本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種空間光調(diào)制器及顯示裝置。

背景技術(shù)：

全息顯示技術(shù)不同于其它的三維顯示技術(shù)，是以空間光調(diào)制器為核心器件，再現(xiàn)原物的三維立體像。全息顯示技術(shù)的特點(diǎn)是將記錄了物光波的振幅和相位信息的數(shù)字全息信息，加載到空間光調(diào)制器，利用全息光電再現(xiàn)技術(shù)再現(xiàn)原物光波。

空間光調(diào)制器是一種光電器件，在信源信號(hào)的控制下，它能對(duì)光波的某個(gè)參數(shù)進(jìn)行調(diào)制，例如通過(guò)吸收調(diào)制振幅、折射率調(diào)制相位、偏振面的旋轉(zhuǎn)調(diào)制偏振態(tài)等等，從而將信源信號(hào)所荷載的物光波的振幅和相位信息寫(xiě)進(jìn)入射參考光波之中。其輸出光波是隨控制信號(hào)變化的空間和時(shí)間的函數(shù)。

目前用于全息顯示的空間光調(diào)制器主要有液晶空間光調(diào)制器(liquidcrystalspatiallightmodulator，lc-slm)。數(shù)字微反射鏡器件(digitalmicro—mirrordevice，dmd)以及光折變晶體(photoreflectivecrystal，prc)。其中，液晶空間光調(diào)制器的工作原理為參考光波照射至液晶空間光調(diào)制器，液晶空間光調(diào)制器在信源信號(hào)的控制下利用電場(chǎng)控制液晶的偏轉(zhuǎn)，從而控制輸出光波，即參考光波經(jīng)液晶空間光調(diào)制器調(diào)制后輸出。根據(jù)讀參考光波的輸入方式可分為透射式和反射式。如圖1a所示，圖1a為透射式液晶空間光調(diào)制器的光路示意圖，透射式是指參考光波從液晶空間光調(diào)制器1的一側(cè)輸入，經(jīng)液晶調(diào)制后的輸出光波從另一側(cè)輸出。如圖1b所示，圖1b為反射式液晶空間光調(diào)制器的光路示意圖；反射式是指參考光波從液晶空間光調(diào)制器1的一側(cè)輸入先被反射后，反射光經(jīng)液晶調(diào)制后的輸出光波還從輸入側(cè)輸出。

現(xiàn)有的反射式液晶空間光調(diào)制器的結(jié)構(gòu)如圖2a所示，圖2a為現(xiàn)有的反射式液晶空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)圖；包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板10和上基板20，位于陣列基板10與上基板20之間的液晶層30、隔離柱40；其中，上基板20上設(shè)置有公共電極21和黑矩陣層22，陣列基板10上設(shè)置有多個(gè)像素電極11，覆蓋像素電極11的平坦化層12，位于平坦化層12上且與各像素電極11分別一一對(duì)應(yīng)的反射電極13，為了增大存儲(chǔ)電容，反射電極13通過(guò)貫穿平坦化層12的過(guò)孔v與對(duì)應(yīng)的像素電極11電連接，如圖2b所示，圖2b現(xiàn)有的反射式液晶空間光調(diào)制器的局部俯視示意圖；隔離柱40放置于4個(gè)相鄰的過(guò)孔v之間，由于隔離柱40會(huì)影響其周?chē)妶?chǎng)的分布，導(dǎo)致隔離柱40附近有較大區(qū)域無(wú)法正常顯示，因此需要黑矩陣層22覆蓋隔離柱40以及隔離柱40的周?chē)鷧^(qū)域，并且黑矩陣層22還需要覆蓋過(guò)孔v，但是這會(huì)導(dǎo)致現(xiàn)有的空間光調(diào)制器像素開(kāi)口率較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種空間光調(diào)制器及顯示裝置，用以提供空間光調(diào)制器的像素開(kāi)口率。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種空間光調(diào)制器，包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板和上基板，位于所述陣列基板與所述上基板之間的液晶層和隔離柱；其中，所述陣列基板上設(shè)置有呈矩陣排列的多個(gè)像素電極，覆蓋所述像素電極的平坦化層，位于所述平坦化層上且與各所述像素電極分別一一對(duì)應(yīng)的反射電極，且各所述反射電極通過(guò)貫穿所述平坦化層的過(guò)孔與對(duì)應(yīng)的所述像素電極電連接；

以相鄰的2×2個(gè)像素電極為一像素組，與各所述像素電極對(duì)應(yīng)的過(guò)孔位于靠近所述像素組的中心的區(qū)域，且所述隔離柱位于所述像素組的中心區(qū)域。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供的上述空間光調(diào)制器及顯示裝置，以相鄰的2×2個(gè)像素電極為一像素組，將與各像素電極對(duì)應(yīng)的過(guò)孔設(shè)置于靠近像素組的中心的區(qū)域，并且將隔離柱設(shè)置在像素組的中心區(qū)域，可以使隔離柱與過(guò)孔重疊或者使隔離柱緊鄰過(guò)孔。當(dāng)隔離柱與過(guò)孔重疊時(shí)，覆蓋隔離柱的黑矩陣層以及覆蓋隔離柱周?chē)鷧^(qū)域的黑矩陣層可以覆蓋至少部分過(guò)孔；當(dāng)隔離柱緊鄰過(guò)孔時(shí)，覆蓋隔離柱周?chē)鷧^(qū)域的黑矩陣層可以覆蓋部分過(guò)孔；這與現(xiàn)有技術(shù)中黑矩陣層覆蓋過(guò)孔的區(qū)域和覆蓋隔離柱的區(qū)域是沒(méi)有重疊的相比，黑矩陣層的面積大大的減小了，從而可以提高空間光調(diào)制器的像素開(kāi)口率。

附圖說(shuō)明

圖1a為透射式液晶空間光調(diào)制器的光路示意圖；

圖1b為反射式液晶空間光調(diào)制器的光路示意圖；

圖2a為現(xiàn)有的反射式液晶空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)圖；

圖2b現(xiàn)有的反射式液晶空間光調(diào)制器的局部俯視示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種空間光調(diào)制器的局部俯視示意圖；

圖4b為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種空間光調(diào)制器的局部俯視示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6a為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6b為圖6a所示的空間光調(diào)制器對(duì)應(yīng)的俯視示意圖；

圖7a為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7b為圖7a所示的空間光調(diào)制器對(duì)應(yīng)的一種俯視示意圖；

圖7c為圖7a所示的空間光調(diào)制器對(duì)應(yīng)的另一種俯視示意圖；

圖7d為圖7a所示的空間光調(diào)制器對(duì)應(yīng)的又一種俯視示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器的中過(guò)孔的開(kāi)口形狀的示意圖；

圖9a為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9b為圖9a所示的空間光調(diào)制器對(duì)應(yīng)的一種俯視示意圖；

圖9c為圖9a所示的空間光調(diào)制器對(duì)應(yīng)的另一種俯視示意圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

附圖中各部件的形狀和大小不反映真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本發(fā)明內(nèi)容。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種空間光調(diào)制器，如圖3所示，圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板10和上基板20，位于陣列基板與上基板之間的液晶層30和隔離柱40；其中，陣列基板10上設(shè)置有呈矩陣排列的多個(gè)像素電極11，覆蓋像素電極11的平坦化層12，位于平坦化層12上且與各像素電極11分別一一對(duì)應(yīng)的反射電極13，且各反射電極13通過(guò)貫穿平坦化層12的過(guò)孔與對(duì)應(yīng)的像素電極11電連接；

如圖4a所示，圖4a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種空間光調(diào)制器的局部俯視示意圖；以相鄰的2×2個(gè)像素電極11為一像素組，與各像素電極11對(duì)應(yīng)的過(guò)孔v位于靠近像素組的中心的區(qū)域，且隔離柱40位于像素組的中心區(qū)域。

本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器，如圖4a所示，以相鄰的2×2個(gè)像素電極11為一像素組，將與各像素電極11對(duì)應(yīng)的過(guò)孔v設(shè)置于靠近像素組的中心的區(qū)域，并且將隔離柱40設(shè)置在像素組的中心區(qū)域，可以使隔離柱40與過(guò)孔v重疊或者使隔離柱40緊鄰過(guò)孔v。當(dāng)隔離柱40與過(guò)孔v重疊時(shí)，覆蓋隔離柱40的黑矩陣層以及覆蓋隔離柱40周?chē)鷧^(qū)域的黑矩陣層可以覆蓋至少部分過(guò)孔；當(dāng)隔離柱40緊鄰過(guò)孔v時(shí)，覆蓋隔離柱40周?chē)鷧^(qū)域的黑矩陣層可以覆蓋部分過(guò)孔v；這與現(xiàn)有技術(shù)中黑矩陣層覆蓋過(guò)孔的區(qū)域和覆蓋隔離柱的區(qū)域是沒(méi)有重疊的相比，黑矩陣層的面積大大的減小了，從而可以提高空間光調(diào)制器的像素開(kāi)口率。

并且，本發(fā)明中由于將與各像素電極11對(duì)應(yīng)的過(guò)孔v設(shè)置于靠近像素組的中心的區(qū)域，并且將隔離柱40設(shè)置在像素組的中心區(qū)域，這樣可以使黑矩陣層在像素組中每一像素占用的面積一致，不像現(xiàn)有技術(shù)中黑矩陣層在有些像素中占用的面積較大，在有些像素中占用的面積較小，從而導(dǎo)致像素開(kāi)口面積不一致的問(wèn)題，因此本發(fā)明還可以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的由于像素開(kāi)口面積不一致導(dǎo)致的顯示亮度不均勻的問(wèn)題。

具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖4a所示，相鄰的2×2個(gè)像素電極11是指該4個(gè)像素電極11位于相鄰兩行且位于相鄰兩列中。

具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中，像素電極與反射電極一一對(duì)應(yīng)是指，一個(gè)像素電極對(duì)應(yīng)一個(gè)反射電極，同時(shí)一個(gè)反射電極也僅對(duì)應(yīng)一個(gè)像素電極。

具體地，本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器，如圖4b所示，圖4b為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種空間光調(diào)制器的局部俯視示意圖；陣列基板10上還設(shè)置有多條沿列方向延伸的數(shù)據(jù)線(xiàn)data，多條沿行方向延伸的掃描線(xiàn)gate，呈矩陣排列的多個(gè)像素電極11是由掃描線(xiàn)gate和數(shù)據(jù)線(xiàn)data所限定的，像素電極11位于數(shù)據(jù)線(xiàn)data和掃描線(xiàn)gate限定的區(qū)域內(nèi)。

具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中，由于隔離柱40和過(guò)孔v所在區(qū)域無(wú)法正常顯示，因此，如圖5所示，圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；空間光調(diào)制器還包括位于隔離柱40與上基板20之間的黑矩陣層22，且黑矩陣層22在陣列基板10的正投影覆蓋隔離柱40和過(guò)孔v在陣列基板10上的正投影。一般黑矩陣層22的邊緣要超出隔離柱40和過(guò)孔v的邊緣一定寬度。由于覆蓋隔離柱40的黑矩陣層22以及覆蓋隔離柱40周?chē)鷧^(qū)域的黑矩陣層22可以覆蓋至少部分過(guò)孔v，這與現(xiàn)有技術(shù)中黑矩陣層22覆蓋過(guò)孔v的區(qū)域和覆蓋隔離柱40的區(qū)域是沒(méi)有重疊的相比，黑矩陣層22的面積大大的減小了，從而可以提高空間光調(diào)制器的像素開(kāi)口率。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中，一般是將隔離柱固定于黑矩陣層面向液晶層的一側(cè)。即在上基板上形成黑矩陣層之后形成隔墊物。當(dāng)然，也可以將黑矩陣層設(shè)置在陣列基板上，在此不作限定。

具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖3和圖5所示，在上基板20上還設(shè)置有公共電極21?？臻g光調(diào)制器的工作原理為，向像素電極11與公共電極21上施加電壓，使像素電極11與公共電極21形成電場(chǎng)，液晶分子在電場(chǎng)的作用下發(fā)生偏轉(zhuǎn)，電場(chǎng)不同，偏轉(zhuǎn)的程度就不同，偏轉(zhuǎn)的程度不同導(dǎo)致輸出光不同，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)光的調(diào)制。而各像素電極11上的電壓由空間光調(diào)制器接收的記錄了物光波的振幅和相位信息的數(shù)字全息信息決定。

具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中，一個(gè)像素組中的4個(gè)像素電極可以對(duì)應(yīng)同一個(gè)過(guò)孔，即4個(gè)像素電極通過(guò)同一個(gè)過(guò)孔分別與對(duì)應(yīng)的反射電極電連接，但是要保證4個(gè)反射電極之間彼此絕緣，4個(gè)像素電極之間彼此絕緣；當(dāng)然，一個(gè)像素組中的4個(gè)像素電極也可以對(duì)應(yīng)同4個(gè)過(guò)孔，即1個(gè)像素電極對(duì)應(yīng)1個(gè)過(guò)孔，每一像素電極通過(guò)各自其對(duì)應(yīng)的過(guò)孔與反射電極電連接。下面通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中隔離柱與過(guò)孔的具體相對(duì)位置關(guān)系進(jìn)行說(shuō)明。

下面先對(duì)一個(gè)像素組中的4個(gè)像素電極對(duì)應(yīng)4個(gè)過(guò)孔的情況進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

可選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖6a和圖6b所示，圖6a為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6b為圖6a所示的空間光調(diào)制器對(duì)應(yīng)的俯視示意圖；像素組中每一個(gè)像素電極11對(duì)應(yīng)一個(gè)過(guò)孔v，像素組對(duì)應(yīng)的四個(gè)過(guò)孔v，各過(guò)孔v位于靠近像素組的中心的區(qū)域；隔離柱40位于四個(gè)過(guò)孔v之間的平坦化層12上。黑矩陣層22覆蓋隔離柱40和過(guò)孔v，相當(dāng)于覆蓋隔離柱40周?chē)鷧^(qū)域的黑矩陣層22與覆蓋過(guò)孔的周?chē)鷧^(qū)域的黑矩陣層重疊了，從而減少了黑矩陣層22所占的面積，因此可以提高像素開(kāi)口率。并且，隔離柱40位于四個(gè)過(guò)孔v之間的平坦化層12上，可以使像素組中4個(gè)反射電極13在像素組的中心區(qū)域被隔離柱40彼此阻擋，可以避免反射電極13之間發(fā)生短路問(wèn)題。

可選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖7a和圖7b所示，圖7a為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7b為圖7a所示的空間光調(diào)制器對(duì)應(yīng)的一種俯視示意圖；隔離柱40在陣列基板10的正投影與像素組對(duì)應(yīng)的四個(gè)過(guò)孔v在陣列基板10的正投影部分重疊。使隔離柱與過(guò)孔交疊可以進(jìn)一步減小黑矩陣層22所占的面積，進(jìn)一步提高空間光調(diào)制器的像素開(kāi)口率。

可選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖6b和圖7b所示，像素組對(duì)應(yīng)的四個(gè)過(guò)孔v中，任意相鄰兩個(gè)過(guò)孔v呈軸對(duì)稱(chēng)設(shè)置。這樣可以使每一過(guò)孔v占用像素的面積相同，而隔離柱40又位于4個(gè)過(guò)孔v之間，隔離柱40占用的每一像素的面積也相同，從而使每一像素的開(kāi)口率相同，保證顯示畫(huà)面亮度均勻。

具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中，過(guò)孔的開(kāi)口形狀可以為任何形狀，在此不作限定。

具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖7c所示，圖7c為圖7a所示的空間光調(diào)制器對(duì)應(yīng)的另一種俯視示意圖；過(guò)孔v的開(kāi)口形狀為矩形，但是為了增加隔離柱40與平坦化層12的接觸面積，可以適當(dāng)?shù)臏p小過(guò)孔v的面積，如圖7d所示，圖7d為圖7a所示的空間光調(diào)制器對(duì)應(yīng)的又一種俯視示意圖；過(guò)孔v的開(kāi)口形狀為三角形。當(dāng)過(guò)孔v的開(kāi)口形狀為三角形時(shí)，最好使三角形的長(zhǎng)邊臨近像素組的中心，這樣使四個(gè)過(guò)孔之間的平坦化層12的面積較大，以增加隔離柱40與平坦化層12的接觸面積，從而提高隔離柱40的穩(wěn)定性。

可選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖6b、圖7b和圖8所示，圖8為本發(fā)明實(shí)施例圖6b和圖7b提供的空間光調(diào)制器的中過(guò)孔的開(kāi)口形狀的示意圖；過(guò)孔v的開(kāi)口形狀為將靠近隔離柱40的一角設(shè)置為圓角的矩形。與過(guò)孔v的開(kāi)口形狀為四個(gè)均為直角的矩形相比，可以使四個(gè)過(guò)孔之間的平坦化層12的面積較大，從而可以增加隔離柱40與平坦化層12的接觸面積，提高隔離柱40的穩(wěn)定性。

可選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間關(guān)調(diào)制器中，如圖7d所示，隔離柱40在陣列基板的正投影的形狀為中心對(duì)稱(chēng)圖形。隔離柱40的中心位于像素組的中心，這樣可以保證隔離柱40占用每一像素的面積相同，從而保證每一像素的開(kāi)口率相同。

具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中，針對(duì)像素組中的4個(gè)像素電極對(duì)應(yīng)4個(gè)過(guò)孔的情況，過(guò)孔的開(kāi)口形狀可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)定，例如從工藝制作來(lái)講，過(guò)孔的開(kāi)口形狀越簡(jiǎn)單工藝制作越容易實(shí)現(xiàn)；過(guò)孔的開(kāi)口形狀最好能在保證使反射電極和像素電極電連接的基礎(chǔ)上使隔離柱與平坦化層的接觸面積最大等。另外，隔離柱在陣列基板的正投影的形狀也可以根據(jù)過(guò)孔的開(kāi)口形狀進(jìn)行設(shè)計(jì)，例如當(dāng)4個(gè)過(guò)孔包圍的區(qū)域?yàn)閳A形時(shí)，可以將隔離柱在設(shè)計(jì)成圓柱形，當(dāng)4個(gè)過(guò)孔包圍的區(qū)域?yàn)榫匦螘r(shí)，可以將隔離柱在設(shè)計(jì)成矩形柱等，此不作限定。

下面對(duì)一個(gè)像素組中的4個(gè)像素電極對(duì)應(yīng)1個(gè)過(guò)孔的情況進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖9a至圖9c所示，圖9a為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種空間光調(diào)制器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖9b為圖9a所示的空間光調(diào)制器對(duì)應(yīng)的一種俯視示意圖；圖9c為圖9a所示的空間光調(diào)制器對(duì)應(yīng)的另一種俯視示意圖；像素組中的四個(gè)像素電極11對(duì)應(yīng)一個(gè)過(guò)孔v，過(guò)孔v位于靠近像素組的中心的區(qū)域且覆蓋像素組的中心；隔離柱40位于過(guò)孔v內(nèi)，且反射電極13通過(guò)貫穿過(guò)孔v的部分區(qū)域與對(duì)應(yīng)的像素電極11電連接。

具體地，像素組中的四個(gè)像素電極對(duì)應(yīng)一個(gè)過(guò)孔與四個(gè)像素電極對(duì)應(yīng)四個(gè)過(guò)孔相比可以進(jìn)一步提高像素的開(kāi)口率，具體原因是由于過(guò)孔工藝限制，當(dāng)對(duì)應(yīng)四個(gè)過(guò)孔時(shí)，每一過(guò)孔的大小均不能太小，而現(xiàn)在將四個(gè)小的過(guò)孔合并為一個(gè)大的過(guò)孔，從工藝上一個(gè)大的過(guò)孔的面積可以適當(dāng)減小，過(guò)孔占的面積小了，相對(duì)像素的開(kāi)口率就提高了。但是當(dāng)將四個(gè)小的過(guò)孔合并為一個(gè)大的過(guò)孔時(shí)，需要注意相鄰反射電極之間的絕緣問(wèn)題。

具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖9a所示，過(guò)孔v的側(cè)壁與位于過(guò)孔v內(nèi)的隔離柱40之間的距離s1大于反射電極13的厚度。由于當(dāng)過(guò)孔v的側(cè)壁與位于過(guò)孔v內(nèi)的隔離柱40之間的距離s1等于反射電極13的厚度時(shí)，相當(dāng)于過(guò)孔v內(nèi)除了隔離柱40只能容納側(cè)壁上一層反射電極13。在隔離柱40的面積一定的基礎(chǔ)上，當(dāng)將過(guò)孔v的側(cè)壁與位于過(guò)孔v內(nèi)的隔離柱40之間的距離s1設(shè)置為大于反射電極13的厚度，一方面可以使過(guò)孔v內(nèi)容納更多的反射電極13，有利于增大反射電極13與像素電極11的接觸面積；一方面由于在制作時(shí)，對(duì)反射電極進(jìn)行構(gòu)圖的過(guò)程中，4個(gè)反射電極13在過(guò)孔v內(nèi)需要彼此分隔開(kāi)，但是4個(gè)反射電極13之間可能會(huì)存在刻蝕不足導(dǎo)致反射電極13殘留的問(wèn)題，因此。將過(guò)孔v的側(cè)壁與位于過(guò)孔v內(nèi)的隔離柱40之間的距離s1設(shè)置為大于反射電極13的厚度，還可以使過(guò)孔v內(nèi)相鄰反射電極13之間的距離遠(yuǎn)一點(diǎn)，有利于相鄰反射電極13之間的絕緣。

可選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖9a所示，位于過(guò)孔v內(nèi)的隔離柱40與貫穿過(guò)孔v的反射電極13之間具有預(yù)設(shè)距離s2，相當(dāng)于增大相鄰反射電極13之間的距離，有利于相鄰反射電極13之間的絕緣。

具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖9b和圖9c所示，過(guò)孔v的開(kāi)口形狀為中心對(duì)稱(chēng)圖形，例如正方形、圓形等。這樣可以保證過(guò)孔v占用每一像素的面積相同，從而保證每一像素的開(kāi)口率相同。

可選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖9b和圖9c所示，過(guò)孔v的開(kāi)口形狀與隔離柱40在陣列基板上的正投影的形狀相似。有利于合理利用過(guò)孔的面積，保證反射電極13與像素電極11接觸良好的基礎(chǔ)上增大隔離柱與下方膜層的接觸面積，從而增強(qiáng)隔離柱40的穩(wěn)定性。

可選地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間關(guān)調(diào)制器中，如圖9b和圖9c所示，隔離柱40在陣列基板10的正投影的形狀為中心對(duì)稱(chēng)圖形。隔離柱40的中心位于像素組的中心，這樣可以保證隔離柱40占用每一像素的面積相同，從而保證過(guò)孔內(nèi)留給每一反射電極13的空間是一致的，這樣一方面便于工藝制作，一方面有利于每一反射電極13與像素電極11的接觸電阻一致。

本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員應(yīng)該理解，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中，黑矩陣層的圖形可以根據(jù)覆蓋的過(guò)孔和隔離柱的形狀等具體面板設(shè)計(jì)需要而定，本申請(qǐng)對(duì)此不作限定。

上面實(shí)施例是針對(duì)本發(fā)明提供的空間光調(diào)制器中隔離柱與過(guò)孔的具體相對(duì)位置關(guān)系進(jìn)行的說(shuō)明。下面對(duì)于空間光調(diào)制器中的其它器件或膜層進(jìn)行簡(jiǎn)單的介紹。

具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述各空間光調(diào)制器中，陣列基板包括襯底基板、位于襯底基板上且與各像素電極對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管和覆蓋薄膜晶體管的絕緣層；像素電極通過(guò)貫穿絕緣層的過(guò)孔與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管電連接。例如，如圖10所示，圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種空間光調(diào)制的截面示意圖；陣列基板10包括襯底基板101、位于襯底基板101上且與各像素電極11對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管102和覆蓋薄膜晶體管102的絕緣層103；像素電極11通過(guò)貫穿絕緣層103的過(guò)孔與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管102電連接。

具體地，薄膜晶體管的柵極一般與掃描線(xiàn)相連，薄膜晶體管的源極或漏極與數(shù)據(jù)線(xiàn)相連，薄膜晶體管的漏極或源極與像素電極相連，當(dāng)掃描線(xiàn)輸出掃描信號(hào)時(shí)，數(shù)據(jù)線(xiàn)上的信號(hào)通過(guò)薄膜晶體管對(duì)像素電極進(jìn)行充電。

具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖10所示，薄膜晶體管102包括依次位于襯底基板101上的溝道層01、柵極絕緣層02、柵電極03、層間介質(zhì)層04和源漏電極05；其中，源漏電極05通過(guò)貫穿層間介質(zhì)層04和柵極絕緣層02之間的過(guò)孔與溝道層01電連接，像素電極11通過(guò)貫穿絕緣層103的過(guò)孔與源漏電極05中的漏電極05a電連接。

具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖10所示，還包括位于黑矩陣層22與隔離柱40之間的第一公共電極23。空間光調(diào)制器的工作原理為，向像素電極11與第一公共電極23上施加電壓，使像素電極11與第一公共電極23形成電場(chǎng)，液晶分子在電場(chǎng)的作用下發(fā)生偏轉(zhuǎn)，電場(chǎng)不同，偏轉(zhuǎn)的程度就不同，偏轉(zhuǎn)的程度不同導(dǎo)致輸出光不同，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)光的調(diào)制。而各像素電極11上的電壓由空間光調(diào)制器接收的記錄了物光波的振幅和相位信息的數(shù)字全息信息決定。

具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖11所示，絕緣層103包括依次位于薄膜晶體管102上方的第一絕緣層1031和第二絕緣層1032；

空間光調(diào)制器還包括位于第一絕緣層1031和第二絕緣層1032之間的第二公共電極24。第二公共電極24在襯底基板101的正投影與像素電極11在襯底基板101的正投影存在交疊區(qū)域，通過(guò)增加第二公共電極23使第二公共電極23與像素電極11形成電容，從而可以增大存儲(chǔ)電容。

具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器中，如圖11所示，第二公共電極24在襯底基板101的正投影與薄膜晶體管102的源漏電極05在襯底基板101的正投影存在交疊區(qū)域，第二公共電極24與源漏電極05同樣可以形成存儲(chǔ)電容。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的空間光調(diào)制器，由于該顯示裝置解決問(wèn)題的原理與前述一種空間光調(diào)制器組相似，因此該顯示裝置的實(shí)施可以參見(jiàn)前述背光模組的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。

具體地，如圖12所示，該顯示裝置為全息顯示裝置，除了包括空間光調(diào)制器1，還包括激光器2，激光器2為空間光調(diào)制器1提供參考光波。空間光調(diào)制器1在信源信號(hào)的控制下利用像素電極和公共電極之間的電場(chǎng)控制液晶的偏轉(zhuǎn)，從而控制輸出光波，即參考光波經(jīng)空間光調(diào)制器1調(diào)制后輸出。

本發(fā)明實(shí)施例提供上述空間光調(diào)制器及顯示裝置，以相鄰的2×2個(gè)像素電極為一像素組，將與各像素電極對(duì)應(yīng)的過(guò)孔設(shè)置于靠近像素組的中心的區(qū)域，并且將隔離柱設(shè)置在像素組的中心區(qū)域，可以使隔離柱與過(guò)孔重疊或者使隔離柱緊鄰過(guò)孔。當(dāng)隔離柱與過(guò)孔重疊時(shí)，覆蓋隔離柱的黑矩陣層以及覆蓋隔離柱周?chē)鷧^(qū)域的黑矩陣層可以覆蓋至少部分過(guò)孔；當(dāng)隔離柱緊鄰過(guò)孔時(shí)，覆蓋隔離柱周?chē)鷧^(qū)域的黑矩陣層可以覆蓋部分過(guò)孔；這與現(xiàn)有技術(shù)中黑矩陣層覆蓋過(guò)孔的區(qū)域和覆蓋隔離柱的區(qū)域是沒(méi)有重疊的相比，黑矩陣層的面積大大的減小了，從而可以提高空間光調(diào)制器的像素開(kāi)口率。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。