技術(shù)特征：
1.一種沿著襯底上的軌跡分配金屬納米顆粒組合物的方法，所述方法包括以下步驟：提供噴嘴，所述噴嘴包括入口、出口以及位于所述入口與所述出口之間的長形流體通路，所述出口向下指向所述襯底，所述出口以出口大小為特征；將金屬納米顆粒組合物提供到所述噴嘴中；初始化所述噴嘴；初始化流體橋；以及將所述組合物從所述噴嘴分配到所述襯底上；其中，所述初始化所述噴嘴的步驟包括向所述噴嘴中的所述組合物施加初始壓力以使所述組合物從所述出口流出，以及將所述出口定位在所述襯底上方的初始高度處，使得所述組合物不會流到所述襯底上；其中，所述初始化流體橋的步驟是在所述初始化所述噴嘴的步驟之后進(jìn)行，并且包括(1)將所述出口從所述初始高度朝向所述襯底下降，使得在所述出口與所述襯底之間形成流體橋并且所述出口不與所述襯底直接接觸，以及(2)向所述組合物施加經(jīng)調(diào)整的壓力，所述經(jīng)調(diào)整的壓力低于所述組合物繼續(xù)從所述出口流出所需的壓力；并且其中，所述將所述組合物從所述噴嘴分配到所述襯底上的步驟是在所述初始化流體橋的步驟之后進(jìn)行，并且包括向所述組合物施加分配壓力，同時使所述噴嘴沿著所述襯底上的所述軌跡側(cè)向移位，所述分配壓力小于或等于所述經(jīng)調(diào)整的壓力。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述流體通路包括朝向所述出口漸縮的漸縮部分。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述初始高度為5μm或更大。4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述調(diào)整所述噴嘴的豎直位置的步驟包括將所述出口下降到所述襯底上方的經(jīng)調(diào)整的高度，所述經(jīng)調(diào)整的高度為50nm或更大。5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述出口大小在700nm到40μm的范圍內(nèi)。6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述出口大小在700nm到5μm的范圍內(nèi)。7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述初始壓力在1.0巴到3.0巴的范圍內(nèi)。8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述經(jīng)調(diào)整的壓力在10毫巴到200毫巴的范圍內(nèi)。9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述分配壓力在0毫巴到100毫巴的范圍內(nèi)。10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述組合物包括銀納米顆粒或銅納米顆粒。11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述組合物的粘度在25℃下為至少2000cp。12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述從所述噴嘴分配所述組合物的步驟另外包括在沿著所述襯底上的所述軌跡的向上的臺階處將所述噴嘴升高。13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述噴嘴在向上的臺階處的升高與所述噴嘴的側(cè)向移位是同時進(jìn)行的。14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述噴嘴在向上的臺階處的升高與所述噴嘴的側(cè)向移位是按順序進(jìn)行的。15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述從所述噴嘴分配所述組合物的步驟另外包括在沿著所述襯底上的所述軌跡的向下的臺階處將所述噴嘴下降。16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述噴嘴在向下的臺階處的下降與所述噴嘴的側(cè)向移位是同時進(jìn)行的。17.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述噴嘴在向下的臺階處的下降與所述噴嘴的側(cè)
向移位是按順序進(jìn)行的。18.一種沿著襯底上的軌跡分配金屬納米顆粒組合物的方法，所述方法包括以下步驟：提供噴嘴，所述噴嘴包括入口、出口以及位于所述入口與所述出口之間的長形流體通路，所述出口向下指向所述襯底，所述出口以出口大小為特征；將金屬納米顆粒組合物提供到所述噴嘴中；初始化彎月面；初始化流體橋；調(diào)整所述噴嘴的豎直位置；以及將所述組合物從所述噴嘴分配到所述襯底上；其中，所述初始化彎月面的步驟包括將所述出口定位在所述襯底上方的初始高度處，以及向所述噴嘴中的所述組合物施加初始壓力以使彎月面從所述出口朝向所述襯底向下突出；其中，所述初始化流體橋的步驟是在所述初始化彎月面的步驟之后進(jìn)行，并且包括將所述出口下降到所述襯底上方的中間高度，以及向所述組合物施加中間壓力，使得在所述出口與所述襯底之間形成流體橋并且所述出口不與所述襯底直接接觸；其中，所述調(diào)整所述噴嘴的豎直位置的步驟是在所述初始化流體橋的步驟之后進(jìn)行，并且包括將所述出口定位在所述襯底上方的大于所述中間高度的經(jīng)調(diào)整的高度處，以及向所述組合物施加經(jīng)調(diào)整的壓力，使得所述流體橋保持與所述出口和所述襯底接觸；并且其中，所述將所述組合物從所述噴嘴分配到所述襯底上的步驟是在所述調(diào)整所述噴嘴的豎直位置的步驟之后進(jìn)行，并且包括向所述組合物施加分配壓力，同時使所述噴嘴沿著所述襯底上的所述軌跡側(cè)向移位。19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述初始高度在30μm到80μm的范圍內(nèi)。20.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述中間高度在1μm到5μm的范圍內(nèi)。21.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述經(jīng)調(diào)整的高度比所述中間高度大范圍為10μm到20μm的差值。22.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述出口大小在100μm到150μm的范圍內(nèi)。23.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述初始壓力在25毫巴到100毫巴的范圍內(nèi)。24.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述中間壓力在10毫巴到50毫巴的范圍內(nèi)。25.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述經(jīng)調(diào)整的壓力在10毫巴到50毫巴的范圍內(nèi)。26.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述分配壓力在10毫巴到50毫巴的范圍內(nèi)。27.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述組合物包括銅納米顆?；蜚y納米顆粒。28.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述組合物的粘度在25℃下為至少250cp。29.如權(quán)利要求28所述的方法，其中，所述粘度在25℃下為至少1000cp。30.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述從所述噴嘴分配所述組合物的步驟另外包括在沿著所述襯底上的所述軌跡的向上的臺階處將所述噴嘴升高。31.如權(quán)利要求30所述的方法，其中，所述噴嘴在向上的臺階處的升高與所述噴嘴的側(cè)向移位是同時進(jìn)行的。32.如權(quán)利要求30所述的方法，其中，所述噴嘴在向上的臺階處的升高與所述噴嘴的側(cè)向移位是按順序進(jìn)行的。
33.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述從所述噴嘴分配所述組合物的步驟另外包括在沿著所述襯底上的所述軌跡的向下的臺階處將所述噴嘴下降。34.如權(quán)利要求33所述的方法，其中，所述噴嘴在向下的臺階處的下降與所述噴嘴的側(cè)向移位是同時進(jìn)行的。35.如權(quán)利要求33所述的方法，其中，所述噴嘴在向下的臺階處的下降與所述噴嘴的側(cè)向移位是按順序進(jìn)行的。36.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述噴嘴相對于豎直方向傾斜，傾斜角度的范圍為30
°
到60
°
。37.一種沿著襯底上的軌跡分配金屬納米顆粒組合物的方法，所述方法包括以下步驟：提供噴嘴，所述噴嘴包括入口、出口以及位于所述入口與所述出口之間的長形流體通路，所述出口向下指向所述襯底，所述出口以出口大小為特征；將金屬納米顆粒組合物提供到所述噴嘴中；初始化所述噴嘴；初始化流體橋；以及將所述組合物從所述噴嘴分配到所述襯底上；其中，所述初始化所述噴嘴的步驟包括向所述噴嘴中的所述組合物施加初始壓力，以及將所述出口定位在所述襯底上方的初始高度處，使得所述組合物不會流到所述襯底上；其中，所述初始化流體橋的步驟是在所述初始化所述噴嘴的步驟之后進(jìn)行，并且包括(1)將所述出口從所述初始高度朝向所述襯底下降，使得在所述出口與所述襯底之間形成流體橋并且所述出口不與所述襯底直接接觸，以及(2)向所述組合物施加經(jīng)調(diào)整的壓力，所述經(jīng)調(diào)整的壓力低于所述組合物從所述出口流出所需的壓力；并且其中，所述將所述組合物從所述噴嘴分配到所述襯底上的步驟是在所述初始化流體橋的步驟之后進(jìn)行，并且包括向所述組合物施加分配壓力，同時使所述噴嘴沿著所述襯底上的所述軌跡側(cè)向移位，所述分配壓力足以將所述組合物分配到所述襯底上。

技術(shù)總結(jié)
披露了一種沿著襯底(110)上的軌跡分配金屬納米顆粒組合物的方法。首先，向噴嘴中的組合物施加初始壓力以使組合物從出口流出。將噴嘴(200)定位在一定高度處使得組合物不會流到襯底上。其次，將噴嘴朝向襯底下降使得在出口與襯底(110)之間形成流體橋，并且向噴嘴(200)中的組合物施加經(jīng)調(diào)整的壓力。經(jīng)調(diào)整的壓力低于組合物繼續(xù)從出口流出所需的壓力。第三，從噴嘴(200)分配流體。向流體施加分配壓力，同時使噴嘴沿著襯底(110)上的軌跡側(cè)向移位。使噴嘴沿著襯底(110)上的軌跡側(cè)向移位。使噴嘴沿著襯底(110)上的軌跡側(cè)向移位。


技術(shù)研發(fā)人員：馬特烏什
受保護(hù)的技術(shù)使用者：艾斯提匹勒股份公司
技術(shù)研發(fā)日：2020.07.28
技術(shù)公布日：2022/3/18