本公開總體上涉及一種基于半導(dǎo)體的調(diào)制器以及一種包括導(dǎo)電帶的基于半導(dǎo)體的調(diào)制器。

背景技術(shù)：

1、電光調(diào)制器是將電信號(hào)(諸如射頻(rf)信號(hào))施加到光信號(hào)以生成調(diào)制光信號(hào)(例如，被調(diào)制以承載由電信號(hào)表示的數(shù)據(jù)的光信號(hào))的設(shè)備。電光調(diào)制器可以包括緊鄰光波導(dǎo)定位的行波電極結(jié)構(gòu)。在操作中，由電極結(jié)構(gòu)生成的電場與調(diào)制區(qū)域內(nèi)的光波導(dǎo)重疊(例如，預(yù)定距離)，并且引起電磁相互作用以生成調(diào)制光信號(hào)。例如，電光調(diào)制器可以采用包括rf波導(dǎo)的馬赫-曾德爾(mz)干涉儀的形式，所述rf波導(dǎo)包括兩個(gè)軌道，其中每個(gè)軌道與一組rf電極段電連接，其中每組rf電極段被布置在兩個(gè)光波導(dǎo)中的一個(gè)上。這里，由rf電極組施加在光波導(dǎo)上的rf信號(hào)用于調(diào)制在光波導(dǎo)中傳播的光信號(hào)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、在一些實(shí)施方式中，電光調(diào)制器包括：rf調(diào)制區(qū)域，所述rf調(diào)制區(qū)域包括：第一光波導(dǎo)，所述第一光波導(dǎo)用于傳播在傳播方向上行進(jìn)的第一光信號(hào)；第二光波導(dǎo)，所述第二光波導(dǎo)用于傳播在所述傳播方向上行進(jìn)的第二光信號(hào)；第一組電極段，所述第一組電極段用于與調(diào)制所述第一光信號(hào)相關(guān)聯(lián)地將第一rf信號(hào)施加到所述第一光波導(dǎo)，所述第一rf信號(hào)由rf波導(dǎo)的第一軌道提供并在所述傳播方向上行進(jìn)；第二組電極段，所述第二組電極段用于與調(diào)制所述第二光信號(hào)相關(guān)聯(lián)地將第二rf信號(hào)施加到所述第二光波導(dǎo)，所述第二rf信號(hào)由所述rf波導(dǎo)的第二軌道提供并在所述傳播方向上行進(jìn)；以及導(dǎo)電帶，所述導(dǎo)電帶用于使得能夠從所述電光調(diào)制器提取在所述第一光波導(dǎo)和所述第二光波導(dǎo)中生成并流過所述第一光波導(dǎo)和所述第二光波導(dǎo)下方的摻雜層的光電流，所述導(dǎo)電帶在所述第一光波導(dǎo)和所述第二光波導(dǎo)之間并與所述摻雜層歐姆接觸。

2、在一些實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電帶為所述光電流提供比由所述摻雜層提供的導(dǎo)電路徑更低阻抗的導(dǎo)電路徑。

3、在一些實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電帶不與所述電光調(diào)制器的外部偏置連接直接連接。

4、在一些實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電帶包括歐姆接觸層和覆蓋層。

5、在一些實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電帶的長度大于或等于所述第一組電極段的總長度和所述第二組電極段的總長度。

6、在一些實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電帶的端部延伸超過所述第一組電極段的端部和所述第二組電極段的端部。

7、在一些實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電帶包括單個(gè)導(dǎo)電段。

8、在一些實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電帶包括至少兩個(gè)導(dǎo)電段。

9、在一些實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電帶通過在所述摻雜層上方的介電層中的開口接觸所述摻雜層。

10、在一些實(shí)施方式中，所述電光調(diào)制器是iii-v半導(dǎo)體調(diào)制器。

11、在一些實(shí)施方式中，電光調(diào)制器包括：基板；在所述基板上方的第一摻雜層；在所述第一摻雜層上方的未摻雜層；在所述未摻雜層上方的第二層，其中所述第一摻雜層的第一區(qū)域、所述未摻雜層的第一區(qū)域、所述第二層的第一區(qū)域和介電層的第一部分形成第一肋狀結(jié)構(gòu)，并且其中所述第一摻雜層的第二區(qū)域、所述未摻雜層的第二區(qū)域、所述第二層的第二區(qū)域和介電層的第二部分形成第二肋狀結(jié)構(gòu)；第一組電極段，所述第一組電極段在所述第一肋狀結(jié)構(gòu)上方；第二組電極段，所述第二組電極段在所述第二肋狀結(jié)構(gòu)上方；rf波導(dǎo)的第一軌道，所述第一軌道與所述第一組電極段電連接；所述rf波導(dǎo)的第二軌道，所述第二軌道與所述第二組電極段電連接；以及導(dǎo)電帶，所述導(dǎo)電帶與所述第一摻雜層的第三區(qū)域歐姆接觸，所述第一摻雜層的所述第三區(qū)域在所述第一摻雜層的所述第一區(qū)域和所述第一摻雜層的所述第二區(qū)域之間。

12、在一些實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電帶用于使得能夠從所述電光調(diào)制器提取在所述肋狀結(jié)構(gòu)和所述第二肋狀結(jié)構(gòu)中生成并流過所述第一摻雜層的光電流。

13、在一些實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電帶不與所述電光調(diào)制器的外部偏置連接直接連接。

14、在一些實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電帶包括歐姆接觸層和所述歐姆接觸層上方的覆蓋層。

15、在一些實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電帶包括單個(gè)導(dǎo)電段。

16、在一些實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電帶通過在所述摻雜層上方的介電層中的開口接觸所述摻雜層。

17、在一些實(shí)施方式中，所述電光調(diào)制器是iii-v半導(dǎo)體調(diào)制器。

18、在一些實(shí)施方式中，基于半導(dǎo)體的調(diào)制器，包括：rf調(diào)制區(qū)域，所述rf調(diào)制區(qū)域包括：第一光波導(dǎo)，所述第一光波導(dǎo)用于傳播在傳播方向上行進(jìn)的第一光信號(hào)；第二光波導(dǎo)，所述第二光波導(dǎo)用于傳播在所述傳播方向上行進(jìn)的第二光信號(hào)；rf波導(dǎo)，所述rf波導(dǎo)用于將第一rf信號(hào)施加到所述第一光波導(dǎo)并且將第二rf信號(hào)施加到所述第二光波導(dǎo)，所述第一rf信號(hào)和所述第二rf信號(hào)在所述傳播方向上行進(jìn)；以及導(dǎo)電帶，所述導(dǎo)電帶用于降低所述基于半導(dǎo)體的調(diào)制器的外部偏置連接與所述第一光波導(dǎo)和所述第二光波導(dǎo)下方的摻雜區(qū)之間的導(dǎo)電路徑上的阻抗，以使得能夠從所述基于半導(dǎo)體的調(diào)制器提取流過所述摻雜區(qū)的光電流。

19、在一些實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電帶與所述摻雜區(qū)歐姆接觸。

20、在一些實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電帶不與所述外部偏置連接直接連接。

技術(shù)特征：

1.一種電光調(diào)制器，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其中所述導(dǎo)電帶為所述光電流提供比由所述摻雜層提供的導(dǎo)電路徑更低阻抗的導(dǎo)電路徑。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其中所述導(dǎo)電帶不與所述電光調(diào)制器的外部偏置連接直接連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其中所述導(dǎo)電帶包括歐姆接觸層和覆蓋層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其中所述導(dǎo)電帶的長度大于或等于所述第一組電極段的總長度和所述第二組電極段的總長度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其中所述導(dǎo)電帶的端部延伸超過所述第一組電極段的端部和所述第二組電極段的端部。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其中所述導(dǎo)電帶包括單個(gè)導(dǎo)電段。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其中所述導(dǎo)電帶包括至少兩個(gè)導(dǎo)電段。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其中所述導(dǎo)電帶通過在所述摻雜層上方的介電層中的開口接觸所述摻雜層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其中所述電光調(diào)制器是iii-v半導(dǎo)體調(diào)制器。

11.一種電光調(diào)制器，包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電光調(diào)制器，其中所述導(dǎo)電帶用于使得能夠從所述電光調(diào)制器提取在所述肋狀結(jié)構(gòu)和所述第二肋狀結(jié)構(gòu)中生成并流過所述第一摻雜層的光電流。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電光調(diào)制器，其中所述導(dǎo)電帶不與所述電光調(diào)制器的外部偏置連接直接連接。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電光調(diào)制器，其中所述導(dǎo)電帶包括歐姆接觸層和所述歐姆接觸層上方的覆蓋層。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電光調(diào)制器，其中所述導(dǎo)電帶包括單個(gè)導(dǎo)電段。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電光調(diào)制器，其中所述導(dǎo)電帶通過在所述摻雜層上方的介電層中的開口接觸所述摻雜層。

17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電光調(diào)制器，其中所述電光調(diào)制器是iii-v半導(dǎo)體調(diào)制器。

18.一種基于半導(dǎo)體的調(diào)制器，包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的基于半導(dǎo)體的調(diào)制器，其中，所述導(dǎo)電帶與所述摻雜區(qū)歐姆接觸。

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的基于半導(dǎo)體的調(diào)制器，其中所述導(dǎo)電帶不與所述外部偏置連接直接連接。

技術(shù)總結(jié)
電光調(diào)制器可以包括射頻(RF)調(diào)制區(qū)域，所述RF調(diào)制區(qū)域包括第一光波導(dǎo)、第二光波導(dǎo)、第一組電極段、第二組電極段和導(dǎo)電帶。所述第一光波導(dǎo)可以傳播第一光信號(hào)。所述第二光波導(dǎo)可以傳播第二光信號(hào)。所述第一組電極段可以將第一RF信號(hào)施加到所述第一光波導(dǎo)。所述第二組電極段可以將第二RF信號(hào)施加到所述第二光波導(dǎo)。所述導(dǎo)電帶可以使得能夠從所述電光調(diào)制器提取在所述第一光波導(dǎo)和所述第二光波導(dǎo)中生成并流過所述第一光波導(dǎo)和所述第二光波導(dǎo)下方的摻雜層的光電流。所述導(dǎo)電帶可以與所述摻雜層歐姆接觸。

技術(shù)研發(fā)人員：N·D·惠特布萊德,S·瓊斯,R·格里芬,J·M·希頓,Y·石
受保護(hù)的技術(shù)使用者：朗美通技術(shù)英國有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9