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成像光學系統(tǒng)的制作方法

文檔序號:12715550閱讀:226來源:國知局
成像光學系統(tǒng)的制作方法與工藝

技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于投射曝光系統(tǒng)的成像光學系統(tǒng),用于投射曝光系統(tǒng)的照明光學系統(tǒng)和具有該類型成像光學系統(tǒng)的光學系統(tǒng)。本發(fā)明還涉及具有該類型光學系統(tǒng)的投射曝光系統(tǒng),用于投射曝光系統(tǒng)的掩模母版,借助于該投射曝光系統(tǒng)而制造微結(jié)構(gòu)化組件的方法和通過該方法制造的組件。
背景技術(shù)
:從DE102007062198A1、US7,414,781B2、US7,682,031B2,以及從WO2010/091800A1可獲知成像光學系統(tǒng)。從US2008/0036986A1可獲知光刻系統(tǒng)。技術(shù)實現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的是開發(fā)用于投射曝光系統(tǒng)的成像光學系統(tǒng),使得進一步改進成像質(zhì)量。根據(jù)本發(fā)明,意識到,隨著物方數(shù)值孔徑的增加,物方主光束角度必須增大,這可導致由吸收體結(jié)構(gòu)引起的遮蔽效應,以及導致層傳輸(layertransmission)方面的問題,尤其是由掩模母版涂層引起的強切趾效應。根據(jù)本發(fā)明,進一步意識到,可以通過變形(anamorphically)成像光學系統(tǒng),尤其是通過變形成像投射鏡(lens)系統(tǒng),以預定成像比例,將預定尺寸的掩模母版從物場成像至預定的照明場上,在第一成像比例的方向上,照明場被完全照明,同時第二方向上的減小成像比例對投射曝光系統(tǒng)的生產(chǎn)能力(throughput)不具有負面效應,而是能夠通過合適的措施來補償該減小成像比例。因此,變形鏡系統(tǒng)允許在第一方向上以大物方數(shù)值孔徑完全照明像面,而不必在此第一方向上擴大要被成像的掩模母版的范圍,且不發(fā)生投射曝光系統(tǒng)的生產(chǎn)能力的減小,并且還允許最小化照明光的傾斜入射所引起的成像質(zhì)量的損失。通過在兩個主平面的方向上具有符號相同的成像比例,來避免像翻轉(zhuǎn)。光學系統(tǒng),尤其是在兩個主平面的方向上,具有正的成像比例。優(yōu)選地,所述至少一個變形成像投射鏡系統(tǒng)具有至少兩個部分鏡系統(tǒng),其中至少一個變形地成像。具有至少兩個部分鏡系統(tǒng)(其中至少一個變形地成像)的成像光學系統(tǒng)特別有利于構(gòu)造,并且允許成像性質(zhì)對各個要求的特別靈活的適配。特別地,第一(即物方)部分鏡系統(tǒng)變形地成像。這可確保入射至物場上和因此反射的輻射不重疊。第二部分鏡系統(tǒng)也是變形的(anamorphic)。它也可以是非變形的(non-anamorphic)。優(yōu)選的,投射鏡系統(tǒng)具有圓形的出瞳。像方數(shù)值孔徑因此與方向無關(guān)。這確保了與取向無關(guān)的分辨率。因此,特別地,根據(jù)本發(fā)明的變形鏡系統(tǒng)具有橢圓形狀的入瞳。因此,橢圓的半軸彼此之間的關(guān)系與不同成像比例或不同物方數(shù)值孔徑彼此之間的關(guān)系相同或相反。優(yōu)選地,所述至少一個變形成像投射鏡系統(tǒng)包含至少一個反射鏡,尤其是所述反射鏡的至少一個具有自由形狀表面。由此,變形成像投射鏡系統(tǒng)包含至少一個反射鏡。這里,較小數(shù)量的反射鏡引起較小的傳輸損耗(transmissionloss)。較大數(shù)量的反射鏡允許對成像誤差更靈活且改進的校正,并且允許更高的數(shù)值孔徑。根據(jù)本發(fā)明,投射鏡系統(tǒng)包含至少一個,尤其是多個,尤其是至少四個,尤其是至少六個,尤其是八個反射鏡。特別地,反射鏡可構(gòu)造為反射EUV輻射的反射鏡。具有自由形狀表面的光學元件允許對成像性質(zhì)的特別靈活的設計。特別是在成像光學系統(tǒng)的給定數(shù)量反射鏡的情況下,這給出了用于校正成像誤差的進一步的自由度。優(yōu)選地,在第一方向上的成像比例至少為第二方向上的成像比例的一倍半大。尤其是,其至少為第二方向上的成像比例的兩倍大。這里以及下文中,成像比例被用于指由成像尺寸與物體尺寸(即,要在投射鏡系統(tǒng)的像場中成像的結(jié)構(gòu)的尺寸與要在物場中成像的結(jié)構(gòu)的尺寸)的比值給出的成像比例的絕對值。因此,確保了可垂直于掃描方向,在整個寬度上曝光具有預定寬度的照明場,該照明場具有預定掩模母版,尤其是具有預定尺寸的掩模母版。否則,可以補償與照明場的寬度垂直的方向上的較小成像比例,即較強的縮小率,尤其是通過增加的掃描速度,因此該較小成像比例不具有不利的效應。特別地,與掃描方向垂直的方向上的減少的成像比例不導致生產(chǎn)能力的損失。優(yōu)選地,方向依賴性的不同物方數(shù)值孔徑允許成像光學系統(tǒng)的有利設計。特別是,由此可避免關(guān)于掩模上的遮蔽效應和層傳輸?shù)膯栴}。特別地,特定方向上的物方數(shù)值孔徑(NAO)至少是垂直于該方向的方向上的物方數(shù)值孔徑一倍半,尤其是至少兩倍。優(yōu)選地,照明系統(tǒng)具有出瞳,其形狀構(gòu)造為與投射鏡系統(tǒng)的入瞳對應。根據(jù)本發(fā)明,因此提供了具有橢圓形出瞳的照明系統(tǒng)。特別地,這由橢圓形瞳分面反射鏡或由瞳分面反射鏡上的瞳分面的橢圓形布置來實現(xiàn),該布置為所有瞳分面的包絡形成橢圓形的布置。特別地,橢圓形構(gòu)造的瞳分面反射鏡或照明系統(tǒng)的出瞳的半軸彼此之間的關(guān)系與投射鏡系統(tǒng)的不同成像比例或其入瞳的半軸彼此之間關(guān)系相同。具有大像方數(shù)值孔徑、小主光束角度、和大像方掃描縫(slot)寬度的成像光學系統(tǒng),允許將掩模母版的結(jié)構(gòu)特別好地投射至像場中。本發(fā)明還提供一種用于投射曝光系統(tǒng)的照明光學系統(tǒng),其包含至少一個瞳分面反射鏡(18),特征在于橢圓形的出瞳,該出瞳的半軸長度彼此相差至少10%。該具有橢圓形出瞳的照明光學系統(tǒng)特別好地適合于變形成像投射鏡系統(tǒng)。利用瞳分面反射鏡的橢圓構(gòu)造,可特別容易地實現(xiàn)照明光學系統(tǒng)的橢圓出瞳。根據(jù)本發(fā)明的光學系統(tǒng)具有根據(jù)本發(fā)明的成像光學系統(tǒng),以及照明光學系統(tǒng),其用于將來自輻射源的輻射傳輸至物場。根據(jù)本發(fā)明的投射曝光系統(tǒng)根據(jù)本發(fā)明的光學系統(tǒng),以及輻射源。根據(jù)本發(fā)明的光學系統(tǒng)和本發(fā)明的投射曝光系統(tǒng)的優(yōu)點對應于上文結(jié)合成像光學系統(tǒng)已經(jīng)描述的那些。優(yōu)選地,上述投射曝光系統(tǒng)具有能夠在掃描方向上位移的掩模母版保持器,以保持掩模母版,其特征在于,成像光學系統(tǒng)在掃描方向上的成像比例小于與掃描方向垂直的方向上的成像比例。借由該投射曝光系統(tǒng),其中成像光學系統(tǒng)在掃描方向上的成像比例小于與該方向垂直的方向上的成像比例,可以通過較高的掃描速度完全補償掃描方向上的生產(chǎn)能力損失。特別地,成像光學系統(tǒng)9在掃描方向上的成像比例最多為垂直于該方向的方向上的成像比例的一半。掃描方向上的成像比例和與該方向垂直的方向上的成像比例的比率尤其是1∶2、1∶3、1∶4、1∶5、1∶6、1∶8、1∶10、2∶3、2∶5或3∶4。輻射源可為EUV(極紫外)光源,例如LPP(激光產(chǎn)生的等離子體)光源或GDP(氣體放電產(chǎn)生的等離子體)光源。掃描方向上的臨界尺寸(criticaldimension)與垂直于該方向的方向上的臨界尺寸不同的掩模母版特別適合與變形成像投射光學系統(tǒng)一起使用。優(yōu)選地依照掃描方向上和與該方向垂直的方向上的不同成像比例,構(gòu)造要成像在掩模母版上的結(jié)構(gòu)及其總尺寸二者。為了考慮更大的縮小率,相應地將掩模母版構(gòu)造得更大,尤其是在掃描方向上。本發(fā)明還提供一種用于制造微結(jié)構(gòu)化的組件的方法,其具有以下方法步驟:提供掩模母版和具有輻射敏感層的晶片;借助于上述投射曝光系統(tǒng)將掩模母版上的結(jié)構(gòu)投射至晶片上的輻射敏感層。本發(fā)明還提供上述方法制造的組件。根據(jù)本發(fā)明的制造方法和根據(jù)本發(fā)明的組件的優(yōu)點與上文參考根據(jù)本發(fā)明的投射曝光系統(tǒng)而已經(jīng)描述的那些相應。附圖說明借助于附圖,本發(fā)明的進一步的優(yōu)點和細節(jié)自多個實施例的說明中出現(xiàn),其中:圖1示意地示出了穿過用于EUV光刻的投射曝光系統(tǒng)的子午截面;圖2示意地示出了根據(jù)圖1的投射曝光系統(tǒng)的部分圖,以示出在根據(jù)第一實施例的成像光學系統(tǒng)中的光路;圖3依照圖2示出了與圖2中的平面垂直的平面中的視圖;圖4和5依照圖2和3示出了另外的實施例的視圖;圖6和7示出了第三實施例的相應視圖;以及圖8和9示出了第四實施例的相應視圖。具體實施方式圖1以子午截面示意地示出了用于微光刻的投射曝光系統(tǒng)1的組件。投射曝光系統(tǒng)1的照明系統(tǒng)2包含輻射源3,以及用于曝光物平面6中的物場5的照明光學系統(tǒng)4。布置在物場5中且由掩模母版保持器8(僅被部分示出)保持的掩模母版7在此被曝光。圖1中僅示意地示出的投射光學系統(tǒng)9用于將物場5成像于像平面11中的像場10中。因此,投射光學系統(tǒng)9也稱為成像光學系統(tǒng)。掩模母版7上的結(jié)構(gòu)被成像于晶片12的光敏層上,晶片12布置于像平面11中的像場10的區(qū)域中,并由也被示意地示出的晶片保持器13保持。輻射源3為EUV輻射源,其發(fā)射EUV輻射14。EUV輻射源3發(fā)射的有用輻射的波長在從5nm至30nm的范圍內(nèi)。用于光刻且可從合適的光源獲得的其他波長也是可以的。輻射源3可為等離子體源,例如DPP源或LPP源?;谕郊铀倨鞯妮椛湓匆部捎米鬏椛湓?。本領(lǐng)域技術(shù)人員可從例如US6859515B2中獲得該類型輻射源的信息。提供聚光器(collector)15,以使來自EUV輻射源3的EUV輻射14成束。EUV輻射14也稱為照明光或成像光。照明光學系統(tǒng)4包含場分面反射鏡16,其具有大量的場分面(facet)17。場分面反射鏡16布置在照明光學系統(tǒng)4的、與物平面6光學共軛的平面中。EUV輻射14被場分面反射鏡16反射至照明光學系統(tǒng)4的瞳分面反射鏡18。瞳分面反射鏡18具有大量的瞳分面19。借助于瞳分面反射鏡18,將場分面反射鏡16的場分面17成像于物場5中。對于場分面反射鏡16上的每一個場分面17,都正好在瞳分面反射鏡18上存在一個關(guān)聯(lián)的瞳分面19。在場分面17和瞳分面19之間,都分別構(gòu)造有光通道。分面反射鏡16、18的至少一個的分面17、19是可轉(zhuǎn)變的(switchable)。為了該目的,可提供微機電系統(tǒng)(MEMS)。特別地,分面17、19可以可傾斜地布置在分面反射鏡16、18上。這里,可以僅將分面17、19的一部分,例如至多30%、至多50%、或至多70%構(gòu)造為是可傾斜的。也可設置為所有的分面17、19都是可傾斜的。特別地,可轉(zhuǎn)變的分面17、19是場分面17。通過傾斜場分面17,其向相應瞳分面19的分配以及因此光通道的構(gòu)造可被改變。為了了解具有可傾斜的分面17、19的分面反射鏡16、18的詳情以及照明光學系統(tǒng)4的詳情,參考DE102008009600A1。照明光學系統(tǒng)4還可包含另外的反射鏡20、21和22,反射鏡20、21和22形成傳輸光學系統(tǒng)23。傳輸光學系統(tǒng)23的最后一個反射鏡22為掠入射反射鏡。瞳分面反射鏡18和傳輸光學系統(tǒng)23形成隨后的光學系統(tǒng),用于將照明光14傳輸至物場5中。特別地,當瞳分面反射鏡18布置在投射光學系統(tǒng)9的入瞳中時,可省略傳輸光學系統(tǒng)23。照明光學系統(tǒng)4具有出瞳,其形狀適配于投射光學系統(tǒng)9的入瞳的形狀,尤其是與后者明確一致。特別地,照明光學系統(tǒng)4的出瞳是橢圓的。這尤其可通過橢圓形構(gòu)造的瞳分面反射鏡18來實現(xiàn)。作為其的替代,瞳分面19也可布置在瞳反射鏡18上,使得瞳分面具有橢圓形構(gòu)造的包絡。特別地,橢圓形瞳分面反射鏡18的半軸具有兩個不同的半軸長度,較大的半軸長度尤其是第一半軸長度的至少一點五倍,尤其是至少兩倍。特別地,半軸長度具有1∶2、1∶3、1∶4、1∶5、1∶6、1∶8、1∶10、2∶3、2∶5或3∶4的比例。因此,照明光學系統(tǒng)4的出瞳的半軸具有兩個不同的半軸長度,較大的半軸長度尤其與第一半軸長度的至少一點五倍,尤其是至少兩倍一樣大。特別地,半軸長度具有1∶2、1∶3、1∶4、1∶5、1∶6、1∶8、1∶10、2∶3、2∶5或3∶4的比例。為了更簡單地描述位置關(guān)系,在附圖中分別繪制了笛卡爾xyz-坐標系統(tǒng)。圖1中的x-軸垂直于附圖的平面并朝內(nèi)延伸。y-軸朝右延伸。z-軸向下延伸。物平面6和像平面11二者都平行于xy-平面延伸??梢允芸刂频姆绞轿灰蒲谀D赴姹3制?,使得在投射曝光系統(tǒng)中,掩模母版7可在物平面6中位移方向上位移。從而,可以受控制的方式位移晶片保持器13,使得晶片12可在像平面11中位移方向上位移。結(jié)果,可以一方面掃描掩模母版7穿過物場5,且另一方面晶片12穿過像場10,。附圖中的位移方向平行于y-方向。下文中,這也稱為掃描方向。優(yōu)選地,掩模母版7和晶片12在掃描方向上的位移關(guān)于彼此同步進行。圖2和3示出了投射光學系統(tǒng)9的第一構(gòu)造的光學設計。示出了輻射14的從中心物場點和從限定物場5的兩個相對邊的兩個相應物場點延伸的單獨光束的光路。根據(jù)圖2和3的投射光學系統(tǒng)9總共具有六個反射鏡,其在光路的方向上自物場5開始被連續(xù)地編號為M1至M6。圖中示出了在投射光學系統(tǒng)9的設計中計算的反射鏡M1至M6的反射面。僅示出的面的一部分實際上部分地用于輻射14的反射,如從附圖所看到的。換句話說,與圖中所示相比,反射鏡M1至M6的實際構(gòu)造可能更小,尤其是僅包含附圖所示的計算的反射面的一部分。瞳面24位于反射鏡M2和反射鏡M3之間。瞳面24不是必須為平的。其可為彎曲的。此外,中間像面位于反射鏡M4和反射鏡M5之間。中間像面25不是必須為平的。其可為彎曲的。因此,反射鏡M1至M4形成第一部分鏡系統(tǒng)26。反射鏡M5和M6形成第二部分鏡系統(tǒng)27。第一部分鏡系統(tǒng)26為變形鏡,即其變形地成像。第二部分鏡系統(tǒng)27也是變形鏡,即其變形地成像。然而,同樣可能的是,第二部分鏡系統(tǒng)27可構(gòu)造為非變形的。反射鏡M1至M6中的至少一個被構(gòu)造為變形成像光學元件。特別地,投射光學系統(tǒng)9包含至少一個,尤其是多個,尤其是至少兩個,尤其是至少三個,尤其是至少四個,尤其是至少五個,尤其是至少六個,尤其是至少七個,尤其是至少八個變形成像反射鏡。因此,投射光學系統(tǒng)9在第一方向上具有第一成像比例,而在第二方向上具有不同于第一成像比例的第二成像比例。特別地,第二成像比例為第一成像比例的至少一點五倍,尤其是至少兩倍大。特別地,投射光學系統(tǒng)9構(gòu)造為使得在掃描方向上的成像比例的量小于與該方向垂直的方向上的成像比例。特別地,在掃描方向上的成像比例的量是與該方向垂直的方向上的成像比例的至多四分之三,尤其是至多三分之二,尤其是至多一半。投射光學系統(tǒng)9具有方向依賴性的物方數(shù)值孔徑(NAO),即入瞳與圓形形狀偏離。特別地,在特定方向,即在大的成像比例方向上的物方數(shù)值孔徑(NAO),是與該方向垂直的方向上的物方數(shù)值孔徑的至少一點五倍,尤其是至少兩倍。反射鏡M6具有用于輻射14通過的通孔28。位于反射鏡M5和M6之間的是另一瞳面29。瞳面29不是必須為平的。其可為彎曲的。反射鏡M1至M6被構(gòu)造為反射EUV輻射。特別地,它們承載多個反射層,用于優(yōu)化它們對于照射的EUV照明光14的反射。在反射鏡表面上的單獨光束的照射角度越接近垂直入射,反射可被優(yōu)化得更好。反射鏡M1至M5具有反射面,其為閉合的,即沒有通孔。反射鏡M1、M4和M6具有凹的反射面。反射鏡M2、M3和M5具有凸的反射面。投射光學系統(tǒng)9的反射鏡M1至M6被構(gòu)造為不能由旋轉(zhuǎn)對稱函數(shù)描述的自由形狀表面。投射光學系統(tǒng)9的其他構(gòu)造也是可能的,其中反射鏡M1至M6的至少一個具有該類型的自由形狀反射表面??蓮男D(zhuǎn)對稱參考面制造該類型的自由形狀表面。從US2007-0058269A1獲知用于微光刻的投射曝光系統(tǒng)的投射光學系統(tǒng)的反射鏡的反射面的該類型的自由形狀表面。數(shù)學上可通過以下等式來描述自由形狀表面:其中應用了:Z是自由形狀表面在點x,y處的矢高,其中x2+y2=r2。c為常數(shù),其對應于相應非球面的頂點曲率。k對應于相應非球面的錐形常數(shù)。Cj為單項式xmyn的系數(shù)。典型地,基于投射光學系統(tǒng)9中的反射鏡的期望的光學特性,決定c、k和Cj的值。N半徑是系數(shù)Cj的標準化因子。單項式的階數(shù)m+n可按需要變化。較高階數(shù)的單項式可導致具有更好成像誤差校正的投射光學系統(tǒng)的設計,但是計算更復雜。m+n可選擇在3和大于20之間的值。自由形狀表面在數(shù)學上可由澤尼克多項式來描述,例如在光學設計程序CODE的手冊中所描述的。替代地,可借助于二維樣條曲面來描述自由形狀表面。其示例為貝塞爾曲線或非均勻有理B樣條(NURBS)。二維樣條曲面例如可由在xy平面中的點的網(wǎng)絡和關(guān)聯(lián)的z值描述,或由這些點和關(guān)于這些點的梯度來描述。依賴于樣條曲面的各個類型,使用例如關(guān)于其連續(xù)性和微分性具有特殊性質(zhì)的多項式或函數(shù),通過在網(wǎng)絡點之間插值,獲得完整的表面。函數(shù)的示例為解析函數(shù)。下面,在表中將總結(jié)投射光學系統(tǒng)9的光學設計數(shù)據(jù),借助于光學設計程序已經(jīng)獲得了所述數(shù)據(jù)。以下表的第一個針對光學組件的光學表面以及針對孔徑光闌分別給出了頂點曲率的倒數(shù)值(半徑)和厚度,該厚度對應于相鄰元件在從像平面11起的光路(換句話說,就是與光的方向相反)上的z間隔。第二個表給出了上文針對反射鏡M1至M6給出的自由形狀表面中的單項式xmyn的系數(shù)Cj。在另一表中,也給出了以mm為單位的量,各個反射鏡從反射鏡參考設計開始偏心(Y-偏心)和旋轉(zhuǎn)(X-旋轉(zhuǎn))該量。這對應于自由形狀表面設計方法中的平行位移和傾斜。這里,該位移發(fā)生于y方向上,而傾斜是關(guān)于x軸的。這里,旋轉(zhuǎn)角度以度為單位。表面半徑厚度工作模式像平面無限大852.884M6-889.919-802.884反射M5-219.7611800.787反射M4-999.946-434.619反射M3-1033.356483.832反射M22464.083-947.116反射M11323.6881047.116反射物平面無限大0.000系數(shù)M6M5M4K3.303831E-032.041437E-02-1.056546E-01Y0.000000E+000.000000E+000.000000E+00X21.106645E+004.620513E+001.065419E+00Y21.316656E+004.632819E+002.089523E+00X2Y-6.987016E-026.244905E-022.322141E-01Y3-1.544816E-01-2.303227E-01-2.158981E-01X43.297744E-029.371547E-027.579352E-02X2Y26.476911E-021.671737E-018.744751E-02Y45.431530E-027.743085E-022.360575E-01X4Y-7.040479E-044.607809E-033.961681E-03X2Y3-6.159827E-03-1.034287E-029.782459E-03Y5-4.061987E-03-3.840440E-03-1.297054E-01X61.398226E-033.085471E-036.847894E-03X4Y22.977799E-038.906352E-036.372742E-03X2Y44.433992E-038.678073E-03-2.569810E-02Y61.255594E-031.683572E-039.106731E-02X6Y2.969767E-041.881484E-041.342374E-03X4Y3-2.820109E-04-1.123168E-03-5.896992E-03X2Y5-3.654895E-04-5.949903E-041.660704E-03Y78.966891E-05-3.952323E-04-3.764049E-02N半徑2.899772E+026.300046E+012.064580E+02系數(shù)M3M2M1K5.744686E-01-3.325393E+02-1.583030E-02Y0.000000E+000.000000E+000.000000E+00X23.551408E-013.277030E-01-2.811984E-02Y22.123536E+001.609563E+00-4.135835E-01X2Y2.013521E-01-6.948142E-01-3.866470E-02Y3-1.210907E-023.694447E-01-1.853273E-02X45.478320E-021.369729E-011.349339E-03X2Y27.482002E-021.984843E-013.032808E-03Y48.327949E-02-1.227576E-01-2.824781E-03X4Y-2.048831E-03-4.568931E-02-4.300195E-04X2Y3-4.029059E-03-1.713508E-02-6.501645E-04Y5-1.415756E-026.185385E-033.144628E-03X61.998416E-04-1.834856E-026.906841E-05X4Y2-1.979383E-03-3.309794E-025.274081E-05X2Y4-5.943296E-03-5.169942E-02-1.330272E-03Y61.246118E-03-1.603819E-01-1.363317E-02X6Y1.584327E-047.876367E-03-2.377257E-05X4Y3-3.187207E-04-1.244804E-02-2.251271E-04X2Y5-5.566691E-04-5.746055E-02-9.996573E-04Y7-1.399787E-03-3.870909E-024.001012E-03N半徑8.132829E+017.472082E+011.311311E+02系數(shù)M6M5M4M3M2M1像平面Y-偏心-51.252-99.408123.654215.631528.818512.8550.000X-旋轉(zhuǎn)0.3237.067-2.44410.48316.9403.4880.000在y方向上,即在掃描方向上,投射光學系統(tǒng)9具有1∶8的成像比例,即物場5中的掩模母版7在掃描方向上是其在像場10中的像的八倍大。在x方向上,即在垂直于掃描方向的方向上,投射光學系統(tǒng)9具有1∶4的成像比例。因此,投射光學系統(tǒng)9具有縮小效果。投射光學系統(tǒng)9的像方數(shù)值孔徑是0.5。投射光學系統(tǒng)9的像方數(shù)值孔徑尤其是至少0.4。像場10具有2mmx26mm的尺寸,其中2mm在掃描方向上,而26mm在垂直于掃描方向的方向上。特別地,在掃描方向上,像場10也可具有不同的尺寸。像場10的尺寸至少為1mmx10mm。垂直于掃描方向,像場10尤其具有大于13mm的寬度。特別地,像場10為矩形。特別地,投射光學系統(tǒng)9具有至少13mm,尤其是大于13mm,尤其是至少26mm的像方掃描縫寬度。對于場中心點,投射光學系統(tǒng)9具有6°的物方主光束角度。特別地,對于場中心點的物方主光束角度至多為7°。該投射光學系統(tǒng)具有2000mm的光學總長度。該實施例中的物場5具有16mmx104mm的尺寸。在該情況下,16mm在掃描方向上,而104mm在垂直于掃描方向的方向上。掩模母版7在掃描方向和與其垂直的方向上也適配于不同的成像比例。其具有這樣的結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)在掃描方向上和在與該方向垂直的方向上具有不同的最小結(jié)構(gòu)尺寸。特別地,掩模母版7上的結(jié)構(gòu)在掃描方向上和在與該方向垂直的方向上可具有分別是這些最小結(jié)構(gòu)尺寸的整數(shù)倍的尺寸。在掃描方向上和在與該方向垂直的方向上的最小結(jié)構(gòu)尺寸的比率正好與在這些方向上的成像比例的比率成反比例。特別地,在掃描方向上和在與該方向垂直的方向上的最小結(jié)構(gòu)尺寸彼此相異至少10%,尤其是至少20%,尤其是至少50%。掩模母版7在與掃描方向垂直的方向上具有至少104mm的寬度。特別地,掩模母版7在掃描方向上具有適配于更大縮小率的長度。特別地,掩模母版7具有104mm的寬度和264mm的長度。特別地,掩模母版的長度大于132mm。其尤其是至少140mm,尤其是至少165mm,尤其是至少198mm。圖4和5示出了可用于投射曝光系統(tǒng)1中的、投射光學系統(tǒng)9的另一構(gòu)造。與上文參考圖2和3所描述的組件相應的組件具有相同的參考數(shù)字,并且不再被詳細論述。反射鏡M3在光學使用區(qū)域中不具有通孔。然而,可選擇反射鏡M3的機械構(gòu)造,使得從反射鏡M4傳播至反射鏡M5的光通過M3的單體構(gòu)造的鏡體的反射鏡開孔。反射鏡M1、M3、M4和M6具有凹的反射面。反射鏡M2和M5具有凸的反射面。在該實施例中,在反射鏡M2和M3之間的光路與在反射鏡M4和M5之間的光路交叉。在該實施例中,在掃描方向上,相對于像場10,反射鏡M5布置在與物場5相同的一側(cè)上。在以下表中,將依次總結(jié)根據(jù)圖4和5的投射光學系統(tǒng)9的光學設計數(shù)據(jù)。自由形狀表面的數(shù)學描述對應于上文參考根據(jù)圖2和3的構(gòu)造而已經(jīng)描述的那些。關(guān)于根據(jù)圖4和5的構(gòu)造的表的結(jié)構(gòu)也對應于關(guān)于根據(jù)圖2和3的構(gòu)造的表的結(jié)構(gòu)。表面半徑厚度工作模式像平面無限大689.272M6-731.552-639.272反射M5-241.6711420.179反射M4-1500.000-580.907反射M31422.3561010.728反射M2661.083-1110.728反射M11384.3111210.728反射物平面無限大0.000系數(shù)M6M5M4K0.000000E+000.000000E+000.000000E+00Y0.000000E+000.000000E+000.000000E+00X21.697113E+004.496118E+001.030719E+01Y21.683950E+004.083378E+001.147196E+01X2Y1.755515E-01-3.170399E-01-1.434807E+00Y32.279761E-029.028788E-021.085004E+00X45.443962E-024.335109E-022.308628E-01X2Y21.503579E-018.531612E-027.598943E-01Y45.203904E-026.130679E-022.980202E-01X4Y5.039890E-03-1.771794E-02-8.711086E-03X2Y38.907227E-03-1.404665E-028.302498E-04Y55.015844E-038.045746E-034.101109E-02N半徑2.899772E+026.300046E+012.064580E+02系數(shù)M3M2M1K0.000000E+000.000000E+000.000000E+00Y0.000000E+000.000000E+000.000000E+00X2-4.645076E-01-5.243755E-01-3.303400E-01Y2-2.057326E-01-2.274245E-02-7.527525E-01X2Y-3.583366E-021.523089E+00-2.593623E-03Y33.371920E-02-2.167244E+00-3.182409E-02X49.534050E-057.127442E-02-8.002659E-04X2Y24.301563E-03-3.064519E-01-5.376311E-03Y4-9.145920E-047.458445E-01-7.154305E-03X4Y9.453851E-051.770844E-01-2.938545E-04X2Y3-2.757417E-042.079536E-012.101675E-03Y54.683904E-05-1.544216E-016.098608E-04N半徑8.132829E+017.472082E+011.311311E+02系數(shù)M6M5M4M3M2M1像平面Y-偏心0.00099.374-121.476-185.579311.769482.3880.000X-旋轉(zhuǎn)-4.418-8.837-1.27116.2498.734-1.3610.000圖6和7示出了投射光學系統(tǒng)9的另外的設計,其可用于投射曝光系統(tǒng)1中。與上文參考圖2和3而已經(jīng)描述的組件相應的組件具有相同的參考數(shù)字,并且不再被詳細論述。根據(jù)圖6和7的投射光學系統(tǒng)9總共具有六個反射鏡M1至M6,其在從物場5起的光路的方向上被連續(xù)地編號為M1至M6。根據(jù)圖6和7的投射光學系統(tǒng)9具有1865mm的光學總長度。反射鏡M1、M4、和M6具有凹的反射面。反射鏡M5具有凸的反射面。反射鏡M2和M3在一個方向上是凸的,而在關(guān)于該方向的正交方向上是凹的,亦即其在反射鏡的中心點具有鞍狀(saddle)面的形狀。此外,在該實施例中,在關(guān)于像場10的掃描方向上,在與物場5相同的一側(cè)上布置反射鏡M5。以下表中,將依次示出根據(jù)圖6和7的投射光學系統(tǒng)9的光學設計數(shù)據(jù)。自由形狀表面的數(shù)學描述對應于上文參考根據(jù)圖2和3的構(gòu)造而已經(jīng)描述的那些。關(guān)于根據(jù)圖6和7的構(gòu)造的表的結(jié)構(gòu)也對應于關(guān)于根據(jù)圖2和3的構(gòu)造的表的結(jié)構(gòu)。表面半徑厚度工作模式像平面無限大752.663M6-770.716-702.663反射M5-150.9121382.613反射M4-996.191-579.950反射M3-3722.693805.250反射M2-19143.068-805.250反射M11526.6261011.848反射物平面無限大0.000系數(shù)M6M5M4K0.000000E+000.000000E+000.000000E+00Y0.000000E+000.000000E+000.000000E+00X21.014388E+005.967807E+001.640439E+00Y29.176806E-015.297172E+001.185698E+01X2Y2.666213E-02-2.932506E-02-5.795084E-01Y31.276213E-02-1.747940E-012.665088E-01X43.194237E-021.741906E-014.142971E-02X2Y25.891573E-024.136465E-01-2.431409E-02Y42.892148E-021.408837E-018.604418E-01X4Y5.053354E-048.947414E-031.339774E-03X2Y33.013407E-034.414092E-02-2.210148E-02Y52.088577E-033.281648E-02-1.242199E+00N半徑2.899772E+026.300046E+012.064580E+02系數(shù)M3M2M1K0.000000E+000.000000E+000.000000E+00Y0.000000E+000.000000E+000.000000E+00X2-3.018727E+00-4.089101E-01-1.333076E-01Y22.571222E+003.746969E+008.408741E-01X2Y-2.111739E-01-1.877269E-013.355099E-02Y3-1.035192E-03-1.810657E-01-3.518765E-03X4-9.587021E-05-1.882449E-032.861048E-03X2Y2-2.154549E-028.492037E-023.127905E-02Y41.331548E-02-4.386749E-017.200871E-03X4Y3.718201E-03-6.344503E-03-2.655046E-04X2Y34.305507E-03-1.265202E-01-6.358900E-03Y5-5.587835E-03-6.311675E-01-1.276179E-02N半徑8.132829E+017.472082E+011.311311E+02系數(shù)M6M5M4M3M2M1像平面Y-偏心-11.86178.940-76.134224.84934.161393.4200.000X-旋轉(zhuǎn)-4.070-6.401-16.914-20.375-18.683-9.0440.000圖8和9示出了投射光學系統(tǒng)9的另一構(gòu)造,其可用于投射曝光系統(tǒng)1中。與上文參考圖2和3而已經(jīng)描述的組件相應的組件具有相同的參考數(shù)字,并且不再被詳細論述。根據(jù)圖8和9的投射光學系統(tǒng)9具有八個反射鏡M1至M8。反射鏡M1至M6形成第一部分鏡系統(tǒng)26。反射鏡M7和M8形成第二部分鏡系統(tǒng)27。反射鏡M8在光學使用區(qū)域中具有用于照射光通過的通孔28。反射鏡M1至M7具有閉合的反射面,亦即在光學使用區(qū)域中沒有通孔。因此,根據(jù)圖8和9的投射光學系統(tǒng)9正好包含一個在光學使用區(qū)域中具有通孔28的反射鏡。明顯地,也可構(gòu)造具有八個反射鏡M1至M8的投射光學系統(tǒng)9,其中多于一個反射鏡在光學使用區(qū)域中具有通孔。瞳面24位于在反射鏡M3和M5之間的光路上。瞳面29位于反射鏡M7和M8之間。根據(jù)圖8和9的投射光學系統(tǒng)9也具有兩個部分鏡系統(tǒng)26、27。投射光學系統(tǒng)9正好產(chǎn)生一個中間像,其幾何上位于反射鏡M8的通孔區(qū)域中。反射鏡M1、M2、M6和M8具有凹的反射面。反射鏡M7具有凸的反射面。根據(jù)圖8和9的投射光學系統(tǒng)具有0.65的像方數(shù)值孔徑。如前面的示例一樣,下面,在表中總結(jié)根據(jù)圖8和9的投射光學系統(tǒng)9的光學設計數(shù)據(jù)。表面半徑厚度工作模式像平面無限大845.498M8-876.024-795.498反射M7-180.4631850.000反射M6-1124.587-954.502反射M5-488.461539.347反射M4-385.935-268.946反射M3-899.608563.864反射M2-1862.135-962.532反射M1-5181.8871182.769反射物平面無限大0.000系數(shù)M8M7M6M5K0.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00Y0.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00X23.488069E+001.173931E+012.308119E+011.973785E+01Y22.635738E+001.010579E+019.438034E+005.768532E+00X2Y-3.059528E-01-2.733318E-01-2.266607E+00-2.615013E+00Y34.818868E-036.423471E-014.511519E-013.223897E+00X41.179868E-015.618198E-011.276169E+003.423570E-01X2Y23.744431E-019.722072E-011.994073E+001.253707E+00Y41.874806E-015.624878E-019.258956E-011.143661E+00X4Y4.142568E-037.747318E-03-2.207925E-012.696457E-02X2Y3-2.457062E-022.657340E-02-4.677376E-021.053608E-01Y5-1.021381E-02-2.031996E-023.450492E-011.716687E+00X61.995975E-025.531407E-021.199126E-011.472679E-02X4Y24.538384E-021.603998E-012.637967E-014.745154E-02X2Y45.093101E-021.653739E-013.269947E-014.959237E-01Y61.573648E-026.733509E-02-1.107783E-01-1.594589E+00X6Y-4.813461E-031.089425E-03-8.010947E-02-1.168696E-04X4Y3-6.317680E-03-3.797390E-03-4.398398E-031.681727E-02X2Y5-4.665516E-03-6.378254E-031.634222E-02-8.741752E-01Y7-1.452902E-031.323361E-03-8.378471E-01-2.083305E-01X82.243101E-038.933777E-03-9.452801E-038.039655E-04X6Y21.043837E-023.095089E-029.332196E-025.834641E-03X4Y41.610588E-024.686597E-021.032458E-01-1.262475E-01X2Y61.112924E-023.372176E-02-1.634446E-01-2.791598E-01Y82.847098E-039.333073E-03-6.596064E-013.828685E-01X8Y0.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00X6Y30.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00X4Y50.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00X2Y70.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00Y90.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00X100.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00X8Y20.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00X6Y40.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00X4Y60.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00X2Y80.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00Y100.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00N半徑4.270420E+028.460702E+013.587547E+021.359154E+02系數(shù)M4M3M2M1K0.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00Y0.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00X27.762408E+000.000000E+000.000000E+002.415351E+01Y25.991623E+002.100665E+011.742497E+012.450758E+01X2Y-9.407982E-01-1.845560E+010.000000E+002.857360E+00Y37.990315E-021.826735E+000.000000E+00-8.203766E-01X42.084759E-010.000000E+000.000000E+00-1.195250E-01X2Y22.343824E-010.000000E+000.000000E+009.400506E-02Y46.849174E-020.000000E+000.000000E+001.027239E-01X4Y-3.590847E-020.000000E+000.000000E+005.178501E-02X2Y3-1.676285E-020.000000E+000.000000E+005.698284E-02Y51.244977E-030.000000E+000.000000E+002.110062E-01X67.609826E-040.000000E+000.000000E+001.852743E-03X4Y21.642005E-020.000000E+000.000000E+00-5.347458E-02X2Y46.253616E-030.000000E+000.000000E+00-2.587706E-01Y61.353703E-030.000000E+000.000000E+001.608009E-01X6Y-2.568254E-030.000000E+000.000000E+005.587846E-04X4Y3-4.755388E-030.000000E+000.000000E+005.397733E-02X2Y5-6.793506E-040.000000E+000.000000E+00-2.400347E-01Y7-1.374859E-050.000000E+000.000000E+002.641466E-01X82.488086E-040.000000E+000.000000E+005.593305E-04X6Y21.255585E-030.000000E+000.000000E+006.244473E-03X4Y41.194473E-030.000000E+000.000000E+001.145315E-01X2Y63.001214E-040.000000E+000.000000E+008.712058E-02Y85.813757E-050.000000E+000.000000E+006.570255E-01X8Y0.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00X6Y30.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00X4Y50.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00X2Y70.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00Y90.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00X100.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00X8Y20.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00X6Y40.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00X4Y60.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00X2Y80.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00Y100.000000E+000.000000E+000.000000E+000.000000E+00N半徑7.497396E+012.029987E+022.738127E+022.966746E+02系數(shù)M8M7M6M5M4Y-偏心0.000-116.456154.238192.354412.808X-旋轉(zhuǎn)4.1648.3273.0199.973-2.768系數(shù)M3M2M1像平面Y-偏心554.416783.491867.8030.000X-旋轉(zhuǎn)-2.8298.5520.5030.000如從前面的實施例的描述所看到的,投射光學系統(tǒng)9被構(gòu)造為使得其在兩個主平面(principalplane)中具有中間像。如從在前的實施例的描述所看到的,投射光學系統(tǒng)9,尤其是兩個部分鏡系統(tǒng)26、27在兩個主平面方向上的成像比例分別具有相同的符號。特別地,它們二者都具有正號。因此不會發(fā)生像翻轉(zhuǎn)。為了制造微結(jié)構(gòu)化或納米結(jié)構(gòu)化的組件,如下使用投射曝光系統(tǒng)1:首先,提供掩模母版7和晶片12。然后,借助于投射曝光系統(tǒng)1,將掩模母版7上的結(jié)構(gòu)投射至晶片12的光敏層上。接著通過顯影光敏層,而在晶片12上產(chǎn)生微結(jié)構(gòu)和納米結(jié)構(gòu),并且因此制造了微結(jié)構(gòu)化組件,例如高集成電路形式的半導體組件。在晶片12上的光敏層的曝光期間,借助于晶片保持器13,在掃描方向上位移晶片。在該情況下,特別地,關(guān)于掩模母版7借助掩模母版保持器8而在掃描方向上的位移,同步地進行晶片的位移。投射光學系統(tǒng)9在掃描方向上的縮小的成像比例可由較高的掃描速度補償。當前第1頁1 2 3 
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