專利名稱：混光式多晶封裝結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種混光式多晶封裝結構，尤指一種用于增加演色性的混光式多晶封裝結構。
背景技術：
電燈的發(fā)明可以說是徹底地改變了全人類的生活方式，倘若我們的生活沒有電燈，夜晚或天氣狀況不佳的時候，一切的工作都將要停擺；倘若受限于照明，極有可能使房屋建筑方式或人類生活方式都徹底改變，全人類都將因此而無法進步，繼續(xù)停留在較落后的年代。是以，今日市面上所使用的照明設備，例如日光燈、鎢絲燈、甚至到現(xiàn)在較廣為大眾所接受的省電燈泡，皆已普遍應用于日常生活當中。然而，此類電燈大多具有光衰減快、高耗電量、容易產(chǎn)生高熱、壽命短、易碎或不易回收等缺點。因此，為了解決上述的問題，使用發(fā)光二極管所制成的發(fā)光結構因應而生。然而，傳統(tǒng)使用發(fā)光二極管所制成的發(fā)光結構皆有演色性不足的情況。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題在于，針對現(xiàn)有技術的不足提供一種混光式多晶封裝結構，其可用于增加演色性。為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種混光式多晶封裝結構，其包括一基板單元、一發(fā)光單元、一邊框單元及一封裝單元?；鍐卧哂幸换灞倔w及至少兩個設置于基板本體上表面的置晶區(qū)域。發(fā)光單元具有至少一用于產(chǎn)生紅光的第一發(fā)光模塊及至少一用于產(chǎn)生藍光的第二發(fā)光模塊，其中第一發(fā)光模塊具有多個電性設置于基板單元的其中一置晶區(qū)域上的紅色發(fā)光二極管晶粒，且第二發(fā)光模塊具有多個電性設置于基板單元的另外一置晶區(qū)域上的藍色發(fā)光二極管晶粒。邊框單元具有通過涂布的方式而圍繞地成形于基板本體上表面的至少一第一圍繞式邊框膠體及至少一第二圍繞式邊框膠體，其中第一圍繞式邊框膠體圍繞第一發(fā)光模塊，以形成至少一位于其中一置晶區(qū)域上方的第一膠體限位空間，且第二圍繞式邊框膠體圍繞第二發(fā)光模塊及第一圍繞式邊框膠體，以形成至少一位于另外一置晶區(qū)域上方且位于第一圍繞式邊框膠體與第二圍繞式邊框膠體之間的第二膠體限位空間。封裝單元具有設置于基板本體上表面以分別覆蓋第一發(fā)光模塊及第二發(fā)光模塊的一透明膠體及一熒光膠體，其中透明膠體被局限在第一膠體限位空間內，且熒光膠體被局限在第二膠體限位空間內。因此，多個紅色發(fā)光二極管晶粒與透明膠體配合而位于內圈，且多個藍色發(fā)光二極管晶粒與熒光膠體配合而位于外圈。本發(fā)明還提供一種混光式多晶封裝結構，其包括一基板單元，其具有一基板本體及至少兩個設置于該基板本體上表面的置晶區(qū)域；一發(fā)光單元，其具有至少一用于產(chǎn)生紅光的第一發(fā)光模塊及至少一用于產(chǎn)生藍光的第二發(fā)光模塊，其中上述至少一第一發(fā)光模塊具有多個電性設置于該基板單元的其中一置晶區(qū)域上的紅色發(fā)光二極管晶粒，且上述至少一第二發(fā)光模塊具有多個電性設置于該基板單元的另外一置晶區(qū)域上的藍色發(fā)光二極管晶粒；一邊框單元，其具有通過涂布的方式而圍繞地成形于該基板本體上表面的至少一第一圍繞式邊框膠體及至少一第二圍繞式邊框膠體，其中上述至少一第一圍繞式邊框膠體圍繞上述至少一第二發(fā)光模塊，以形成至少一位于其中一置晶區(qū)域上方的第一膠體限位空間，且上述至少一第二圍繞式邊框膠體圍繞上述至少一第一發(fā)光模塊及上述至少一第一圍繞式邊框膠體，以形成至少一位于另外一置晶區(qū)域上方且位于上述至少一第一圍繞式邊框膠體與上述至少一第二圍繞式邊框膠體之間的第二膠體限位空間；以及
一封裝單元，其具有設置于該基板本體上表面以分別覆蓋上述至少一第一發(fā)光模塊及上述至少一第二發(fā)光模塊的一透明膠體及一熒光膠體，其中該熒光膠體被局限在上述至少一第一膠體限位空間內，且該透明膠體被局限在上述至少一第二膠體限位空間內。本發(fā)明另外提供一種混光式多晶封裝結構，其包括一基板單兀、一發(fā)光單兀、一邊框單元及一封裝單元。其與上述兩種混光式多晶封裝結構不同的是可使用多個紅色發(fā)光元件來取替多個紅色發(fā)光二極管晶粒，且可省略透明膠體的使用。換言之，第一發(fā)光模塊的多個紅色發(fā)光元件因已封裝完成，故可直接通過SMT的方式電性連接于基板單元。換句話說，本發(fā)明另外提供一種混光式多晶封裝結構，其包括一基板單元，其具有一基板本體及至少兩個設置于該基板本體上表面的置晶區(qū)域；一發(fā)光單元，其具有至少一用于產(chǎn)生紅光的第一發(fā)光模塊及至少一用于產(chǎn)生藍光的第二發(fā)光模塊，其中上述至少一第一發(fā)光模塊具有多個電性設置于該基板單元的其中一置晶區(qū)域上的紅色發(fā)光元件，且上述至少一第二發(fā)光模塊具有多個電性設置于該基板單元的另外一置晶區(qū)域上的藍色發(fā)光二極管晶粒；一邊框單元，其具有通過涂布的方式而圍繞地成形于該基板本體上表面的至少一第一圍繞式邊框膠體及至少一第二圍繞式邊框膠體，其中上述至少一第一圍繞式邊框膠體圍繞上述至少一第一發(fā)光模塊，且上述至少一第二圍繞式邊框膠體圍繞上述至少一第二發(fā)光模塊及上述至少一第一圍繞式邊框膠體，以形成至少一位于上述另外一置晶區(qū)域上方且位于上述至少一第一圍繞式邊框膠體與上述至少一第二圍繞式邊框膠體之間的膠體限位空間；以及一封裝單元，其具有一設置于該基板本體上表面以覆蓋上述至少一第二發(fā)光模塊的熒光膠體，其中該熒光膠體被局限在上述至少一膠體限位空間內。本發(fā)明還提供了一種混光式多晶封裝結構，其包括一基板單兀、一發(fā)光單兀、一邊框單元及一封裝單元。其與上述任一種混光式多晶封裝結構不同的是多個紅色發(fā)光二極管晶粒與透明膠體配合而位于外圈，且多個藍色發(fā)光二極管晶粒與熒光膠體配合而位于內圈。換句話說，本發(fā)明另外提供一種混光式多晶封裝結構，其包括一基板單元，其具有一基板本體及至少兩個設置于該基板本體上表面的置晶區(qū)域；一發(fā)光單元，其具有至少一用于產(chǎn)生紅光的第一發(fā)光模塊及至少一用于產(chǎn)生藍光的第二發(fā)光模塊，其中上述至少一第一發(fā)光模塊具有多個電性設置于該基板單元的其中一置晶區(qū)域上的紅色發(fā)光元件，且上述至少一第二發(fā)光模塊具有多個電性設置于該基板單元的另外一置晶區(qū)域上的藍色發(fā)光二極管晶粒；一邊框單元，其具有通過涂布的方式而圍繞地成形于該基板本體上表面的至少一第一圍繞式邊框膠體及至少一第二圍繞式邊框膠體，其中上述至少一第一圍繞式邊框膠體圍繞上述至少一第二發(fā)光模塊，以形成至少一位于其中一置晶區(qū)域上方的膠體限位空間，且上述至少一第二圍繞式邊框膠體圍繞上述至少一第一發(fā)光模塊及上述至少一第一圍繞式邊框膠體；以及一封裝單元，其具有一設置于該基板本體上表面以覆蓋上述至少一第二發(fā)光模塊 的熒光膠體，其中該熒光膠體被局限在上述至少一膠體限位空間內。綜上所述，本發(fā)明所提供的多晶封裝結構，其可通過“多個紅色發(fā)光二極管晶粒與透明膠體配合后所產(chǎn)生的紅色光源(或多個已封裝完成的紅色發(fā)光元件)”與“藍色發(fā)光二極管晶粒與熒光膠體配合后所產(chǎn)生的白色光源”相互產(chǎn)生混光效果，進而提升本發(fā)明混光式多晶封裝結構所能夠呈現(xiàn)的演色性。為了能更進一步了解本發(fā)明的特征及技術內容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。


圖IA為本發(fā)明實施例一的俯視示意圖；圖IB為本發(fā)明實施例一的側視剖面示意圖；圖IC為本發(fā)明實施例一進行混光后的光譜圖；圖ID為本發(fā)明實施例一的功能方塊圖；圖IE為本發(fā)明實施例一選用兩個限流芯片的電路不意圖；圖2為本發(fā)明實施例二的俯視示意圖；圖3為本發(fā)明實施例三的側視剖面示意圖；圖4為本發(fā)明實施例四的側視剖面示意圖；圖5為本發(fā)明實施例五的俯視示意圖；圖6為本發(fā)明實施例六的俯視示意圖；圖7為本發(fā)明使用多個備用焊墊的局部俯視示意圖；圖8A為本發(fā)明使用另外一種電路基板的局部側視不意圖；以及圖8B為本發(fā)明使用另外再一種電路基板的局部側視示意圖。主要元件附圖標記說明混光式多晶封裝結構M第一組發(fā)光結構NI第二組發(fā)光結構N2基板單元I基板本體10電路基板100電極層100’散熱層101導電焊墊102
絕緣層103置晶區(qū)域11隔熱狹縫12第一發(fā)光模塊2a紅色發(fā)光二極管晶粒20a正極201a負極202a紅色發(fā)光元件20a’第二發(fā)光模塊2b藍色發(fā)光二極管晶粒20b正極201b負極202b邊框單元3 第一圍繞式邊框膠體 30a第二圍繞式邊框膠體 30b第三圍繞式邊框膠體 30c接合凸部300第一膠體限位空間300a膠體限位空間300a’第二膠體限位空間300b膠體限位空間300b’圓弧切線T角度Θ高度H寬度W封裝單元4 透明膠體 40a熒光膠體40b不透光膠體40c限流單元C 限流芯片 Cl導線單元W 第一導線 Wl第二導線W2定電壓源供應器S粘著體Al、
導電體A具體實施例方式實施例一請參閱圖IA與圖IB所示，本發(fā)明實施例一提供一種混光式多晶封裝結構M，其包括一基板單兀I、一發(fā)光單兀、一邊框單兀3及一封裝單兀4?；鍐卧狪具有至少一基板本體10及至少兩個設置于基板本體10上表面的置晶區(qū)域11。此外，基板本體10具有一電路基板100、一設置于電路基板100底部的散熱層101、多個設置于電路基板100上表面的導電焊墊102、及一設置于電路基板100上表面并用于露出上述多個導電焊墊102的絕緣層103。因此，散熱層101可用于增加電路基板100的散熱效能，且上述多個絕緣層103為一種可用于只讓上述多個導電焊墊102裸露出來并且達到局限焊接區(qū)域的防焊層。發(fā)光單元具有至少一用于產(chǎn)生紅光的第一發(fā)光模塊2a及至少一用于產(chǎn)生藍光的第二發(fā)光模塊2b，其中第一發(fā)光模塊2a具有多個電性設置于基板單元I的其中一置晶區(qū)域11上的紅色發(fā)光二極管晶粒(未封裝的裸晶)20a，且第二發(fā)光模塊2b具有多個電性設置于基板單元I的另外一置晶區(qū)域11上的藍色發(fā)光二極管晶粒(裸晶)20b。換言之，設計者可預先在基板單元I上規(guī)劃出至少兩塊預定的置晶區(qū)域11，以使得上述多個紅色發(fā)光二極管晶粒20a及上述多個藍色發(fā)光二極管晶粒20b可通過打線的方式分別電性設置在基板單元I的兩個置晶區(qū)域11上。邊框單元3具有通過涂布或任何其他的成形方式而圍繞地成形于基板本體10上表面的至少一第一圍繞式邊框膠體30a及至少一第二圍繞式邊框膠體30b，其中第一圍繞式邊框膠體30a圍繞第一發(fā)光模塊2a，以形成至少一位于其中一置晶區(qū)域11上方的第一膠 體限位空間300a，且第二圍繞式邊框膠體30b圍繞第二發(fā)光模塊2b及第一圍繞式邊框膠體30a,以形成至少一位于另外一置晶區(qū)域11上方且位于第一圍繞式邊框膠體30a與第二圍繞式邊框膠體30b之間的第二膠體限位空間300b。再者，第一與第二圍繞式邊框膠體30a、30b皆具有一接合凸部300 (或一接合凹部)，亦即當?shù)谝慌c第二圍繞式邊框膠體30a、30b的圍繞成形制作程序快結束時，接合凸部300(或一接合凹部)即會自然產(chǎn)生。此外，第一與第二圍繞式邊框膠體30a、30b的上表面皆為一圓弧形，第一與第二圍繞式邊框膠體30a、30b相對于基板本體10上表面的圓弧切線T的角度Θ皆可介于40度至50度之間，第一與第二圍繞式邊框膠體30a、30b的頂面相對于基板本體10上表面的高度H皆可介于O. 3mm至O. 7mm之間，第一與第二圍繞式邊框膠體30a、30b底部的寬度W皆可介于I. 5mm至3mm之間,第一與第二圍繞式邊框膠體30a、30b的觸變指數(shù)(thixotropic index)皆可介于4至6之間，且第一與第二圍繞式邊框膠體30a、30b皆為一內部具有無機添加顆粒的白色熱硬化邊框膠體。封裝單元4具有成形于基板本體10上表面以分別覆蓋第一發(fā)光模塊2a及第二發(fā)光模塊2b的一透明膠體40a及一突光膠體40b,其中透明膠體40a被局限在第一膠體限位空間300a內，且熒光膠體40b被局限在第二膠體限位空間300b內。另外，第一圍繞式邊框膠體30a與第二圍繞式邊框膠體30b排列成一同心圓狀，第二發(fā)光模塊2b設置于第一圍繞式邊框膠體30a與第二圍繞式邊框膠體30b之間，且上述多個藍色發(fā)光二極管晶粒20b可經(jīng)由圍繞第一圍繞式邊框膠體30a的方式來設置(如圖IA所示)。另外，設置于內圈的第一組發(fā)光結構NI包括基板本體10、多個紅色發(fā)光二極管晶粒20a、第一圍繞式邊框膠體30a及透明膠體40a。設置于外圈的第二組發(fā)光結構N2包括基板本體10、多個藍色發(fā)光二極管晶粒20b、第二圍繞式邊框膠體30b及熒光膠體40b。再者，依據(jù)不同的設計需求，第一組發(fā)光結構NI與第二組發(fā)光結構N2可共用同一個基板單元I (如實施例一所舉的例子)或分別使用不同的基板單元，且第一組發(fā)光結構NI與第二組發(fā)光結構N2組合成本發(fā)明混光式多晶封裝結構M。此外，如同圖IC所示的光譜圖，由于“多個紅色發(fā)光二極管晶粒20a與透明膠體40a配合后所產(chǎn)生的紅色光源”與“藍色發(fā)光二極管晶粒20b與熒光膠體40b配合后所產(chǎn)生的白色光源”可以相互產(chǎn)生混光效果，進而提升本發(fā)明混光式多晶封裝結構M所能夠呈現(xiàn)的演色性(例如，平均演色性Ra的提升，特別是正紅色演色性R9的提升)。關于本案在電壓為24(V)與電流為I. 25(A)的條件下，所得到的相關實驗數(shù)據(jù)，如下所示
權利要求
1.一種混光式多晶封裝結構，其特征在于，包括 一基板單元，其具有一基板本體及至少兩個設置于該基板本體上表面的置晶區(qū)域； 一發(fā)光單元，其具有至少一用于產(chǎn)生紅光的第一發(fā)光模塊及至少一用于產(chǎn)生藍光的第二發(fā)光模塊，其中上述至少一第一發(fā)光模塊具有多個電性設置于該基板單元的其中一置晶區(qū)域上的紅色發(fā)光二極管晶粒，且上述至少一第二發(fā)光模塊具有多個電性設置于該基板單元的另外一置晶區(qū)域上的藍色發(fā)光二極管晶粒； 一邊框單元，其具有通過涂布的方式而圍繞地成形于該基板本體上表面的至少一第一圍繞式邊框膠體及至少一第二圍繞式邊框膠體，其中上述至少一第一圍繞式邊框膠體圍繞上述至少一第一發(fā)光模塊，以形成至少一位于其中一置晶區(qū)域上方的第一膠體限位空間，且上述至少一第二圍繞式邊框膠體圍繞上述至少一第二發(fā)光模塊及上述至少一第一圍繞式邊框膠體，以形成至少一位于另外一置晶區(qū)域上方且位于上述至少一第一圍繞式邊框膠體與上述至少一第二圍繞式邊框膠體之間的第二膠體限位空間；以及 一封裝單元，其具有設置于該基板本體上表面以分別覆蓋上述至少一第一發(fā)光模塊及 上述至少一第二發(fā)光模塊的一透明膠體及一熒光膠體，其中該透明膠體被局限在上述至少一第一膠體限位空間內，且該熒光膠體被局限在上述至少一第二膠體限位空間內。
2.如權利要求I所述的混光式多晶封裝結構，其特征在于，上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體皆具有一接合凸部或一接合凹部。
3.如權利要求I所述的混光式多晶封裝結構，其特征在于，上述至少一第一圍繞式邊框膠體與上述至少一第二圍繞式邊框膠體排列成一同心圓狀，上述至少一第二發(fā)光模塊設置于上述至少一第一圍繞式邊框膠體與上述至少一第二圍繞式邊框膠體之間，且上述多個藍色發(fā)光二極管晶粒圍繞上述至少一第一圍繞式邊框膠體。
4.如權利要求I所述的混光式多晶封裝結構，其特征在于，上述至少一第一圍繞式邊框膠體為透明膠體或熒光膠體，且上述至少一第二圍繞式邊框膠體為透明膠體、熒光膠體或反光膠體。
5.如權利要求I所述的混光式多晶封裝結構，其特征在于，上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體的上表面皆為一圓弧形，上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體相對于該基板本體上表面的圓弧切線的角度皆介于40度至50度之間，上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體的頂面相對于該基板本體上表面的高度皆介于0. 3mm至0. 7mm之間，上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體底部的寬度皆介于I. 5mm至3_之間，上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體的觸變指數(shù)皆介于4至6之間，且上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體皆為一內部具有無機添加顆粒的白色熱硬化邊框膠體。
6.如權利要求I所述的混光式多晶封裝結構，其特征在于，該基板單元具有多個設置于該基板本體上表面的正極焊墊及多個設置于該基板本體上表面的負極焊墊；其中每一個紅色發(fā)光二極管芯片具有一正極及一負極，每一個紅色發(fā)光二極管芯片的正極對應于上述多個正極焊墊中的至少兩個，每一個紅色發(fā)光二極管芯片的負極對應于上述多個負極焊墊中的至少兩個；其中每一個藍色發(fā)光二極管芯片具有一正極及一負極，每一個藍色發(fā)光二極管芯片的正極對應于上述多個正極焊墊中的至少兩個，每一個藍色發(fā)光二極管芯片的負極對應于上述多個負極焊墊中的至少兩個。
7.如權利要求6所述的混光式多晶封裝結構，其特征在于，更進一步包括一導線單元，其具有多條第一導線及多條第二導線；其中每兩條第一導線分別電性連接于每一個紅色發(fā)光二極管芯片的正極與上述至少兩個所對應的正極焊墊中的其中一個之間及電性連接于每一個紅色發(fā)光二極管芯片的負極與上述至少兩個所對應的負極焊墊中的其中一個之間；其中每兩條第二導線分別電性連接于每一個藍色發(fā)光二極管芯片的正極與上述至少兩個所對應的正極焊墊中的其中一個之間及電性連接于每一個藍色發(fā)光二極管芯片的負極與上述至少兩個所對應的負極焊墊中的其中一個之間。
8.如權利要求I所述的混光式多晶封裝結構，其特征在于，更進一步包括一限流單元，其具有至少兩個電性設置于該基板本體上表面且與上述至少一第二圍繞式邊框膠體彼此分離一特定距離的限流芯片，其中該邊框單元具有至少兩個通過涂布的方式而圍繞地成形于該基板本體上表面且分別圍繞上述至少兩個限流芯片的第三圍繞式邊框膠體，該封裝單元具有至少兩個分別覆蓋上述至少兩個限流芯片且分別被上述至少兩個第三圍繞式邊框膠體所圍繞的不透光膠體，上述至少一第一發(fā)光模塊與上述至少一第二發(fā)光模塊以并聯(lián) 的方式電性連接于該基板本體，上述多個紅色發(fā)光二極管芯片與上述至少兩個限流芯片中的其中一個彼此電性串聯(lián)，且上述多個藍色發(fā)光二極管芯片與上述至少兩個限流芯片中的另外一個彼此電性串聯(lián)。
9.如權利要求8所述的混光式多晶封裝結構，其特征在于，該基板單元具有至少一貫穿該基板本體的隔熱狹縫，且上述至少一隔熱狹縫位于該發(fā)光單元與該限流單元之間或位于上述至少一第二圍繞式邊框膠體與上述至少一第三圍繞式邊框膠體之間。
10.一種混光式多晶封裝結構，其特征在于，包括 一基板單元，其具有一基板本體及至少兩個設置于該基板本體上表面的置晶區(qū)域； 一發(fā)光單元，其具有至少一用于產(chǎn)生紅光的第一發(fā)光模塊及至少一用于產(chǎn)生藍光的第二發(fā)光模塊，其中上述至少一第一發(fā)光模塊具有多個電性設置于該基板單元的其中一置晶區(qū)域上的紅色發(fā)光二極管晶粒，且上述至少一第二發(fā)光模塊具有多個電性設置于該基板單元的另外一置晶區(qū)域上的藍色發(fā)光二極管晶粒； 一邊框單元，其具有通過涂布的方式而圍繞地成形于該基板本體上表面的至少一第一圍繞式邊框膠體及至少一第二圍繞式邊框膠體，其中上述至少一第一圍繞式邊框膠體圍繞上述至少一第二發(fā)光模塊，以形成至少一位于其中一置晶區(qū)域上方的第一膠體限位空間，且上述至少一第二圍繞式邊框膠體圍繞上述至少一第一發(fā)光模塊及上述至少一第一圍繞式邊框膠體，以形成至少一位于另外一置晶區(qū)域上方且位于上述至少一第一圍繞式邊框膠體與上述至少一第二圍繞式邊框膠體之間的第二膠體限位空間；以及 一封裝單元，其具有設置于該基板本體上表面以分別覆蓋上述至少一第一發(fā)光模塊及上述至少一第二發(fā)光模塊的一透明膠體及一熒光膠體，其中該熒光膠體被局限在上述至少一第一膠體限位空間內，且該透明膠體被局限在上述至少一第二膠體限位空間內。
11.如權利要求10所述的混光式多晶封裝結構，其特征在于，上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體皆具有一接合凸部或一接合凹部。
12.如權利要求10所述的混光式多晶封裝結構,其特征在于,上述至少一第一圍繞式邊框膠體與上述至少一第二圍繞式邊框膠體排列成一同心圓狀，上述至少一第一發(fā)光模塊設置于上述至少一第一圍繞式邊框膠體與上述至少一第二圍繞式邊框膠體之間，且上述多個紅色發(fā)光二極管晶粒圍繞上述至少一第一圍繞式邊框膠體。
13.如權利要求10所述的混光式多晶封裝結構,其特征在于,上述至少一第一圍繞式邊框膠體為透明膠體或熒光膠體，且上述至少一第二圍繞式邊框膠體為透明膠體、熒光膠體或反光膠體。
14.如權利要求10所述的混光式多晶封裝結構，其特征在于，上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體的上表面皆為一圓弧形，上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體相對于該基板本體上表面的圓弧切線的角度皆介于40度至50度之間，上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體的頂面相對于該基板本體上表面的高度皆介于0. 3mm至0. 7mm之間，上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體底部的寬度皆介于I. 5mm至3_之間，上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體的觸變指數(shù)皆介于4至6之間，且上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體皆為一內部具有無機添加顆粒的白色熱硬化邊框膠體。
15.如權利要求10所述的混光式多晶封裝結構，其特征在于，該基板單元具有多個設置于該基板本體上表面的正極焊墊及多個設置于該基板本體上表面的負極焊墊；其中每一個紅色發(fā)光二極管芯片具有一正極及一負極，每一個紅色發(fā)光二極管芯片的正極對應于上述多個正極焊墊中的至少兩個，每一個紅色發(fā)光二極管芯片的負極對應于上述多個負極焊墊中的至少兩個；其中每一個藍色發(fā)光二極管芯片具有一正極及一負極，每一個藍色發(fā)光二極管芯片的正極對應于上述多個正極焊墊中的至少兩個，每一個藍色發(fā)光二極管芯片的負極對應于上述多個負極焊墊中的至少兩個。
16.如權利要求10所述的混光式多晶封裝結構，其特征在于，更進一步包括一限流單元，其具有至少兩個電性設置于該基板本體上表面且與上述至少一第二圍繞式邊框膠體彼此分離一特定距離的限流芯片，其中該邊框單元具有至少兩個通過涂布的方式而圍繞地成形于該基板本體上表面且分別圍繞上述至少兩個限流芯片的第三圍繞式邊框膠體，該封裝單元具有至少兩個分別覆蓋上述至少兩個限流芯片且分別被上述至少兩個第三圍繞式邊框膠體所圍繞的不透光膠體，上述至少一第一發(fā)光模塊與上述至少一第二發(fā)光模塊以并聯(lián)的方式電性連接于該基板本體，上述多個紅色發(fā)光二極管芯片與上述至少兩個限流芯片中的其中一個彼此電性串聯(lián)，且上述多個藍色發(fā)光二極管芯片與上述至少兩個限流芯片中的另外一個彼此電性串聯(lián)。
17.如權利要求16所述的混光式多晶封裝結構，其特征在于，該基板單元具有至少一貫穿該基板本體的隔熱狹縫，且上述至少一隔熱狹縫位于該發(fā)光單元與該限流單元之間或位于上述至少一第二圍繞式邊框膠體與上述至少一第三圍繞式邊框膠體之間。
18.—種混光式多晶封裝結構，其特征在于，包括 一基板單元，其具有一基板本體及至少兩個設置于該基板本體上表面的置晶區(qū)域； 一發(fā)光單元，其具有至少一用于產(chǎn)生紅光的第一發(fā)光模塊及至少一用于產(chǎn)生藍光的第二發(fā)光模塊，其中上述至少一第一發(fā)光模塊具有多個電性設置于該基板單元的其中一置晶區(qū)域上的紅色發(fā)光元件，且上述至少一第二發(fā)光模塊具有多個電性設置于該基板單元的另外一置晶區(qū)域上的藍色發(fā)光二極管晶粒； 一邊框單元，其具有通過涂布的方式而圍繞地成形于該基板本體上表面的至少一第一圍繞式邊框膠體及至少一第二圍繞式邊框膠體，其中上述至少一第一圍繞式邊框膠體圍繞上述至少一第一發(fā)光模塊，且上述至少一第二圍繞式邊框膠體圍繞上述至少一第二發(fā)光模塊及上述至少一第一圍繞式邊框膠體，以形成至少一位于上述另外一置晶區(qū)域上方且位于上述至少一第一圍繞式邊框膠體與上述至少一第二圍繞式邊框膠體之間的膠體限位空間；以及 一封裝單元，其具有一設置于該基板本體上表面以覆蓋上述至少一第二發(fā)光模塊的熒光膠體，其中該熒光膠體被局限在上述至少一膠體限位空間內。
19.如權利要求18所述的混光式多晶封裝結構，其特征在于，上述至少一第一與第二圍繞式邊框膠體皆具有一接合凸部或一接合凹部。
20.一種混光式多晶封裝結構，其特征在于，包括 一基板單元，其具有一基板本體及至少兩個設置于該基板本體上表面的置晶區(qū)域； 一發(fā)光單元，其具有至少一用于產(chǎn)生紅光的第一發(fā)光模塊及至少一用于產(chǎn)生藍光的第二發(fā)光模塊，其中上述至少一第一發(fā)光模塊具有多個電性設置于該基板單元的其中一置晶區(qū)域上的紅色發(fā)光元件，且上述至少一第二發(fā)光模塊具有多個電性設置于該基板單元的另外一置晶區(qū)域上的藍色發(fā)光二極管晶粒； 一邊框單元，其具有通過涂布的方式而圍繞地成形于該基板本體上表面的至少一第一圍繞式邊框膠體及至少一第二圍繞式邊框膠體，其中上述至少一第一圍繞式邊框膠體圍繞上述至少一第二發(fā)光模塊，以形成至少一位于其中一置晶區(qū)域上方的膠體限位空間，且上述至少一第二圍繞式邊框膠體圍繞上述至少一第一發(fā)光模塊及上述至少一第一圍繞式邊框膠體；以及 一封裝單元，其具有一設置于該基板本體上表面以覆蓋上述至少一第二發(fā)光模塊的熒光膠體，其中該熒光膠體被局限在上述至少一膠體限位空間內。
全文摘要
一種混光式多晶封裝結構，其包括基板單元、發(fā)光單元、邊框單元及封裝單元；發(fā)光單元的第一發(fā)光模塊具有多個設置于基板單元上的紅色發(fā)光二極管晶粒，且發(fā)光單元的第二發(fā)光模塊具有多個設置于基板單元上的藍色發(fā)光二極管晶粒；邊框單元的第一圍繞式邊框膠體圍繞第一發(fā)光模塊，且邊框單元的第二圍繞式邊框膠體圍繞第二發(fā)光模塊與第一圍繞式邊框膠體；封裝單元的透明膠體與熒光膠體分別覆蓋第一與第二發(fā)光模塊。通過“多個紅色發(fā)光二極管晶粒與透明膠體配合后所產(chǎn)生的紅色光源”與“藍色發(fā)光二極管晶粒與熒光膠體配合后所產(chǎn)生的白色光源”的相互混光以提升演色性。
文檔編號F21Y101/02GK102644904SQ20111004168
公開日2012年8月22日 申請日期2011年2月21日 優(yōu)先權日2011年2月21日
發(fā)明者吳朝欽, 戴世能, 鐘嘉珽 申請人:柏友照明科技股份有限公司