本申請(qǐng)案請(qǐng)求2014年5月29日提交申請(qǐng)的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案第14/290,771號(hào)的優(yōu)先權(quán)，所述美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)案以引用的方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示裝置，且更確切地說(shuō)涉及顯示裝置中的靜電放電減輕。

背景技術(shù)：

機(jī)電系統(tǒng)(EMS)包含具有電及機(jī)械元件、致動(dòng)器、換能器、傳感器、光學(xué)組件(例如，鏡面及光學(xué)薄膜)及電子裝置的裝置。EMS裝置或元件可以多種尺度來(lái)制造，包含(但不限于)微尺度及納米尺度。舉例來(lái)說(shuō)，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)裝置可包含具有范圍為約一微米至數(shù)百微米或更大的大小的結(jié)構(gòu)。納米機(jī)電系統(tǒng)(NEMS)裝置可包含具有小于一微米的大小(包含(例如)小于數(shù)百納米的大小)的結(jié)構(gòu)。可使用沉積、蝕刻、光刻及/或蝕刻掉襯底及/或所沉積材料層的部分或添加層以形成電及機(jī)電裝置的其它微機(jī)械加工過(guò)程來(lái)產(chǎn)生機(jī)電元件。

一種類(lèi)型的EMS裝置被稱(chēng)為干涉調(diào)制器(IMOD)。術(shù)語(yǔ)IMOD或干涉光調(diào)制器指代使用光學(xué)干涉原理選擇性地吸收及/或反射光的裝置。在一些實(shí)施方案中，IMOD顯示元件可包含一對(duì)導(dǎo)電板，其中的一者或兩者可整體或部分為透明及/或反射性的，且能夠在施加適當(dāng)電信號(hào)后即進(jìn)行相對(duì)運(yùn)動(dòng)。舉例來(lái)說(shuō)，一個(gè)板可包含沉積于襯底上方、沉積于襯底上或由襯底支撐的固定層，且另一板可包含與所述固定層隔開(kāi)一氣隙的反射膜。一個(gè)板相對(duì)于另一板的位置可改變?nèi)肷溆贗MOD顯示元件上的光的光學(xué)干涉?；贗MOD的顯示裝置具有廣泛范圍的應(yīng)用，且預(yù)期用于改善現(xiàn)有產(chǎn)品及產(chǎn)生新產(chǎn)品，尤其是具有顯示能力的那些產(chǎn)品。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的系統(tǒng)、方法及裝置各具有若干新穎方面，其中無(wú)單一者僅僅負(fù)責(zé)本文中所揭示的所要屬性。

本發(fā)明中所描述的主題的新穎方面可在一種顯示裝置中實(shí)施，所述顯示裝置包含囊封襯底、所述囊封襯底上的導(dǎo)電抗靜電涂層、通過(guò)密封件密封至所述囊封襯底的透明襯底，及密封于透明襯底與囊封襯底之間的一或多個(gè)顯示元件。所述一或多個(gè)顯示元件可經(jīng)配置以產(chǎn)生可經(jīng)由透明襯底觀察的圖像。囊封襯底可具有第一側(cè)及第二側(cè)，其中第一側(cè)面對(duì)所述顯示元件。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電抗靜電涂層經(jīng)安置于密封件與囊封襯底之間。在一些實(shí)施方案中，密封件為環(huán)氧樹(shù)脂密封件。

在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電抗靜電涂層包含透明導(dǎo)電氧化物、導(dǎo)電納米結(jié)構(gòu)的網(wǎng)狀物、金屬薄膜及碳基薄膜中的至少一者。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電抗靜電涂層是半透明的或透明的。

在一些實(shí)施方案中，顯示元件與囊封襯底通過(guò)氣體或真空間隙間隔開(kāi)。在一些實(shí)施方案中，顯示元件為機(jī)電系統(tǒng)(EMS)顯示元件。舉例來(lái)說(shuō)，顯示元件可為干涉調(diào)制器(IMOD)顯示元件。

在一些實(shí)施方案中，囊封襯底的第一側(cè)可包含用以容納顯示元件的凹入部分及密封至透明襯底的外圍部分。導(dǎo)電抗靜電涂層可位于囊封襯底的第一側(cè)的外圍部分及凹入部分中的一或多者上。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電抗反射涂層跨越囊封襯底的第一側(cè)的外圍部分及凹入部分為連續(xù)的。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電抗靜電涂層包含導(dǎo)電構(gòu)形特征。

本發(fā)明中所描述的主題的另一新穎方面可在一種顯示裝置中實(shí)施，所述顯示裝置包含：囊封襯底；透明襯底，其通過(guò)密封件密封至所述囊封襯底；一或多個(gè)顯示元件，其密封于透明襯底與囊封襯底之間且經(jīng)配置以產(chǎn)生可經(jīng)由透明襯底觀察的圖像；及所述囊封襯底上的導(dǎo)電抗靜電涂層，所述導(dǎo)電抗靜電涂層面對(duì)所述顯示元件且包含多個(gè)導(dǎo)電構(gòu)形特征。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電構(gòu)形特征可具有至少5nm的高度。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電構(gòu)形特征可具有至少20nm的高度。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電抗靜電涂層包含透明導(dǎo)電氧化物及導(dǎo)電納米結(jié)構(gòu)的網(wǎng)狀物中的至少一者。

本發(fā)明中所描述的主題的另一創(chuàng)新方面可在一種制造顯示裝置的方法中實(shí)施。所述方法可包含通過(guò)導(dǎo)電抗靜電涂層涂覆囊封襯底的一或多個(gè)表面，及在囊封襯底上形成密封劑材料，包含在導(dǎo)電抗靜電涂層上形成密封劑材料。

在一些實(shí)施方案中，囊封襯底的第一側(cè)包含凹入部分及環(huán)繞所述凹入部分的外圍部分。涂覆囊封襯底的一或多個(gè)表面可包含保形地涂覆囊封襯底的第一側(cè)。在一些實(shí)施方案中，所述方法可包含將囊封襯底密封至其上安置有一或多個(gè)顯示元件的透明襯底，以使得所述一或多個(gè)顯示元件由囊封襯底囊封。

本發(fā)明中所描述的主題的另一新穎方面可在一種顯示裝置中實(shí)施，所述顯示裝置包含：透明襯底，其上具有顯示元件；囊封襯底，其密封至透明襯底，由此封裝顯示元件；及用于耗散靜電放電的裝置。在一些實(shí)施方案中，用于耗散靜電放電的裝置包含用于減小顯示裝置中的靜摩擦的裝置。

本發(fā)明中所描述的主題的一或多個(gè)實(shí)施的細(xì)節(jié)在隨附圖式及以下描述中闡明。雖然本發(fā)明中所提供的實(shí)例主要是基于EMS及MEMS的顯示器來(lái)描述，但本文中所提供的概念可適用于其它類(lèi)型的顯示器，例如液晶顯示器、有機(jī)發(fā)光二極管(“OLED”)顯示器及場(chǎng)發(fā)射顯示器。其它特征、方面及優(yōu)勢(shì)自描述、圖式及權(quán)利要求書(shū)將變得顯而易見(jiàn)。應(yīng)注意，下列諸圖的相對(duì)尺寸可能未按比例繪制。

附圖說(shuō)明

圖1為描繪干涉調(diào)制器(IMOD)顯示裝置的一系列顯示元件或顯示元件陣列中的兩個(gè)鄰近IMOD顯示元件的等角視圖說(shuō)明。

圖2為說(shuō)明并入有包含IMOD顯示元件的三元件乘三元件陣列的基于IMOD的顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖。

圖3A及3B為包含EMS元件陣列及背板的機(jī)電系統(tǒng)(EMS)封裝的一部分的示意性分解部分透視圖。

圖4展示說(shuō)明包含導(dǎo)電抗靜電涂層的顯示裝置的橫截面示意圖的實(shí)例。

圖5A至5G展示說(shuō)明囊封襯底上的導(dǎo)電抗靜電涂層的布置的橫截面示意圖的實(shí)例。

圖6展示說(shuō)明用于具有導(dǎo)電抗靜電涂層的囊封襯底的制造過(guò)程的流程圖的實(shí)例。

圖7展示說(shuō)明用于具有包含導(dǎo)電抗靜電涂層的囊封襯底的顯示裝置的制造過(guò)程的流程圖的實(shí)例。

圖8A及8B展示說(shuō)明制造具有包含導(dǎo)電抗靜電涂層的囊封襯底的顯示裝置的某些階段的示意圖的實(shí)例。

圖9A及9B展示說(shuō)明顯示裝置對(duì)機(jī)械震動(dòng)的回應(yīng)的示意圖的實(shí)例。

圖9C及9D展示說(shuō)明包含構(gòu)形特征的導(dǎo)電抗靜電薄膜的示意圖的實(shí)例。

圖10A及10B為說(shuō)明包含多個(gè)IMOD顯示元件的顯示裝置的系統(tǒng)框圖。

各圖式中相同參考數(shù)字及編號(hào)均指示相同元件。

具體實(shí)施方式

以下描述是有關(guān)出于描述本發(fā)明的新穎方面的目的的某些實(shí)施方案。然而，所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將易于認(rèn)識(shí)到，可以眾多不同方式來(lái)應(yīng)用本文的教示。所描述的實(shí)施可在可經(jīng)配置以顯示圖像的任何裝置、裝置或系統(tǒng)中實(shí)施，無(wú)論圖像是運(yùn)動(dòng)的(例如，視頻)還是靜止的(例如，靜態(tài)圖像)，且無(wú)論圖像是文本的、圖形的還是圖片的。更確切地說(shuō)，預(yù)期所描述的實(shí)施方案可包含于例如(但不限于)以下各者的多種電子裝置中或與所述電子裝置相關(guān)聯(lián)：移動(dòng)電話(huà)、具備多媒體因特網(wǎng)功能的蜂窩電話(huà)、移動(dòng)電視接收器、無(wú)線(xiàn)裝置、智能電話(huà)、裝置、個(gè)人數(shù)據(jù)助理(PDA)、無(wú)線(xiàn)電子郵件接收器、手持式或便攜式計(jì)算機(jī)、上網(wǎng)本、筆記型計(jì)算機(jī)、智能本、平板計(jì)算機(jī)、打印機(jī)、復(fù)印機(jī)、掃描器、傳真裝置、全球定位系統(tǒng)(GPS)接收器/導(dǎo)航器、相機(jī)、數(shù)字媒體播放器(例如，MP3播放器)、攝錄影機(jī)、游戲控制臺(tái)、腕表、鐘表、計(jì)算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、電子閱讀裝置(例如，電子閱讀器)、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、汽車(chē)顯示器(包含里程表顯示器及速度計(jì)顯示器等)、座艙控制件及/或顯示器、相機(jī)景觀顯示器(例如，車(chē)輛中的后視相機(jī)的顯示器)、電子照片、電子廣告牌或標(biāo)識(shí)、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、微波爐、冰箱、立體聲系統(tǒng)、匣式錄音機(jī)或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、收音機(jī)、便攜式存儲(chǔ)器芯片、洗衣機(jī)、干燥器、洗衣機(jī)/干燥器、停車(chē)計(jì)時(shí)器、封裝(例如，包含微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)應(yīng)用的機(jī)電系統(tǒng)(EMS)應(yīng)用以及非EMS應(yīng)用中的封裝)、美學(xué)結(jié)構(gòu)(例如，關(guān)于一件珠寶或服裝的圖像的顯示)及多種EMS裝置。本文的教示也可用于非顯示應(yīng)用中，例如(但不限于)：電子開(kāi)關(guān)裝置、射頻濾波器、傳感器、加速計(jì)、回轉(zhuǎn)儀、運(yùn)動(dòng)感測(cè)裝置、磁力計(jì)、用于消費(fèi)型電子裝置的慣性組件、消費(fèi)型電子產(chǎn)品的零件、變抗器、液晶裝置、電泳裝置、驅(qū)動(dòng)方案、制造過(guò)程，及電子測(cè)試設(shè)備。因此，所述教示并不希望限于僅在諸圖中描繪的實(shí)施，而實(shí)情為，具有如所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將易于顯而易見(jiàn)的廣泛適用性。

本文所描述的實(shí)施方案涉及包含抗靜電涂層的顯示裝置。抗靜電涂層可減輕歸因于靜電放電(ESD)的損害。顯示裝置可包含其上具有顯示元件的透明襯底及覆蓋顯示元件的囊封襯底。囊封襯底的一或多個(gè)表面上的抗靜電涂層可阻止或耗散可在顯示裝置的制造或操作期間累積的電荷?？轨o電涂層可為導(dǎo)電的及透明的，其中所述涂層的實(shí)例包含透明導(dǎo)電氧化物(TCO)、薄金屬膜、薄碳膜及導(dǎo)電性納米結(jié)構(gòu)的網(wǎng)狀物。

在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電抗靜電涂層可涂覆于其上安置有環(huán)氧樹(shù)脂及其它密封材料的囊封襯底的外圍區(qū)域上。導(dǎo)電抗靜電涂層可經(jīng)安置于囊封襯底與密封材料之間。在一些實(shí)施方案中，囊封襯底上的導(dǎo)電抗靜電涂層面對(duì)經(jīng)安置于顯示器玻璃或其它透明襯底上的顯示元件。在一些實(shí)施方案中，囊封襯底上的導(dǎo)電抗靜電涂層可包含減小靜摩擦的構(gòu)形特征。

可實(shí)施本發(fā)明中所描述的主題的特定實(shí)施方案以實(shí)現(xiàn)以下潛在優(yōu)勢(shì)中的一或多者。顯示裝置的囊封襯底上的抗靜電涂層可改善良率及使用期限，減少歸因于顯示裝置的制造或操作期間的ESD事件的故障。囊封襯底上的抗靜電涂層可在例如刻劃及斷裂的過(guò)程及其它后段生產(chǎn)線(xiàn)(BEOL)過(guò)程期間減輕對(duì)顯示器玻璃或其它透明襯底上的薄膜晶體管(TFT)及其它電組件的損害。囊封襯底上的抗靜電涂層可減輕歸因于可在顯示裝置的操作期間發(fā)生的顯示裝置的顯示元件與囊封襯底之間的ESD的損害。包含構(gòu)形特征的抗靜電涂層可減少顯示元件與囊封襯底之間的接觸，從而減輕歸因于此類(lèi)接觸的損害。

所描述的實(shí)施方案可應(yīng)用至的合適的EMS或MEMS裝置或設(shè)備的實(shí)例為反射式顯示裝置。反射式顯示裝置可并入有干涉調(diào)制器(IMOD)顯示元件，所述顯示元件可經(jīng)實(shí)施以使用光學(xué)干涉原理選擇性地吸收及/或反射入射于其上的光。IMOD顯示元件可包含部分光學(xué)吸收器、可相對(duì)于吸收器移動(dòng)的反射器及定義于吸收器與反射器之間的光學(xué)諧振腔。在一些實(shí)施方案中，反射器可移動(dòng)至兩個(gè)或兩個(gè)以上不同位置，此情況可改變光學(xué)諧振腔的大小且由此影響IMOD的反射率。IMOD顯示元件的反射光譜可產(chǎn)生相當(dāng)寬廣的光譜帶，所述光譜帶可跨越可見(jiàn)波長(zhǎng)移位以產(chǎn)生不同色彩。可通過(guò)改變光學(xué)諧振腔的厚度來(lái)調(diào)整光譜帶的位置。改變光學(xué)諧振腔的一種方式為通過(guò)改變反射器相對(duì)于吸收器的位置。

圖1為描繪干涉調(diào)制器(IMOD)顯示裝置的一系列顯示元件或顯示元件陣列中的兩個(gè)鄰近IMOD顯示元件的等角視圖說(shuō)明。IMOD顯示裝置包含一或多個(gè)干涉EMS(例如，MEMS)顯示元件。在這些裝置中，干涉MEMS顯示組件可經(jīng)配置處于明亮或黑暗狀態(tài)。在明亮(“松弛”、“打開(kāi)”或“接通”等)狀態(tài)下，顯示元件反射大部分的入射可見(jiàn)光。相反地，在黑暗(“致動(dòng)”、“關(guān)閉”或“斷開(kāi)”)狀態(tài)下，顯示元件反射極少的入射可見(jiàn)光。MEMS顯示元件可經(jīng)配置以主要在光的特定波長(zhǎng)處進(jìn)行反射，從而允許除黑色及白色的外的色彩顯示。在一些實(shí)施方案中，通過(guò)使用多個(gè)顯示元件，可實(shí)現(xiàn)不同強(qiáng)度的色彩基色及灰度。

IMOD顯示裝置可包含可以行及列布置的IMOD顯示元件的陣列。所述陣列中的每一顯示元件可包含至少一對(duì)反射及半反射層，例如，可移動(dòng)反射層(即，可移動(dòng)層，也被稱(chēng)作機(jī)械層)及固定部分反射層(即，靜止層)，所述層經(jīng)定位為彼此相距可變及可控距離以形成氣隙(也被稱(chēng)作光學(xué)間隙、空腔或光學(xué)諧振腔)?？梢苿?dòng)反射層可在至少兩個(gè)位置之間移動(dòng)。舉例來(lái)說(shuō)，在第一位置(即，松弛位置)中，可移動(dòng)反射層可定位為與固定部分反射層相距一距離。在第二位置(即，致動(dòng)位置)中，可移動(dòng)反射層可較接近于部分反射層而定位。自?xún)蓚€(gè)層反射的入射光可取決于可移動(dòng)反射層的位置及入射光的波長(zhǎng)而相長(zhǎng)及/或相消地干涉，從而針對(duì)每一顯示元件產(chǎn)生整體反射或非反射狀態(tài)。在一些實(shí)施方案中，顯示元件可在未致動(dòng)時(shí)處于反射狀態(tài)，從而反射可見(jiàn)光譜內(nèi)的光，且可在經(jīng)致動(dòng)時(shí)處于黑暗狀態(tài)，從而吸收及/或相消地干涉可見(jiàn)范圍內(nèi)的光。然而，在一些其它實(shí)施方案中，IMOD顯示元件可在未致動(dòng)時(shí)處于黑暗狀態(tài)，且在經(jīng)致動(dòng)時(shí)處于反射狀態(tài)。在一些實(shí)施方案中，所施加的電壓的引入可驅(qū)動(dòng)顯示元件以改變狀態(tài)。在一些其它實(shí)施方案中，所施加的電荷可驅(qū)動(dòng)顯示元件以改變狀態(tài)。

圖1中的陣列的所描繪部分包含呈IMOD顯示元件12的形式的兩個(gè)鄰近的干涉MEMS顯示元件。在右側(cè)(如所說(shuō)明)的顯示元件12中，說(shuō)明可移動(dòng)反射層14處于接近、鄰近或碰觸光學(xué)堆疊16的致動(dòng)位置中。跨越右側(cè)的顯示元件12施加的電壓V_bias足以移動(dòng)可移動(dòng)反射層14且也將其維持于致動(dòng)位置中。在左側(cè)(如所說(shuō)明)的顯示元件12中，說(shuō)明可移動(dòng)反射層14處于距包含部分反射層的光學(xué)堆疊16一距離(其可基于設(shè)計(jì)參數(shù)預(yù)定)的松弛位置中?？缭阶髠?cè)的顯示元件12所施加的電壓V₀不足以引起可移動(dòng)反射層14至致動(dòng)位置(例如，右側(cè)的顯示元件12的彼致動(dòng)位置)的致動(dòng)。

在圖1中，大體上通過(guò)指示入射于IMOD顯示元件12上的光13及自左側(cè)的顯示元件12反射的光15的箭頭說(shuō)明IMOD顯示元件12的反射性質(zhì)。入射于顯示元件12上的光13的大部分可朝向光學(xué)堆疊16經(jīng)透射穿過(guò)透明襯底20。入射于光學(xué)堆疊16上的光的一部分可經(jīng)透射穿過(guò)光學(xué)堆疊16的部分反射層，且一部分將經(jīng)由透明襯底20反射回來(lái)。光13的經(jīng)透射穿過(guò)光學(xué)堆疊16的部分可自可移動(dòng)反射層14朝向(且穿過(guò))透明襯底20被反射回來(lái)。自光學(xué)堆疊16的部分反射層反射的光與自可移動(dòng)反射層14反射的光之間的干涉(相長(zhǎng)及/或相消)將部分地判定在裝置的觀察側(cè)或襯底側(cè)自顯示元件12反射的光15的波長(zhǎng)的強(qiáng)度。在一些實(shí)施方案中，透明襯底20可為玻璃襯底(有時(shí)被稱(chēng)作玻璃板或面板)。玻璃襯底可為或包含(例如)硼硅酸鹽玻璃、堿石灰玻璃、石英、派熱斯(Pyrex)或其它合適的玻璃材料。在一些實(shí)施方案中，所述玻璃襯底可具有0.3毫米、0.5毫米或0.7毫米的厚度，但在一些實(shí)施方案中，所述玻璃襯底可較厚(例如，數(shù)十毫米)或較薄(例如，小于0.3毫米)。在一些實(shí)施方案中，可使用非玻璃襯底，例如，聚碳酸酯、丙烯酸、聚對(duì)苯二甲酸伸乙酯(PET)或聚醚醚酮(PEEK)襯底。在此實(shí)施方案中，非玻璃襯底將很可能具有小于0.7毫米的厚度，但視設(shè)計(jì)考慮而定，所述襯底可較厚。在一些實(shí)施方案中，可使用非透明襯底，例如，基于金屬箔或不銹鋼的襯底。舉例來(lái)說(shuō)，包含固定反射層及部分透射且部分反射的可移動(dòng)層的基于反向IMOD的顯示器可經(jīng)配置以作為圖1的顯示元件12而自襯底的相反側(cè)觀察且可由非透明襯底支撐。

光學(xué)堆疊16可包含單一層或若干層。所述層可包含電極層、部分反射且部分透射層及透明介電層中的一或多者。在一些實(shí)施方案中，光學(xué)堆疊16是導(dǎo)電的、部分透明的且部分反射的，且可(例如)通過(guò)將上述層中的一或多者沉積至透明襯底20上而制造?？捎衫绺鞣N金屬(例如，氧化銦錫(ITO))的多種材料形成電極層。所述部分反射層可由例如各種金屬(例如，鉻及/或鉬)、半導(dǎo)體及電介質(zhì)的部分反射的多種材料形成。部分反射層可由一或多個(gè)材料層形成，且所述層中的每一者可由單一材料或材料的組合形成。在一些實(shí)施方案中，光學(xué)堆疊16的某些部分可包含充當(dāng)部分光學(xué)吸收器及電導(dǎo)體兩者的單一半透明厚度的金屬或半導(dǎo)體，而不同的較導(dǎo)電的層或部分(例如，光學(xué)堆疊16或顯示元件的其它結(jié)構(gòu)的層或部分)可用以在IMOD顯示元件之間用總線(xiàn)傳送(bus)信號(hào)。光學(xué)堆疊16也可包含覆蓋一或多個(gè)導(dǎo)電層或一導(dǎo)電/部分吸收層的一或多個(gè)絕緣或介電層。

在一些實(shí)施方案中，光學(xué)堆疊16的所述層中的至少一些層可經(jīng)圖案化為平行條帶，且可形成顯示裝置中的行電極，如下文進(jìn)一步描述。所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將理解，術(shù)語(yǔ)“經(jīng)圖案化”在本文中用以指代掩蔽以及蝕刻過(guò)程。在一些實(shí)施方案中，可將高度導(dǎo)電且反射的材料(例如，鋁(Al))用于可移動(dòng)反射層14，且這些條帶可形成顯示裝置中的列電極?？梢苿?dòng)反射層14可形成為一或多個(gè)所沉積金屬層的一系列平行條帶(與光學(xué)堆疊16的行電極正交)，以形成沉積于支撐件(例如，所說(shuō)明的柱18及位于柱18之間的介入犧牲材料)的頂部上的列。當(dāng)蝕刻掉犧牲材料時(shí)，所定義的間隙19或光學(xué)腔可形成于可移動(dòng)反射層14與光學(xué)堆疊16之間。在一些實(shí)施方案中，柱18之間的間隔可為大約1μm至1000μm，而間隙19可大約小于10,000埃

在一些實(shí)施方案中，可將每一IMOD顯示元件(無(wú)論是處于致動(dòng)還是松弛狀態(tài))視為由固定反射層及移動(dòng)反射層形成的電容器。如由圖1中左側(cè)的顯示元件12所說(shuō)明，當(dāng)未施加電壓時(shí)，可移動(dòng)反射層14保持處于機(jī)械松弛狀態(tài)，其中間隙19處于可移動(dòng)反射層14與光學(xué)堆疊16之間。然而，當(dāng)將電位差(即，電壓)施加至所選行及列中的至少一者時(shí)，在對(duì)應(yīng)顯示元件處的行電極與列電極的相交處形成的電容器變得帶電，且靜電力將所述電極牽拉在一起。如果所施加電壓超過(guò)閾值，則可移動(dòng)反射層14可變形且靠近或抵靠光學(xué)堆疊16移動(dòng)。光學(xué)堆疊16內(nèi)的介電層(圖中未展示)可防止短路且控制層14與層16之間的分離距離，如由圖1中右側(cè)的經(jīng)致動(dòng)顯示元件12所說(shuō)明。無(wú)論所施加電位差的極性如何，列均可為相同的。雖然陣列中的一系列顯示元件可在一些例子中被稱(chēng)為“行”或“列”，但所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將易于理解，將一方向稱(chēng)為“行”且將另一方向稱(chēng)為“列”是任意的。再聲明，在一些定向上，可將行視為列，且將列視為行。在一些實(shí)施方案中，可將行稱(chēng)為“共同”線(xiàn)且可將列稱(chēng)作“分段”線(xiàn)，或反之亦然。此外，顯示元件可均勻地以正交的行及列(“陣列”)布置，或以非線(xiàn)性配置布置，例如，具有相對(duì)于彼此的某些位置偏移(“馬賽克”)。術(shù)語(yǔ)“陣列”及“馬賽克”可指代任何配置。因此，雖然將顯示器稱(chēng)為包含“陣列”或“馬賽克”，但元件自身不需要彼此正交地布置，或按均勻分布安置，而在任何例子中可包含具有不對(duì)稱(chēng)形狀及不均勻分布的元件的布置。

圖2為說(shuō)明并入有包含IMOD顯示元件的三個(gè)元件乘三個(gè)元件陣列的基于IMOD的顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖。所述電子裝置包含可經(jīng)配置以執(zhí)行一或多個(gè)軟件模塊的處理器21。除執(zhí)行操作系統(tǒng)外，處理器21也可經(jīng)配置以執(zhí)行一或多個(gè)軟件應(yīng)用程序，包含網(wǎng)頁(yè)瀏覽程序、電話(huà)應(yīng)用程序、電子郵件程序或任何其它軟件應(yīng)用程序。

處理器21可經(jīng)配置以與陣列驅(qū)動(dòng)器22通信。陣列驅(qū)動(dòng)器22可包含將信號(hào)提供至(例如)顯示陣列或面板30的行驅(qū)動(dòng)器電路24及行驅(qū)動(dòng)器電路26。圖1中所說(shuō)明的IMOD顯示裝置的橫截面由圖2中的線(xiàn)1-1展示。盡管圖2為了清晰起見(jiàn)而說(shuō)明IMOD顯示元件的3×3陣列，但顯示陣列30可含有極大數(shù)目的IMOD顯示元件，且可在行中具有與行中不同數(shù)目個(gè)IMOD顯示元件，且反之亦然。

圖3A及3B為包含EMS元件陣列36及背板92的EMS封裝91的一部分的示意性分解部分透視圖。圖3A經(jīng)展示為切除背板92的兩個(gè)拐角以更好地說(shuō)明背板92的某些部分，而圖3B經(jīng)展示為未切除拐角的情況。EMS陣列36可包含襯底20、支撐柱18及可移動(dòng)層14。在一些實(shí)施方案中，EMS陣列36可包含IMOD顯示元件陣列，其具有在透明襯底上的一或多個(gè)光學(xué)堆疊部分16，且可移動(dòng)層14可實(shí)施為可移動(dòng)反射層。

背板92可基本上為平面，或可具有至少一個(gè)波狀表面(例如，背板92可形成有凹陷及/或突起)。背板92可由任何合適材料(無(wú)論是透明還是不透明、導(dǎo)電還是絕緣的材料)制成。用于背板92的合適材料包含(但不限于)玻璃、塑料、陶瓷、聚合物、層壓板、金屬、金屬箔、科伐合金(Kovar)及電鍍式科伐合金。

如圖3A及3B中所展示，背板92可包含可部分或完全嵌入于背板92中的一或多個(gè)背板組件94a及94b。如圖3A中可見(jiàn)，背板組件94a嵌入于背板92中。如圖3A及3B中可見(jiàn)，背板組件94b安置于背板92的表面中所形成的凹陷93內(nèi)。在一些實(shí)施方案中，背板組件94a及/或94b可自背板92的表面突出。盡管背板組件94b安置于背板92的面向襯底20的側(cè)上，但在其它實(shí)施方案中，背板組件可安置于背板92的相對(duì)側(cè)上。

背板組件94a及/或94b可包含一或多個(gè)有源或無(wú)源電組件，例如晶體管、電容器、電感器、電阻器、二極管、開(kāi)關(guān)及/或例如經(jīng)封裝的標(biāo)準(zhǔn)或離散集成電路(IC)的IC。可用于各種實(shí)施方案的背板組件的其它實(shí)例包含天線(xiàn)、電池及傳感器(例如電傳感器、觸控傳感器、光學(xué)傳感器或化學(xué)傳感器)或薄膜沉積的裝置。

在一些實(shí)施方案中，背板組件94a及/或94b可與EMS陣列36的部分電通信。例如跡線(xiàn)、凸塊、柱或通孔的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可形成于背板92或襯底20中的一或兩者上，且可彼此接觸或接觸其它導(dǎo)電組件以在EMS陣列36與背板組件94a及/或94b之間形成電連接。舉例來(lái)說(shuō)，圖3B包含背板92上的一或多個(gè)導(dǎo)電通孔96，其可與自EMS陣列36內(nèi)的可移動(dòng)層14向上延伸的電接點(diǎn)98對(duì)準(zhǔn)。在一些實(shí)施方案中，背板92也可包含使背板組件94a及/或94b與EMS陣列36的其它組件電隔離的一或多個(gè)絕緣層。在背板92由透氣材料形成的一些實(shí)施方案中，背板92的內(nèi)部表面可涂覆有蒸氣屏障(圖中未展示)。

背板組件94a及94b可包含用于吸收可進(jìn)入EMS封裝91的任何濕氣的一或多種干燥劑。在一些實(shí)施方案中，干燥劑(或其它濕氣吸收材料(例如，除氣劑))可(例如)作為使用粘合劑而安裝至背板92(或形成于其中的凹陷中)的薄片與任何其它背板組件分開(kāi)地提供。替代地，可將干燥劑集成到背板92中。在一些其它實(shí)施方案中，可例如通過(guò)噴涂、絲網(wǎng)印刷或任何其它合適方法將干燥劑直接或間接地涂覆于其它背板組件上方。

在一些實(shí)施方案中，EMS陣列36及/或背板92可包含機(jī)械支座97以維持背板組件與顯示元件之間的距離，且由此防止那些組件之間的機(jī)械干涉。在圖3A及3B中所說(shuō)明的實(shí)施方案中，機(jī)械支座97形成為自背板92突出的與EMS陣列36的支撐柱18對(duì)準(zhǔn)的柱。替代地或另外，可沿著EMS封裝91的邊緣提供例如軌道或柱的機(jī)械支座。

盡管圖3A及3B中未說(shuō)明，但可提供部分或完全圍繞EMS陣列36的密封件。密封件可與背板92及襯底20一起形成圍封EMS陣列36的保護(hù)腔。密封件可為半氣密密封件，例如常規(guī)的基于環(huán)氧樹(shù)脂的粘合劑。在一些其它實(shí)施方案中，密封件可為氣密密封件，例如薄膜金屬焊接件或玻璃料。在一些其它實(shí)施方案中，密封件可包含聚異丁烯(PIB)、聚氨基甲酸酯、液態(tài)旋涂式玻璃、焊料、聚合物、塑料或其它材料。在一些實(shí)施方案中，加強(qiáng)型密封劑可用于形成機(jī)械支座。

在替代實(shí)施方案中，密封環(huán)可包含背板92或襯底20中的一或兩者的延伸部。舉例來(lái)說(shuō)，密封環(huán)可包含背板92的機(jī)械延伸部(圖中未展示)。在一些實(shí)施方案中，密封環(huán)可包含單獨(dú)部件，例如O形環(huán)或其它環(huán)形部件。

在一些實(shí)施方案中，EMS陣列36及背板92在附接或耦合在一起之前單獨(dú)地形成。舉例來(lái)說(shuō)，可如上文所論述地將襯底20的邊緣附接并密封至背板92的邊緣。替代地，可形成EMS陣列36及背板92且將其接合在一起作為EMS封裝91。在一些其它實(shí)施方案中，可以任何其它合適方式制造EMS封裝91，例如通過(guò)在EMS陣列36上通過(guò)沉積而形成背板92的組件。

顯示裝置中的靜電放電(ESD)可導(dǎo)致裝置失效。舉例來(lái)說(shuō)，在顯示裝置的制造或操作期間的ESD可導(dǎo)致IMOD或其它顯示元件失效。本發(fā)明的一方面是一種顯示裝置，所述顯示裝置包含密封至透明襯底的囊封襯底、密封于顯示裝置與囊封襯底之間的一或多個(gè)顯示元件及囊封襯底的至少一部分上的導(dǎo)電抗靜電涂層。根據(jù)各種實(shí)施方案，抗靜電涂層可進(jìn)行以下操作中的一或兩者：阻止靜電荷累積及耗散可在顯示裝置的制造或操作期間累積的靜電荷。

在一些實(shí)施方案中，顯示裝置包含顯示元件與囊封襯底之間的間隙或空腔。此間隙可填充有空氣或其它氣體組合，或?yàn)檎婵湛涨?。IMOD顯示器(例如)可包含IMOD像素與背部玻璃之間的氣隙。在一些實(shí)施方案中，顯示元件可接觸囊封襯底，或顯示元件與囊封襯底之間的區(qū)域可填充有固體或液體材料。舉例來(lái)說(shuō)，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)或液晶顯示器(LCD)顯示裝置的防護(hù)玻璃罩可接觸電極或光學(xué)堆疊的其它層。盡管以下所給出的實(shí)例著重于具有氣隙的顯示裝置，但本文所揭示的囊封襯底可在其它顯示裝置中(例如在OLED及LCD顯示裝置中)實(shí)施。此外，本文所揭示的囊封襯底可在非顯示裝置中實(shí)施。舉例來(lái)說(shuō)，包含本文所揭示的導(dǎo)電抗靜電涂層的囊封襯底可在非顯示EMS裝置中實(shí)施。

對(duì)于顯示裝置，本文所揭示的導(dǎo)電抗靜電涂層大體上位于囊封襯底上，所述囊封襯底與經(jīng)由其觀察顯示器的顯示器玻璃或其它透明襯底相對(duì)。顯示裝置可具有有源矩陣或無(wú)源矩陣顯示器。在一些實(shí)施方案中，囊封襯底可通過(guò)減輕對(duì)此類(lèi)顯示裝置的薄膜晶體管(TFT)的ESD損害而對(duì)于有源矩陣顯示器是有用的。

圖4展示說(shuō)明包含導(dǎo)電抗靜電涂層的顯示裝置的橫截面圖的實(shí)例。顯示裝置100包含囊封襯底102及透明襯底104。囊封襯底102也可根據(jù)各種實(shí)施方案表征為囊封玻璃、背部玻璃、凹陷玻璃或背板。透明襯底104可根據(jù)各種實(shí)施方案表征為顯示器玻璃或過(guò)程玻璃。顯示元件106安置于透明襯底104上。在一些實(shí)施方案中，顯示元件106可經(jīng)制造于透明襯底104上。此外，在一些實(shí)施方案中，顯示元件106經(jīng)配置以產(chǎn)生可經(jīng)由透明襯底104觀察的圖像。在一些實(shí)施方案中，顯示元件可為EMS顯示元件，例如圖1中所描繪的IMOD顯示元件12。在一些實(shí)施方案中，顯示元件可為有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示元件及類(lèi)似者。此外，在一些實(shí)施方案中，TFT可電連接至顯示元件以用于顯示器的有源矩陣控制。

透明襯底104可為(例如)如上文關(guān)于圖1所描述的透明襯底20，實(shí)例包含玻璃襯底及非玻璃聚合襯底。囊封襯底102可為(例如)如上文關(guān)于圖3A及3B所描述的背板92。根據(jù)各種實(shí)施方案，囊封襯底102可為透明的或不透明的，且可為導(dǎo)電的或絕緣的。用于囊封襯底102的合適的材料包含(但不限于)：玻璃、塑料、陶瓷、聚合物及層壓板。在一些實(shí)施方案中，囊封襯底102具有一或多個(gè)波狀表面；例如，圖4中所展示的囊封襯底102包含容納顯示元件106的凹陷108，所述凹陷面向顯示裝置的有效顯示區(qū)域122。在一些其它實(shí)施方案中，囊封襯底102可基本上為平面的。

通過(guò)接觸有效顯示區(qū)域122外部的透明襯底104的密封件110將囊封襯底102密封至透明襯底104。所述密封件可為任何適當(dāng)?shù)拿芊饧?，包含環(huán)氧樹(shù)脂密封件、金屬密封件或玻璃料。在一些實(shí)施方案中，密封件可包含PIB、聚氨基甲酸酯、液體旋涂式玻璃、焊料、聚合物、塑料或其它材料。

囊封襯底102具有前側(cè)112、背側(cè)114及側(cè)壁116。前側(cè)112(包含凹陷108及環(huán)繞凹陷108的外圍區(qū)域118)面向透明襯底104的一側(cè)，在所述側(cè)上安置顯示元件106且涂覆有導(dǎo)電抗靜電涂層120。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電抗靜電涂層120為透明的，以便于將囊封襯底102與透明襯底104對(duì)準(zhǔn)。導(dǎo)電抗靜電涂層120可為適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料，包含透明導(dǎo)電氧化物、金屬薄膜、導(dǎo)電性碳納米管網(wǎng)狀物及類(lèi)似者。下文描述導(dǎo)電抗靜電涂層的其它實(shí)例。在圖4的實(shí)例中，導(dǎo)電抗靜電涂層保形地涂覆前側(cè)112，以使得其跨越前側(cè)112(包含跨越外圍區(qū)域118、凹陷108的分級(jí)側(cè)壁124及凹陷108的平面部分)為連續(xù)的。如下文進(jìn)一步論述，在一些實(shí)施方案中，包含跨越凹陷的分級(jí)及曲線(xiàn)壁的涂層的保形涂層可有助于電荷耗散。

圖5A至5G展示說(shuō)明囊封襯底上的導(dǎo)電抗靜電涂層的布置的橫截面示意圖的實(shí)例。在圖5A中，囊封襯底102的前側(cè)112包含凹陷108及外圍區(qū)域118。導(dǎo)電抗靜電涂層120在外圍區(qū)域118上且未在凹陷108中。圖5B中展示類(lèi)似布置，其中囊封襯底102為平面的。囊封襯底102不包含凹陷，但具有經(jīng)配置以覆蓋顯示裝置的透明襯底上的顯示元件的區(qū)域128。如圖5A及5B的實(shí)例中的布置可用于減輕歸因于刻劃及斷裂過(guò)程期間的ESD的損害，同時(shí)使導(dǎo)電材料不進(jìn)入包含囊封襯底102的顯示裝置的有效顯示區(qū)域。下文關(guān)于圖8A及8B對(duì)此進(jìn)行進(jìn)一步論述。

圖5C展示囊封襯底102的實(shí)例，其中導(dǎo)電抗靜電涂層120位于凹陷108的平面表面上且位于囊封襯底102的外圍區(qū)域118上，但不位于凹陷108的分級(jí)側(cè)壁124上。凹陷108的平面表面上的導(dǎo)電抗靜電涂層120可面向顯示裝置的顯示元件，且可為與外圍區(qū)域118上的導(dǎo)電抗靜電涂層120相同或不同的材料。圖5D展示其中導(dǎo)電抗靜電涂層120位于囊封襯底102的凹陷108內(nèi)且不位于囊封襯底102的外圍區(qū)域118上的實(shí)例。包含面向顯示元件的導(dǎo)電抗靜電涂層的實(shí)施可用于減輕歸因于顯示元件由于震動(dòng)、沖擊或用戶(hù)交互而接觸囊封玻璃情況下的ESD的損害。下文關(guān)于圖9A及9B對(duì)此進(jìn)行進(jìn)一步論述。

在一些實(shí)施方案中，裝置顯示裝置的囊封襯底的背側(cè)及側(cè)壁中的一或兩者涂覆有導(dǎo)電抗靜電涂層。圖5E展示其中囊封襯底102的前側(cè)112、背側(cè)114及側(cè)壁116涂覆有導(dǎo)電抗靜電涂層120的實(shí)例。在圖5F中，僅囊封襯底102的側(cè)壁116涂覆有導(dǎo)電抗靜電涂層120。圖5G展示其中囊封襯底102的背側(cè)114涂覆有導(dǎo)電抗靜電涂層120的實(shí)例。包含側(cè)壁上的導(dǎo)電抗靜電涂層的實(shí)施可減輕歸因于搬運(yùn)中的ESD的損害。在一些實(shí)施方案中，側(cè)壁涂層可提供遠(yuǎn)離囊封襯底的前側(cè)的導(dǎo)電路徑，以便于電荷的耗散。

根據(jù)各種實(shí)施方案，導(dǎo)電抗靜電涂層可或可不接地。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電抗靜電涂層可電連接至顯示裝置的其它導(dǎo)電組件。舉例來(lái)說(shuō)，導(dǎo)電抗靜電涂層可與延伸穿過(guò)囊封襯底、囊封襯底的表面上的金屬布線(xiàn)或透明襯底的表面上的金屬布線(xiàn)的導(dǎo)電通孔(例如圖3B中的導(dǎo)電通孔96)電連通。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電抗靜電涂層可連接至接地平面。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電抗靜電涂層可經(jīng)由將囊封襯底密封至透明襯底的金屬密封件而電連接至裝置、電路或透明襯底上的其它電有源組件。

雖然圖4及圖5A至5G提供囊封襯底上的導(dǎo)電抗靜電涂層的各種布置的實(shí)例，但其它布置是可能的。舉例來(lái)說(shuō)，導(dǎo)電抗靜電涂層可位于背側(cè)及側(cè)壁上，但不位于囊封襯底的前側(cè)上。

導(dǎo)電抗靜電涂層可由充分導(dǎo)電以耗散累積的電荷的任何適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料形成?？稍诒∑娮璺矫鎭?lái)表征抗靜電涂層。所述材料的薄片電阻可取決于待耗散的電荷量；經(jīng)配置以耗散可自相互摩擦的較大表面累積的電荷的抗靜電涂層可具有極其低的薄片電阻。累積于較小表面積上方的電荷可通過(guò)較具電阻性的材料耗散。

一般來(lái)說(shuō)，抗靜電涂層材料具有低于10⁶歐姆每平方(Ω/sq)的薄片電阻。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電抗靜電材料可具有約1Ω/sq與200Ω/sq之間，或約40Ω/sq與200Ω/sq之間的薄片電阻。舉例來(lái)說(shuō)，導(dǎo)電抗靜電涂層可為具有約50Ω/sq的薄片電阻的ITO層。在一些實(shí)施方案中，可使用具有小于1Ω/sq的較導(dǎo)電材料(例如薄碳膜或金屬薄膜)。此外，在一些實(shí)施方案中，可使用表征為耗散性而非導(dǎo)電性的抗靜電涂層。耗散材料為具有10⁶Ω/sq至10⁹Ω/sq之間的薄片電阻的材料。

如上文所指示，根據(jù)各種實(shí)施方案，抗靜電涂層可為透明的或不透明的。在一些實(shí)施方案中，透明度并非與顯示裝置的顯示特性有關(guān)，但便于將顯示器玻璃或其它透明襯底對(duì)準(zhǔn)至囊封襯底。在一些實(shí)施方案中，透明的導(dǎo)電抗靜電涂層可包含透明導(dǎo)電氧化物(TCO)。舉例來(lái)說(shuō)，導(dǎo)電抗靜電涂層可包含氧化銦錫(ITO)及摻雜的鋅氧化物(例如氧化鋅鋁(AZO))。在一些實(shí)施方案中，透明的導(dǎo)電抗靜電涂層可包含透明導(dǎo)電聚合物。例如，導(dǎo)電抗靜電涂層可包含聚苯胺、聚吡咯、例如聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)的聚噻吩或任何其它固有地導(dǎo)電或半導(dǎo)電聚合物中的至少一者。在一些實(shí)施方案中，透明的導(dǎo)電抗靜電涂層可包含透明導(dǎo)電墨。在一些實(shí)施方案中，可使用導(dǎo)電性納米線(xiàn)或納米管的網(wǎng)狀物。導(dǎo)電性納米結(jié)構(gòu)的實(shí)例包含銀納米線(xiàn)及碳納米管。可使用的含有銀納米線(xiàn)的透明導(dǎo)電墨的實(shí)例為來(lái)自坎布利歐技術(shù)(Cambrios Technologies)的ClearOhm^TM。

所使用的TCO或其它透明導(dǎo)電材料的厚度可取決于其導(dǎo)電性及透明度。ITO及其它透明導(dǎo)電材料的導(dǎo)電性與透明度為負(fù)相關(guān)，ITO中增加的氧化物導(dǎo)致更透明、較不導(dǎo)電的材料。對(duì)于特定厚度，TCO材料可具有視其構(gòu)成組分的相對(duì)量而定的薄片電阻及透明度的范圍。TCO及其它透明導(dǎo)電材料的實(shí)例厚度介于約與之間。可根據(jù)材料的薄片電阻來(lái)使用這些范圍外的厚度。在一些實(shí)施方案中，因?yàn)橥该鞫炔挥糜陲@示，所以可采用比將用在充當(dāng)顯示器玻璃的透明襯底上的薄膜薄的較不透明的TCO薄膜。舉例來(lái)說(shuō)，可使用與典型TCO薄膜相比為較不透明及較導(dǎo)電的且具有及之間的厚度的TCO薄膜。在一些實(shí)施方案中，出于對(duì)準(zhǔn)的目的，透明導(dǎo)電抗靜電涂層可包含足夠薄以為透明的金屬膜。舉例來(lái)說(shuō)，薄金屬膜可為透明的，以使得囊封襯底上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可由對(duì)準(zhǔn)雷射或其它對(duì)準(zhǔn)裝置讀取。金屬的實(shí)例包含鋁、鉬、銅及類(lèi)似者。舉例來(lái)說(shuō)，在一些實(shí)施方案中，可使用約至之間的鋁薄膜以提供導(dǎo)電及透明的涂層。可使用碳基導(dǎo)電薄膜，例如石墨或碳膏薄膜。在較小厚度處，碳基薄膜可充分透明以用于對(duì)準(zhǔn)。

在其中對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的光學(xué)偵測(cè)并非問(wèn)題的實(shí)施方案中，導(dǎo)電抗靜電薄膜可為不透明的或透明的。此外，在其中囊封襯底的前側(cè)未經(jīng)涂覆或僅經(jīng)部分涂覆的實(shí)施方案中，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可定位于囊封襯底的未經(jīng)涂覆的區(qū)域。在這些實(shí)施方案中，導(dǎo)電抗靜電薄膜可為不透明的或透明的。

如下文關(guān)于圖9C及9D進(jìn)一步所論述，在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電抗靜電涂層包含提供抗靜摩擦及抗靜電性質(zhì)的構(gòu)形特征或固有粗糙度。這些特征的構(gòu)形尺度可低至(例如)幾納米至數(shù)百納米。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電抗靜電涂層可包含(例如)TCO涂層的頂部上的導(dǎo)電納米線(xiàn)網(wǎng)狀物。導(dǎo)電納米線(xiàn)為防止或減小靜摩擦的構(gòu)形特征的一個(gè)實(shí)例。

圖6展示說(shuō)明具有導(dǎo)電抗靜電涂層的囊封襯底的制造過(guò)程的流程圖的實(shí)例。所述制造過(guò)程的操作中的任一者可在單?；霸谌魏芜m當(dāng)點(diǎn)處以分批法的晶片或面板級(jí)執(zhí)行或在單?；笤趩为?dú)封裝級(jí)上執(zhí)行。

過(guò)程200在框210處開(kāi)始于在囊封襯底中視情況形成一或多個(gè)凹陷。根據(jù)各種實(shí)施方案，框210可以面板或晶片級(jí)執(zhí)行，其中形成用于多個(gè)顯示裝置的囊封襯底的凹陷。形成凹陷可涉及任何適當(dāng)?shù)倪^(guò)程，包含(但不限于)：濕式蝕刻或噴砂，或這些技術(shù)的組合。舉例來(lái)說(shuō)，玻璃囊封襯底可使用基于氟化氫的溶液蝕刻。在其中使用平面囊封襯底的實(shí)施方案中，不執(zhí)行框210。在一些實(shí)施方案中，形成凹陷以便于凹陷中的導(dǎo)電抗靜電薄膜的保形涂覆。此凹陷可具有非垂直壁，例如圖4的實(shí)例中的分級(jí)側(cè)壁124。根據(jù)各種實(shí)施方案，所述壁可為傾斜的直線(xiàn)壁或曲線(xiàn)壁。在涂層并非形成于凹陷的側(cè)壁上的實(shí)施方案中(例如在圖5C的實(shí)例中)，側(cè)壁可為垂直的或接近垂直的，以便于在囊封襯底的平面部分上進(jìn)行選擇性涂覆。

過(guò)程200在框220處繼續(xù)進(jìn)行其上將涂覆導(dǎo)電抗靜電薄膜的表面的可選清潔。是否執(zhí)行清潔可取決于通過(guò)其形成一或多個(gè)凹陷的方法；例如，噴沙表面可使粒子在涂覆前清除。

過(guò)程200在框230處繼續(xù)用導(dǎo)電抗靜電涂層來(lái)涂覆囊封襯底的一或多個(gè)表面。如上文關(guān)于圖5A至5G所論述，前側(cè)、背側(cè)及側(cè)壁中的一或多者可經(jīng)涂覆。在涂覆一表面時(shí)，可涂覆所述表面的全部或一部分。舉例來(lái)說(shuō)，導(dǎo)電抗靜電材料的環(huán)狀物可經(jīng)圖案化于囊封襯底的前側(cè)上。在一些實(shí)施方案中，框230可在框210前執(zhí)行。舉例來(lái)說(shuō)，為了在外圍區(qū)域上但不在囊封襯底的前側(cè)的凹陷內(nèi)形成導(dǎo)電抗靜電涂層，可在形成凹陷之前形成涂層。

可使用包含以下中的一或多者的任何適當(dāng)?shù)耐扛布夹g(shù)：電子束涂覆過(guò)程、濺鍍沉積過(guò)程或其它物理氣相沉積(PVD)過(guò)程、真空涂覆過(guò)程、化學(xué)氣相沉積(CVD)過(guò)程、原子層沉積(ALD)過(guò)程、基于溶液的涂覆過(guò)程、蒸發(fā)過(guò)程、注入過(guò)程、分散過(guò)程、刮壓過(guò)程或旋涂過(guò)程。涂覆過(guò)程可取決于待涂覆的材料及涂層是否經(jīng)圖案化或是否是保形的。ITO或其它TCO材料的保形沉積可涉及(例如)真空沉積過(guò)程、電子束涂覆或蒸發(fā)過(guò)程。經(jīng)圖案化的涂層的形成可涉及絲網(wǎng)印刷、剝離的掩模上的沉積或光阻劑的使用。在一些實(shí)施方案中，可通過(guò)無(wú)掩模直接寫(xiě)入過(guò)程(例如分配或噴墨印刷)來(lái)形成涂層。薄金屬膜的保形沉積可涉及(例如)PVD、ALD或CVD過(guò)程。

涂覆技術(shù)可部分地由導(dǎo)電抗靜電涂層中的粗糙度的量判定。氣相沉積技術(shù)傾向于產(chǎn)生(例如)具有小于1nm均方根(RMS)表面粗糙度的高度均勻的薄膜。濕式涂覆技術(shù)(例如粒子分散液的噴涂)提供具有更高粗糙度的薄膜。舉例來(lái)說(shuō)，10nm TCO粒子的噴涂可具有約10nm的粗糙度。因此，所需粗糙度可通過(guò)使用大小適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電納米粒子來(lái)產(chǎn)生。如下文關(guān)于圖9C及9D進(jìn)一步所論述，在一些實(shí)施方案中，具有納米級(jí)或更高粗糙度的導(dǎo)電抗靜電涂層可用作抗靜摩擦薄膜。

過(guò)程200在框240處繼續(xù)在囊封襯底上形成用于一或多個(gè)顯示裝置的密封劑。此可涉及(例如)將環(huán)氧樹(shù)脂分配于囊封襯底上的一或多個(gè)密封區(qū)域中。舉例來(lái)說(shuō)，環(huán)氧樹(shù)脂可圍繞囊封襯底上的每一凹陷分配。在一些實(shí)施方案中，可形成玻璃料、金屬密封環(huán)或焊料材料。

如上文關(guān)于圖4所論述，框240可包含在導(dǎo)電抗靜電涂層上形成密封劑。舉例來(lái)說(shuō)，環(huán)氧樹(shù)脂可經(jīng)分配于覆蓋囊封襯底的前側(cè)的ITO層上。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電抗靜電涂層可提供較均勻的表面性質(zhì)，從而允許環(huán)氧樹(shù)脂或其它類(lèi)型的密封件比在囊封襯底的裸表面上而更易黏附。

如上文所指示，制造過(guò)程的操作中的任一者可以晶片或面板級(jí)執(zhí)行。在囊封襯底上的前側(cè)或背側(cè)上形成一涂層可在針對(duì)用于多個(gè)顯示裝置的囊封襯底的一個(gè)操作(或針對(duì)雙面涂覆的兩個(gè)操作)中執(zhí)行。然而，在囊封裝置的側(cè)壁上形成一涂層大體上涉及首先將晶片或面板級(jí)囊封襯底單?；癁閱为?dú)的單元，以使側(cè)壁可接達(dá)。

圖7展示說(shuō)明用于具有包含導(dǎo)電抗靜電涂層的囊封襯底的顯示裝置的制造過(guò)程的流程圖的實(shí)例。過(guò)程300在框310處通過(guò)提供用于一或多個(gè)顯示裝置的囊封襯底開(kāi)始，其中所述囊封襯底包含導(dǎo)電抗靜電涂層。框310可涉及提供(例如)如上文關(guān)于圖6所描述的囊封襯底。

過(guò)程300在框320處繼續(xù)提供其上包含用于一或多個(gè)顯示器的顯示元件及接觸襯墊的透明襯底。透明襯底在其上可另外包含用于顯示器的位于顯示元件上或另外與顯示元件相關(guān)聯(lián)的TFT、金屬布線(xiàn)及其它組件。舉例來(lái)說(shuō)，用于每一顯示裝置的黑色掩?？晌挥谕该饕r底上。

過(guò)程300在框330處繼續(xù)將囊封襯底與透明襯底對(duì)準(zhǔn)。如上文所指示，在一些實(shí)施方案中，此可涉及在囊封襯底上使用對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，透明抗導(dǎo)電涂層可促進(jìn)所述使用。

過(guò)程在框340處繼續(xù)將囊封襯底密封至透明襯底，以使得用于一或多個(gè)顯示裝置的顯示元件由囊封襯底囊封?？?40可涉及以下操作中的一或多者：施加壓力及使環(huán)氧樹(shù)脂或其它密封劑材料暴露至熱或UV輻射以使材料固化。過(guò)程300在框350處繼續(xù)刻劃及斷裂囊封襯底以暴露透明襯底上的接觸襯墊。可使用標(biāo)準(zhǔn)刻劃及斷裂過(guò)程?？蓤?zhí)行進(jìn)一步處理，例如將接合的囊封襯底及透明襯底單粒化以形成單獨(dú)的顯示裝置。如下文進(jìn)一步所論述，在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電抗靜電涂層減輕可在例如框350處的處理期間發(fā)生的ESD事件。

圖8A及8B展示說(shuō)明制造具有包含導(dǎo)電抗靜電涂層的囊封襯底的顯示裝置的某些階段的示意圖的實(shí)例。圖8A展示包含囊封襯底102通過(guò)密封件110密封至透明襯底104的顯示裝置100的實(shí)例。顯示元件106安置于透明襯底104上。透明襯底104上的金屬布線(xiàn)及接觸襯墊130提供至顯示元件106的電連接。囊封襯底102包含導(dǎo)電抗靜電涂層120。劃線(xiàn)132指示待切割囊封襯底102的位置。圖8B展示沿著圖8A中的劃線(xiàn)132斷裂囊封襯底102后的顯示裝置100。此暴露透明襯底104上的接觸襯墊130，從而使其可用于電連接。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電抗靜電涂層120減輕在刻劃及斷裂操作中的一或兩者期間發(fā)生的ESD事件。此情況對(duì)于其中TFT可由未減輕的ESD事件損害的有源矩陣顯示器可為有用的。在一些實(shí)施方案中，囊封襯底或顯示裝置可在圖8A及8B中所說(shuō)明的制造過(guò)程的各個(gè)階段處暴露于離子射叢以便于電荷耗散。

在圖8A及8B的實(shí)例中，導(dǎo)電抗靜電涂層120不延伸至囊封襯底102的凹陷中。然而，在一些實(shí)施方案中，具有延伸至凹陷以便于電荷耗散的保形及鄰近的導(dǎo)電抗靜電涂層可為有用的。上文關(guān)于圖4及5E描述所述導(dǎo)電抗靜電涂層的實(shí)例。

在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電抗靜電薄膜可減輕來(lái)自歸因于顯示元件接觸到囊封襯底的ESD事件的損害。所述事件可(例如)作為來(lái)自下降、點(diǎn)接觸負(fù)載等對(duì)顯示裝置的機(jī)械震動(dòng)的結(jié)果而發(fā)生。顯示元件與囊封襯底接觸的可能性隨顯示裝置大小而增加。作為實(shí)例，透明襯底104在對(duì)角線(xiàn)上可為5至10英寸，顯示元件106與囊封襯底102之間的距離大約為數(shù)百微米。圖9A及9B展示說(shuō)明顯示裝置對(duì)機(jī)械震動(dòng)的回應(yīng)的示意圖的實(shí)例。在圖9A中，顯示裝置100包含囊封襯底102及透明襯底104。顯示元件106安置于透明襯底104上。導(dǎo)電抗靜電涂層120位于囊封襯底102上，包含位于面向透明襯底104上的顯示元件106的凹陷108內(nèi)。如果顯示裝置100足夠大，則透明襯底104上的負(fù)載可導(dǎo)致透明襯底104彎曲，如圖9B中所說(shuō)明。點(diǎn)接觸、下降或其它負(fù)載可導(dǎo)致顯示元件106與囊封襯底102之間的距離減少。距離的此減小可導(dǎo)致靜態(tài)放電。導(dǎo)電抗靜電涂層120減輕歸因于放電的損害。在圖9B的實(shí)例中，導(dǎo)電抗靜電涂層從囊封襯底102的凹陷到外圍區(qū)域不為連續(xù)的。在替代實(shí)施方案中，導(dǎo)電抗靜電涂層可為鄰近及保形的，如上文所描述。此可有助于促進(jìn)電荷耗散。

在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)電抗靜電涂層120具有抗靜摩擦性質(zhì)，以減少對(duì)囊封襯底102的黏著且減輕歸因于接觸及靜摩擦的損害。構(gòu)形特征可具有小于顯示元件大小至少一數(shù)量級(jí)，且在一些情況下小于顯示元件大小至少兩個(gè)數(shù)量級(jí)的高度。舉例來(lái)說(shuō)，如果IMOD像素大小為數(shù)十微米，則構(gòu)形特征可具有不超過(guò)1微米或100納米的高度。

圖9C及9D展示說(shuō)明包含構(gòu)形特征的導(dǎo)電抗靜電薄膜的示意圖的實(shí)例。在圖9C中，描繪囊封襯底102上的導(dǎo)電抗靜電涂層120的一部分的頂視圖。導(dǎo)電抗靜電涂層120經(jīng)圖案化，以使得其形成自囊封襯底102的表面突出的構(gòu)形特征126。在圖9D中，描繪導(dǎo)電抗靜電涂層120的一部分的橫截面視圖。導(dǎo)電抗靜電涂層未經(jīng)圖案化，但包含構(gòu)形特征126。構(gòu)形特征126可(例如)通過(guò)圖案化經(jīng)沉積薄膜、通過(guò)使用沉積技術(shù)及包含納米級(jí)粗糙度的材料在包含構(gòu)形特征的層(例如絕緣層)上沉積保形導(dǎo)電薄膜來(lái)形成。在圖9C及9D的實(shí)例中，構(gòu)形特征126為導(dǎo)電的。在替代實(shí)施方案中，構(gòu)形特征可包含連續(xù)的導(dǎo)電抗靜電涂層上的導(dǎo)電或絕緣特征。

根據(jù)各種實(shí)施方案，構(gòu)形特征126可具有至少5nm、至少20nm或至少100nm的高度。如上文所論述，在一些實(shí)施方案中，構(gòu)形特征126可通過(guò)使用具有納米級(jí)RMS粗糙度的導(dǎo)電抗靜電涂層引入。實(shí)例包含具有5納米與20納米之間的直徑的TCO粒子及具有5納米與100納米之間的直徑的納米線(xiàn)網(wǎng)狀物的濕式涂覆溶液。在一些實(shí)施方案中，構(gòu)形特征可通過(guò)在囊封襯底上圖案化導(dǎo)電抗靜電材料而引入。舉例來(lái)說(shuō)，經(jīng)圖案化的石墨層可經(jīng)絲網(wǎng)印刷于囊封襯底上以形成導(dǎo)電抗靜電涂層。石墨或其它經(jīng)圖案化的導(dǎo)電材料在空間上經(jīng)圖案化，使得電連接性經(jīng)保持以耗散靜電，但顯示元件與導(dǎo)電抗靜電薄膜的潛在接觸面積在發(fā)生機(jī)械震動(dòng)的情況下減小。在另一實(shí)例中，絕緣材料可經(jīng)圖案化以形成突起，在所述突起的上方或下方涂覆連續(xù)的導(dǎo)電抗靜電薄膜。

圖10A及10B為說(shuō)明包含多個(gè)IMOD顯示元件的顯示裝置40的系統(tǒng)框圖。顯示裝置40可為(例如)智能手機(jī)、蜂窩或移動(dòng)電話(huà)。然而，顯示裝置40的相同組件或其輕微變化也說(shuō)明各種類(lèi)型的顯示裝置，例如，電視、計(jì)算機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、電子閱讀器、手持式裝置及便攜式媒體裝置。

顯示裝置40包含外殼41、顯示器30、天線(xiàn)43、揚(yáng)聲器45、輸入裝置48及麥克風(fēng)46?？捎啥喾N制造過(guò)程(包含射出模制及真空成型)中的任一者形成外殼41。另外，外殼41可由多種材料中的任一者制成，多種材料包含(但不限于)：塑料、金屬、玻璃、橡膠及陶瓷或其組合。外殼41可包含可與不同色彩或含有不同標(biāo)志、圖片或符號(hào)的其它可移除部分互換的可移除部分(圖中未展示)。

顯示器30可為如本文中所描述的多種顯示器中的任一者，包含雙穩(wěn)態(tài)或類(lèi)比顯示器。顯示器30也可經(jīng)配置以包含：平板顯示器，例如，等離子體、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD；或非平板顯示器，例如，CRT或其它管式裝置。另外，顯示器30可包含如本文中所描述的基于IMOD的顯示器。

顯示裝置40的組件示意性地說(shuō)明于圖6A中。顯示裝置40包含外殼41，且可包含至少部分圍封于其中的額外組件。舉例來(lái)說(shuō)，顯示裝置40包含網(wǎng)絡(luò)接口27，所述網(wǎng)絡(luò)接口包含可耦合至收發(fā)器47的天線(xiàn)43。網(wǎng)絡(luò)接口27可為可顯示于顯示裝置40上的圖像數(shù)據(jù)的來(lái)源。因此，網(wǎng)絡(luò)接口27為圖像源模塊的實(shí)例，但處理器21及輸入裝置48也可充當(dāng)圖像源模塊。收發(fā)器47連接至處理器21，所述處理器連接至調(diào)節(jié)硬件52。調(diào)節(jié)硬件52可經(jīng)配置以調(diào)節(jié)信號(hào)(例如，對(duì)信號(hào)進(jìn)行濾波或以其它方式操縱信號(hào))。調(diào)節(jié)硬件52可連接至揚(yáng)聲器45及麥克風(fēng)46。處理器21也可連接至輸入裝置48及驅(qū)動(dòng)器控制器29。驅(qū)動(dòng)器控制器29可耦合至幀緩沖器28及耦合至陣列驅(qū)動(dòng)器22，所述陣列驅(qū)動(dòng)器又可耦合至顯示陣列30。顯示裝置40中的一或多個(gè)元件(包含圖6A中未具體描繪的元件)可經(jīng)配置以充當(dāng)存儲(chǔ)器裝置且經(jīng)配置以與處理器21通信。在一些實(shí)施方案中，電力供應(yīng)器50可將電力提供至特定顯示裝置40設(shè)計(jì)中的基本上所有組件。

網(wǎng)絡(luò)接口27包含天線(xiàn)43及收發(fā)器47，使得顯示裝置40可經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)與一或多個(gè)裝置通信。網(wǎng)絡(luò)接口27也可具有用以降低(例如)處理器21的數(shù)據(jù)處理要求的一些處理能力。天線(xiàn)43可發(fā)射及接收信號(hào)。在一些實(shí)施方案中，天線(xiàn)43根據(jù)IEEE 16.11標(biāo)準(zhǔn)(包含IEEE 16.11(a)、(b)或(g))或IEEE 802.11標(biāo)準(zhǔn)(包含IEEE 802.11a、b、g、n)及其另外實(shí)施來(lái)發(fā)射及接收RF信號(hào)。在一些其它實(shí)施方案中，天線(xiàn)43根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射及接收RF信號(hào)。在蜂窩電話(huà)的情況下，天線(xiàn)43可經(jīng)設(shè)計(jì)以接收碼分多址(CDMA)、頻分多址(FDMA)、時(shí)分多址(TDMA)、全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(GSM)、GSM/通用無(wú)線(xiàn)分組業(yè)務(wù)(GPRS)、增強(qiáng)型數(shù)據(jù)GSM環(huán)境(EDGE)、陸地集群無(wú)線(xiàn)電(TETRA)、寬帶CDMA(W-CDMA)、演進(jìn)數(shù)據(jù)優(yōu)化(EV-DO)、1xEV-DO、EV-DO Rev A、EV-DO Rev B、高速分組接入(HSPA)、高速下行鏈路分組接入(HSDPA)、高速上行鏈路分組接入(HSUPA)、演進(jìn)型高速分組接入(HSPA+)、長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)、AMPS或用以在無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)(例如，利用3G、4G或5G技術(shù)的系統(tǒng))內(nèi)通信的其它已知信號(hào)。收發(fā)器47可預(yù)處理從天線(xiàn)43接收的信號(hào)，以使得所述信號(hào)可由處理器21接收及進(jìn)一步操縱。收發(fā)器47也可處理從處理器21接收的信號(hào)以使得所述信號(hào)可經(jīng)由天線(xiàn)43自顯示裝置40發(fā)射。

在一些實(shí)施方案中，可用接收器替換收發(fā)器47。另外，在一些實(shí)施方案中，可用可存儲(chǔ)或產(chǎn)生待發(fā)送至處理器21的圖像數(shù)據(jù)的圖像源替換網(wǎng)絡(luò)接口27。處理器21可控制顯示裝置40的總體操作。處理器21從網(wǎng)絡(luò)接口27或圖像源接收數(shù)據(jù)(例如壓縮圖像數(shù)據(jù))，且將數(shù)據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或處理成可易于處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。處理器21可發(fā)送經(jīng)處理的數(shù)據(jù)至驅(qū)動(dòng)器控制器29或至幀緩沖器28以供存儲(chǔ)。原始數(shù)據(jù)通常指代識(shí)別圖像內(nèi)的每一位置處的圖像特性的信息。舉例來(lái)說(shuō)，所述圖像特性可包含色彩、飽和度及灰度階。

處理器21可包含微控制器、CPU或邏輯單元以控制顯示裝置40的操作。調(diào)節(jié)硬件52可包含用于將信號(hào)發(fā)射至揚(yáng)聲器45且用于接收來(lái)自麥克風(fēng)46的信號(hào)的放大器及濾波器。調(diào)節(jié)硬件52可為顯示裝置40內(nèi)的離散組件，或可并入處理器21或其它組件內(nèi)。

驅(qū)動(dòng)器控制器29可直接從處理器21還是從幀緩沖器28獲取由處理器21所產(chǎn)生的原始圖像數(shù)據(jù)，且可適當(dāng)?shù)刂匦赂袷交鲈紙D像數(shù)據(jù)以用于高速發(fā)射至陣列驅(qū)動(dòng)器22。在一些實(shí)施方案中，驅(qū)動(dòng)器控制器29可將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化為具有光柵狀格式的數(shù)據(jù)流，以使得其具有適合于跨越顯示陣列30掃描的時(shí)間次序。接著驅(qū)動(dòng)器控制器29將經(jīng)格式化的信息發(fā)送至陣列驅(qū)動(dòng)器22。盡管例如LCD控制器的驅(qū)動(dòng)器控制器29常常作為獨(dú)立集成電路(IC)而與系統(tǒng)處理器21相關(guān)聯(lián)，但可以許多方式來(lái)實(shí)施所述控制器。舉例來(lái)說(shuō)，控制器可作為硬件嵌入處理器21中、作為軟件嵌入處理器21中，或以硬件與陣列驅(qū)動(dòng)器22完全集成。

陣列驅(qū)動(dòng)器22可從驅(qū)動(dòng)器控制器29接收經(jīng)格式化的信息，且可將視頻信息重新格式化為一組平行的波形，所述組波形被每秒許多次地施加至來(lái)自顯示器的x-y顯示元件矩陣的數(shù)百且有時(shí)數(shù)千個(gè)(或更多)引線(xiàn)。

在一些實(shí)施方案中，驅(qū)動(dòng)器控制器29、陣列驅(qū)動(dòng)器22及顯示陣列30適用于本文所描述的任何類(lèi)型的顯示器。舉例來(lái)說(shuō)，驅(qū)動(dòng)器控制器29可為常規(guī)顯示控制器或雙穩(wěn)態(tài)顯示控制器(例如，IMOD顯示元件控制器)。此外，陣列驅(qū)動(dòng)器22可為常規(guī)驅(qū)動(dòng)器或雙穩(wěn)態(tài)顯示驅(qū)動(dòng)器(例如，IMOD顯示元件驅(qū)動(dòng)器)。此外，顯示陣列30可為常規(guī)顯示陣列或雙穩(wěn)態(tài)顯示陣列(例如，包含IMOD顯示元件陣列的顯示器)。在一些實(shí)施方案中，驅(qū)動(dòng)器控制器29可與陣列驅(qū)動(dòng)器22集成。此實(shí)施可適用于例如移動(dòng)電話(huà)、便攜式電子裝置、手表或小面積顯示器的高度集成系統(tǒng)。

在一些實(shí)施方案中，輸入裝置48可經(jīng)配置以允許(例如)用戶(hù)控制顯示裝置40的操作。輸入裝置48可包含小鍵盤(pán)(例如，QWERTY小鍵盤(pán)或電話(huà)小鍵盤(pán))、按鈕、開(kāi)關(guān)、搖桿、觸敏屏、與顯示陣列30集成的觸敏屏，或壓敏或熱敏膜。麥克風(fēng)46可經(jīng)配置為用于顯示裝置40的輸入裝置。在一些實(shí)施方案中，經(jīng)由麥克風(fēng)46的語(yǔ)音命令可用于控制顯示裝置40的操作。

電力供應(yīng)器50可包含多種能量存儲(chǔ)裝置。舉例來(lái)說(shuō)，電力供應(yīng)器50可為可再充電電池，例如，鎳鎘電池或鋰離子電池。在使用可再充電電池的實(shí)施方案中，可再充電電池可使用來(lái)自(例如)壁式插座或光伏裝置或陣列的電力來(lái)充電。或者，可再充電電池可為可無(wú)線(xiàn)充電的。電力供應(yīng)器50也可為再生能源、電容器或太陽(yáng)能電池(包含塑料太陽(yáng)能電池或太陽(yáng)能電池漆)。電力供應(yīng)器50也可經(jīng)配置以從壁式插座接收電力。

在一些實(shí)施方案中，控制可編程性駐留于可位于電子顯示系統(tǒng)中的若干處的驅(qū)動(dòng)器控制器29中。在一些其它實(shí)施方案中，控制可編程性駐留于陣列驅(qū)動(dòng)器22中。以上所描述的優(yōu)化可實(shí)施于任何數(shù)目個(gè)硬件及/或軟件組件中且以各種配置來(lái)實(shí)施。

如本文中所使用，指代項(xiàng)目列表“中的至少一者”的短語(yǔ)指代那些項(xiàng)目的任何組合，包含單一成員。作為實(shí)例，“a、b或c中的至少一者”希望涵蓋：a、b、c、a-b、a-c、b-c及a-b-c。

可將結(jié)合本文中所揭示的實(shí)施而描述的各種說(shuō)明性邏輯、邏輯塊、模塊、電路及算法步驟實(shí)施為電子硬件、計(jì)算機(jī)軟件或兩者的組合。硬件與軟件的互換性已經(jīng)大體上按功能性描述，且說(shuō)明于上述各種說(shuō)明性組件、塊、模塊、電路及步驟中。將此功能性實(shí)施于硬件還是軟件中取決于特定應(yīng)用及強(qiáng)加于整個(gè)系統(tǒng)上的設(shè)計(jì)約束。

用以實(shí)施結(jié)合本文中所揭示的方面而描述的各種說(shuō)明性邏輯、邏輯塊、模塊及電路的硬件及數(shù)據(jù)處理設(shè)備可通過(guò)通用單芯片或多芯片處理器、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、專(zhuān)用集成電路(ASIC)、現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)或其它可編程邏輯裝置、離散門(mén)或晶體管邏輯、離散硬件組件或其經(jīng)設(shè)計(jì)以執(zhí)行本文中所描述的功能的任何組合來(lái)實(shí)施或執(zhí)行。通用處理器可為微處理器、或任何常規(guī)處理器、控制器、微控制器或狀態(tài)機(jī)。處理器也可實(shí)施為計(jì)算裝置的組合，例如，DSP與微處理器的組合、多個(gè)微處理器、結(jié)合DSP核心的一或多個(gè)微處理器，或任何其它此類(lèi)配置。在一些實(shí)施方案中，特定步驟及方法可由特定用于給定功能的電路執(zhí)行。

在一或多個(gè)方面中，所描述的功能可實(shí)施于硬件、數(shù)字電子電路、計(jì)算機(jī)軟件、固件(包含在此說(shuō)明書(shū)中揭示的結(jié)構(gòu)及其結(jié)構(gòu)等效物)或其任何組合中。此說(shuō)明書(shū)中所描述的主題的實(shí)施方案也可實(shí)施為編碼于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒體上的一或多個(gè)計(jì)算機(jī)程序(即，計(jì)算機(jī)程序指令的一或多個(gè)模塊)以供數(shù)據(jù)處理設(shè)備執(zhí)行或控制數(shù)據(jù)處理設(shè)備的操作。

本發(fā)明中所描述的實(shí)施方案的各種修改對(duì)于所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)可為易于顯而易見(jiàn)的，且本文中所定義的一般原理可在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下應(yīng)用于其它實(shí)施方案。因此，權(quán)利要求書(shū)并不希望限于本文中所展示的實(shí)施方案，而應(yīng)符合與本文中揭示的本發(fā)明、原理及新穎特征相一致的最廣泛范圍。另外，所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將易于了解，有時(shí)用于易于描述諸圖而使用術(shù)語(yǔ)“上”及“下”，且所述術(shù)語(yǔ)指示對(duì)應(yīng)于在適當(dāng)定向的頁(yè)面上的圖的定向的相對(duì)位置，且可能不反映如所實(shí)施的(例如)IMOD顯示元件的適當(dāng)定向。

在單獨(dú)實(shí)施方案的情況下描述于此說(shuō)明書(shū)中的某些特征也可在單一實(shí)施方案中以組合形式實(shí)施。相反，在單一實(shí)施方案的情況下所描述的各種特征也可單獨(dú)地在多個(gè)實(shí)施方案中或以任何合適子組合而實(shí)施。此外，雖然上文可將特征描述為以某些組合起作用且甚至最初按此來(lái)請(qǐng)求，但來(lái)自所請(qǐng)求的組合的一或多個(gè)特征在一些情況下可從所述組合刪除，且所請(qǐng)求的組合可針對(duì)子組合或子組合的變化。

類(lèi)似地，盡管在圖式中以特定次序來(lái)描繪操作，但所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將易于認(rèn)識(shí)到，所述操作無(wú)需以所示的特定次序或以依序次序執(zhí)行，或所有所說(shuō)明操作經(jīng)執(zhí)行以達(dá)成合乎需要的結(jié)果。另外，圖式可按流程圖的形式示意性地描繪一或多個(gè)實(shí)例過(guò)程。然而，未描繪的其它操作可并入于示意性說(shuō)明的實(shí)例過(guò)程中。舉例來(lái)說(shuō)，可在說(shuō)明的操作中的任何者之前、之后、同時(shí)或之間執(zhí)行一或多個(gè)額外操作。在某些情況下，多任務(wù)及并行處理可為有利的。此外，不應(yīng)將在上述實(shí)施方案中的各種系統(tǒng)組件的分離理解為需要在所有實(shí)施方案中的此分離，且應(yīng)理解，所描述的程序組件及系統(tǒng)可大體上在單一軟件產(chǎn)品中集成在一起或經(jīng)封裝至多個(gè)軟件產(chǎn)品中。另外，其它實(shí)施方案處于以下權(quán)利要求書(shū)的范圍內(nèi)。在一些情況下，權(quán)利要求書(shū)中所引證的動(dòng)作可以不同次序執(zhí)行且仍達(dá)成所要結(jié)果。