一種等離子處理裝置及其處理方法
【專利摘要】一種等離子反應(yīng)腔，包括：一個射頻電源輸出射頻功率到所述等離子反應(yīng)腔；一個等離子狀態(tài)檢測裝置檢測所述等離子反應(yīng)腔內(nèi)光學(xué)信號；一個脈沖信號發(fā)生器產(chǎn)生脈沖信號并輸出到所述射頻電源；其特征在于，所述等離子狀態(tài)檢測裝置接收所述脈沖信號并處理所述檢測到的反應(yīng)腔內(nèi)的光學(xué)信號。本發(fā)明能夠在不同脈沖時間段內(nèi)，根據(jù)不同脈沖階段的功率特性對檢測到的等離子光學(xué)信號作出及時的調(diào)整，最終獲得穩(wěn)定、可靠的光學(xué)信號及時反應(yīng)等離子反應(yīng)腔內(nèi)的狀態(tài)。
【專利說明】一種等離子處理裝置及其處理方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體刻蝕工藝的等離子處理裝置及其處理方法，特別是用于脈沖型等離子反應(yīng)腔的終點檢測方法。
【背景技術(shù)】
[0002]集成電路制造工藝是一種平面制作工藝，其結(jié)合光刻、刻蝕、沉積、離子注入等多種工藝，在同一襯底表面形成大量各種類型的復(fù)雜器件，并將其互相連接已具有完整的電子功能。隨著集成電路的器件的特征尺寸不斷地縮小，集成度不斷地提高，對各步工藝的監(jiān)控及其工藝結(jié)果的精確度提出了更高的要求。
[0003]刻蝕工藝是集成電路制造工藝中最復(fù)雜的工序之一。精確監(jiān)控刻蝕工藝的刻蝕終點顯得尤為重要。在專利號為US4861419的美國專利中提供一種通過光學(xué)發(fā)射光譜法(OES)判斷等離子體刻蝕工藝的刻蝕終點監(jiān)控方法。采用OES判斷等離子體刻蝕工藝的刻蝕終點監(jiān)控方法包括:確定所檢測的元素，所述元素為所要刻蝕的膜層的成分；采集所述元素的光強度，所述光強度與所述元素的濃度相關(guān)；隨著刻蝕工藝的進(jìn)行，在刻蝕終點，膜層物質(zhì)被刻蝕完畢，所述元素在刻蝕腔的濃度減小，反應(yīng)室內(nèi)檢測到的所述元素的光強度開始減小，此時，即為刻蝕終點。
[0004]隨著加工工藝的發(fā)展，部分刻蝕工藝需要采用脈沖型等離子來實現(xiàn)刻蝕目標(biāo)，在刻蝕過程中施加到等離子 反應(yīng)腔的射頻電源不是持續(xù)穩(wěn)定的功率，而是會隨著時間的變化發(fā)生功率變化，甚至突變。典型的脈沖型等離子可以使施加的射頻功率在開通和關(guān)閉之間切換，調(diào)節(jié)開通時間占整個處理周期的比例也就是占空比來實現(xiàn)對刻蝕形貌和速度的調(diào)節(jié)。在射頻電源開通時反應(yīng)腔內(nèi)刻蝕狀態(tài)與傳統(tǒng)刻蝕過程相同，關(guān)閉時等離子在極短時間內(nèi)熄滅(幾個微秒)，只有自由基仍然存在，可以繼續(xù)進(jìn)行刻蝕，但是刻蝕的效果與開通時間不同。脈沖型等離子的特性會造成等離子發(fā)光頻譜和發(fā)光強度隨著脈沖頻率突變，傳統(tǒng)的刻蝕終點檢測裝置會把在等離子熄滅狀態(tài)時的光學(xué)信號誤認(rèn)為是等離子刻蝕終點的信號，目標(biāo)材料層刻蝕還未完成，就停止了刻蝕，嚴(yán)重干擾正常的等離子刻蝕終點判斷。
[0005]所以，在實際應(yīng)用脈沖等離子刻蝕工藝時，現(xiàn)有的判斷等離子體刻蝕工藝的刻蝕終點的監(jiān)控裝置和方法不能準(zhǔn)確地監(jiān)控等離子體刻蝕工藝的刻蝕終點，需要改進(jìn)現(xiàn)有刻蝕終點檢測裝置和方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明解決的問題是提供一種能準(zhǔn)確地監(jiān)控脈沖型等離子體刻蝕工藝的等離子反應(yīng)腔及其刻蝕終點檢測方法。
[0007]本發(fā)明的一種等離子處理裝置，包括:一種等離子處理裝置，其特征在于:包括:等離子反應(yīng)腔；射頻電源，與所述等離子反應(yīng)腔相連接，用以輸出射頻功率到所述等離子反應(yīng)腔并產(chǎn)生等離子體；等離子狀態(tài)檢測裝置，與所述等離子反應(yīng)腔相連接，用以檢測所述等離子反應(yīng)腔內(nèi)等離子體的光學(xué)信號，所述等離子狀態(tài)檢測裝置還包括一信號采集快門；脈沖信號發(fā)生器，與所述射頻電源和所述信號采集快門相連接，所述脈沖信號發(fā)生器產(chǎn)生脈沖信號，并同步輸出到所述射頻電源和所述信號采集快門，以同步控制所述等離子反應(yīng)腔內(nèi)等離子體的產(chǎn)生和等離子狀態(tài)檢測。所述等離子狀態(tài)檢測裝置為一光學(xué)信號檢測器，所述光學(xué)信號檢測器包括一信號輸出端連接到一計算機。
[0008]本發(fā)明還提供一種等離子處理裝置，包括:等離子反應(yīng)腔；射頻電源，與所述等離子反應(yīng)腔相連接，用以輸出射頻功率到所述等離子反應(yīng)腔并產(chǎn)生等離子體；等離子狀態(tài)檢測裝置，與所述等離子反應(yīng)腔相連接，用以檢測所述等離子反應(yīng)腔內(nèi)等離子體的光學(xué)信號；脈沖信號發(fā)生器，與所述射頻電源和所述等離子狀態(tài)檢測裝置相連接，所述脈沖信號發(fā)生器產(chǎn)生脈沖信號，并同步輸出到所述射頻電源和所述等離子狀態(tài)檢測裝置，以同步控制所述等離子反應(yīng)腔內(nèi)等離子體的產(chǎn)生和等離子狀態(tài)檢測。
[0009]本發(fā)明所述光學(xué)信號檢測器包括一個快門使光學(xué)信號檢測器在檢測信號和屏蔽信號之間進(jìn)行狀態(tài)轉(zhuǎn)換。等離子狀態(tài)檢測裝置為一刻蝕工藝過程終點檢測裝置。所述等離子處理裝置為一等離子體刻蝕裝置。
[0010]本發(fā)明還提供一種等離子處理裝置的處理方法，所述等離子處理裝置包括等離子反應(yīng)腔以及與所述等離子反應(yīng)腔相連接的射頻電源和等離子狀態(tài)檢測裝置，所述處理方法包括:提供一脈沖信號發(fā)生器，與所述射頻電源和所述等離子狀態(tài)檢測裝置相連接，所述脈沖信號發(fā)生器產(chǎn)生脈沖信號，并同步輸出到所述射頻電源和所述等離子狀態(tài)檢測裝置，以同步控制所述等離子反應(yīng)腔內(nèi)等離子體的產(chǎn)生和等離子狀態(tài)檢測。所述提供一脈沖信號發(fā)生器的步驟中，所述脈沖信號被供應(yīng)到所述射頻電源的射頻信號發(fā)生器，使射頻信號發(fā)生器輸出脈沖型射頻信號，產(chǎn)生脈沖型等離子體，所述脈沖型射頻信號具有高功率輸出階段和低功率輸出階段。
[0011]所述脈沖頻率大于500hz小于500Khz。脈沖型射頻信號包括高功率射頻輸出和等離子熄滅階段時，對等離子狀態(tài)檢測為在高功率射頻輸出階段檢測光學(xué)信號，屏蔽等離子熄滅階段的光學(xué)信號。脈沖型射頻信號中低功率射頻輸出階段輸出功率大于零，等離子仍然處于點燃狀態(tài)時，所述對等離子狀態(tài)檢測為放大低功率射頻輸出階段的光學(xué)信號或調(diào)低高功率射頻輸出階段的光學(xué)信號，或者是屏蔽高功率輸出階段或低功率輸出階段之一的信號。所述等離子處理裝置為一等離子體刻蝕裝置，所述等離子狀態(tài)檢測包括檢測刻蝕工藝過程的終點。
[0012]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:本發(fā)明能夠在不同脈沖時間段內(nèi)，根據(jù)不同脈沖階段的功率特性對檢測到的等離子光學(xué)信號作出及時的調(diào)整，最終獲得穩(wěn)定、可靠的光學(xué)信號及時反應(yīng)等離子反應(yīng)腔內(nèi)的狀態(tài)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1是現(xiàn)有技術(shù)在檢測脈沖型等離子體時獲得的光學(xué)信號；
[0014]圖2是本發(fā)明實施例的刻蝕終點檢測裝置示意圖；
[0015]圖3是本發(fā)明在檢測脈沖型等離子體時獲得的光學(xué)信號示意圖。
【具體實施方式】
[0016]由【背景技術(shù)】可知，通過傳統(tǒng)的終點檢測裝置不能在輸入射頻功率是脈沖狀態(tài)下精確的檢測到刻蝕終點。本發(fā)明提出將輸入射頻功率源的脈沖信號同步的提供給終點檢測裝置。
[0017]如圖2所示為本發(fā)明終點檢測裝置示意圖，圖中本發(fā)明的等離子處理裝置I包括一個等離子反應(yīng)腔100，反應(yīng)腔100內(nèi)通入反應(yīng)氣體，射頻電源10向反應(yīng)腔內(nèi)100的電極或線圈施加射頻電場，使反應(yīng)氣體電離形成等離子體。一個脈沖信號發(fā)生器20產(chǎn)生脈沖信號用于控制射頻電源10，使射頻電源輸入到反應(yīng)腔100的射頻信號輸出功率以脈沖頻率高低切換，比如0N/0FF切換，或者高功率/低功率切換。不同的功率輸入使得反應(yīng)腔內(nèi)的等離子具有不同的狀態(tài)，相應(yīng)的等離子體發(fā)光也會如圖1中所示的同步變化。一個光學(xué)信號檢測器30安裝在反應(yīng)腔側(cè)壁能夠觀測到等離子的位置處，并將光學(xué)信號轉(zhuǎn)換為電信號傳輸?shù)接嬎銠C32。光學(xué)信號檢測器30可以是CCD感應(yīng)器或者其它光學(xué)傳感器，感應(yīng)等離子反應(yīng)腔內(nèi)等離子體發(fā)出的頻譜的光線，并測量反應(yīng)腔內(nèi)反應(yīng)氣體和反應(yīng)產(chǎn)物對應(yīng)等離子的發(fā)光強度。計算機32對電信號進(jìn)行濾波、比較、存儲、運算等動作后輸出信號給監(jiān)控整個等離子處理的處理軟件34。本發(fā)明的脈沖信號發(fā)生器20產(chǎn)生的脈沖信號通過導(dǎo)線11輸入到射頻電源，同時還包括一個同步導(dǎo)線12輸入到光學(xué)信號檢測器。光學(xué)信號檢測器30在收到脈沖信號后，在脈沖信號處于OFF狀態(tài)或低功率狀態(tài)時，光學(xué)信號檢測器內(nèi)的快門被切換到屏蔽狀態(tài)。所述光學(xué)信號檢測器內(nèi)的快門可以是機械的快門，如相機內(nèi)的多片可移動的擋片，也可以是電子式的，如現(xiàn)有專利US6914630所述的:通過一個電子快門電路控制CCD感應(yīng)器處于接收光學(xué)信號狀態(tài)或者光學(xué)信號屏蔽狀態(tài)?；蛘咭部梢允荂CD控制電路內(nèi)的一段程序，根據(jù)接收到脈沖信號，作出接收光學(xué)信號或者屏蔽光學(xué)信號的處理。所以每個脈沖周期內(nèi)只有射頻輸出功率處于高輸出狀態(tài)時，相應(yīng)的光學(xué)信號才會被光學(xué)信號檢測器30檢測，并被作為刻蝕終點檢測的判斷依據(jù)。現(xiàn)有光學(xué)檢測器的掃描速度以及后續(xù)計算機進(jìn)行計算的較慢，每秒僅能取樣幾次或者幾十次，相對于現(xiàn)在常見的脈沖信號發(fā)生器產(chǎn)生的脈沖信號頻率范圍是500HZ-500Khz，所以不能通過光學(xué)探測器30本身的取樣直接判斷脈沖輸出是在高功率或是低功率狀態(tài)。
[0018]如圖3所示為本發(fā)明在檢測脈沖型等離子體時獲得的光學(xué)信號示意圖，圖中只有射頻輸出功率處于高功率狀態(tài)時對應(yīng)的光學(xué)信號。由于屏蔽了會對檢測結(jié)果造成干擾的信號所以本發(fā)明終點檢測裝置能夠?qū)崿F(xiàn)對刻蝕終點的精確檢測。本發(fā)明的光學(xué)檢測器通過脈沖信號來同步地選擇需要進(jìn)行檢測的時間段，同時屏蔽不具有參考價值的時間段，能夠獲得更能反應(yīng)等離子處理狀態(tài)的信號。
[0019]該脈沖信號可以通過一根傳輸同步信號的導(dǎo)線12來傳輸，也可以是通過無線的電磁場發(fā)射的方式，在光學(xué)檢測器設(shè)置一個信號接收端接收脈沖信號器即可。其它能夠?qū)崿F(xiàn)同步信號傳輸?shù)难b置均屬于本發(fā)明范圍。
[0020]脈沖同步信號傳輸?shù)焦鈱W(xué)檢測器內(nèi)后也可以不是通過機械的快門，而是通過內(nèi)部控制電路來使光學(xué)檢測器不接收光學(xué)信號。作為另一種方案，脈沖同步信號也可以直接傳輸?shù)接嬎銠C中，計算機根據(jù)接收到的脈沖同步信號將來自光學(xué)檢測器的信號進(jìn)行處理，留下高輸出功率時間段內(nèi)的信號，屏蔽低輸出功率時間段內(nèi)的信號。包括光學(xué)檢測器、計算機、控制軟件在內(nèi)的等離子狀態(tài)檢測裝置中任何一個部件都可以相應(yīng)設(shè)置接收脈沖信號的端口，或者同時設(shè)置能夠屏蔽低功率輸出時間段內(nèi)光學(xué)信號的硬件或軟件。
[0021]本發(fā)明脈沖等離子體除了 0N/0FF這類的等離子點燃與熄滅的交替外，也可以是射頻功率大小的交替，此時等離子體一直處于點燃狀態(tài)，只是發(fā)光亮度交替變化。在功率較低時，等離子狀態(tài)檢測裝置檢測到的光學(xué)信號仍然對等離子刻蝕終點檢測具有意義，所以也可以作為參考信號。當(dāng)脈沖信號中低功率時間比高功率時間還長時，檢測低功率時間段內(nèi)的光學(xué)信號更容易獲得穩(wěn)定的代表等離子狀態(tài)的信號。比如占空比小于30%如只有10%時，高功率時間段很短，現(xiàn)有光學(xué)系統(tǒng)無法采樣時間太短的信號，不能全面反應(yīng)等離子反應(yīng)狀態(tài)。此時用低功率時間段內(nèi)的光學(xué)信號作為刻蝕終點檢測依據(jù)更能反應(yīng)等離子反應(yīng)狀態(tài)。與之相反的，如果占空比大于70%，如90%時，則可以對高功率時間段內(nèi)的射頻信號進(jìn)行采樣而屏蔽低功率時間段的信號。所以本發(fā)明能夠在不同脈沖時間段內(nèi)，根據(jù)不同脈沖階段的功率特性對檢測到的等離子光學(xué)信號作出及時的調(diào)整，最終獲得穩(wěn)定、可靠的光學(xué)信號及時反應(yīng)等離子反應(yīng)腔內(nèi)的狀態(tài)。
[0022]本發(fā)明所述的對光學(xué)檢測信號的處理除了上述選擇高功率輸出階段和低功率輸出階段之一作為反映等離子狀態(tài)的信號，同時放棄其它階段的信號這種處理方法外。其它處理方法，比如調(diào)整檢測到的光學(xué)信號的強度，或者綜合比較多個脈沖信號來選擇所要取樣的時間段以適應(yīng)多種不同的脈沖等離子狀態(tài):第二個脈沖射頻信號添加到等離子反應(yīng)腔，最終的等離子發(fā)光亮度是兩個脈沖射頻功率輸出的綜合作用結(jié)果，此時等離子體會存在至少3個不同狀態(tài)；一個脈沖射頻電源但是其輸出脈沖型功率的占空比是隨著時間逐漸變化的，不同時間具有不同的等離子狀態(tài)。這些具有復(fù)雜等離子狀態(tài)的脈沖等離子處理方法需要，計算機或者控制軟件內(nèi)設(shè)置相應(yīng)的程序選擇最佳的、具有代表性的等離子體光學(xué)信號來采樣，或者可以對采樣到的光學(xué)信號轉(zhuǎn)化為電信號，在電路中對電信號強度作部分放大或縮小或者在計算機中對數(shù)字化的信息作加工處理獲得修正后的信號強度，以使其更能反應(yīng)等離子反應(yīng)腔內(nèi)真實的狀態(tài)。
[0023]本發(fā)明終點檢測裝置除了可以用于等離子刻蝕反應(yīng)腔，也可以用于其它反應(yīng)腔，如等離子去光刻膠(strip)反應(yīng)腔，在光刻膠被去除完成后，C02、H20等光刻膠與氧氣反應(yīng)生成的產(chǎn)物就會迅速減少，相應(yīng)的能夠在等離子體的光譜信號中觀測到；其它等離子處理工藝，只要包括:通入反應(yīng)氣體初始時光學(xué)信號處于第一狀態(tài)，在反應(yīng)完成時等離子體光學(xué)信號處于第二狀態(tài)的至少兩個狀態(tài)的工藝，均可以應(yīng)用本發(fā)明方法來監(jiān)控反應(yīng)狀態(tài)。
[0024]本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種等離子處理裝置，其特征在于:包括: 等離子反應(yīng)腔； 射頻電源，與所述等離子反應(yīng)腔相連接，用以輸出射頻功率到所述等離子反應(yīng)腔并產(chǎn)生等離子體； 等離子狀態(tài)檢測裝置，與所述等離子反應(yīng)腔相連接，用以檢測所述等離子反應(yīng)腔內(nèi)等離子體的光學(xué)信號，所述等離子狀態(tài)檢測裝置還包括一信號采集快門； 脈沖信號發(fā)生器，與所述射頻電源和所述信號采集快門相連接，所述脈沖信號發(fā)生器產(chǎn)生脈沖信號，并同步輸出到所述射頻電源和所述信號采集快門，以同步控制所述等離子反應(yīng)腔內(nèi)等離子體的產(chǎn)生和等離子狀態(tài)檢測。
2.如權(quán)利要求1所述等離子處理裝置，其特征在于，所述等離子狀態(tài)檢測裝置為一光學(xué)信號檢測器，所述光學(xué)信號檢測器包括一信號輸出端連接到一計算機。
3.如權(quán)利要求2所述等離子處理裝置，其特征在于，所述信號采集快門為一快門，使所述光學(xué)信號檢測器在信號檢測和信號屏蔽之間進(jìn)行狀態(tài)轉(zhuǎn)換。
4.如權(quán)利要求1或2所述等離子處理裝置，其特征在于，所述等離子狀態(tài)檢測裝置為一刻蝕工藝過程終點檢測裝置。
5.如權(quán)利要求1或2所述等離子處理裝置，其特征在于，所述等離子處理裝置為一等離子體刻蝕裝置。
6.一種等離子處理裝置，其特征在于:包括: 等離子反應(yīng)腔； 射頻電源，與所述等離子反應(yīng)腔相連接，用以輸出射頻功率到所述等離子反應(yīng)腔并產(chǎn)生等離子體； 等離子狀態(tài)檢測裝置，與所述等離子反應(yīng)腔相連接，用以檢測所述等離子反應(yīng)腔內(nèi)等離子體的光學(xué)信號； 脈沖信號發(fā)生器，與所述射頻電源和所述等離子狀態(tài)檢測裝置相連接，所述脈沖信號發(fā)生器產(chǎn)生脈沖信號，并同步輸出到所述射頻電源和所述等離子狀態(tài)檢測裝置，以同步控制所述等離子反應(yīng)腔內(nèi)等離子體的產(chǎn)生和等離子狀態(tài)檢測。
7.如權(quán)利要求6所述等離子處理裝置，其特征在于，所述等離子狀態(tài)檢測裝置為一光學(xué)信號檢測器，所述光學(xué)信號檢測器包括一信號輸出端連接到一計算機。
8.如權(quán)利要求6或7所述等離子處理裝置，其特征在于，所述等離子狀態(tài)檢測裝置為一刻蝕工藝過程終點檢測裝置。
9.如權(quán)利要求6所述等離子處理裝置，其特征在于，所述等離子狀態(tài)檢測裝置內(nèi)包括一控制端，所述控制端與所述脈沖信號發(fā)生器相連接，以根據(jù)接受到的脈沖信號同步地選擇對等離子狀態(tài)進(jìn)行檢測或停止檢測。
10.一種等離子處理裝置的處理方法，所述等離子處理裝置包括等離子反應(yīng)腔以及與所述等離子反應(yīng)腔相連接的射頻電源和等離子狀態(tài)檢測裝置，所述處理方法包括: 提供一脈沖信號發(fā)生器，與所述射頻電源和所述等離子狀態(tài)檢測裝置相連接，所述脈沖信號發(fā)生器產(chǎn)生脈沖信號，并同步輸出到所述射頻電源和所述等離子狀態(tài)檢測裝置，以同步控制所述等離子反應(yīng)腔內(nèi)等離子體的產(chǎn)生和等離子狀態(tài)檢測。
11.如權(quán)利要求10所述處理方法，其特征在于，所述脈沖信號被供應(yīng)到所述射頻電源，使射頻電源輸出與所述脈沖信號同步的脈沖型射頻信號，產(chǎn)生脈沖型等離子體，所述脈沖型射頻信號具有高功率輸出階段和低功率輸出階段。
12.如權(quán)利要求10所述處理方法，其特征在于，所述脈沖信號的頻率大于500hz小于500Khz。
13.如權(quán)利要求11所述處理方法，其特征在于，所述脈沖型射頻信號包括高功率輸出階段和等離子體熄滅階段，所述對等離子狀態(tài)的檢測為在所述脈沖型等離子體的高功率輸出階段檢測所述等離子體的光學(xué)信號，在所述脈沖型等離子體的等離子體熄滅階段屏蔽所述等離子體的光學(xué)信號。
14.如權(quán)利要求11所述處理方法，其特征在于，所述低功率輸出階段中輸出功率大于零，且等離子仍處于點燃狀態(tài)。
15.如權(quán)利要求14所述處理方法，其特征在于，所述對等離子狀態(tài)檢測為接收所述脈沖型等離子體在低功率輸出階段的光學(xué)信號轉(zhuǎn)換為電信號，并放大所述電信號的幅度；或者接收所述脈沖型等離子體在高功率輸出階段的光學(xué)信號轉(zhuǎn)換為電信號，并減小所述電信號的幅度。
16.如權(quán)利要求14所述處理方法，其特征在于，所述對等離子狀態(tài)的檢測為檢測高功率輸出階段或低功率輸出階段之一的光學(xué)信號，屏蔽另一個階段的光學(xué)信號。
17.如權(quán)利要求10 所述處理方法，其特征在于，所述等離子處理裝置為一等離子體刻蝕裝置，所述等離子狀態(tài)檢測包括檢測刻蝕工藝過程的終點。
【文檔編號】H01J37/32GK103943447SQ201310017593
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2013年1月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月17日
【發(fā)明者】楊平, 黃智林, 倪圖強 申請人:中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司