本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種激光修補線缺陷的方法。

背景技術(shù)：

在實際顯示器產(chǎn)品制造的過程中，常因為制造工藝或其它因素導(dǎo)致顯示器的陣列基板(Array)上的某線路刮傷，進而導(dǎo)致最終產(chǎn)品的顯示屏亮線或線缺陷(line defect)，從而衍生出無法修復(fù)造成產(chǎn)品報廢的問題。例如，在Array制程中因上下金屬線表面所包裹的非導(dǎo)電層(保護膜或絕緣膜)受到一定程度的破損而造成上下金屬線路搭接短路，進而造成顯示屏亮線以及產(chǎn)品報廢；同時因非導(dǎo)電層受到破損可能導(dǎo)致Array的線缺陷的發(fā)生，一定程度上也增加了必要的維修成本。

如圖1所示，顯示器陣列基板上的導(dǎo)線M1和導(dǎo)線M2因非導(dǎo)電層(圖中未具體示出)的破損導(dǎo)致導(dǎo)線M1和導(dǎo)線M2搭接(破損區(qū)如圖1虛線區(qū))。或者在導(dǎo)線制備過程中，因?qū)Ь€M1與導(dǎo)線M2間的隔離層(Isolator)破損，上層導(dǎo)線M2沉積至導(dǎo)線M1上，導(dǎo)致導(dǎo)線M2與導(dǎo)線M1搭接，進而衍出后續(xù)的顯示屏亮線以及產(chǎn)品報廢的問題。

針對上述問題，在傳統(tǒng)的技術(shù)解決方案中，非導(dǎo)電層破損所造成 的線缺陷未進行激光修復(fù)，原因為傳統(tǒng)激光無法補回己破損非導(dǎo)電膜，因此可能導(dǎo)致線寬大小和爬坡風險，也無創(chuàng)新修補手法研修此類型缺陷。

因此，亟需一種新型的技術(shù)解決方案以克服上述技術(shù)難題成為本領(lǐng)域技術(shù)人員致力于研究的方向。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本發(fā)明提供了一種激光修補線缺陷的方法，該發(fā)明技術(shù)方案主要通過將己破損的非導(dǎo)電層以激光施打濺鍍材料的方式進行補回，進而再實施金屬線路的修復(fù)，完全修復(fù)因金屬搭接造成的線缺陷問題。

本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為：

一種激光修補線缺陷的方法，其中，所述方法包括：

步驟S1、提供一設(shè)置有若干搭接的導(dǎo)線的半導(dǎo)體襯底，且在搭接處的導(dǎo)線之間具有線缺陷區(qū)；

步驟S2、在所述線缺陷區(qū)去除暴露的導(dǎo)線，以將所述線缺陷區(qū)予以暴露；

步驟S3、于所述線缺陷區(qū)上制備絕緣膜；以及

步驟S4、對進行去除處理后的所述導(dǎo)線進行橋接處理；

其中，所述絕緣膜用于將搭接處的導(dǎo)線進行隔離。

較佳的，上述的激光修補線缺陷的方法，其中，所述步驟S2具體包括：

所述搭接處的導(dǎo)線包括第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線，所述第二導(dǎo)線搭接于所述第一導(dǎo)線之上；以及

去除部分所述第二導(dǎo)線，以將所述線缺陷區(qū)予以暴露。

較佳的，上述的激光修補線缺陷的方法，其中，采用激光施打濺鍍工藝于所述線缺陷區(qū)上制備所述絕緣膜。

較佳的，上述的激光修補線缺陷的方法，其中，所述激光施打濺鍍工藝通過激光頭以及設(shè)置于所述激光頭上的濺鍍模塊實現(xiàn)。

較佳的，上述的激光修補線缺陷的方法，其中，所述激光頭為LCVD激光頭。

較佳的，上述的激光修補線缺陷的方法，其中，步驟S3中，按暴露的導(dǎo)線的延伸方向制備所述絕緣膜，以將所述線缺陷區(qū)予以覆蓋。

較佳的，上述的激光修補線缺陷的方法，其中，所述絕緣膜的材質(zhì)為氧化硅。

較佳的，上述的激光修補線缺陷的方法，其中，所述氧化硅的厚度為

較佳的，上述的激光修補線缺陷的方法，其中，在步驟S3中，采用LCVD成膜工藝對進行去除處理后的所述導(dǎo)線進行橋接處理。

較佳的，上述的激光修補線缺陷的方法，其中，在步驟S3中，進行橋接處理步驟之后還包括對搭接處的導(dǎo)線進行驅(qū)動電位檢測。

綜上所述，本發(fā)明公開了一種激光修補線缺陷的方法，該發(fā)明技術(shù)方案主要通過采用激光施打濺鍍的方式對絕緣層(非導(dǎo)電層)進行 補回，進而再實施金屬線路的修復(fù)，有效的完成了線缺陷的修補，因此該發(fā)明技術(shù)方案具有：

1、可將線缺陷修補成無缺陷，進一步提升了修補成功率以及提升了產(chǎn)品良率；

2、可在前層非導(dǎo)電層進行修補，提前預(yù)防后層金屬線搭接造成缺陷；

3、具有可修復(fù)FHD(Full High Definition，即全高清屏幕)產(chǎn)品較復(fù)雜的電路設(shè)計等優(yōu)點。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本發(fā)明及其特征、外形和優(yōu)點將會變得更明顯。在全部附圖中相同的標記指示相同的部分。并未刻意按照比例繪制附圖，重點在于示出本發(fā)明的主旨。

圖1是兩條導(dǎo)線搭接導(dǎo)致線缺陷的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實施方式中對搭接的導(dǎo)線進行去除處理的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實施方式中對線缺陷區(qū)進行涂布絕緣膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實施方式中對導(dǎo)線進行橋接處理的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明中激光修補線缺陷的方法流程示意圖。

具體實施方式

在下文的描述中，給出了大量具體的細節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進行描述。

為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細的步驟以及詳細的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實施例詳細描述如下，然而除了這些詳細描述外，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。

針對現(xiàn)有技術(shù)因傳統(tǒng)的技術(shù)解決方案中，非導(dǎo)電層破損所造成的線缺陷并且通過傳統(tǒng)激光無法補回己破損非導(dǎo)電層，也無創(chuàng)新修補手法研修此類型缺陷，本發(fā)明技術(shù)方案提供了一種新的分段式修補方法以針對此種缺陷進行修復(fù)，藉此提升產(chǎn)品良率增加產(chǎn)品良數(shù)。

本發(fā)明主要是通過將己破損的非導(dǎo)電層以激光施打濺鍍的方式進行補回(補回絕緣膜)，進而再實施金屬線路的修復(fù)，進而完成線缺陷的修復(fù)。

具體的，如圖5所示的采用激光修補線缺陷的方法流程示意圖，其主要包括如下步驟：

首先，本實施例修補方法主要針對顯示器陣列基板(如LCD陣列基板、OLED陣列基板和AMOLED陣列基板等其他顯示器陣列基板)，中的某一缺陷進行修復(fù)，在該實施例中以LCD陣列基板為例對該發(fā)明的技術(shù)方案進行詳細的描述，然而并不以此為限。如LCD陣列基板上具有若干導(dǎo)線以及包覆導(dǎo)線的非導(dǎo)電層(即絕緣膜)，且若干導(dǎo)線中 具有因非導(dǎo)電層破損導(dǎo)致兩導(dǎo)線搭接的線缺陷。

在具體實施例中，參照圖1所示，LCD陣列基板上的若干導(dǎo)線中，導(dǎo)線M1和導(dǎo)線M2因表面的非導(dǎo)電層(圖中未示出)受到破損，導(dǎo)致導(dǎo)線M2搭接至導(dǎo)線M1上，導(dǎo)致LCD顯示屏亮線，其中圖1中的虛線區(qū)即為破損區(qū)或?qū)Ь€M2與導(dǎo)線M1的線缺陷區(qū)。

在本發(fā)明的實施例中，我們將在具有線缺陷區(qū)的搭接處的導(dǎo)線中，暴露的一條導(dǎo)線作斷開處理，以將兩導(dǎo)線的線缺陷區(qū)予以暴露，例如，對位于導(dǎo)線M1(即第一導(dǎo)線)之上的導(dǎo)線M2(即第二導(dǎo)線)進行斷開處理，即將圖2中的A區(qū)與M2斷開，在進行移除A區(qū)之后，最終暴露出完整的線缺陷區(qū)。在該步驟中，優(yōu)選的，導(dǎo)線M2的斷開長度(A區(qū)的長度)要大于導(dǎo)線M1的寬度(實際為導(dǎo)線M1的截面孔徑的長度)，這樣即可將破損區(qū)完整暴露，如圖2所示。當然本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當理解為本發(fā)明實施中對導(dǎo)線M2進行斷開處理僅僅為一個較佳的實施方案，同樣可根據(jù)具體的工藝需求(如電路的環(huán)境因素等)進行對導(dǎo)線M1進行斷開處理，均未脫離本發(fā)明的實質(zhì)點。

繼續(xù)采用激光施打濺鍍工藝在所暴露出的線缺陷區(qū)上沉積一層絕緣膜(B)，以將兩導(dǎo)線進行隔離，如圖3所示。

在本發(fā)明的實施例中，激光施打濺鍍工藝可通過激光頭以及增設(shè)于該激光頭(D)上的濺鍍模塊(E)來實現(xiàn)，進而通過激光對濺鍍模塊所濺鍍的材料的激發(fā)作用完成在破損區(qū)上沉積絕緣膜(B)的過程。

在本發(fā)明一可選但非限制性的實施例中，優(yōu)選的，該激光頭采用LCVD(laser chemical vapor deposition，激光化學沉積，即采用激光束 的光子能量激發(fā)和促進化學反應(yīng)的薄膜沉積方式)激光頭；沉積的非導(dǎo)電膜的材質(zhì)優(yōu)選的為氧化硅(其他絕緣的硅化物如二氧化硅均可)，且氧化硅的沉積厚度為(如或以及在該范圍內(nèi)的其他厚度均可)。

另外，在本發(fā)明的實施例中，絕緣膜必須按照導(dǎo)線M2的延伸方向進行沉積，這樣可以將線缺陷區(qū)完全覆蓋，后續(xù)對導(dǎo)線M2橋接時可以有效避免導(dǎo)線M2與導(dǎo)線M1的直接電性接觸。

再繼續(xù)對作斷開處理的導(dǎo)線M2進行橋接處理，以完成線缺陷的修補。

在本發(fā)明一可選但非限制性的實施例中，優(yōu)選的，采用LCVD成膜工藝對作斷開處理的導(dǎo)線M2極性橋接處理，具體可沉積一層導(dǎo)線(C)進行橋接導(dǎo)線M2，并且該導(dǎo)線(C)將絕緣膜(B)覆蓋，如圖4所示。

因絕緣膜按照導(dǎo)線M2的延伸方向進行沉積，在對導(dǎo)線M2橋接時可以避免導(dǎo)線M2與導(dǎo)線M1的直接電性接觸。當然，在對導(dǎo)線M2橋接處理后還需對兩導(dǎo)線進行驅(qū)動電位的驗證，以檢測導(dǎo)線是否正常。

藉此，本發(fā)明實施方式完成了對LCD陣列基板的線缺陷修補，一定程度提升了產(chǎn)品良率，同時針對其它具有較為復(fù)雜電路的產(chǎn)品(如FHD)同樣具有適用。

綜上所述，本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于對顯示器陣列基板進行修補的激光修補線缺陷的方法，該發(fā)明技術(shù)方案主要通過采用激光施打濺 鍍的方式進行絕緣膜(非導(dǎo)電膜)的補回，進而再實施金屬線路的修復(fù)，有效的完成了線缺陷的修復(fù)，因此該發(fā)明技術(shù)方案具有：

1、可將線缺陷修補成無缺陷，進一步提升了修補成功率以及提升了產(chǎn)品良率；

2、可在前層非導(dǎo)電層進行修補，提前預(yù)防后層金屬線搭接造成缺陷；

3、具有可修復(fù)FHD產(chǎn)品較復(fù)雜的電路設(shè)計等優(yōu)點。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)以及上述實施例可以實現(xiàn)所述變化例，這樣的變化例并不影響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。

以上對本發(fā)明的較佳實施例進行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實施方式，其中未盡詳細描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實施；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例，這并不影響本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。