本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種掩膜組件及對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝中，很多產(chǎn)品的第一層工藝為深n阱(dnw)離子注入工藝，以在晶圓內(nèi)形成深n阱，所述深n阱離子注入工藝的具體步驟為：首先，在晶圓的表面涂覆光刻膠層；接著，采用光刻工藝圖形化所述光刻膠層，以在所述光刻膠層內(nèi)形成與后續(xù)要形成的深n阱相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口圖形；然后，依據(jù)所述光刻膠層對(duì)所述晶圓進(jìn)行n型離子注入，以在所述晶圓內(nèi)形成所述深n阱；最后，剝離所述光刻膠層。

經(jīng)過(guò)深n阱離子注入之后，用于定義所述深n阱的光刻膠層會(huì)被剝離，會(huì)導(dǎo)致后續(xù)形成有源區(qū)(aa)的過(guò)程中，形成的有源區(qū)無(wú)法與所述深n阱進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)(overlay)，如果由于機(jī)臺(tái)問(wèn)題導(dǎo)致的對(duì)準(zhǔn)偏移不能被及時(shí)發(fā)現(xiàn)，會(huì)導(dǎo)致工藝層與工藝層之間的對(duì)準(zhǔn)會(huì)發(fā)生偏移，這將會(huì)使得所述產(chǎn)品存在很高的風(fēng)險(xiǎn)，最終導(dǎo)致良率的降低。

針對(duì)上述問(wèn)題，現(xiàn)在的解決方法有兩種：第一種方法為通過(guò)iems(智能機(jī)臺(tái)監(jiān)控系統(tǒng))對(duì)掃描批次報(bào)告對(duì)準(zhǔn)的相關(guān)參數(shù)設(shè)置標(biāo)準(zhǔn)(spec)，一旦有異常，產(chǎn)品的工藝就會(huì)被停止，根據(jù)掃描批次報(bào)告(scannerbatchreport)將異常的晶圓進(jìn)行返工，避免有問(wèn)題的晶圓進(jìn)入后續(xù)流程；第二種方法為在晶圓上制作零標(biāo)記(zeromark)時(shí)，依據(jù)產(chǎn)品將樣點(diǎn)(shot)布局的大小定于處理，在切割道(scribelane)內(nèi)放置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，在刻蝕零標(biāo)記時(shí)，樣點(diǎn)和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記同時(shí)被刻蝕出來(lái)，后面第一層離子注入層和第二層刻蝕層的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以和之前的零標(biāo)記組成一個(gè)完整的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，通過(guò)量測(cè)所述完整的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及可以偵測(cè)層與層之間的偏移。然而，第一種精確度很低；第二種方法中，由于不同型號(hào)的產(chǎn)品的布局不同，不同型號(hào)的產(chǎn)品需要不同掩膜(mask)，這必定會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)成本的增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種掩膜組件及對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)準(zhǔn)量測(cè)精度不高問(wèn)題及對(duì)于不同型號(hào)的產(chǎn)品需要不同的掩膜而導(dǎo)致的生產(chǎn)成本增加的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法，所述對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法至少包括以下步驟：

提供第一掩膜及晶圓，所述第一掩膜內(nèi)形成有零標(biāo)記圖形及第一標(biāo)記圖形，所述第一標(biāo)記圖形位于所述零標(biāo)記圖形的附近；

依據(jù)所述第一掩膜在所述晶圓上刻蝕零標(biāo)記及第一標(biāo)記；

提供第二掩膜，所述第二掩膜對(duì)應(yīng)于所述第一標(biāo)記內(nèi)部區(qū)域的位置形成有第二標(biāo)記圖形，且所述第二標(biāo)記圖形與所述第一標(biāo)記的中心相重合；

依據(jù)所述第二掩膜在所述第一標(biāo)記內(nèi)形成第二標(biāo)記；

量測(cè)所述第二標(biāo)記相對(duì)于所述第一標(biāo)記的位置偏移。

作為本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法的一種優(yōu)選方案，所述第二掩膜適于深n阱離子注入工藝，在所述深n阱離子注入工藝過(guò)程中在所述第一標(biāo)記內(nèi)形成所述第二標(biāo)記。

作為本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法的一種優(yōu)選方案，量測(cè)的所述第二標(biāo)記相對(duì)于所述第一標(biāo)記的位置偏移包括x方向的位置偏移及y方向的位置偏移。

作為本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法的一種優(yōu)選方案，所述對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法還包括：

提供第三掩膜，所述第三掩膜對(duì)應(yīng)于所述第一標(biāo)記內(nèi)部區(qū)域的位置形成有第三標(biāo)記圖形，且所述第三標(biāo)記圖形與所述第一標(biāo)記的中心相重合；

依據(jù)所述第三掩膜在所述第一標(biāo)記內(nèi)形成第三標(biāo)記；

量測(cè)所述第三標(biāo)記相對(duì)于所述第一標(biāo)記的位置偏移。

作為本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法的一種優(yōu)選方案，所述第一標(biāo)記、所述第二標(biāo)記及所述第三標(biāo)記的形狀為實(shí)心正方形或空心正方形。

作為本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法的一種優(yōu)選方案，所述第三掩膜適于有源區(qū)刻蝕工藝，在所述有源區(qū)刻蝕工藝過(guò)程中在所述第一標(biāo)記內(nèi)形成所述第三標(biāo)記。

作為本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法的一種優(yōu)選方案，所述第一標(biāo)記的數(shù)量為多個(gè)，所述第二標(biāo)記及所述第三標(biāo)記形成于至少一個(gè)所述第一標(biāo)記內(nèi)。

作為本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法的一種優(yōu)選方案，所述第三標(biāo)記與所述第二標(biāo)記形成于不同的所述第一標(biāo)記內(nèi)。

作為本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法的一種優(yōu)選方案，量測(cè)的所述第三標(biāo)記相對(duì)于所述第一標(biāo)記的位置偏移包括x方向的位置偏移及y方向的位置偏移。

本發(fā)明還提供一種掩膜組件，所述掩膜組件包括：第一掩膜及第二掩膜，其中

所述第一掩膜內(nèi)形成有零標(biāo)記圖形及第一標(biāo)記圖形，所述第一標(biāo)記圖形位于所述零標(biāo)記圖形的附近；

所述第二掩膜對(duì)應(yīng)于所述第一標(biāo)記圖形內(nèi)部區(qū)域的位置形成有第二標(biāo)記圖形，且所述第二標(biāo)記圖形與所述第一標(biāo)記圖形的中心相重合。

作為本發(fā)明的掩膜組件的一種優(yōu)選方案，所述第二掩膜適于深n阱離子注入工藝。

作為本發(fā)明的掩膜組件的一種優(yōu)選方案，所述掩膜組件還包括第三掩膜，所述第三掩膜對(duì)應(yīng)于所述第一標(biāo)記圖形內(nèi)部區(qū)域的位置形成有第三標(biāo)記圖形，且所述第三標(biāo)記圖形與所述第一標(biāo)記圖形的中心相重合。

作為本發(fā)明的掩膜組件的一種優(yōu)選方案，所述第一標(biāo)記圖形、所述第二標(biāo)記圖形及所述第三標(biāo)記圖形的形狀為實(shí)心正方形或空心正方形。

作為本發(fā)明的掩膜組件的一種優(yōu)選方案，所述第三掩膜適于有源區(qū)刻蝕工藝。

如上所述，本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法，具有以下有益效果：

本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法，通過(guò)在形成零標(biāo)記的同時(shí)在所述零標(biāo)記附近形成所述第一標(biāo)記，并將后續(xù)深n阱離子注入工藝及有源區(qū)刻蝕工藝對(duì)應(yīng)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成于第一標(biāo)記內(nèi)，可以很方便地對(duì)深n阱離子注入工藝及有源區(qū)刻蝕工藝進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)量測(cè)；本發(fā)明中不同型號(hào)的產(chǎn)品可以使用相同的掩膜，相較于現(xiàn)有技術(shù)可以節(jié)省很多掩膜的數(shù)量，進(jìn)而節(jié)約生產(chǎn)成本。

附圖說(shuō)明

圖1顯示為本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法流程示意圖。

圖2顯示為本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法中在晶圓內(nèi)形成的零標(biāo)記、第一標(biāo)記、第二標(biāo)記及第三標(biāo)記的結(jié)構(gòu)及對(duì)應(yīng)位置分布示意圖。

圖3顯示為圖2中a區(qū)域的放大示意圖。

元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明

s1～s5步驟一～步驟五

1零標(biāo)記

2第一標(biāo)記

3第二標(biāo)記

4第三標(biāo)記

具體實(shí)施方式

以下通過(guò)特定的具體實(shí)例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過(guò)另外不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用，本說(shuō)明書(shū)中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒(méi)有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。

請(qǐng)參閱圖1～圖3。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說(shuō)明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。

請(qǐng)參閱圖1至圖3，本發(fā)明提供一種對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法，所述對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法至少包括以下步驟：

s1：提供第一掩膜及晶圓，所述第一掩膜內(nèi)形成有零標(biāo)記圖形及第一標(biāo)記圖形，所述第一標(biāo)記圖形位于所述零標(biāo)記圖形的附近；

s2：依據(jù)所述第一掩膜在所述晶圓上刻蝕所述零標(biāo)記及第一標(biāo)記；

s3：提供第二掩膜，所述第二掩膜對(duì)應(yīng)于所述第一標(biāo)記內(nèi)部區(qū)域的位置形成有第二標(biāo)記圖形，且所述第二標(biāo)記圖形與所述第一標(biāo)記的中心相重合；

s4：依據(jù)所述第二掩膜在所述第一標(biāo)記內(nèi)形成第二標(biāo)記；

s5：量測(cè)所述第二標(biāo)記相對(duì)于所述第一標(biāo)記的位置偏移。

在s1步驟中，請(qǐng)參閱圖1中的s1步驟，提供第一掩膜及晶圓，所述第一掩膜內(nèi)形成有零標(biāo)記圖形及第一標(biāo)記圖形，所述第一標(biāo)記圖形位于所述零標(biāo)記圖形的附近。

作為示例，所述零標(biāo)記圖形的形狀可以為實(shí)心正方形或空心正方形，優(yōu)選地，本實(shí)施例中，所述零標(biāo)記圖形的形狀為實(shí)心正方形。

作為示例，所述第一標(biāo)記圖形的形狀可以為實(shí)心正方形或空心正方形。

作為示例，所述第一標(biāo)記圖形的數(shù)量可以為多個(gè)，多個(gè)所述第一標(biāo)記圖形的形狀可以相同也可以不同，即多個(gè)所述第一標(biāo)記圖形的可以均為實(shí)心正方形，也可以均為空心正方形，還可以部分為實(shí)心正方形，另一部分為空心正方形。

在s2步驟中，請(qǐng)參閱圖1中的s2步驟及圖2至圖3，依據(jù)所述第一掩膜在所述晶圓上刻蝕零標(biāo)記1及第一標(biāo)記2。

作為示例，依據(jù)所述第一掩膜內(nèi)的所述零標(biāo)記圖形及所述第一標(biāo)記圖形，采用光刻-刻蝕工藝在所述晶圓上同時(shí)刻蝕所述零標(biāo)記1及所述第一標(biāo)記2。

作為示例，所述零標(biāo)記1的形狀、尺寸及數(shù)量與所述零標(biāo)記圖形的形狀、尺寸及數(shù)量相對(duì)應(yīng)，所述第一標(biāo)記2的形狀、尺寸及數(shù)量與所述第一標(biāo)記圖形的形狀、尺寸及數(shù)量相對(duì)應(yīng)。

作為示例，所述零標(biāo)記1的形狀可以為實(shí)心正方形或空心正方形，優(yōu)選地，本實(shí)施例中，所述零標(biāo)記1的形狀為實(shí)心正方形。

作為示例，所述第一標(biāo)記2的形狀可以為實(shí)心正方形或空心正方形。

作為示例，所述第一標(biāo)記2的數(shù)量可以為多個(gè)，多個(gè)所述第一標(biāo)記2的形狀可以相同也 可以不同，即多個(gè)所述第一標(biāo)記2的可以均為實(shí)心正方形，也可以均為空心正方形，還可以部分為實(shí)心正方形，另一部分為空心正方形，圖2及圖3中，以所述第一標(biāo)記2的數(shù)量為三個(gè)，三個(gè)所述第一標(biāo)記2中一個(gè)的形狀為實(shí)心正方形，另外兩個(gè)的形狀為空心正方形作為示例，但在實(shí)際設(shè)計(jì)工藝中，并不以此為限。

在s3步驟中，請(qǐng)參閱圖1中的s3步驟，提供第二掩膜，所述第二掩膜對(duì)應(yīng)于所述第一標(biāo)記內(nèi)部區(qū)域的位置形成有第二標(biāo)記圖形，且所述第二標(biāo)記圖形與所述第一標(biāo)記的中心相重合。

作為示例，所述第二掩膜適于深n阱離子注入工藝，所述第二掩膜內(nèi)形成有對(duì)應(yīng)于后續(xù)要在晶圓內(nèi)形成的深n阱區(qū)域的掩膜圖形，所述第二標(biāo)記圖形位于所述掩膜圖形的外圍。

作為示例，所述第二標(biāo)記圖形的形狀可以為實(shí)心正方形或空心正方形。

作為示例，所述第二標(biāo)記圖形的數(shù)量可以為多個(gè)，多個(gè)所述第二標(biāo)記圖形的形狀可以相同也可以不同，即多個(gè)所述第二標(biāo)記圖形的可以均為實(shí)心正方形，也可以均為空心正方形，還可以部分為實(shí)心正方形，另一部分為空心正方形。

在s4步驟中，請(qǐng)參閱圖1中的s4步驟及圖2至圖3，依據(jù)所述第二掩膜在所述第一標(biāo)記2內(nèi)形成第二標(biāo)記3。

作為示例，依據(jù)所述第二掩膜內(nèi)的所述第二標(biāo)記圖形，在所述深n阱離子注入工藝過(guò)程中在所述第一標(biāo)記2內(nèi)形成所述第二標(biāo)記3。

作為示例，所述第二標(biāo)記3的形狀、尺寸及數(shù)量與所述第二標(biāo)記圖形的形狀、尺寸及數(shù)量相對(duì)應(yīng)。

作為示例，所述第二標(biāo)記3的形狀可以為實(shí)心正方形或空心正方形。

作為示例，所述第二標(biāo)記3的數(shù)量可以為多個(gè)，多個(gè)所述第二標(biāo)記3的形狀可以相同也可以不同，即多個(gè)所述第二標(biāo)記3的可以均為實(shí)心正方形，也可以均為空心正方形，還可以部分為實(shí)心正方形，另一部分為空心正方形，圖2及圖3中，以所述第二標(biāo)記3的數(shù)量為兩個(gè)，兩個(gè)所述第二標(biāo)記3的形狀均為實(shí)心正方形作為示例，但在實(shí)際設(shè)計(jì)工藝中，并不以此為限。

需要說(shuō)明的是，所述第二標(biāo)記3的尺寸應(yīng)小于所述第一標(biāo)記2的尺寸，以確保所述第二標(biāo)記3形成于所述第一標(biāo)記2內(nèi)之后，所述第二標(biāo)記3的邊緣至所述第一標(biāo)記2的邊緣保留有一定的間距，以便于后續(xù)的對(duì)準(zhǔn)量測(cè)。

在s5步驟中，請(qǐng)參閱圖1中的s5步驟，量測(cè)所述第二標(biāo)記3相對(duì)于所述第一標(biāo)記1的位置偏移。

作為示例，量測(cè)的所述第二標(biāo)記3相對(duì)于所述第一標(biāo)記2的位置偏移包括x方向的位置 偏移及y方向的位置偏移。由于所述第一標(biāo)記2與所述第二標(biāo)記3分別對(duì)應(yīng)于零標(biāo)記刻蝕工藝及深n阱離子注入工藝，通過(guò)量測(cè)所述第二標(biāo)記3相對(duì)于所述第一標(biāo)記2在x方向及y方向的偏移即可以判斷所述深n阱離子注入工藝相較于零標(biāo)記刻蝕工藝的對(duì)準(zhǔn)偏移情況。

請(qǐng)繼續(xù)參閱圖2至圖3，本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法還包括以下步驟：

s6：提供第三掩膜，所述第三掩膜對(duì)應(yīng)于所述第一標(biāo)記內(nèi)部區(qū)域的位置形成有第三標(biāo)記圖形，且所述第三標(biāo)記圖形與所述第一標(biāo)記的中心相重合；所述第三掩膜適于有源區(qū)刻蝕工藝，所述第三掩膜內(nèi)形成有對(duì)應(yīng)于后續(xù)要在晶圓內(nèi)形成的有源區(qū)的掩膜圖形，所述第三標(biāo)記圖形位于所述掩膜圖形的外圍；所述第三標(biāo)記圖形的形狀可以為實(shí)心正方形或空心正方形。

s7：依據(jù)所述第三掩膜在所述第一標(biāo)記內(nèi)形成第三標(biāo)記4；依據(jù)所述第三掩膜內(nèi)的所述第三標(biāo)記圖形，在所述有源區(qū)刻蝕工藝過(guò)程中在所述第一標(biāo)記2內(nèi)形成所述第三標(biāo)記4；所述第三標(biāo)記4的形狀、尺寸及數(shù)量與所述第三標(biāo)記圖形的形狀、尺寸及數(shù)量相對(duì)應(yīng)；具體的，所述第三標(biāo)記4的形狀可以為實(shí)心正方形或空心正方形。

s8：量測(cè)所述第三標(biāo)記4相對(duì)于所述第一標(biāo)記2的位置偏移。

作為示例，所述第三標(biāo)記4與所述第二標(biāo)記3可以形成于至少一個(gè)所述第一標(biāo)記1內(nèi)，優(yōu)選地，本實(shí)施例中，所述第三標(biāo)記4與所述第二標(biāo)記3分別形成于不同的所述第一標(biāo)記1中，如圖2至圖3所示。

作為示例，量測(cè)的所述第三標(biāo)記4相對(duì)于所述第一標(biāo)記2的位置偏移包括x方向的位置偏移及y方向的位置偏移。由于所述第一標(biāo)記2與所述第三標(biāo)記4分別對(duì)應(yīng)于零標(biāo)記刻蝕工藝及有源區(qū)刻蝕工藝，通過(guò)量測(cè)所述第三標(biāo)記4相對(duì)于所述第一標(biāo)記2在x方向及y方向的偏移即可以判斷所述有源區(qū)刻蝕工藝相較于零標(biāo)記刻蝕工藝的對(duì)準(zhǔn)偏移情況。又之前已量測(cè)出所述深n阱離子注入工藝相較于零標(biāo)記刻蝕工藝的對(duì)準(zhǔn)偏移情況，根據(jù)量量測(cè)測(cè)的結(jié)果，亦可以得到所述有源區(qū)刻蝕工藝相較于述深n阱離子注入工藝的對(duì)準(zhǔn)偏移情況。

本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法，通過(guò)在形成所述零標(biāo)記1的同時(shí)在所述零標(biāo)記1附近形成所述第一標(biāo)記1，并將后續(xù)深n阱離子注入工藝及有源區(qū)刻蝕工藝對(duì)應(yīng)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成于所述第一標(biāo)記11內(nèi)，可以很方便地對(duì)深n阱離子注入工藝及有源區(qū)刻蝕工藝進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)量測(cè)；本發(fā)明中不同型號(hào)的產(chǎn)品可以使用相同的掩膜，相較于現(xiàn)有技術(shù)可以節(jié)省很多掩膜的數(shù)量，進(jìn)而節(jié)約生產(chǎn)成本。

本發(fā)明還提供一種掩膜組件，所述掩膜組件包括：第一掩膜及第二掩膜，其中，所述第一掩膜內(nèi)形成有零標(biāo)記圖形及第一標(biāo)記圖形，所述第一標(biāo)記圖形位于所述零標(biāo)記圖形的附近；所述第二掩膜對(duì)應(yīng)于所述第一標(biāo)記圖形內(nèi)部區(qū)域的位置形成有第二標(biāo)記圖形，且所述第二標(biāo)記圖形與所述第一標(biāo)記圖形的中心相重合。

作為示例，所述零標(biāo)記圖形的形狀可以為實(shí)心正方形或空心正方形，優(yōu)選地，本實(shí)施例中，所述零標(biāo)記圖形的形狀為實(shí)心正方形。

作為示例，所述第一標(biāo)記圖形的形狀可以為實(shí)心正方形或空心正方形。

作為示例，所述第一標(biāo)記圖形的數(shù)量可以為多個(gè)，多個(gè)所述第一標(biāo)記圖形的形狀可以相同也可以不同，即多個(gè)所述第一標(biāo)記圖形的可以均為實(shí)心正方形，也可以均為空心正方形，還可以部分為實(shí)心正方形，另一部分為空心正方形。

作為示例，所述第二掩膜適于深n阱離子注入工藝，所述第二掩膜內(nèi)形成有對(duì)應(yīng)于后續(xù)要在晶圓內(nèi)形成的深n阱區(qū)域的掩膜圖形，所述第二標(biāo)記圖形位于所述掩膜圖形的外圍。

作為示例，所述第二標(biāo)記圖形的形狀可以為實(shí)心正方形或空心正方形。

作為示例，所述第二標(biāo)記圖形的數(shù)量可以為多個(gè)，多個(gè)所述第二標(biāo)記圖形的形狀可以相同也可以不同，即多個(gè)所述第二標(biāo)記圖形的可以均為實(shí)心正方形，也可以均為空心正方形，還可以部分為實(shí)心正方形，另一部分為空心正方形。

具體的，使用所述第一掩膜及所述第二掩膜在晶圓內(nèi)形成的對(duì)應(yīng)的零標(biāo)記、第一標(biāo)記及第二標(biāo)記的形狀、尺寸、數(shù)量及相互之間的位置關(guān)系可以參閱圖2至圖3。由于所述零標(biāo)記、所述第一標(biāo)記及所述第二標(biāo)記分別與所述零標(biāo)記圖形、所述第一標(biāo)記圖形及所述第二標(biāo)記圖形，因此，所述零標(biāo)記圖形、所述第一標(biāo)記圖形及所述第二標(biāo)記圖形的形狀、尺寸、數(shù)量及相互之間的位置關(guān)系亦可以參閱圖2至圖3。

作為示例，所述掩膜組件還包括第三掩膜，所述第三掩膜對(duì)應(yīng)于所述第一標(biāo)記圖形內(nèi)部區(qū)域的位置形成有第三標(biāo)記圖形，且所述第三標(biāo)記圖形與所述第一標(biāo)記圖形的中心相重合。

作為示例，所述第三掩膜適于有源區(qū)刻蝕工藝，所述第三掩膜內(nèi)形成有對(duì)應(yīng)于后續(xù)要在晶圓內(nèi)形成的有源區(qū)的掩膜圖形，所述第三標(biāo)記圖形位于所述掩膜圖形的外圍；所述第三標(biāo)記圖形的形狀可以為實(shí)心正方形或空心正方形。

具體的，使用所述第三掩膜在晶圓內(nèi)形成的對(duì)應(yīng)的第三標(biāo)記與零標(biāo)記、第一標(biāo)記及第二標(biāo)記的形狀、尺寸、數(shù)量及相互之間的位置關(guān)系可以參閱圖2至圖3。由于所述零標(biāo)記、所述第一標(biāo)記、所述第二標(biāo)記及所述第三標(biāo)記分別與所述零標(biāo)記圖形、所述第一標(biāo)記圖形、所述第二標(biāo)記圖形及所述第三標(biāo)記圖形，因此，所述零標(biāo)記圖形、所述第一標(biāo)記圖形、所述第二標(biāo)記圖形及所述第三標(biāo)記圖形的形狀、尺寸、數(shù)量及相互之間的位置關(guān)系亦可以參閱圖2至圖3。

本發(fā)明的掩膜組件，通過(guò)在第一掩膜內(nèi)零標(biāo)記圖形附近設(shè)置所述第一標(biāo)記圖形，并在適于深n阱離子注入工藝的第二掩膜內(nèi)及適于有源區(qū)刻蝕工藝的第三掩膜內(nèi)對(duì)應(yīng)于所述第一標(biāo)記圖形的位置分別設(shè)置第二標(biāo)記圖形及第三標(biāo)記圖形，在執(zhí)行相關(guān)半導(dǎo)體工藝時(shí)，可以很方 便地對(duì)深n阱離子注入工藝及有源區(qū)刻蝕工藝進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)量測(cè)；本發(fā)明的掩膜組件適用于不同型號(hào)的產(chǎn)品，相較于現(xiàn)有技術(shù)可以節(jié)省很多掩膜的數(shù)量，進(jìn)而節(jié)約生產(chǎn)成本。

綜上所述，本發(fā)明提供一種掩膜組件及對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法，所述對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法至少包括以下步驟：提供第一掩膜及晶圓，所述第一掩膜內(nèi)形成有零標(biāo)記圖形及第一標(biāo)記圖形，所述第一標(biāo)記圖形位于所述零標(biāo)記圖形的附近；依據(jù)所述第一掩膜在所述晶圓上刻蝕所述零標(biāo)記及第一標(biāo)記；提供第二掩膜，所述第二掩膜對(duì)應(yīng)于所述第一標(biāo)記內(nèi)部區(qū)域的位置形成有第二標(biāo)記圖形，且所述第二標(biāo)記圖形與所述第一標(biāo)記的中心相重合；依據(jù)所述第二掩膜在所述第一標(biāo)記內(nèi)形成第二標(biāo)記；量測(cè)所述第二標(biāo)記相對(duì)于所述第一標(biāo)記的位置偏移。本發(fā)明的對(duì)準(zhǔn)量測(cè)方法，通過(guò)在形成零標(biāo)記的同時(shí)在所述零標(biāo)記附近形成所述第一標(biāo)記，并將后續(xù)深n阱離子注入工藝及有源區(qū)刻蝕工藝對(duì)應(yīng)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成于第一標(biāo)記內(nèi)，可以很方便地對(duì)深n阱離子注入工藝及有源區(qū)刻蝕工藝進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)量測(cè)；本發(fā)明中不同型號(hào)的產(chǎn)品可以使用相同的掩膜，相較于現(xiàn)有技術(shù)可以節(jié)省很多掩膜的數(shù)量，進(jìn)而節(jié)約生產(chǎn)成本。

上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。