曝光方法、掩膜及芯片基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種芯片基板、曝光方法及掩膜。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體工藝中，光刻工藝(photolithography)對(duì)于所產(chǎn)生的芯片的品質(zhì)而言占了決定性的影響因素之一。在光刻工藝中，掩膜上的圖案并無(wú)法百分之百無(wú)誤差地被復(fù)制成光刻膠圖案，這是受到光學(xué)上的因素與光刻膠顯影時(shí)角緣圓化的因素等影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明實(shí)施例提供一種曝光方法、掩膜以及芯片基板(chip substrate),可使各晶粒的線(xiàn)路布局的線(xiàn)寬較為一致。
[0004]本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種曝光方法,其包括:提供一基板；在基板上形成一光刻膠層；以及通過(guò)一成像鏡頭將一掩膜上的多個(gè)圖案成像于光刻膠層上，以對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光。其中，掩膜具有多個(gè)芯片區(qū)，每一芯片區(qū)包括該圖案，這些芯片區(qū)的這些圖案彼此實(shí)質(zhì)上相同，且這些芯片區(qū)的這些圖案的線(xiàn)寬由位于掩膜的邊緣往位于掩膜的中央呈現(xiàn)增加的趨勢(shì)。
[0005]本發(fā)明的一實(shí)施例還提供一種掩膜，其包括多個(gè)芯片區(qū)，每一芯片區(qū)包括一圖案，且這些芯片區(qū)的這些圖案彼此實(shí)質(zhì)上相同。這些芯片區(qū)的這些圖案的線(xiàn)寬由位于掩膜的邊緣往位于掩膜的中央呈現(xiàn)增加的趨勢(shì)。
[0006]本發(fā)明的一實(shí)施例還提供一種曝光方法，其包括:提供一基板；在基板上形成一光刻膠層；以及通過(guò)一成像鏡頭將一掩膜上的圖案成像于光刻膠層上，以對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光，其中掩膜具有多個(gè)芯片區(qū)，且至少有兩個(gè)芯片區(qū)具有實(shí)質(zhì)相同的圖案，但這些實(shí)質(zhì)相同的圖案分別具有不同的線(xiàn)寬。
[0007]本發(fā)明的一實(shí)施例再提供一種芯片基板，其包括多個(gè)晶粒，這些晶粒排列成陣列，且每一晶粒包括一線(xiàn)路布局。這些晶粒的這些線(xiàn)路布局彼此實(shí)質(zhì)上相同，且這些晶粒的這些線(xiàn)路布局的線(xiàn)寬之間的差異小于2%。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1A與圖1B為用以繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的曝光方法的流程的示意圖。
[0009]圖2A為圖1B中的掩膜的正視示意圖。
[0010]圖2B為圖1B中的基板的正視示意圖。
[0011]圖2C為圖2B中的基板受到一次曝光的區(qū)域的正視示意圖。
[0012]圖3A為圖2A的掩膜中的位于邊緣的芯片區(qū)中的圖案的局部正視示意圖。
[0013]圖3B為圖2A的掩膜中的位于中央的芯片區(qū)中的圖案的局部正視示意圖。
[0014]圖4A為圖2B的基板在經(jīng)過(guò)半導(dǎo)體工藝后所制成的芯片基板的部分的正視圖，其中此部分對(duì)應(yīng)于基板的區(qū)域A。
[0015]圖4B為圖4A中的晶粒中的部分線(xiàn)路布局的正視圖。
[0016]主要元件符號(hào)說(shuō)明
[0017]110:基板
[0018]112:晶粒區(qū)
[0019]120:光刻膠層
[0020]130:成像鏡頭
[0021]140:掩膜
[0022]142:影像光束
[0023]144:芯片區(qū)
[0024]145:圖案
[0025]150:光源
[0026]152:照明光束
[0027]212:晶粒
[0028]245:線(xiàn)路布局
[0029]A、A1、R1、R2、R3、R4:區(qū)域
[0030]V、W、W1、W2:線(xiàn)寬
【具體實(shí)施方式】
[0031]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說(shuō)明如下。
[0032]圖1A與圖1B為用以繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的曝光方法的流程的示意圖，圖2A為圖1B中的掩膜的正視示意圖，圖2B為圖1B中的基板的正視示意圖，而圖2C為圖2B中的基板受到一次曝光的部分區(qū)域的正視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1A、圖1B及圖2A至圖2C，本實(shí)施例的曝光方法包括下列步驟。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D1A，提供一基板110，基板110例如為硅基板、其他半導(dǎo)體基板、玻璃基板、塑膠基板或其他適當(dāng)?shù)幕?。之后，在基?10上形成一光刻膠層120，前述提及在基板110上形成一光刻膠層120可以是，直接在基板110上形成一光刻膠層120、在基板上的其他材料層上形成光刻膠層120，或是其他形成方式。形成光刻膠層120的方式例如是以涂布(如旋轉(zhuǎn)涂布)工藝將光刻膠層120涂布于基板110上，或者以其他適當(dāng)?shù)姆绞?例如噴印工藝)將光刻膠層120形成于基板110上。
[0033]然后，請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D1B，通過(guò)一成像鏡頭130將一掩膜140成像于光刻膠層120上，例如是將掩膜140上的圖案成像于光刻膠層120上，以對(duì)光刻膠層120進(jìn)行曝光。在本實(shí)施例中，可通過(guò)一光源150提供一照明光束152，照明光束152經(jīng)過(guò)掩膜140后形成一攜帶掩膜140上的圖案資訊的影像光束142。在本實(shí)施例中，光源150例如為一紫外光源，而照明光束152例如為紫外光束。然而,在其他實(shí)施例中,亦可采用其他波長(zhǎng)或波段的可使光刻膠層120曝光的光源。
[0034]當(dāng)利用掩膜對(duì)基板上的一個(gè)區(qū)域作一次曝光時(shí)，此區(qū)域?qū)?lái)通常會(huì)形成多個(gè)排成陣列的晶粒(die)區(qū)。也就是說(shuō)，掩膜上對(duì)應(yīng)的有多個(gè)排成陣列且彼此實(shí)質(zhì)相同的圖案。對(duì)于曝光機(jī)的成像鏡頭而言，靠近成像鏡頭的光軸的光線(xiàn)較容易聚光，因此當(dāng)掩膜上排成陣列的這些實(shí)質(zhì)相同的圖案被成像于基板上時(shí)，越靠近光軸的光刻膠圖案的線(xiàn)寬會(huì)越小。如此一來(lái)，在一次曝光所形成的多個(gè)晶粒區(qū)中的圖案的線(xiàn)寬將會(huì)不一致，進(jìn)而可能造成所制造出的晶?；蚴切酒?chip)的電性品質(zhì)不一致。
[0035]請(qǐng)參照?qǐng)D1B和圖2A至圖2C，在本實(shí)施例中，掩膜140可具有多個(gè)芯片區(qū)144，掩膜140可在多個(gè)不同的時(shí)間中分別被成像鏡頭130成像于基板110的多個(gè)不同的區(qū)域A上。其中基板110例如是晶片(wafer)，而掩膜140的這些芯片區(qū)144可分別被成像于基板110上的多個(gè)晶粒區(qū)112上，而這些晶粒區(qū)112將被制造及切割成多個(gè)彼此實(shí)質(zhì)上相同的晶粒，因此掩膜140的這些芯片區(qū)144中的圖案彼此實(shí)質(zhì)上相同。然而，如前述所提及，成像鏡頭130會(huì)產(chǎn)生一些光學(xué)成像上的像差，而使得區(qū)域A中靠近中央的成像尺寸較小，且使得區(qū)域A中靠近邊緣的成像尺寸較大。因此，若掩膜140上的這些芯片區(qū)144中的圖案的線(xiàn)寬都相同時(shí)，將使得基板110上的晶粒區(qū)112中的光刻膠層120在顯影后的線(xiàn)寬不一致，而產(chǎn)生區(qū)域A中靠近中央的晶粒區(qū)112中的線(xiàn)寬小，區(qū)域A中靠近邊緣的晶粒區(qū)112中的線(xiàn)寬大的情形。所以，本實(shí)施例的這些芯片區(qū)144的這些圖案的線(xiàn)寬由位于掩膜140的邊緣往位于掩膜140的中央呈現(xiàn)固定變化的趨勢(shì)(例如呈現(xiàn)增加的趨勢(shì))可使基板110上的晶粒區(qū)112中的光刻膠層120在顯影后的線(xiàn)寬較為一致。如此一來(lái)，便可使從基板110所切割出的晶粒中的導(dǎo)電線(xiàn)路的線(xiàn)寬較為一致，進(jìn)而使這些晶粒的電性品質(zhì)較為一致。換言之，掩膜140中可以至少有兩個(gè)芯片區(qū)144具有實(shí)質(zhì)相同的圖案，但這些實(shí)質(zhì)相同的圖案分別具有不同的線(xiàn)寬。更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，可參照?qǐng)D3A及圖3B的敘述以進(jìn)一步了解掩膜140上的圖案的變化。
[0036]圖3A為圖2A的掩膜中的位于邊緣的芯片區(qū)中的圖案的局部正視示意圖，而圖3B為圖2A的掩膜中的位于中央的芯片區(qū)中的圖案的局部正視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2A、圖3A與圖3B，每一芯片區(qū)144可包含一圖案，例如圖案145，這些芯片區(qū)144的這些圖案145彼此實(shí)質(zhì)上相同，且這些芯片區(qū)144的這些圖案145的線(xiàn)寬W由位于掩膜140的邊緣往位于掩膜140的中央呈現(xiàn)增加的趨勢(shì)。舉例而言，位于掩膜140的邊緣的芯片區(qū)144的圖案145的線(xiàn)寬Wl小于位于掩膜140的中央的芯片區(qū)14