熒光體、其制備方法及發(fā)光裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供熒光體、其制備方法及發(fā)光裝置，該熒光體是具有與以往的藍(lán)色熒光體不同的發(fā)光峰值波長(zhǎng)的藍(lán)色熒光體，該發(fā)光裝置是使用該熒光體的高亮度發(fā)光裝置。本發(fā)明的熒光體是由通式：MeaRebAlcSidOeNf（其中，Me包含Sr或Ba作為必需的第一元素，并可以包含選自Mg、Ca、Sc、Y及La中的一種以上元素作為第二元素，Re包含Eu作為必需的第一元素，并可以包含選自Mn、Ce、Tb、Yb及Sm中的一種以上元素作為第二元素）。表示的晶體，組成比a、b、c、d、e及f具有以下關(guān)系：a+b=1、0.005<b<0.25、1.60<c<2.60、2.50<d<4.05、3.05<e<5.00、2.75<f<4.40。
【專利說(shuō)明】熒光體、其制備方法及發(fā)光裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種熒光體、該熒光體的制備方法及使用該熒光體的發(fā)光裝置，所述熒光體具有復(fù)合氧氮化物的基質(zhì)晶體，并能夠在從紫外線到近紫外線的波長(zhǎng)區(qū)域被有效激發(fā)，從而發(fā)出高亮度的藍(lán)色光。
【背景技術(shù)】
[0002]熒光體能夠被真空紫外線、紫外線、電子射線、近紫外線等具有高能量的激發(fā)源激發(fā)，并發(fā)出可見(jiàn)光線，但是，如果熒光體長(zhǎng)時(shí)間暴露在激發(fā)源下，則存在熒光體的亮度下降的問(wèn)題，所以正尋求一種即使長(zhǎng)時(shí)間使用、亮度下降也小的熒光體。
[0003]因此，提出以下方案:使用化學(xué)穩(wěn)定性高、且具有已知能作為耐熱結(jié)構(gòu)材料的氧氮化物類基質(zhì)的熒光體，來(lái)代替以往的具有氧化物基質(zhì)的熒光體、例如硅酸鹽熒光體、磷酸鹽熒光體、鋁酸鹽熒光體、或具有硫化物類基質(zhì)的熒光體(專利文獻(xiàn)I至3)。
[0004]【現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)】
[0005]【專利文獻(xiàn)】
[0006]【專利文獻(xiàn)1】國(guó)際公開(kāi)第2006/093298號(hào)
[0007]【專利文獻(xiàn)2】國(guó)際公開(kāi)第2007/037059號(hào)
[0008]【專利文獻(xiàn)3】國(guó)際公開(kāi)第2007/105631號(hào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]具有氧氮化物類基質(zhì)的熒光體，是將銪等稀土元素固溶到稱為賽隆(SiAlON)的晶體中而得到的。
[0010]本發(fā)明人等在對(duì)賽隆的晶體結(jié)構(gòu)與稀土元素的關(guān)系進(jìn)行研究時(shí)，發(fā)現(xiàn)當(dāng)賽隆的晶體結(jié)構(gòu)與稀土元素滿足特定條件時(shí)，可形成一種具有與以往已知的藍(lán)色熒光體不同的發(fā)光峰值波長(zhǎng)、且亮度高的藍(lán)色熒光體，從而完成了本發(fā)明。
[0011]即，本發(fā)明的目的是提供一種具有與以往的藍(lán)色熒光體不同的發(fā)光峰值波長(zhǎng)的藍(lán)色熒光體、其制備方法以及使用該熒光體的高亮度的發(fā)光裝置。
[0012]本發(fā)明是一種熒光體，該熒光體是由通式=MeaRebAleSidOeNf (其中，Me是選自Sr以及Ba中的一種以上元素，Re是Eu。)表示的晶體,組成比a、b、c、d、e及f具有以下關(guān)系。
[0013]a+b=l
[0014]0.005<b<0.25
[0015]1.60<c<2.60
[0016]2.45<d<4.05
[0017]3.05<e<5.00
[0018]2.75<f<4.40
[0019]本發(fā)明的熒光體的c、d、e及f優(yōu)選具有0.500<c/d<0.720及0.900〈e/f〈l.570的關(guān)系。[0020]優(yōu)選為，本發(fā)明的熒光體能夠被波長(zhǎng)300nm以上至420nm以下的光激發(fā)，并在波長(zhǎng)450nm以上至485nm以下具有發(fā)光峰值波長(zhǎng)。
[0021]其他方面的發(fā)明是用于制備本發(fā)明的熒光體的方法，包括以下工序:對(duì)下面所示的(I)至(4)的化合物進(jìn)行混合的混合工序；對(duì)混合工序后的混合物進(jìn)行燒成的燒成工序；在燒成工序后進(jìn)行退火處理的退火工序；在退火工序后進(jìn)行酸處理的酸處理工序，
[0022](I)由Me表示的元素(其中，Me是選自Sr以及Ba中的一種以上元素。)的碳酸鹽、氧化物、氮化物、碳化物、氫化物或硅化物中的一種或多種；
[0023](2)由Re表示的元素(其中，Re是Eu。)的碳酸鹽、氧化物、鹵化物、氮化物、碳化物、氫化物或硅化物中的一種或多種；
[0024](3)選自Al的氧化物、Al的鹵化物、Al的氮化物或鋁金屬中的一種或多種鋁化合物；
[0025](4)選自Si的氮化物、Si的氧化物、Si的氧氮化物及硅金屬中的一種或多種硅化合物。
[0026]上述燒成工序優(yōu)選在I個(gè)大氣壓以上的環(huán)境氣體壓力下、并在1400°C以上至ISOO0C以下的溫度條件下進(jìn)行。
[0027]上述退火工序優(yōu)選在1200°C以上至1600°C以下進(jìn)行處理。
[0028]在本發(fā)明的制備方法中，可以對(duì)上述(I)至(4)、以及燒成工序在I個(gè)大氣壓以上的環(huán)境壓力下、1400° C以上至1800°C以下的溫度條件下進(jìn)行燒成而得到的熒光體進(jìn)行混
八
口 ο
[0029]其他方面的發(fā)明是包括發(fā)光元件和本發(fā)明的熒光體的發(fā)光裝置。
[0030]本發(fā)明的發(fā)光裝置優(yōu)選為，還包括一種以上與本發(fā)明的熒光體相比在更長(zhǎng)的波長(zhǎng)處具有發(fā)光峰值波長(zhǎng)的熒光體。
[0031]上述發(fā)光元件優(yōu)選采用具有340nm以上至450nm以下的發(fā)光的無(wú)機(jī)發(fā)光元件或有機(jī)發(fā)光元件中的任一種。
[0032]上述發(fā)光元件優(yōu)選為L(zhǎng)ED元件。
[0033]發(fā)光裝置優(yōu)選是液晶TV用背光源、投影儀的光源裝置、照明裝置或信號(hào)裝置。
[0034]由于與以往的藍(lán)色熒光體的發(fā)光峰值波長(zhǎng)相比，本發(fā)明的熒光體的發(fā)光峰值波長(zhǎng)向長(zhǎng)波長(zhǎng)一側(cè)位移，且發(fā)光帶寬較寬，并且含有可見(jiàn)度良好的波長(zhǎng)區(qū)域，所以呈現(xiàn)亮度更高的藍(lán)色。根據(jù)其他方面的發(fā)明、即熒光體的制備方法，能夠制備亮度比以往的熒光體更高的呈現(xiàn)藍(lán)色的熒光體。根據(jù)其他方面的發(fā)明、即發(fā)光裝置，能夠提供具有亮度更高的呈現(xiàn)藍(lán)色的熒光體的發(fā)光裝置。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0035]圖1是表示本發(fā)明的比較例I及實(shí)施例1、4、6、9、13、16的熒光體的發(fā)光光譜的圖。
[0036]圖2是表示本發(fā)明的比較例I及實(shí)施例1、4、6、9、13、16的熒光體的激發(fā)光譜的圖。
【具體實(shí)施方式】[0037]本發(fā)明是一種熒光體，該熒光體是由通式=MeaRebAleSidOeNf (其中，Me是選自Sr以及Ba中的一種以上元素，Re是Eu。)表示的晶體,并且組成比a、b、C、d、e及f具有以下關(guān)系O
[0038]a+b=l
[0039]0.005〈b〈0.25
[0040]1.60〈c〈2.60
[0041]2.45<d<4.05
[0042]3.05〈e〈5.00
[0043]2.75<f<4.40
[0044]如上所述，Me是選自Sr以及Ba中的一種以上元素，并且優(yōu)選為Ba單體，在含有Sr以及Ba 二者的情況下，優(yōu)選含有較多Ba。這是由于含有Ba時(shí)，晶體結(jié)構(gòu)變得更穩(wěn)定，并且發(fā)光效率提高。
[0045]另外，Me除了 Sr、Ba以外，還可以含有選自Mg、Ca、Sc、Y以及La的一種以上元素。
[0046]Re元素除了 Eu以外，還可以含有選自Mn、Ce、Tb、Yb以及Sm中的一種以上元素。作為Eu以外的元素，優(yōu)選Ce或Yb。
[0047]組成比a至f表 示元素的摩爾比，將a至f乘以任意正數(shù)而得到的元素比也給出相同的組成式。即，由于在本發(fā)明中，以a+b=l的方式來(lái)限定元素之比，所以，通過(guò)用a+b=l而求出的a至f，能夠判斷某一材料的組成式與本發(fā)明的權(quán)利范圍的關(guān)系。
[0048]在本發(fā)明的熒光體中，表示由Re所示的Eu等發(fā)光元素的離子濃度的b為0.005〈b〈0.25的范圍，優(yōu)選0.01〈b〈0.20的范圍，更優(yōu)選0.02〈b〈0.10的范圍。當(dāng)b低于0.005時(shí)，由于發(fā)光元素離子的原子數(shù)少，因此不能得到充分的發(fā)光效率。另一方面，當(dāng)b高于0.25時(shí)，由于發(fā)光元素離子的原子數(shù)變得過(guò)多，并發(fā)生相鄰發(fā)光離子之間的激發(fā)能量的再吸收效應(yīng)、即稱為濃度粹滅(concentration quenching)的現(xiàn)象，因此同樣也不能得到充分的發(fā)光效率。
[0049]在本發(fā)明的熒光體中，Al元素、Si元素、O元素及N元素的比率由c至f表示，并分別在 1.60〈c〈2.60,2.45<d<4.05,3.05〈e〈5.00,2.75<f<4.40 的范圍。在滿足上述組成比a至f的所有條件的范圍時(shí)，本發(fā)明的熒光體的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。如果上述數(shù)值低于其下限值、或者高于其上限值，則由于在制備時(shí)可促進(jìn)第二相燒成物的形成，或者制備得到的熒光體的發(fā)光效率降低，所以不優(yōu)選。
[0050]上述組成比c 至 f 的條件更優(yōu)選為 1.83<c<2.20,2.73<d<3.50,3.28<e<4.90、
3.12<f<4.23。
[0051]本發(fā)明的熒光體的c/d以及e/f優(yōu)選具有0.500<c/d<0.720及0.900〈e/f〈l.570
的關(guān)系。
[0052]確定Al元素和Si元素之比的c/d以及確定O元素和N元素之比的e/f分別為0.500〈c/d〈0.720,0.900<e/f<l.570，優(yōu)選為 0.610〈c/d〈0.690、1.000<e/f<l.450，并且，當(dāng)設(shè)為0.620<c/d<0.675、1.007<e/f<l.320時(shí)，晶體結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定，并且發(fā)光效率更高，所以更優(yōu)選。與c/d及e/f在范圍內(nèi)的熒光體相比，c/d及e/f超出了上述范圍的熒光體的發(fā)光效率降低。
[0053]當(dāng)本發(fā)明的熒光體的組成比a至f設(shè)為0.90〈a〈0.98,0.02〈b〈0.10、1.83<c<2.20、2.73<d<3.50,3.28<e<4.47,3.12<f<4.04,0.620〈c/d〈0.675、1.007<e/f<l.320 時(shí)，晶體結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定，并且發(fā)光峰值波長(zhǎng)也穩(wěn)定在470nm附近，所以優(yōu)選。
[0054]優(yōu)選為，本發(fā)明的熒光體被波長(zhǎng)300nm以上至420nm以下的光激發(fā)，并在波長(zhǎng)450nm以上至485nm以下具有發(fā)光峰值波長(zhǎng)，更優(yōu)選為，發(fā)光峰值波長(zhǎng)屬于波長(zhǎng)469nm±8nm的范圍。
[0055]本發(fā)明的熒光體的制備方法包括:對(duì)如下所示的(I)至(4)的化合物進(jìn)行混合的混合工序；對(duì)混合工序后的混合物進(jìn)行燒成的燒成工序；在燒成工序后進(jìn)行退火處理的退火工序；在退火工序后進(jìn)行酸處理的酸處理工序。
[0056](I)由Me表示的元素(其中，Me是選自Sr以及Ba中的一種以上元素，并可以進(jìn)一步含有選自Mg、Ca、Sc、Y、La中的一種以上元素。)的碳酸鹽、氧化物、氮化物、碳化物、氫化物或硅化物中的一種或多種。
[0057](2)由Re表示的元素(其中，Re由Eu構(gòu)成，并可以進(jìn)一步含有選自Mn、Ce、Tb、Yb、Sm中的一種以上元素。)的碳酸鹽、氧化物、鹵化物、氮化物、碳化物、氫化物或硅化物中的一種或多種。
[0058](3)選自Al的氧化物、Al的鹵化物、Al的氮化物或鋁金屬中的一種或多種鋁化合物。
[0059](4)選自Si的氮化物、Si的氧化物、Si的氧氮化物、硅金屬中的一種或多種硅化合物。
[0060]化合物(I)至(4)的混合比例，基于組成比a至f進(jìn)行設(shè)計(jì)即可?？梢韵蚧衔?I)至(4)中加入助熔劑。作為助熔劑,可以使用堿金屬的鹵化物、堿土金屬的鹵化物、Al的鹵化物等，例如，相對(duì)于100wt%的化合物(I)至(4)，可以在0.01~20wt%的范圍添加上述助熔劑。 [0061]Me元素以及Re元素如上所述。
[0062]在燒成工序中，優(yōu)選在I個(gè)大氣壓以上的環(huán)境氣體壓力下、并在1400°C以上至ISOO0C以下進(jìn)行燒成，進(jìn)一步優(yōu)選在1500°c以上至1700°C以下進(jìn)行燒成。當(dāng)燒成溫度為1400°C以下時(shí)，由于化合物之間不進(jìn)行充分的反應(yīng)，所以會(huì)引起第二相的生成和結(jié)晶性的下降。當(dāng)燒成溫度為1800°C以上時(shí)，通過(guò)以液相為媒介的反應(yīng)，燒成物完全變成燒結(jié)體，對(duì)其進(jìn)行粉末化時(shí)所進(jìn)行的機(jī)械粉碎等會(huì)導(dǎo)致發(fā)光效率的下降和結(jié)晶性的下降。燒成工序優(yōu)選在氮?dú)猸h(huán)境中于I個(gè)大氣壓以上的壓力下進(jìn)行。
[0063]在燒成工序的最高溫度下的保持時(shí)間根據(jù)燒成溫度而改變，但通常保持時(shí)間是I~20小時(shí)。
[0064]退火工序優(yōu)選在1200°C以上至1600°C以下進(jìn)行退火處理。退火工序的環(huán)境氣體可以是氮?dú)?、氬氣及氫氣中的一種或二種以上的混合氣體。
[0065]用于酸處理工序的酸性溶液可以是鹽酸、硫酸、硝酸中的一種或二種以上的混合溶液、或者是用離子交換水稀釋該混合溶液而得到的溶液。
[0066]可以在上述(I)至(4)的化合物中，混合有通過(guò)上述制備方法進(jìn)行制備的熒光體。在原料中加入熒光體的比例，可以是相對(duì)于混合后的原料為20wt%以下的范圍。
[0067]本發(fā)明的發(fā)光裝置包括發(fā)光元件和本發(fā)明的熒光體。所述發(fā)光裝置可以使用本發(fā)明的熒光體以及一種以上與本發(fā)明的熒光體相比在更長(zhǎng)的波長(zhǎng)處具有發(fā)光峰值波長(zhǎng)的熒光體。
[0068]與本發(fā)明的熒光體相比在更長(zhǎng)的波長(zhǎng)處具有發(fā)光峰值波長(zhǎng)的熒光體是指，在485nm以上的波長(zhǎng)區(qū)域具有發(fā)光峰值的熒光體，例如有β-SiAlON:Eu、(Ba，Sr) 2Si04:Eu、Sr-SiAlON:Eu、a-SiAlON:Eu、(Li, Ca) (Al, Si) 2 (N, 0) 3:Ce、(Ca, Sr, Ba) 2Si5N8:Eu、SrAlSi4N7:Eu、(Ca, Sr) AlSiN3:Eu、La2O2S:Eu。
[0069]發(fā)光元件優(yōu)選為，具有300nm以上至420nm以下的發(fā)光的無(wú)機(jī)發(fā)光元件或有機(jī)發(fā)光元件中的任意一種。
[0070]例如，發(fā)光元件優(yōu)選為L(zhǎng)ED元件。
[0071]發(fā)光裝置可以是液晶電視用背光源、投影儀的光源裝置、照明裝置或信號(hào)裝置。
[0072]【實(shí)施例】
[0073]下面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0074]作為熒光體的原料，使用Si3N4 (氮化硅)、Al2O3 (氧化鋁)、SrCO3 (碳酸鍶)、BaCO3(碳酸鋇)及Eu2O3 (氧化銪)的粉末。稱量上述原料，用乳缽進(jìn)行干式混合，并使形成的混合粉末的通式=MeaRebAlcSidO6Nf為規(guī)定組成比。另外，Me元素為Sr及Ba (在實(shí)施例11、12、13中，Me元素僅為Ba,在實(shí)施例15中，Me元素僅為Sr), Re元素僅為Eu。
[0075]將得到的混合粉末填充到BN (氮化硼)制的坩堝中。
[0076]將填充有混合粉末的BN制坩堝，放置在以碳纖維形成體作為絕熱材料并使用石墨加熱器加熱方式的電爐中，對(duì)混合粉末進(jìn)行燒成。如下進(jìn)行燒成，即，通過(guò)回轉(zhuǎn)泵及擴(kuò)散泵使電爐的加熱框體內(nèi)成為真空，然后于室溫下填充氮?dú)庵敝吝_(dá)到I個(gè)大氣壓，并以每小時(shí)500°C的速度從室溫升溫至1600°C，并在1600°C下保持4小時(shí)。
[0077]對(duì)燒成物進(jìn)行粉碎，制成了熒光體粉末。
[0078]利用以下方法對(duì)熒光體的發(fā)光效率進(jìn)行測(cè)定。
[0079]通過(guò)分光器將從作為光源的Xe燈發(fā)射出的光分光成405nm，從而得到激發(fā)光，利用光纖對(duì)放置在積分球內(nèi)的熒光體照射激發(fā)光，并使用大塚電子株式會(huì)社制造的MCPD-7000，觀測(cè)由該激發(fā)光引起的熒光體的發(fā)光。
[0080]表1記載的相對(duì)發(fā)光效率是以比較例I的熒光體(通稱為BAM、并具有氧化物基質(zhì)的以往的藍(lán)色熒光體，代表性組成是BaMgAlltlO17:Eu，峰值波長(zhǎng)為455nm。)的發(fā)光效率作為100%時(shí)的相對(duì)值。由光譜特征可知，實(shí)施例1至17、比較例2及3的熒光體是高亮度的熒光體，所以，相對(duì)發(fā)光效率是90%以上，是合格值。
[0081]基于熒光體的實(shí)施例的分析值求出熒光體的組成比a至f。Me元素、Re元素、Al及Si的陽(yáng)離子元素使用由ICP得到的分析值，O及N的陰離子使用由氧氮分析儀得到的分析值。結(jié)果示于表1。 [0082]【表1】
[0083]
【權(quán)利要求】
1.一種熒光體，由通式=MeaRebAleSidOeNf表示，其中，Me是選自Sr以及Ba中的一種以上元素，Re是Eu,組成比a、b、C、d、e及f具有以下關(guān)系，
a+b=l,
0.005.b〈0.25，
1.60〈c〈2.60,
2.45〈d〈4.05，
3.05〈e〈5.00,
2.75<f<4.40。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體，其中，所述組成比c、d、e及f具有以下關(guān)系，
0.500<c/d<0.720，
0.900<e/f<l.570。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熒光體，所述熒光體能夠被波長(zhǎng)300nm以上至420nm以下的光激發(fā)，并在波長(zhǎng)450nm以上至485nm以下具有發(fā)光峰值波長(zhǎng)。
4.一種熒光體的制備方法，用于制備權(quán)利要求1所述的熒光體，所述制備方法包括以下工序:對(duì)下面所示的(I)至(4)的化合物進(jìn)行混合的混合工序；對(duì)混合工序后的混合物進(jìn)行燒成的燒成工序；在燒成工序后進(jìn)行退火處理的退火工序；在退火工序后進(jìn)行酸處理的酸處理工序， (1)由Me表示的元素的碳酸鹽、氧化物、氮化物、碳化物、氫化物或硅化物中的一種或多種，所述Me是選自Sr以及Ba中的一種以上元素， (2)由Re表示的元素的碳酸鹽、氧化物、鹵化物、氮化物、碳化物、氫化物或硅化物中的一種或多種，所述Re是Eu， (3)選自Al的氧化物、Al的鹵化物、Al的氮化物或鋁金屬中的一種或多種鋁化合物， (4)選自Si的氮化物、Si的氧化物、Si的氧氮化物及硅金屬中的一種或多種硅化合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熒光體的制備方法，其中，所述燒成工序是在I個(gè)大氣壓以上的環(huán)境壓力下、并在1400°C以上至1800°C以下的溫度下進(jìn)行燒成。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的熒光體的制備方法，其中，所述退火工序是在1200°C以上至1600°C以下的溫度下進(jìn)行退火處理。
7.一種熒光體的制備方法，用于制備權(quán)利要求1所述的熒光體，所述制備方法包括以下工序:對(duì)下面所示的(I)至(4)的化合物以及利用權(quán)利要求5得到的熒光體進(jìn)行混合的混合工序；對(duì)混合工序后的混合物進(jìn)行燒成的燒成工序；在燒成工序后進(jìn)行退火處理的退火工序；在退火工序后進(jìn)行酸處理的酸處理工序， (1)由Me表示的元素的碳酸鹽、氧化物、氮化物、碳化物、氫化物或硅化物中的一種或多種，所述Me是選自Sr以及Ba中的一種以上元素， (2)由Re表示的元素的碳酸鹽、氧化物、鹵化物、氮化物、碳化物、氫化物或硅化物中的一種或多種，所述Re是Eu， (3)選自Al的氧化物、Al的鹵化物、Al的氮化物或鋁金屬中的一種或多種鋁化合物， (4)選自Si的氮化物、Si的氧化物、Si的氧氮化物及硅金屬中的一種或多種硅化合物。
8.一種發(fā)光裝置，包括發(fā)光兀件和權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的突光體。
9.一種發(fā)光裝置，包括發(fā)光元件、權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的熒光體以及一種以上與權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的熒光體相比在更長(zhǎng)的波長(zhǎng)處具有發(fā)光峰值波長(zhǎng)的熒光體。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中，所述發(fā)光元件是具有340nm以上至450nm以下的發(fā)光的無(wú)機(jī)發(fā)光元件或有機(jī)發(fā)光元件。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中，所述發(fā)光元件是LED元件。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，所述發(fā)光裝置是液晶TV用背光源、投影儀的光源裝置、照明裝置或信 號(hào)裝置。
【文檔編號(hào)】F21S2/00GK103998571SQ201380000342
【公開(kāi)日】2014年8月20日 申請(qǐng)日期:2013年4月2日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月14日
【發(fā)明者】竹田豪, 吉松良, 廣崎尚登 申請(qǐng)人:電氣化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社, 獨(dú)立行政法人物質(zhì)·材料研究機(jī)構(gòu)