專利名稱：電子撞擊型x射線源中碎片的減少的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
在此公開的發(fā)明改進(jìn)總地涉及電子撞擊型X射線源。更具體地，本公開
致力于具有液體噴流(liquid-jet)陽(yáng)極的電子撞擊型x射線源中碎片(debris) 的減少和x射線亮度的改善。
背景技術(shù)：
自從Roentgen在19世紀(jì)之交發(fā)現(xiàn)x射線以來(lái)，x射線已用于成像。由 于可用到的x射線光非常有限，所以x射線成像仍主要基于吸收放射線照相
(absorption shadowgraph )。即使對(duì)現(xiàn)代計(jì)算機(jī)x射線斷層造影術(shù)(Computer Tomography, CT)成像，這也是基本事實(shí)，因此x射線源的亮度在許多應(yīng) 用中是限制曝光時(shí)間和可獲得的分辨率的品質(zhì)因數(shù)(figure of merit )。
當(dāng)今，x射線成像是科學(xué)、醫(yī)學(xué)和工業(yè)中普遍和標(biāo)準(zhǔn)的方法。盡管沿用 已久，但是有許多應(yīng)用將極大地受益于增大的亮度。其中，有需要高空間分 辨率的醫(yī)學(xué)應(yīng)用例如乳房x線照相術(shù)(mammography )和血管照相術(shù)
(angiography),還有需要單色輻射(其目前不能通過(guò)合理的曝光次數(shù)實(shí)現(xiàn)) 的新興技術(shù)。此外，某些蛋白質(zhì)結(jié)晶學(xué)(proteincrystallography)(現(xiàn)在只在 同步輻射設(shè)施中是可行的)可以通過(guò)緊湊源(compact source )變得可行。而 且，緊湊x射線源的亮度的顯著增大可以通過(guò)合理的曝光次數(shù)實(shí)現(xiàn)相(phase ) 成像。這是重要的，因?yàn)橄鄬?duì)比度(phase contrast)通常比吸收對(duì)比度高得 多。此外，相對(duì)比度成像能減少成像期間的吸收劑量。
緊湊電子撞擊源中產(chǎn)生x射線的基本物理從Roentgen時(shí)代起是相同的。 當(dāng)電子撞擊靶時(shí)，電子以兩種方式之一失去能量它們可以在靠近原子核的 電場(chǎng)中減速并發(fā)射連續(xù)的韌致輻射(bremsstrahlung radiation),或者它們可 以將內(nèi)殼層電子撞出，導(dǎo)致在空位被填充時(shí)發(fā)射特征x射線光子。通過(guò)電子 撞擊產(chǎn)生x射線的效率很差，通常在1%以下，電子束攜帶的能量的大部分 被轉(zhuǎn)化成熱。
目前現(xiàn)有技術(shù)的緊湊電子撞擊x射線源的亮度受到陽(yáng)極中熱效應(yīng)的限制。x射線譜的亮度(也就是光子數(shù)/(mm、rs.BW),其中BW代表帶寬 (bandwidth))與陽(yáng)極處的有效電子束功率密度成比例，該功率密度必須被 限制為不使陽(yáng)極熔化或以其他方式損傷陽(yáng)極。自從第一陰極射線管以來(lái)，只 有兩種基本技術(shù)，線聚焦和旋轉(zhuǎn)陽(yáng)極，已被引入以提高陽(yáng)極的功率負(fù)載容量。 在二十世紀(jì)二十年代引入的線聚焦(line focus)原理利用了以下事實(shí)， 即，通過(guò)擴(kuò)展打靶面積(targetedarea)而在一角度觀察陽(yáng)極以保持表觀源面 積(apparent source area)基本恒定，x射線發(fā)射是非蘭式的(non-Lambertian ) 以增大有效功率負(fù)載容量。忽略Heel效應(yīng)和視場(chǎng)(field of view),該技巧將 可獲得的功率負(fù)載容量增大到約10倍。旋轉(zhuǎn)陽(yáng)極在二十世紀(jì)三十年代引入 以通過(guò)旋轉(zhuǎn)錐形陽(yáng)極來(lái)連續(xù)提供冷的耙表面，以進(jìn)一步擴(kuò)展有效電子束加熱 區(qū)域。
在這些改進(jìn)之后，相關(guān)于亮度的進(jìn)展對(duì)于緊湊電子撞擊源是相當(dāng)緩慢 的，這是由于在靶材料、熱傳導(dǎo)、熱存儲(chǔ)、旋轉(zhuǎn)速度等方面工程的完善。目 前現(xiàn)有技術(shù)的源允許100-150kW/mm2的有效電子束功率密度。 一般的高端 設(shè)備是例如10kW、 0.3 x 0.3mm2的有效x射線斑點(diǎn)(spot)尺寸的血管照相 術(shù)系統(tǒng)和1.5kW、 0.1 x 0.1mm2的有效x射線斑點(diǎn)尺寸的精細(xì)聚焦乳房x射 線照相術(shù)系統(tǒng)。低功率的微聚焦源(4W、 5ptn的有效x射線斑點(diǎn)尺寸)具 有類似的有效功率密度(200kW/mm2)并且也受到熱效應(yīng)的限制。
現(xiàn)代旋轉(zhuǎn)陽(yáng)極的功率負(fù)載極限可以如下計(jì)算
其中爿咖c加e是表觀X射線源面積，i 是陽(yáng)極半徑，/是斑點(diǎn)高度，23是斑點(diǎn) 寬度，T^似是在損壞(breakdown)前的最大許可溫度，Zi是安全裕度 (safety margin), n咖是陽(yáng)極初始溫度，人是熱導(dǎo)率，p是密度，c^是比熱 (specific heat capacity ), /是旋轉(zhuǎn)頻率，f是負(fù)載周期，A:是考慮到徑向熱傳 導(dǎo)、輻射熱損失和陽(yáng)極厚度的校正因子。從公式l可以看出，增大功率負(fù)載 極限的唯一的方法是增大斑點(diǎn)速率，即/和/ 。不幸的是即使非常不實(shí)際的 一組參數(shù)(lm直徑的陽(yáng)極和1kHz的旋轉(zhuǎn))也只能將輸出通量增大到約6 倍。因此，常規(guī)的x射線源技術(shù)不太可能更進(jìn)一步地發(fā)展，即使付出巨大的 工程上的努力。增大基于電子撞擊的緊湊硬X射線源的亮度的方法是允許較高的電子束 功率密度的才艮本上不同的陽(yáng)極構(gòu)造。為此，之前已才艮道了新的液體金、屬噴流
(liquid-metal-jet)陽(yáng)極概念。如下面說(shuō)明的，由于根本不同的熱限制，此陽(yáng) 極構(gòu)造可以允許比現(xiàn)有技術(shù)顯著更高(>100倍)的單位面積的熱負(fù)載。液 體噴流系統(tǒng)已經(jīng)在碎片可忽略的(negligible debris)激光產(chǎn)生等離子體軟x 射線和EUV源中廣泛地用作靶。液體鎵噴流也在飛秒激光等離子體實(shí)驗(yàn)中 用作產(chǎn)生硬x射線的靶。而且，電子束已與水噴流結(jié)合以用于通過(guò)熒光
(fluorescence)產(chǎn)生低功率軟x射線。先前已報(bào)道了具有液體陽(yáng)極(靜態(tài)的 或在表面上流動(dòng))的x射線管，但它們用于高亮度操作的優(yōu)點(diǎn)受到限制，因 為此系統(tǒng)固有的低的流速和冷卻能力。近來(lái)的工作還包括在薄窗后流動(dòng)的液 體陽(yáng)極。
與常規(guī)陽(yáng)極相比，液體金屬噴流系統(tǒng)的高得多的功率密度容量(2-3個(gè) 量級(jí)或更大)簡(jiǎn)單地說(shuō)是由于三個(gè)主要原因(i)與固體陽(yáng)極相比液體噴流 陽(yáng)極的不同的熱性質(zhì)，(ii)比旋轉(zhuǎn)陽(yáng)極可行的情況相比更高噴流速度的潛 力，以及(iii)液體噴流的再生特性，這使對(duì)保證陽(yáng)極完好無(wú)損的要求更加 松動(dòng)。
然而，當(dāng)試圖增大此系統(tǒng)的功率時(shí)，碎片的發(fā)射是潛在的實(shí)際困難。因 此，需要作出改進(jìn)以減少液體噴流陽(yáng)極x射線源的碎片問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
簡(jiǎn)言之，這里提出一種產(chǎn)生x射線輻射的方法，其特征在于電子束在靶 噴流的橫向方向上的半高全寬(foil width at half maximum ， FWHM)是靶噴 流橫向尺寸的約50%或更小?，F(xiàn)在已發(fā)現(xiàn)，這導(dǎo)致靶噴流上的非常熱的電子 束撞擊區(qū)域的可觀的屏蔽效果，于是有利地減少所產(chǎn)生的碎片的量。此外， 獲得了額外的技術(shù)效果，當(dāng)從側(cè)面觀察x射線斑點(diǎn)時(shí)有效功率密度增大。該 效果與前面描述的線聚焦原理類似。
因此，在此公開的發(fā)明原理具有吸引人的優(yōu)勢(shì)，即可以獲得碎片的減少 而不顯著增大靶噴流傳播速度，而是通過(guò)采用撞擊在耙上時(shí)具有大約為靶噴 流的橫向尺寸的一半或更小的半高全寬(FWHM)的電子束。通過(guò)采用比靶 噴流的橫向尺寸顯著更小的電子束，靶噴流將產(chǎn)生屏蔽效應(yīng)，其以有利的方 式限制了所產(chǎn)生的碎片的量。本發(fā)明原理還延伸到產(chǎn)生X射線輻射的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括實(shí)施該方法 的裝置。
應(yīng)理解，撞擊靶噴流處的電子束的尺寸(FWHM)可以略大于靶噴流牙黃 向尺寸的50%并仍產(chǎn)生本發(fā)明的屏蔽效應(yīng)。
適宜地，所產(chǎn)生的x射線輻射可以用在諸如成像、醫(yī)學(xué)應(yīng)用、結(jié)晶學(xué)、 x射線顯微術(shù)、鄰近或投影式光刻、光電子譜或x射線熒光(只列出少數(shù)) 的應(yīng)用中。


圖1示意性示出從上方觀察的本發(fā)明的用于液體金屬噴流x射線源的裝 置。照片插圖顯示低功率操作(左圖)和高功率操作(右圖)期間的金屬噴流。
圖2是曲線圖，示出作為所施加的電子束功率和電子束聚焦斑點(diǎn)的函數(shù) 的碎片發(fā)射速率。誤差棒表示標(biāo)準(zhǔn)偏差。
圖3是示意圖，示出用于電子束的橢圓聚焦或線聚焦的使用。
具體實(shí)施例方式
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的用于產(chǎn)生x射線輻射的液體金屬噴流x射線源即 系統(tǒng)10的實(shí)驗(yàn)布置。包括99.8%的錫的液體金屬噴流15通過(guò)30pm或50pm 直徑的玻璃毛細(xì)管噴嘴注入到真空室18中。達(dá)到60m/s的噴流速率可以通 過(guò)對(duì)熔化的錫施加200巴(bar)的氮?dú)鈮簭?qiáng)來(lái)實(shí)現(xiàn)。于是靶噴流的速度與最 快的旋轉(zhuǎn)陽(yáng)極相當(dāng)。電子束系統(tǒng)20基于連續(xù)操作的600W (50kV， 12mA) 電子束槍。電子束根據(jù)LaB6陰極的尺寸(50pm或200pm直徑)被磁透鏡 聚焦到約15或約25nm的半高全寬(FWHM)直徑斑點(diǎn)。電子槍通過(guò)單獨(dú) 的2501/s的渦輪空氣泵(turbo-drag pump )泵抽，磁透鏡的末端處的孔徑足 夠小以保持主真空室(約10'4mbar)與電子槍(約l(r7mbar)之間足夠的壓 強(qiáng)差。然而，將理解，在一些實(shí)施例中泵可以省略。陰極通過(guò)120nm厚的 鋁箔中1mm直徑的孔與錫蒸汽屏蔽開，該鋁箔置于噴流與磁透鏡之間。即 使在槍的高功率操作期間，陰極周圍的真空保持在低的10^mbar的范圍，導(dǎo) 致LaB6陰極的適當(dāng)?shù)膲勖?>1000h)。碎片鑒定板(witness plate) 12置于 主容器(tank)中四個(gè)不同的位置離x射線源大約150mm。用于x射線成像，我們采用4008 x 2672像素涂敷磷光體的CCD探測(cè)器14, CCD探測(cè)器14具 有9pm的像素和測(cè)得的約34pm F—WHM的點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)(point-spread fUnction， PSF)。金的乳房x射線照相術(shù)分辨率物體16 (具有25pm寬的線和間距的 20pm厚的金)置于離源50mm并在CCD前方190mm。 12倍放大的顯微鏡 17用于噴流的光學(xué)觀察。
進(jìn)行實(shí)驗(yàn)以評(píng)估產(chǎn)生x射線的發(fā)明原理。研究了若干不同系統(tǒng)參數(shù)的碎 片沉積速率在38W與86W之間的電子束功率，22或40m/s的噴流速度， 30或50nm的噴流直徑，以及15或26pm的電子束聚焦。鑒定板12暴露到 錫蒸汽6-24分鐘并用表面輪廓曲線儀(KLA Tencor P-15 )分析。圖2示出 結(jié)果。曲線1 (22m/s、 30|tim直徑的噴流，24±2pm直徑的斑點(diǎn))示出碎片 沉積速率指數(shù)相關(guān)于施加到噴流的功率，這與錫的作為溫度的函數(shù)的增大的 蒸汽壓一致。曲線2示出用24士2iam的斑點(diǎn)來(lái)自22m/s、 50inm直徑的噴流的 碎片發(fā)射。通過(guò)比較曲線1和2，應(yīng)注意，增大的噴流直徑導(dǎo)致減小的碎片 發(fā)射速率。相信這是由于兩個(gè)原因(i)較大噴流的增大的質(zhì)量流導(dǎo)致噴流 的平均溫度減小，因此減小了蒸發(fā)速率；(ii)使噴流直徑增大但保持電子束 的尺寸恒定，導(dǎo)致噴流上非常熱的電子束撞擊區(qū)域的更有效的屏蔽，如從碎 片鑒定板看到的。應(yīng)注意，通過(guò)增大噴流尺寸與電子束尺寸的比率可以基本 獲得相同的效果。已發(fā)現(xiàn)具有與噴流尺寸相比為50%或更小的電子束尺寸尤 其有利。曲線3進(jìn)一步提供了屏蔽概念的證據(jù)。曲線3具有與曲線2相同的 噴流參數(shù)，但x射線斑點(diǎn)更小(15.5 ± 1.5nmFWHM)，明顯導(dǎo)致改進(jìn)的屏蔽。 在72W的施加功率，較小的焦距導(dǎo)致碎片發(fā)射速率與24 ± 2)im的操作相比 減小到約十六分之一。最后，曲線4示出增大的靶速度(40m/s、 30pm直徑 的噴流，24土2pm的斑點(diǎn))對(duì)碎片速率的影響。噴流速率增大約80%結(jié)合施 加功率增大約50%導(dǎo)致相同的碎片發(fā)射速率。
當(dāng)通過(guò)增大電子束功率和功率密度來(lái)嘗試較高亮度的操作時(shí)，碎片速率 將自然地增大。我們注意到，對(duì)于亞kW電子束槍，由于陰極發(fā)射率，電子 束功率密度的技術(shù)限制為數(shù)十MW/mm2,也就是這里報(bào)道的金屬噴流陽(yáng)極的 最高功率密度以上兩個(gè)數(shù)量級(jí)。噴流陽(yáng)極的功率密度容量的顯著改進(jìn)可以通
過(guò)具有快得多的噴流來(lái)實(shí)現(xiàn)，實(shí)際上已經(jīng)表明應(yīng)可以產(chǎn)生速度達(dá)到至少約 500m/s的穩(wěn)定的錫噴流。另一方面，這并不一定是調(diào)整噴流以減少碎片產(chǎn)生 的唯一方法。如圖2的結(jié)果所示，且根據(jù)此處公開的本發(fā)明的原理，具有較大直徑(與電子束相比)的中速噴流可以證明具有比顯著更快但較薄的噴流
更好的碎片減少性質(zhì)(比較曲線3和4 )。
應(yīng)注意，電子束在靶噴流上的斑點(diǎn)可以根據(jù)需要為圓形、橢圓形或線聚 焦。例如，如圖3所示，可優(yōu)選使用橢圓形電子束斑點(diǎn)(線聚焦)一使其長(zhǎng) 軸橫穿靶噴流的縱向延伸方向，并如此處建議并要求保護(hù)的那樣具有為靶噴 流直徑的約50%或更小的沿長(zhǎng)軸的FWHM。根據(jù)眾所周知的線聚焦原理， 這將使靶的有效功率負(fù)載容量增大而當(dāng)從側(cè)面觀察打靶區(qū)域時(shí)不犧牲x射線 源的亮度。
然而，當(dāng)根據(jù)以上內(nèi)容使用拉長(zhǎng)的電子束斑點(diǎn)時(shí)，并不需要其擴(kuò)展橫穿 靶噴流。橢圓形或線聚焦的電子束斑點(diǎn)的任何一般取向是可以的，x射線亮 度的有效增大可以通過(guò)從合適的角度觀察(收集)產(chǎn)生的x射線來(lái)獲得。例 如，如果使用的電子束斑點(diǎn)具有基本沿靶噴流延伸的線聚焦時(shí)，增大的x射 線亮度可以通過(guò)從沿靶噴流的傾斜角度觀察斑點(diǎn)來(lái)獲得。
此外應(yīng)指出，當(dāng)采用圓形電子束斑點(diǎn)時(shí)也可使用線聚焦原理。原因如下。 當(dāng)電子束撞擊在靶噴流上時(shí)，隨著電子穿透輩巴噴流，x射線輻射一般產(chǎn)生在 靶材料的第一個(gè)數(shù)微米以內(nèi)。作為非限制性示例，電子一4殳可以穿透到靶材 料中大約4微米。這在圖1的放大側(cè)視圖中示意性示出。因此，當(dāng)從側(cè)面觀 察時(shí)，如圖1所示，x射線輻射將產(chǎn)生在具有僅數(shù)微米寬的拉長(zhǎng)輪廓的區(qū)域 中。作為實(shí)際示例，考慮具有50微米尺寸(FWHM)的圓形電子束斑點(diǎn)， 其撞擊在大約IOO微米直徑的靶噴流上。這將在靶噴流中產(chǎn)生大致類似于圓 柱體的x射線區(qū)域(或"體積")，該圓柱體具有50孩i米的直徑和略孩t超過(guò)4 微米的高度(由于噴流表面的曲率)。如果沿電子束觀察該x射線區(qū)域，則 表觀x射線斑點(diǎn)將是50微米直徑的圓。然而，當(dāng)從側(cè)面觀察相同的x射線 區(qū)域時(shí)，它將具有拉長(zhǎng)區(qū)域(具有大約50微米的長(zhǎng)度和略微超過(guò)4微米的 寬度)的大致形狀，也就是說(shuō)表觀區(qū)域的顯著減小導(dǎo)致從該觀察方向x射線 源的改善的亮度。因此，可以優(yōu)選地從相對(duì)于電子束成一角度的方向來(lái)收集 所產(chǎn)生的x射線發(fā)射。例如，如果靶噴流傳播方向和電子束傳播方向相對(duì)于 彼此成直角，那么x射線源的亮度可以通過(guò)從與電子束成直角的方向收集所 產(chǎn)生的輻射而最大化。
技術(shù)例如碎片緩減系統(tǒng)、增大噴流傳播速度等有利地結(jié)合。草巴噴流可以是導(dǎo)電的或非導(dǎo)電的。例如，靶噴流可以包括金屬(例如錫 或鎵)、金屬合金或低熔點(diǎn)合金、低溫氣體或適于作為電子撞擊X射線源的 靶的任何其它液體物質(zhì)。
還應(yīng)理解，耙噴流可以具有任何橫截面形狀，例如圓形、矩形或橢圓形。
靶噴流的一般直徑從約10pm到約100^im，例如30jmi或50pm。然而， 在一些應(yīng)用中更大的靶噴流橫截面是可以的。在相互作用區(qū)域中靶噴流的傳 播速度可以達(dá)到約500m/s，普通值為從約20m/s到約60m/s。將理解，靶噴 流傳播速度的增大將導(dǎo)致噴流陽(yáng)極的改善的功率密度容量。
應(yīng)理解，以上給出的示例僅用于示例和使本領(lǐng)域技術(shù)人員能實(shí)現(xiàn)本發(fā) 明，而不意圖限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求書定義。
權(quán)利要求
1. 一種用于產(chǎn)生x射線輻射的方法，包括步驟通過(guò)在壓強(qiáng)下推動(dòng)液體物質(zhì)穿過(guò)出口來(lái)形成靶噴流，該靶噴流傳播通過(guò)相互作用區(qū)域；以及引導(dǎo)至少一個(gè)電子束到所述相互作用區(qū)域中的所述靶噴流上，從而所述電子束與所述靶噴流相互作用以產(chǎn)生x射線輻射，其中在所述靶噴流的橫向方向上所述電子束的半高全寬是所述靶噴流的橫向尺寸的約50％或更小。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電子束以線聚焦引導(dǎo)到所述靶噴 流上。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述相互作用區(qū)域中所述靶噴流 的傳播速度為約20-60m/s。
4. 如任一項(xiàng)前面的權(quán)利要求所述的方法，還包括從相對(duì)于所述電子束成 一角度的方向收集所產(chǎn)生的x射線輻射的步驟。
5. 如權(quán)利要求4所述的方法，其中所產(chǎn)生的x射線輻射從相對(duì)于所述電 子束成直角的方向收集。
6. 如任一項(xiàng)前面的權(quán)利要求所述的方法，其中形成所述耙噴流的液體物 質(zhì)是導(dǎo)電物質(zhì)。
7. 如權(quán)利要求6所述的方法，其中形成所述靶噴流的所述液體物質(zhì)是金 屬、合金或低熔點(diǎn)合金。
8. 如權(quán)利要求1-5的任一項(xiàng)所述的方法，其中形成所述靶噴流的所述液 體物質(zhì)是低溫氣體或在室溫和大氣壓強(qiáng)下為液體的物質(zhì)。
9. 如任一項(xiàng)前面的權(quán)利要求所述的方法，其中所述靶噴流形成用于所述 電子束的陽(yáng)極。
10. 如任一項(xiàng)前面的權(quán)利要求所述的方法，還包括將所產(chǎn)生的x射線輻 射用于成像的步驟。
11. 如權(quán)利要求1-9的任一項(xiàng)所述的方法，還包括將所產(chǎn)生的x射線輻 射用于x射線顯樣M竟的步驟。
12. 如權(quán)利要求1-9的任一項(xiàng)所述的方法，還包括將所產(chǎn)生的x射線輻 射用于鄰近或投影式光刻的步驟。
13. 如權(quán)利要求1-9的任一項(xiàng)所述的方法，還包括將所產(chǎn)生的x射線輻 射用于光電子譜的步驟。
14. 如權(quán)利要求1-9的任一項(xiàng)所述的方法，還包括將所產(chǎn)生的x射線輻 射用于x射線熒光的步驟。
15. 如權(quán)利要求1-9的任一項(xiàng)所述的方法，還包括將所產(chǎn)生的x射線輻 射用于結(jié)晶學(xué)的步驟。
16. —種用于產(chǎn)生x射線輻射的系統(tǒng)，包括用于通過(guò)在壓強(qiáng)下推動(dòng)液體物質(zhì)穿過(guò)出口來(lái)形成靶噴流，以使該靶噴流 傳播通過(guò)相互作用區(qū)域的裝置；以及用于引導(dǎo)至少一個(gè)電子束到所述相互作用區(qū)域中的所述靶噴流上以使 所述電子束與所述靶噴流相互作用從而產(chǎn)生x射線輻射的裝置，其中所述用于形成靶噴流的裝置和所述用于引導(dǎo)至少一個(gè)電子束到靶 噴流上的裝置布置得使所述電子束在所述靶噴流的橫向方向上的半高全寬 是所述把噴流的橫向尺寸的約50%或更小。
全文摘要
一種產(chǎn)生x射線輻射的方法，包括步驟通過(guò)在壓強(qiáng)下推動(dòng)液體物質(zhì)穿過(guò)出口來(lái)形成靶噴流，該靶噴流傳播通過(guò)相互作用區(qū)域；以及引導(dǎo)至少一個(gè)電子束到所述相互作用區(qū)域中的所述靶噴流上，從而所述電子束與所述靶噴流相互作用以產(chǎn)生x射線輻射，其中在所述靶噴流的橫向方向上所述電子束的半高全寬是所述靶噴流的橫向尺寸的約50％或更小。還公開了一種用于實(shí)施該方法的系統(tǒng)。
文檔編號(hào)H01J35/08GK101490790SQ200780026317
公開日2009年7月22日 申請(qǐng)日期2007年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月11日
發(fā)明者托米·圖?，? 漢斯·M·赫茨, 邁克爾·奧滕達(dá)爾 申請(qǐng)人:杰特克公司