信息，必要時(shí)還能在成像設(shè)備的CPU2106與外部裝置之間輸入/輸出控制信號(hào)或數(shù)值數(shù)據(jù)。圖象產(chǎn)生器2107是一個(gè)基于通過輸入/輸出接口電路2105從外部輸入的圖象數(shù)據(jù)或字符/圖表信息或從CPU2106輸出的圖象數(shù)據(jù)或字符/圖表信息產(chǎn)生顯示圖象數(shù)據(jù)的電路。此電路包括為產(chǎn)生圖像數(shù)據(jù)所必需的電路，具有用來存儲(chǔ)圖像數(shù)據(jù)或字符/圖表信息的可寫存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)于字符碼的鏡像圖形的只讀存儲(chǔ)器以及用來處理圖像的處理器。由此電路產(chǎn)生的顯示圖像數(shù)據(jù)輸出至譯碼器2104。但是，必要時(shí)可將顯示圖像數(shù)據(jù)通過輸入/輸出接口電路2105輸出到外部計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)或打印機(jī)。CPU2106主要進(jìn)行與顯示設(shè)備操作控制有關(guān)的操作，以及顯示圖像的產(chǎn)生、選擇與編輯。例如，將控制信號(hào)輸送給多路調(diào)制器2103，由此在顯示板上適當(dāng)?shù)剡x擇或組合待在顯示板上顯示的圖像信號(hào)。與此同時(shí)，根據(jù)待顯示的圖像信號(hào)給顯示控制器2102產(chǎn)生一控制信號(hào)，以適當(dāng)?shù)乜刂骑@示板的操作，包括幀顯示頻率、掃描方法(例如隔行掃描或非隔行掃描)、以及一幀中的掃描行數(shù)。此外，CPU2106直接輸出圖像數(shù)據(jù)或字符/圖表信息給圖像發(fā)生器2107，或通過輸入/輸出接口電路2105訪問外部計(jì)算機(jī)或存儲(chǔ)器以輸入圖像數(shù)據(jù)或字符/圖表信息。CPU2106可用于其它目的。例如，CPU2106可直接與產(chǎn)生信息或處理信息的功能相關(guān)，這類似于個(gè)人計(jì)算機(jī)或文字處理機(jī)。另外，如上所述，CPU2106可以通過輸入/輸出接口電路2105連接到外部計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)與例如數(shù)值計(jì)算中的外部裝置配合工作。輸入裝置2114由用戶用來將指令、程序或數(shù)據(jù)輸入給CPU2106。除鍵盤與鼠標(biāo)之外，可以采用各式各樣的輸入裝置如操縱桿、條形碼讀出器或語音識(shí)別裝置等。譯碼器2104是用來將電路2107至2113輸入的各種圖像信號(hào)反向變換為三原色信號(hào)或亮度信號(hào)以及I與Q信號(hào)。如圖26中虛線所示，譯碼器2104最好包括有圖像存儲(chǔ)器，以便能夠處理需有圖像存儲(chǔ)器進(jìn)行反向變換的例如MUSE一類信號(hào)的TV信號(hào)。圖像存儲(chǔ)器有助于顯示靜止圖像。此外，圖像存儲(chǔ)器能有利于進(jìn)行下述圖像處理包括沖淡、插入、放大、縮小與合成，以及同圖像產(chǎn)生器2107和2106相配合編輯圖像數(shù)據(jù)。多路調(diào)制器2103根據(jù)CPU2106輸入的控制信號(hào)適當(dāng)?shù)剡x擇顯示圖像。具體地說，多路調(diào)制器2103從譯碼器2104輸入的反向變換的圖像信號(hào)中選擇所需的圖像信號(hào)，然后將選定的圖像信號(hào)輸出給驅(qū)動(dòng)器2101。這時(shí)，多路調(diào)制器2103能夠?qū)崿F(xiàn)所謂的多窗口電視，這里的電視屏分成若干區(qū)域，通過在一幀的顯示時(shí)間內(nèi)有選擇地轉(zhuǎn)換圖像信號(hào)在各個(gè)區(qū)域內(nèi)顯示一批圖像。顯示控制器2102是用來根據(jù)CPU2106輸入的控制信號(hào)來控制驅(qū)動(dòng)器2101的操作的電路。對(duì)于顯示板的基本操作，顯示控制器2102輸出用來控制顯示板用驅(qū)動(dòng)功率源(未示明)的操作順序的信號(hào)給驅(qū)動(dòng)器2101。作為驅(qū)動(dòng)顯示板的方法，顯示控制器2102輸出用于控制幀顯示頻率或掃描方法(例如隔行掃描或非隔行掃描)的信號(hào)給驅(qū)動(dòng)器2101。顯示板控制器2102可根據(jù)需要輸出關(guān)聯(lián)到調(diào)節(jié)圖像質(zhì)量(包括顯示圖像的亮度、對(duì)比度、色調(diào)與清晰度)的信號(hào)給驅(qū)動(dòng)器2101。驅(qū)動(dòng)器2101是用來產(chǎn)生提供給顯示板1的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電路。驅(qū)動(dòng)器2101根據(jù)多路調(diào)制器2103輸入的圖像信號(hào)與顯示板控制器2102輸入的控制信號(hào)工作。上面說明了各有關(guān)部件的功能。本例中，具有圖26所示配置形式的顯示設(shè)備可以在顯示板1上顯示從各種圖像信息源輸入的圖像信息。確切地說，使包括TV廣播信號(hào)在內(nèi)的各種圖像信號(hào)被譯碼器作反向變換，由多路調(diào)制器2103作適當(dāng)選擇而輸入給驅(qū)動(dòng)器2101。顯示板控制器2102根據(jù)待顯示的圖像信號(hào)產(chǎn)生用來控制驅(qū)動(dòng)器2101操作的控制信號(hào)。驅(qū)動(dòng)器2101根據(jù)此圖像信號(hào)與控制信號(hào)給顯示板1提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)。通過這樣的操作，在顯示板1上顯示出圖像。這一系列操作由CPU2106整體地控制。本例中的顯示設(shè)備不僅顯示譯碼器2104所包括的圖像存儲(chǔ)器、圖像發(fā)生器2107與CPU2106中相關(guān)的一批圖象信息中選出的圖像數(shù)據(jù)，還能對(duì)于待顯示的圖像信息進(jìn)行圖像處理包括放大、縮小、轉(zhuǎn)動(dòng)、移動(dòng)、輪廓增強(qiáng)、沖談、內(nèi)插、顏色變換與寬高比變換，以及包括合成、刪除、組合、置換與插入的圖像編輯。雖然在本例的描述中沒有具體談到，但可以設(shè)置與用于圖像處理與編輯類似的專用于聲頻信息處理與編輯的電路。本例中的顯示設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)種種裝置的功能，例如TV廣播顯示裝置、電話會(huì)議終端裝置、靜止圖像與動(dòng)態(tài)圖像的圖像編輯裝置、例如計(jì)算機(jī)或文字處理機(jī)之類辦公室工作終端裝置、游戲機(jī)等等。因而，這種顯示設(shè)備在工業(yè)中和對(duì)私人都有廣泛的應(yīng)用。圖26只示明采用以這種表面導(dǎo)電發(fā)射器件作為電子源的顯示板的顯示設(shè)備的一種配置例子，顯然顯示設(shè)備并不限于這里示明的配置形式。例如，在圖26中所示的組成部件中，與對(duì)應(yīng)用目的來說是不必要的功能有關(guān)的電路可以略去。相反，可以增設(shè)合于應(yīng)用目的的組成部件。當(dāng)把這種顯示設(shè)備用作可視電話時(shí)，則最好增設(shè)TV攝像機(jī)、話筒、照明裝置以及包括調(diào)制解調(diào)器的傳送/接收電路。由于這種顯示設(shè)備是把表面導(dǎo)電發(fā)射器件作為其電子源，就可以實(shí)現(xiàn)薄型的顯示板，從而能夠減小顯示設(shè)備的深度。此外，由于以表面導(dǎo)電發(fā)射器件為電子源的顯示板易于大型化而得以有高亮度與廣視角，就可使對(duì)應(yīng)的成像設(shè)備以真實(shí)感和強(qiáng)烈的印像顯示生動(dòng)的圖像。本發(fā)明可以用于由一批裝置如主計(jì)算機(jī)、接口與打印機(jī)組成的系統(tǒng)或用于只由單一裝置組成的設(shè)備。此外，本發(fā)明也可用于通過給系統(tǒng)或設(shè)備提供程序來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的情形。這時(shí)，存儲(chǔ)了根據(jù)本發(fā)明的程序的存儲(chǔ)介質(zhì)便構(gòu)成了本發(fā)明。上述系統(tǒng)或設(shè)備則通過從此存儲(chǔ)介質(zhì)讀出所述程序到此系統(tǒng)或設(shè)備，依事先規(guī)定的方式工作。如上所述，根據(jù)本發(fā)明可以提供這樣的多電子束源，它消除了在制造電子源過程中產(chǎn)生的表面導(dǎo)電發(fā)射器件發(fā)射特性的差異，而能提供均一的電子發(fā)射特性。當(dāng)采用具有上述性質(zhì)的電子源時(shí)，就能提供可以均勻亮度分布來實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量圖像的成像設(shè)備。此外，當(dāng)把存儲(chǔ)電壓(移位電壓)設(shè)定到正常電壓范圍之外來驅(qū)動(dòng)表面導(dǎo)電發(fā)射器件時(shí)，就可防止表面導(dǎo)電發(fā)射器件在正常工作時(shí)改變其特性。還由于這種多電子束源的各表面導(dǎo)電發(fā)射器件的電子發(fā)射特性能用發(fā)射電流、器件電流與光發(fā)射亮度中的任何一種來測(cè)量，就可以有各種各樣的方法來測(cè)量和調(diào)節(jié)上述發(fā)射特性。由于在不脫離本發(fā)明的精神與范圍的前提下可以給出本發(fā)明的眾多的顯而易見的廣泛的不同的實(shí)施例，因而應(yīng)該認(rèn)識(shí)到本發(fā)明除了后附權(quán)利要求書所規(guī)定的內(nèi)容外，不局限于這些特定的實(shí)施形式。權(quán)利要求1.一種調(diào)節(jié)具有多電子束源的電子發(fā)生設(shè)備特性的方法，此設(shè)備中有一批表面導(dǎo)電發(fā)射器件配置在基片上，并有用來對(duì)多電子束源輸出驅(qū)動(dòng)電壓的驅(qū)動(dòng)裝置，所述方法包括下述步驟施加特性測(cè)量電壓來測(cè)量這批表面導(dǎo)電發(fā)生器件的特性；根據(jù)測(cè)得的電子發(fā)射特性來求得這批表面導(dǎo)電發(fā)射器件特性的參考值；以及給這批表面導(dǎo)電發(fā)射器件中的相應(yīng)一個(gè)施加特性移位電壓，以使這批表面導(dǎo)電發(fā)射器件的電子發(fā)射特性變成與上述參考值對(duì)應(yīng)的值，其中的特性移位電壓高于特性測(cè)量電壓，而特性測(cè)量電壓又高于上述驅(qū)動(dòng)電壓。2.如權(quán)利要求1所述方法，特征在于在有機(jī)氣體的分壓不超過10-8乇的氣氛中施加所述特性移位電壓。3.如權(quán)利要求1所述方法，特征在于，此方法還包括下述步驟在施加特性移位電壓之后再次測(cè)量所述這批表面導(dǎo)電發(fā)射器件的特性；并根據(jù)此再次測(cè)量的結(jié)果，對(duì)所述的相應(yīng)的表面導(dǎo)電發(fā)射器件再施加特性移位電壓。4.如權(quán)利要求1所述方法，特征在于上述測(cè)量步驟包括，在每次驅(qū)動(dòng)所述表面導(dǎo)電發(fā)射器件時(shí)測(cè)量從所述表面導(dǎo)電發(fā)射器件發(fā)射出的發(fā)射電流。5.如權(quán)利要求1所述方法，特征在于上述測(cè)量步驟包括在每次驅(qū)動(dòng)所述表面導(dǎo)電發(fā)射器件時(shí)測(cè)量在所述表面導(dǎo)電發(fā)射器件中流動(dòng)的器件電流。6.如權(quán)利要求1所述方法，特征在于上述測(cè)量步驟包括在每次驅(qū)動(dòng)所述表面導(dǎo)電發(fā)射器件時(shí)測(cè)量被來自所述表面導(dǎo)電發(fā)射器件的電子輻射的熒光體的光發(fā)射亮度，并將測(cè)量出的亮度變換為對(duì)應(yīng)于前述發(fā)射電流與器件電流之一的數(shù)值。7.一種制造電子發(fā)生設(shè)備的方法，此設(shè)備具有多電子束源，其中的一批表面導(dǎo)電發(fā)射器件在基片上配置成矩陣形式，具有將驅(qū)動(dòng)電壓輸出給此多電子束源的驅(qū)動(dòng)裝置，所述方法包括下述步驟為基片上的這批表面導(dǎo)電發(fā)射器件形成電極與導(dǎo)電膜；通過上述電極對(duì)所述導(dǎo)電膜起電為這批表面導(dǎo)電發(fā)射器件形成其電子發(fā)射部；激活這些電子發(fā)射部；施加特性測(cè)量電壓來測(cè)量這批表面導(dǎo)電發(fā)射器件的特性；根據(jù)測(cè)量出的電子發(fā)射特性求得這批表面導(dǎo)電發(fā)射器件特性的參考值；以及給這批表面導(dǎo)電發(fā)射器件中相應(yīng)的一個(gè)施加特性移位電壓，使得這批表面導(dǎo)電發(fā)射器件的電子發(fā)射特性成為與上述參考值相對(duì)應(yīng)的值，其中上述特性移位電壓高于所述特性測(cè)量電壓，而此特性測(cè)量電壓又高于前述驅(qū)動(dòng)電壓。8.如權(quán)利要求7所述方法，特征在于在有機(jī)氣體的分壓不超過10-8乇的氣氛中施加所述特性移位電壓。9.如權(quán)利要求7所述方法，特征在于此方法還包括下述步驟，在施加特性移位電壓之后再次測(cè)量所述這批表面導(dǎo)電發(fā)射器件的特性；并根據(jù)此再次測(cè)量的結(jié)果，對(duì)所述的相應(yīng)的表面導(dǎo)電發(fā)射器件再施加特性移位電壓。10.如權(quán)利要求7所述方法，特征在于上述測(cè)量步驟包括，在每次驅(qū)動(dòng)所述表面導(dǎo)電發(fā)射器件時(shí)測(cè)量從所述表面導(dǎo)電發(fā)射器件發(fā)射出的發(fā)射電流。11.如權(quán)利要求7所述方法，特征在于上述測(cè)量步驟包括，在每次驅(qū)動(dòng)所述表面導(dǎo)電發(fā)射器件時(shí)測(cè)量在所述表面導(dǎo)電發(fā)射器件中流動(dòng)的器件電流。12.如權(quán)利要求7所述方法，特征在于上述測(cè)量步驟包括，在每次驅(qū)動(dòng)所述表面導(dǎo)電發(fā)射器件時(shí)測(cè)量被來自所述表面導(dǎo)電發(fā)射器件的電子輻射的熒光體的光發(fā)射亮度，并將測(cè)量出的亮度變換為對(duì)應(yīng)于前述發(fā)射電流與器件電流之一的數(shù)值。13.一種電子發(fā)生設(shè)備，此設(shè)備包括多電子束源，其中將一批表面導(dǎo)電發(fā)射器件設(shè)置于基片上；以及驅(qū)動(dòng)裝置，用來根據(jù)圖像信號(hào)驅(qū)動(dòng)上述多電子束源，而此電子發(fā)生設(shè)備則是根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法制造的。14.一種成像設(shè)備，此設(shè)備包括權(quán)利要求13中所述的電子發(fā)生設(shè)備以及熒光體，此熒光體在由所述多電子束源的電子束照射下發(fā)射光。全文摘要本發(fā)明的目的是提供一種能以簡(jiǎn)單工藝消除電子源電子發(fā)射特性差異的電子發(fā)生設(shè)備；調(diào)節(jié)此設(shè)備特性的方法；制造此設(shè)備的方法；以及采用此設(shè)備的成像設(shè)備。從脈沖發(fā)生器對(duì)顯示板的各表面導(dǎo)電發(fā)射器件施加特性測(cè)量電壓，得以由電流探測(cè)器測(cè)量電子發(fā)射特性。控制脈沖峰值設(shè)定電路以輸出具有依上述方式確定的峰值的電壓信號(hào)，并從脈沖發(fā)生器給所述器件施加特性移位電壓由此可均衡各器件的電子發(fā)射特性。特性移位電壓＞特性測(cè)量電壓＞驅(qū)動(dòng)電壓。文檔編號(hào)H01J1/316GK1160923SQ97102639公開日1997年10月1日申請(qǐng)日期1997年2月21日優(yōu)先權(quán)日1996年2月23日發(fā)明者山口英司,鱸英俊申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社