專利名稱：一種音頻芯片的驅(qū)動電路、音頻驅(qū)動裝置及報警喇叭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于集成電路應(yīng)用領(lǐng)域，尤其涉及一種音頻芯片的驅(qū)動電路、音頻驅(qū)動裝置及報警喇叭。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，音頻驅(qū)動被廣泛應(yīng)用于各種行業(yè)，音頻芯片的封裝體積越來越小，然而現(xiàn)有的驅(qū)動電路卻還普遍采用分立直插式三極管器件構(gòu)成，如圖I所示，該音頻芯片的分立直插式三極管驅(qū)動電路連接于音頻芯片I與揚(yáng)聲器3之間，包括PNP型三極管QlUPNP型三極管Ql2、NPN型三極管Ql3、NPN型三極管Q14、NPN型三極管Ql5、NPN型三極管Q16、以及電阻R11、電阻R12、電阻R13、電阻R14，其中，音頻芯片I分別通過電阻R11、電阻R12與NPN型三極管Q13、NPN型三極管Q14的基極連接，NPN型三極管Q13、NPN型三極管Q14的集電極分別與PNP型三極管Qll、PNP型三極管Q12的基極連接，PNP型三 極管QlI、PNP型三極管Q12的發(fā)射極分別連接電源電壓Vcc，PNP型三極管QlI、PNP型三極管Q12的集電極作為驅(qū)動電路的輸出端與揚(yáng)聲器連接，PNP型三極管Qll、PNP型三極管Q12的集電極同時分別與NPN型三極管Q15、NPN型三極管Q16的集電極連接，NPN型三極管Q15、NPN型三極管Q16的發(fā)射極均接地，NPN型三極管Q15、NPN型三極管Q16的基極分別通過電阻R14、電阻R13與NPN型三極管Q14、NPN型三極管Q13的發(fā)射極連接。外部驅(qū)動信號通過電阻R11、電阻R12交替驅(qū)動NPN型三極管Q13、NPN型三極管Q14導(dǎo)通、關(guān)斷，進(jìn)而驅(qū)動PNP型三極管QlUPNP型三極管Q12和NPN型三極管Q15、NPN型三極管Q16，實(shí)現(xiàn)對揚(yáng)聲器的驅(qū)動控制。但是，由于該結(jié)構(gòu)采用分立直插式三極管器件實(shí)現(xiàn)，其體積大，成本高，功耗大，并且不適于目前工業(yè)貼片量化生產(chǎn)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例的目的在于提供一種首頻芯片的驅(qū)動電路，旨在解決現(xiàn)有分立直插式三極管結(jié)構(gòu)音頻芯片的驅(qū)動電路體積大，成本高，功耗大,難于自動化生產(chǎn)的問題。本實(shí)用新型實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種音頻芯片的驅(qū)動電路，連接于音頻芯片與揚(yáng)聲器之間，其特征在于，所述驅(qū)動電路包括第一 MOS管、第二 MOS管、第三MOS管、第四MOS管、電阻R1、電阻R2、電阻R3以及電阻R4 ；所述第三MOS管的柵極為所述驅(qū)動電路的第一輸入端與所述音頻芯片的第一輸出端連接，所述第三MOS管的漏極為所述驅(qū)動電路的第一輸出端與所述揚(yáng)聲器的一端連接，所述第三MOS管的漏極同時與所述第一 MOS管的漏極連接，所述第一 MOS管的柵極與電阻Rl的一端連接，所述第四MOS管的柵極為所述驅(qū)動電路的第二輸入端與所述音頻芯片的第二輸出端連接，所述第四MOS管的漏極為所述驅(qū)動電路的第二輸出端與所述揚(yáng)聲器的另一輸出端連接，所述第四MOS的漏極同時與所述第二 MOS管的漏極連接，所述第二 MOS管的柵極與所述電阻R2的一端連接，所述第二 MOS管的柵極同時通過所述電阻R3與所述第三MOS管的漏極連接，所述第一 MOS管的柵極同時通過電阻R4與所述第四MOS管的漏極連接；所述第三MOS管的源極接地或接電源電壓，所述第一 MOS管的源極連接電源電壓或接地，所述電阻Rl的另一端連接電源電壓或接地，所述第四MOS管的源極為所述驅(qū)動電路的接地端與所述音頻芯片的接地端同時接地或所述第四MOS管的源極為所述驅(qū)動電路的電源端與所述音頻芯片的電源端同時連接電源電壓，所述第二 MOS管的源極連接電源電壓或接地，所述電阻R2的另一端連接電源電壓或接地。進(jìn)一步地，所述第一 MOS管、所述第二 MOS管均為P型MOS管，所述第三MOS管、所述第四MOS管均為N型MOS管；所述第三MOS管的源極接地，所述第一 MOS管的源極連接電源電壓，所述電阻Rl的另一端連接電源電壓，所述第四MOS管的源極為所述驅(qū)動電路的接地端與所述音頻芯片的接地端同時接地，所述第二 MOS管的源極連接電源電壓，所述電阻R2的另一端連接電源電壓。更進(jìn)一步地，所述第一 MOS管、所述第二 MOS管均為N型MOS管，所述第三MOS管、所述第四MOS管均為P型MOS管；所述第三MOS管的源極接電源電壓，所述第一 MOS管的源極接地，所述電阻Rl的另一端接地，所述第四MOS管的源極為所述驅(qū)動電路的電源端與所述音頻芯片的電源端同時連接電源電壓，所述第二 MOS管的源極接地，所述電阻R2的另一端接地。更進(jìn)一步地，所述第一 MOS管、第二 MOS管、第三MOS管、第四MOS管均為直插或貼片式封裝。更進(jìn)一步地，所述第一 MOS管、第二 MOS管、第三MOS管、第四MOS管、電阻Rl、電阻R2、電阻R3以及電阻R4均為混合式封裝。本實(shí)用新型實(shí)施例的另一目的在于提供一種音頻驅(qū)動裝置，所述裝置包括上述驅(qū)動電路。本實(shí)用新型實(shí)施例的另一目的在于提供一種包括上述音頻驅(qū)動裝置的報警喇叭。本實(shí)用新型實(shí)施例采用易于集成的MOS器件搭建音頻芯片的驅(qū)動電路，大大節(jié)省了能耗，性能可靠，并且該電路可以采用緊湊的貼片生產(chǎn)，便于自動化生產(chǎn)，印制電路板的面積也大大減小，節(jié)省了成本，能夠滿足報警喇叭市場的集成化、自動化生產(chǎn)需求。

圖I為現(xiàn)有分立直插式結(jié)構(gòu)音頻芯片的驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)圖；圖2為本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的音頻芯片的驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)圖；圖3為本實(shí)用新型另一實(shí)施例提供的首頻芯片的驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。本實(shí)用新型實(shí)施例采用易于集成的MOS器件搭建音頻芯片的驅(qū)動電路，降低了能耗，提高了可靠型，減小了面積，節(jié)省了成本，便于自動化生產(chǎn)。圖2示出了本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的音頻芯片的驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)圖，為了便于說明，僅示出了與本實(shí)用新型實(shí)施例相關(guān)的部分。作為本實(shí)用新型一實(shí)施例，該音頻芯片的驅(qū)動電路2，連接于音頻芯片I與揚(yáng)聲器3之間，其特征在于，驅(qū)動電路包括第一 MOS管Q1、第二 MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、電阻R1、電阻R2、電阻R3以及電阻R4 ；第三MOS管Q3的柵極為驅(qū)動電路的第一輸入端INl與音頻芯片的第一輸出端連接，第三MOS管Q3的漏極為驅(qū)動電路的第一輸出端與揚(yáng)聲器的一端連接，第三MOS管Q3的漏極同時與第一 MOS管Ql的漏極連接，第一 MOS管Ql的柵極與電阻Rl的一端連接，第四MOS管Q4的柵極為驅(qū)動電路的第二輸入端IN2與音頻芯片的第二輸出端連接，第四MOS管 Q4的漏極為驅(qū)動電路的第二輸出端與揚(yáng)聲器的另一輸出端連接，第四MOS的漏極同時與第二 MOS管Q2的漏極連接，第二 MOS管Q2的柵極與電阻R2的一端連接，第二 MOS管Q2的柵極同時通過電阻R3與第三MOS管Q3的漏極連接，第一 MOS管Ql的柵極同時通過電阻R4與第四MOS管Q4的漏極連接；第三MOS管Q3的源極接地或接電源電壓，第一 MOS管Ql的源極連接電源電壓或接地，電阻Rl的另一端連接電源電壓或接地，第四MOS管Q4的源極為驅(qū)動電路的接地端GND與音頻芯片的接地端同時接地或第四MOS管Q4的源極為驅(qū)動電路的電源端Vcc與音頻芯片的電源端同時連接電源電壓，第二 MOS管Q2的源極連接電源電壓或接地，電阻R2的另一端連接電源電壓或接地。作為本實(shí)用新型一實(shí)施例，當(dāng)?shù)谝?MOS管Ql、第二 MOS管Q2均為P型MOS管，第三MOS管Q3、第四MOS管Q4均為N型MOS管時，第三MOS管Q3的源極接地，第一 MOS管Ql的源極連接電源電壓，電阻Rl的另一端連接電源電壓，第四MOS管Q4的源極為驅(qū)動電路的接地端GND與音頻芯片的接地端同時接地，第二 MOS管Q2的源極連接電源電壓，電阻R2的另一端連接電源電壓；當(dāng)?shù)谝?MOS管Q1、第二 MOS管Q2均為N型MOS管，第三MOS管Q3、第四MOS管Q4均為P型MOS管時，第三MOS管Q3的源極接電源電壓，第一 MOS管Ql的源極接地，電阻Rl的另一端接地，第四MOS管Q4的源極為驅(qū)動電路的電源端Vcc與音頻芯片的電源端同時連接電源電壓，第二 MOS管Q2的源極接地，電阻R2的另一端接地，參考圖3。作為本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例，第一 MOS管Ql、第二 MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、電阻R1、電阻R2、電阻R3以及電阻R4可以采用直插或貼片式封裝，也可以采用混合式封裝。作為本實(shí)用新型一實(shí)施例，該驅(qū)動電路2可以與音頻芯片I應(yīng)用于各種音頻驅(qū)動裝置中，該音頻驅(qū)動裝置可以應(yīng)用于各種喇叭中，尤其適用于報警喇叭。在本實(shí)用新型實(shí)施例中，對照圖1，？1 5管叭、02，匪05管03、04構(gòu)成推挽驅(qū)動，電阻R3、電阻R4形成對PMOS管Ql、Q2的驅(qū)動，由于MOS管柵極耐壓有限，故采用由電阻R1、電阻R4，電阻R2、電阻R3分別對PMOS管Ql、Q2形成保護(hù)驅(qū)動，提高該驅(qū)動電路2的可靠性。工作時,音頻芯片I輸出的互補(bǔ)信號分別從第一輸入端INl和第二輸入端IN2輸入給NMOS管Q3、Q4，使NMOS管Q3、Q4交替導(dǎo)通、截止，再由電阻R3、電阻R4分別將NMOS管Q3、Q4的輸出反饋給PMOS管Ql、Q2，從而使PMOS管Ql、Q2分別截止、導(dǎo)通。當(dāng)NMOS管Q3導(dǎo)通、NMOS管Q4截止時，低電平由電阻R3傳送給PMOS管Q2，PMOS管Q2導(dǎo)通，高電平經(jīng)電阻R4傳送給PMOS管Q1，使得PMOS管Ql截止；反之當(dāng)NMOS管Q4導(dǎo)通、NMOS管Q3截止時，低電平由電阻R4傳送給PMOS管Ql，PMOS管Ql導(dǎo)通，高電平經(jīng)電阻R3傳送給PMOS管Q2，使得PMOS管Q2截止。從而實(shí)現(xiàn)揚(yáng)聲器3兩端的推挽驅(qū)動。圖3所示的電路結(jié)構(gòu)為圖2電路的互補(bǔ)式結(jié)構(gòu)，其工作原理與圖2相同，此處不再贅述。本實(shí)用新型實(shí)施例采用易于集成的MOS器件搭建音頻芯片的驅(qū)動電路，由于MOS管的導(dǎo)通壓降相比于三極管的壓降小很多，因此發(fā)熱量也比分立直插式三極管結(jié)構(gòu)的音頻芯片的驅(qū)動電路的發(fā)熱量大幅減少，大大節(jié)省了能耗，性能可靠，并且該電路可以采用緊湊 的貼片生產(chǎn)，便于自動化生產(chǎn)，印制電路板的面積也大大減小，節(jié)省了成本，能夠滿足報警喇叭市場的集成化、自動化生產(chǎn)需求。以上僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種音頻芯片的驅(qū)動電路，連接于音頻芯片與揚(yáng)聲器之間，其特征在于，所述驅(qū)動電路包括 第一 MOS管、第二 MOS管、第三MOS管、第四MOS管、電阻R1、電阻R2、電阻R3以及電阻R4 ； 所述第三MOS管的柵極為所述驅(qū)動電路的第一輸入端與所述音頻芯片的第一輸出端連接，所述第三MOS管的漏極為所述驅(qū)動電路的第一輸出端與所述揚(yáng)聲器的一端連接，所述第三MOS管的漏極同時與所述第一 MOS管的漏極連接，所述第一 MOS管的柵極與電阻Rl的一端連接，所述第四MOS管的柵極為所述驅(qū)動電路的第二輸入端與所述音頻芯片的第二輸出端連接，所述第四MOS管的漏極為所述驅(qū)動電路的第二輸出端與所述揚(yáng)聲器的另ー輸出端連接，所述第四MOS的漏極同時與所述第二 MOS管的漏極連接，所述第二 MOS管的柵極與所述電阻R2的一端連接，所述第二 MOS管的柵極同時通過所述電阻R3與所述第三MOS管的漏極連接，所述第一 MOS管的柵極同時通過電阻R4與所述第四MOS管的漏極連接； 所述第三MOS管的源極接地或接電源電壓，所述第一 MOS管的源極連接電源電壓或接地，所述電阻Rl的另一端連接電源電壓或接地，所述第四MOS管的源極為所述驅(qū)動電路的接地端與所述音頻芯片的接地端同時接地或所述第四MOS管的源極為所述驅(qū)動電路的電源端與所述音頻芯片的電源端同時連接電源電壓，所述第二 MOS管的源極連接電源電壓或接地，所述電阻R2的另一端連接電源電壓或接地。
2.如權(quán)利要求I所述的驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一MOS管、所述第二 MOS管均為P型MOS管，所述第三MOS管、所述第四MOS管均為N型MOS管； 所述第三MOS管的源極接地，所述第一 MOS管的源極連接電源電壓，所述電阻Rl的另一端連接電源電壓，所述第四MOS管的源極為所述驅(qū)動電路的接地端與所述音頻芯片的接地端同時接地，所述第二MOS管的源極連接電源電壓，所述電阻R2的另一端連接電源電壓。
3.如權(quán)利要求I所述的驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一MOS管、所述第二 MOS管均為N型MOS管，所述第三MOS管、所述第四MOS管均為P型MOS管； 所述第三MOS管的源極接電源電壓，所述第一 MOS管的源極接地，所述電阻Rl的另ー端接地，所述第四MOS管的源極為所述驅(qū)動電路的電源端與所述音頻芯片的電源端同時連接電源電壓，所述第二 MOS管的源極接地，所述電阻R2的另一端接地。
4.如權(quán)利要求I所述的驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一MOS管、第二 MOS管、第三MOS管、第四MOS管均為直插或貼片式封裝。
5.如權(quán)利要求I所述的驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一MOS管、第二 MOS管、第三MOS管、第四MOS管、電阻R1、電阻R2、電阻R3以及電阻R4均為混合式封裝。
6.ー種音頻驅(qū)動裝置，其特征在于，所述裝置的音頻芯片的驅(qū)動電路為如權(quán)利要求I至5任一項(xiàng)所述的驅(qū)動電路。
7.一種報警喇叭，其特征在于，所述報警喇叭的音頻驅(qū)動裝置為如權(quán)利要求6所述的裝置。
專利摘要本實(shí)用新型適用于集成電路應(yīng)用領(lǐng)域，提供了一種音頻芯片的驅(qū)動電路、音頻驅(qū)動裝置及報警喇叭，所述驅(qū)動電路連接于音頻芯片與揚(yáng)聲器之間，包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、電阻R1、電阻R2、電阻R3以及電阻R4。本實(shí)用新型采用易于集成的MOS器件搭建音頻芯片的驅(qū)動電路，由于MOS管的導(dǎo)通壓降相比于三極管的壓降小很多，因此發(fā)熱量也比三極管結(jié)構(gòu)的音頻芯片的驅(qū)動電路的發(fā)熱量大幅減少，大大節(jié)省了能耗，性能可靠，并且該電路可以采用緊湊的貼片生產(chǎn)，便于自動化生產(chǎn)，印制電路板的面積也大大減小，節(jié)省了成本，能夠滿足報警喇叭市場的集成化、自動化生產(chǎn)的需求。
文檔編號G10K7/00GK202475740SQ20122002390
公開日2012年10月3日 申請日期2012年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月18日
發(fā)明者周雨, 李永成 申請人:深圳市矽茂科技有限公司