專利名稱：電子發(fā)射裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子發(fā)射裝置，更具體地，涉及具有陰極和柵極電極、以及陽極電極的電子發(fā)射裝置，所述陰極和柵極電極用于控制電子從電子發(fā)射區(qū)域的發(fā)射，所述陽極電極用于加速所述電子。
背景技術(shù)：
通常，電子發(fā)射裝置分為熱陰極用作電子發(fā)射源的第一類型和冷陰極用作電子發(fā)射源的第二類型。
第二類型的電子發(fā)射裝置可以是場(chǎng)發(fā)射器陣列(FEA)型、表面導(dǎo)電發(fā)射(SCE)型、金屬-絕緣體-金屬(MIM)型、或者金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)型。
FEA型電子發(fā)射裝置基于這樣的原理，即當(dāng)具有低功函數(shù)或高長徑比(aspect ratio)的材料用作電子發(fā)射源時(shí)，當(dāng)在真空環(huán)境下電場(chǎng)施加到該電子發(fā)射源時(shí)，電子從該電子發(fā)射源容易地發(fā)射?；阢f(Mo)或硅(Si)的前部尖銳的尖端結(jié)構(gòu)(tip structure)、或者碳質(zhì)材料例如石墨，已被用于作為電子發(fā)射源使用。
在普通FEA型電子發(fā)射裝置中，第一基板和第二基板構(gòu)成真空容器。電子發(fā)射區(qū)域與用作用于控制電子發(fā)射的驅(qū)動(dòng)電極的陰極和柵極電極一起形成在第一基板上。熒光體(phosphor)層與用于將熒光體層保持在高電勢(shì)狀態(tài)的陽極電極一起形成在第二基板的面對(duì)第一基板的表面上。
陰極電極電連接至電子發(fā)射區(qū)域從而向其施加電子發(fā)射所必需的電流，柵極電極利用其與陰極電極的電壓差形成電子發(fā)射區(qū)域周圍的電場(chǎng)。關(guān)于陰極和柵極電極以及電子發(fā)射區(qū)域的結(jié)構(gòu)，柵極電極位于陰極電極之上同時(shí)插入絕緣層，開口形成在柵極電極和絕緣層處，部分地暴露陰極電極的表面。電子發(fā)射區(qū)域位于開口內(nèi)陰極電極上。
采用上述結(jié)構(gòu)，預(yù)定電壓施加到陰極、柵極和陽極電極從而從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射電子。僅當(dāng)平坦的電勢(shì)分布產(chǎn)生在電子發(fā)射區(qū)域之上柵極電極附近時(shí)，電子能朝向第二基板筆直地遷移而不發(fā)散。
平坦的電勢(shì)分布意味著當(dāng)觀察陰極和柵極電極以及電子發(fā)射區(qū)域的側(cè)視圖(side elevation view)時(shí)，出現(xiàn)在陰極和柵極電極之間的等勢(shì)線位于平行于第一基板的頂表面同時(shí)彼此均勻地間隔開預(yù)定距離。不滿足這樣的條件的等勢(shì)線是在某一方向上相當(dāng)凸起或凹陷的，因此平坦的電勢(shì)分布未被實(shí)現(xiàn)。
根據(jù)已知電子透鏡的工作原理，當(dāng)電子穿過電場(chǎng)內(nèi)部時(shí)，電子遷移的方向由電子遷移的方向和力的方向(與電場(chǎng)方向相反)的矢量合成確定。在這點(diǎn)上，當(dāng)指向電子發(fā)射區(qū)域的凹陷電勢(shì)分布形成在柵極電極附近時(shí)，電子穿過柵極電極的開口時(shí)相當(dāng)?shù)匕l(fā)散。當(dāng)指向電子發(fā)射區(qū)域的凸起電勢(shì)分布形成在柵極電極附近時(shí)，電子穿過柵極電極的開口時(shí)被會(huì)聚。然而，電子在后面的遷移路線上很快被過度會(huì)聚(over-focus)，使得束發(fā)散也明顯發(fā)生。
因此，對(duì)于普通FEA型電子發(fā)射裝置，應(yīng)使柵極電極附近的電勢(shì)分布盡可能地平坦。
然而，在產(chǎn)生平坦的電勢(shì)分布的過程中遇到了相當(dāng)大的技術(shù)困難，因?yàn)殡妱?shì)分布依賴于各種因素，例如施加到陰極、柵極和陽極電極的電壓，以及內(nèi)部結(jié)構(gòu)的形狀特性。同時(shí)那些因素還很大地依賴于電子發(fā)射區(qū)域的放電電流特性、屏幕亮度、以及處理能力。對(duì)于優(yōu)化各個(gè)因素和得到平坦的電勢(shì)分布存在技術(shù)限制。
因此，對(duì)于傳統(tǒng)FEA型電子發(fā)射裝置，其運(yùn)行期間在柵極電極附近產(chǎn)生非平坦的電勢(shì)分布，即指向電子發(fā)射區(qū)域的凸起或凹陷的電勢(shì)分布。從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的電子朝向第二基板行進(jìn)時(shí)被發(fā)散，且落在黑層或不正確的熒光體層上，從而惡化屏幕顯示質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例中，提供一種電子發(fā)射裝置，其在柵極電極附近產(chǎn)生平坦的電勢(shì)分布，從而抑制電子束的發(fā)散且因此提高顯示質(zhì)量。
在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例中，該電子發(fā)射裝置包括第一基板和面對(duì)該第一基板的第二基板。陰極電極形成在該第一基板上。電子發(fā)射區(qū)域形成在該陰極電極上。絕緣層和柵極電極形成在該陰極電極上且具有暴露該電子發(fā)射區(qū)域的開口。熒光體層形成在該第二基板上。陽極電極形成在該熒光體層的表面上。該電子發(fā)射裝置滿足下面的條件中的一個(gè)或全部?jī)蓚€(gè)
0.7d((Va-Vc)/Vg)≤z≤1.4d((Va-Vc)/Vg)(1)；以及0.7d((Va-Vc)/Vg)≤z′≤1.4d((Va-Vc)/Vg) (2)，其中z表示該陰極電極與該陽極電極之間的距離，z′表示該第一基板與該第二基板之間的距離，Vc是施加到該陰極電極的電壓，Vg是施加到該柵極電極的電壓，Va是施加到該陽極電極的電壓，d是該陰極電極與該柵極電極之間的距離。電壓Vc、Vg和Va用單位伏特(V)表示，距離d、z和z′用單位微米(μm)表示。
該陰極和柵極電極彼此垂直且交叉在交叉區(qū)域(crossed region)。一個(gè)或更多電子發(fā)射區(qū)域經(jīng)陰極和柵極電極的各交叉區(qū)域設(shè)置。
在一些實(shí)施例中該電子發(fā)射區(qū)域包括選自包括碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60、以及硅納米線的組的至少一種材料。
該陽極電極可形成在該熒光體層的面對(duì)該第一基板的表面上，且可以用金屬性材料形成。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的電子發(fā)射裝置的局部分解透視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的電子發(fā)射裝置的局部剖視圖；圖3是曲線圖，示出作為柵極電壓比值的函數(shù)的電子透鏡的形變的變化；圖4A示意性示出根據(jù)示例1的電子發(fā)射裝置的運(yùn)行期間電子發(fā)射區(qū)域附近的電勢(shì)分布；圖4B示意性示出根據(jù)示例1的電子發(fā)射裝置運(yùn)行期間所發(fā)射的電子束的軌跡；圖5A示意性示出根據(jù)比較例1的電子發(fā)射裝置的運(yùn)行期間電子發(fā)射區(qū)域附近的電勢(shì)分布；圖5B示意性示出根據(jù)比較例1的電子發(fā)射裝置運(yùn)行期間所發(fā)射的電子束的軌跡；圖6A示意性示出根據(jù)比較例2的電子發(fā)射裝置的運(yùn)行期間電子發(fā)射區(qū)域附近的電勢(shì)分布；圖6B示意性示出根據(jù)比較例2的電子發(fā)射裝置運(yùn)行期間電子發(fā)射區(qū)域附近所發(fā)射的電子束的軌跡；圖6C示意性示出根據(jù)比較例2的電子發(fā)射裝置運(yùn)行期間所發(fā)射的電子束的軌跡。
具體實(shí)施例方式
如圖1和2所示，電子發(fā)射裝置包括彼此平行布置的第一和第二基板2和4，其具有內(nèi)部空間。電子發(fā)射結(jié)構(gòu)形成在第一基板2處，發(fā)光或顯示結(jié)構(gòu)形成在第二基板4處從而由于電子而發(fā)射可見光并顯示圖像。
陰極電極6沿著第一基板2(沿圖中y軸方向)條形構(gòu)圖在第一基板2上，絕緣層8形成在第一基板2的整個(gè)表面上同時(shí)覆蓋陰極電極6。柵極電極10垂直于陰極電極6(沿圖中x軸方向)條形構(gòu)圖在絕緣層8上。
在該實(shí)施例中，當(dāng)陰極和柵極電極6和10的交叉區(qū)域被定義為像素區(qū)域時(shí)，在各個(gè)像素區(qū)域一個(gè)或更多電子發(fā)射區(qū)域12形成在陰極電極6上，開口8a和10a與各個(gè)電子發(fā)射區(qū)域12對(duì)應(yīng)地形成在絕緣層8和柵極電極10中，從而暴露第一基板2上的電子發(fā)射區(qū)域12。
電子發(fā)射區(qū)域12由在真空環(huán)境下當(dāng)電場(chǎng)施加到其上時(shí)發(fā)射電子的材料形成，例如碳質(zhì)材料和納米尺寸材料。電子發(fā)射區(qū)域12可以由碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60、硅納米線、或其任何合適的組合形成。電子發(fā)射區(qū)域12可以通過絲網(wǎng)印刷、直接生長、化學(xué)氣相沉積、或者濺射形成。
與具有尖銳的前端的所謂Spindt型尖端結(jié)構(gòu)相比，電子發(fā)射區(qū)域12以納米或微米尺寸的電子發(fā)射顆粒聚結(jié)在那里的電子發(fā)射層形成，且具有較大的電子發(fā)射面積和容易加工。
如圖所示，電子發(fā)射區(qū)域12成形為圓形，且在各個(gè)像素區(qū)域沿陰極電極6的長度線性布置。但是，電子發(fā)射區(qū)域12的形狀、每像素?cái)?shù)目、以及布置不局限于此示例，而可以以各種形式改變。
熒光體層14和黑層16形成在第二基板4的面對(duì)第一基板2的表面上，陽極電極18用金屬性材料例如鋁形成在熒光體層14和黑層16上。陽極電極18接收加速電子束必需的高電壓，且將從熒光體層14朝向第一基板2輻照的可見光反射向第二基板4，從而增加屏幕亮度。
同時(shí)，陽極電極18可由透明導(dǎo)電材料例如銦錫氧化物(ITO)替代金屬性材料形成。在此情況下，陽極電極18可位于熒光體層14和黑層16的面對(duì)第二基板的表面上，且構(gòu)圖為多個(gè)分開的部分。
間隔物20布置在第一和第二基板2和4之間，第一和第二基板2和4利用密封劑在其外圍彼此密封，所述密封劑例如為具有低熔點(diǎn)的玻璃粉(glass frit)。第一和第二基板2和4之間的內(nèi)部空間被抽至真空狀態(tài)，從而構(gòu)造電子發(fā)射裝置。間隔物20與設(shè)置黑層16的非發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)地定位。
上述結(jié)構(gòu)的電子發(fā)射裝置通過將預(yù)定電壓施加到陰極電極6、柵極電極10和陽極電極18而被驅(qū)動(dòng)。例如，掃描信號(hào)電壓施加到陰極和柵極電極6和10中的一個(gè)，數(shù)據(jù)信號(hào)電壓施加到另一個(gè)電極。數(shù)百至數(shù)千伏特的正(+)直流(DC)電壓施加到陽極電極18。
在陰極和柵極電極6和10之間的電壓差超過閾值的像素中，電場(chǎng)形成在電子發(fā)射區(qū)域12附近，電子從電子發(fā)射區(qū)域12發(fā)射。所發(fā)射的電子被施加到陽極電極18的高電壓吸引，碰撞相應(yīng)的熒光體層14，從而使它們發(fā)光。
考慮到影響電勢(shì)分布的因素，電子發(fā)射裝置的此實(shí)施例具有優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，使得平坦的電勢(shì)分布產(chǎn)生在電子發(fā)射區(qū)域12之上柵極電極10附近。
如前所述，電勢(shì)分布取決于施加到各個(gè)電極的電壓、以及內(nèi)部結(jié)構(gòu)的形狀特性，特別是電極間距離。即，電勢(shì)分布主要取決于陰極電壓、柵極電壓、陽極電壓、陰極和柵極電極6和10之間的距離、以及陰極和陽極電極6和18之間的距離。
然而，決定電勢(shì)分布的因素中，陰極電壓和柵極電壓中的一個(gè)形成掃描信號(hào)電壓，另一個(gè)形成數(shù)據(jù)信號(hào)電壓，從而控制各像素電流的量。因此，陰極和柵極電壓主要考慮到驅(qū)動(dòng)要求來確定。陽極電壓主要考慮到亮度要求來確定，因?yàn)槠聊涣炼热Q于它。陰極和柵極電極6和10之間的距離由絕緣層8的厚度確定，其又由處理能力例如該兩個(gè)電極在它們之間能經(jīng)受的電壓以及加工容易度(processing ease)確定。
因此，考慮到所述四個(gè)因素，陰極和陽極電極6和18之間的距離被優(yōu)化，從而獲得平坦的電勢(shì)分布。
對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射裝置，陰極和陽極電極6和18之間的距離z被確定為滿足下面的條件(“公式1”)0.7d((Va-Vc)/Vg)≤z≤1.4d((Va-Vc)/Vg) (1)其中Vc表示陰極電壓，Vg表示柵極電壓，Va表示陽極電壓，d表示陰極和柵極電極6和10之間的距離。電壓Vc、Vg和Va用單位伏特(V)表示，距離d和z用單位微米(μm)表示。
根據(jù)公式1，電子發(fā)射裝置的驅(qū)動(dòng)期間，與陰極和柵極電極6和10的驅(qū)動(dòng)條件以及形成在第一基板2上的結(jié)構(gòu)的形狀無關(guān)，在電子發(fā)射區(qū)域12之上柵極電極10的開口10a處實(shí)現(xiàn)了基本平坦的電勢(shì)分布，其中電子透鏡的形變度(distortion degree)為20％或更小。
對(duì)于圖3所示的曲線圖，垂直軸是電子透鏡的形變度，其表示柵極電極附近產(chǎn)生的電勢(shì)差。電子透鏡的形變度由下面的公式(“公式2”)定義電子透鏡的形變度＝|Vcenter-Vg|/Vg，(2)其中Vcenter表示在柵極電極的開口部分的中心處的電勢(shì)。
曲線圖的水平軸是由Vg/Vg′定義的柵極電壓比值，其是實(shí)際施加的柵極電壓Vg對(duì)理想柵極電壓Vg′的比值。理想柵極電壓Vg′由下面的公式(“公式3”)定義Vg′＝(Va-Vc)×d/z (3)公式4從公式3導(dǎo)出z＝((Va-Vc)/Vg′)d (4)從圖3的結(jié)果可知，在陰極和陽極電極之間的距離z滿足公式1的條件的范圍中，即，在柵極電壓比值Vg/Vg′為0.7-1.4的范圍中，電子透鏡的形變度結(jié)果為20％或更小。電子透鏡的20％或更小的形變度內(nèi)，當(dāng)電子從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射時(shí)，電子的擴(kuò)散角(diffusion angle)(從第一基板的法線測(cè)量的角)為約3°或更小，其意味著電子束具有優(yōu)良的直度(straightness)。
根據(jù)滿足公式1的條件的一個(gè)示例(“示例1”)的電子發(fā)射裝置、根據(jù)對(duì)比例1的其中陰極和陽極電極之間的距離z超過1.4d((Va-Vc)/Vg)的電子發(fā)射裝置、以及根據(jù)對(duì)比例2的其中陰極和陽極電極之間的距離z小于0.7d((Va-Vc)/Vg)的電子發(fā)射裝置被制造。這些電子發(fā)射裝置中的電勢(shì)分布和所發(fā)射的電子束的軌跡被檢驗(yàn)。
示例1中的驅(qū)動(dòng)條件這樣確立，即陰極電壓Vc為0V，柵極電壓Vg為80V，陽極電壓Va為8kV，陰極和柵極電極之間的距離d為15μm，陰極和陽極電極之間的距離為1500μm。
如圖4A所示，電子發(fā)射裝置的驅(qū)動(dòng)期間在電子發(fā)射區(qū)域之上平行于第一基板的頂表面行進(jìn)的等勢(shì)線彼此均勻間隔開預(yù)定距離，從而產(chǎn)生平坦的電勢(shì)分布。因此，如圖4B所示，從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的電子朝向第二基板筆直地遷移，基本沒有束發(fā)散。
在對(duì)比例1中，陰極電壓Vc、柵極電壓Vg、陽極電壓Va、以及陰極和柵極電極之間的距離d確定為與有關(guān)示例1的那些相同。陰極和陽極電極之間的距離z確定為2400μm。
如圖5A所示，根據(jù)對(duì)比例1的電子發(fā)射裝置的運(yùn)行期間，指向陽極的凸起等勢(shì)線形成在電子發(fā)射區(qū)域之上。結(jié)果，如圖5B所示，當(dāng)電子朝向第二基板遷移時(shí)，發(fā)生了顯著的束發(fā)散。
在對(duì)比例2中，陰極電壓Vc、柵極電壓Vg、陽極電壓Va、以及陰極和柵極電極之間的距離d確定為與有關(guān)示例1的那些相同。陰極和陽極電極之間的距離z確定為750μm。
如圖6A所示，根據(jù)對(duì)比例2的電子發(fā)射裝置的運(yùn)行期間，指向陽極的凹陷等勢(shì)線形成在電子發(fā)射區(qū)域之上。結(jié)果，如圖6B所示，電子穿過柵極電極時(shí)被會(huì)聚，但是然后變得過度會(huì)聚。當(dāng)電子到達(dá)熒光體層時(shí)，發(fā)生顯著的束發(fā)散。圖6B示出電子的會(huì)聚狀態(tài)。當(dāng)電子朝向熒光體層進(jìn)一步遷移時(shí)，束發(fā)散發(fā)生在預(yù)定位置，如圖6C所示。
如上所述，對(duì)于根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例的電子發(fā)射裝置，陰極和陽極電極6和18之間的距離不考慮該電子發(fā)射裝置的驅(qū)動(dòng)條件或第一基板2的結(jié)構(gòu)的形狀地被控制，從而在該電子發(fā)射裝置的驅(qū)動(dòng)期間獲得平坦的電勢(shì)分布。
陰極和陽極電極6和18之間的距離由第一和第二基板2和4之間的距離確定。即，從公式1導(dǎo)出的電極間距離基本由該電子發(fā)射裝置的制造期間兩個(gè)基板之間的距離得到。此外，陰極電極6、陽極電極18、以及熒光體層14具有數(shù)百至數(shù)千埃(1＝10-10m)的厚度，其與第一和第二基板2和4之間的距離相比是非常小的。陰極和陽極電極6和18之間的距離z近似于第一和第二基板2和4之間的距離。因此，當(dāng)?shù)谝缓偷诙?和4之間的距離用z′表示時(shí)，公式1可用下面的公式表示0.7d((Va-Vc)/Vg)≤z′≤1.4d((Va-Vc)/Vg) (5)如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射裝置的各種實(shí)施例中，陰極和陽極電極之間的距離被優(yōu)化，使得該電子發(fā)射裝置的運(yùn)行期間產(chǎn)生平坦的電勢(shì)分布。從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的電子朝向第二基板筆直地遷移同時(shí)最小化束發(fā)散，使得它們落在對(duì)應(yīng)的熒光體層上，從而使它們發(fā)光。結(jié)果，采用本發(fā)明的電子發(fā)射裝置，顯示質(zhì)量被提高，具有高分辨率。
盡管上面詳細(xì)描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，但是應(yīng)清楚明白，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說明顯的是這里教導(dǎo)的基本發(fā)明概念的許多變化和/或修改仍將落入所附權(quán)利要求及其等價(jià)物定義的本發(fā)明的思想和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電子發(fā)射裝置，包括第一基板；第二基板，其面對(duì)所述第一基板；陰極電極，其形成在所述第一基板上；電子發(fā)射區(qū)域，其形成在所述陰極電極上；絕緣層和柵極電極，其形成在所述陰極電極上且具有暴露所述電子發(fā)射區(qū)域的開口；熒光體層，其形成在所述第二基板上；以及陽極電極，其形成在所述熒光體層的表面上，其中所述陰極和所述陽極電極之間的距離z滿足下面的條件0.7d((Va-Vc)/Vg)≤z≤1.4d((Va-Vc)/Vg)，其中Vc表示施加到所述陰極電極的電壓，Vg是施加到所述柵極電極的電壓，Va是施加到所述陽極電極的電壓，d是所述陰極和所述柵極電極之間的距離，且其中Vc、Vg和Va用單位伏特(V)表示，d和z用單位微米(μm)表示。
2.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述陰極和所述柵極電極彼此垂直且在交叉區(qū)域交叉，一個(gè)或更多電子發(fā)射區(qū)域經(jīng)所述陰極和柵極電極的各交叉區(qū)域設(shè)置。
3.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述電子發(fā)射區(qū)域包括選自包括碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60、以及硅納米線的組的至少一種材料。
4.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述陽極電極形成在所述熒光體層的面對(duì)所述第一基板的表面上，且用金屬性材料形成。
5.一種電子發(fā)射裝置，包括第一基板；第二基板，其面對(duì)所述第一基板；陰極電極，其形成在所述第一基板上；電子發(fā)射區(qū)域，其形成在所述陰極電極上；絕緣層和柵極電極，其形成在所述陰極電極上且具有暴露所述電子發(fā)射區(qū)域的開口；熒光體層，其形成在所述第二基板上；以及陽極電極，其形成在所述熒光體層的表面上，其中所述第一和第二基板之間的距離z′滿足下面的條件0.7d((Va-Vc)/Vg)≤z′≤1.4d((Va-Vc)/Vg)，其中Vc表示施加到所述陰極電極的電壓，Vg是施加到所述柵極電極的電壓，Va是施加到所述陽極電極的電壓，d是所述陰極和所述柵極電極之間的距離，且其中Vc、Vg和Va用單位伏特(V)表示，d和z′用單位微米(μm)表示。
6.如權(quán)利要求5所述的電子發(fā)射裝置，其中所述陰極和所述柵極電極彼此垂直且在交叉區(qū)域交叉，一個(gè)或更多電子發(fā)射區(qū)域經(jīng)所述陰極和柵極電極的各交叉區(qū)域設(shè)置。
7.如權(quán)利要求5所述的電子發(fā)射裝置，其中所述電子發(fā)射區(qū)域包括選自包括碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60、以及硅納米線的組的至少一種材料。
8.如權(quán)利要求5所述的電子發(fā)射裝置，其中所述陽極電極形成在所述熒光體層的面對(duì)所述第一基板的表面上，且由金屬性材料形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電子發(fā)射裝置，其具有優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，其中從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的電子朝向熒光體層筆直地遷移。該電子發(fā)射裝置包括彼此面對(duì)的第一和第二基板、以及形成在第一基板上的陰極電極。電子發(fā)射區(qū)域形成在陰極電極上。絕緣層和柵極電極形成在陰極電極上且具有暴露電子發(fā)射區(qū)域的開口。熒光體層形成在第二基板上。陽極電極形成在熒光體層的表面上。陰極和陽極電極之間的距離z滿足下面的條件0.7d((Va－Vc)/Vg)≤z≤1.4d((Va－Vc)/Vg)，其中Vc表示施加到陰極電極的電壓，Vg是施加到柵極電極的電壓，Va是施加到陽極電極的電壓，d是陰極和柵極電極之間的距離。
文檔編號(hào)H01J31/12GK1841637SQ200610071529
公開日2006年10月4日 申請(qǐng)日期2006年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月31日
發(fā)明者李承炫, 張喆鉉 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社