一種用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)至少包括：藉由第一掩膜板制作的第一測(cè)試結(jié)構(gòu)和藉由第二掩膜板制作的第二測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中，所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)包括第一測(cè)試金屬條；所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)包括第二測(cè)試金屬條和垂直連接于所述第二測(cè)試金屬條上的多根連接金屬條；所述第二測(cè)試金屬條與所述第一測(cè)試金屬條平行設(shè)置。本實(shí)用新型的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)測(cè)試精度高，同時(shí)可通過WAT測(cè)試進(jìn)行調(diào)試，調(diào)整偏差值提高對(duì)準(zhǔn)精度和光刻質(zhì)量，從而改善芯片生產(chǎn)的良率。
【專利說(shuō)明】一種用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體工藝檢測(cè)版圖設(shè)計(jì)，特別是涉及一種用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，器件的功能也不斷強(qiáng)大。然而隨之而來(lái)的制造難度也與日俱增。為了便于半導(dǎo)體生產(chǎn)商突破制造技術(shù)的瓶頸，生產(chǎn)導(dǎo)向型設(shè)計(jì)(DFM)應(yīng)運(yùn)而生。而作為生產(chǎn)導(dǎo)向型設(shè)計(jì)的重要組成部分，光刻分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET)和光學(xué)臨近效應(yīng)修正技術(shù)(OPC)得到了業(yè)界的普遍重視。半導(dǎo)體技術(shù)繼續(xù)沿摩爾定律發(fā)展著，臨界尺寸越來(lái)越小，芯片的集成度也越來(lái)越高，隨著半導(dǎo)體技術(shù)大步邁向20nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)及更高工藝節(jié)點(diǎn)，通常的RET和OPC已經(jīng)無(wú)法滿足更高技術(shù)代的要求，雙重圖形光刻技術(shù)(Double Patterning Lithography)、高折射率浸沒式光刻技術(shù)(High Index ImmersionLithography)以及極紫外光刻技術(shù)(ExtremelyUltraViolet Lithography)等光刻分辨率增強(qiáng)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。然而，高折射率浸沒式光刻所選擇的液體和鏡頭組的開發(fā)仍然沒有定論；極紫外光刻技術(shù)受制于過低的光源功率、光刻版的缺陷率、光刻膠的選擇、過低的產(chǎn)能等諸多難題。因此，雙重圖形光刻技術(shù)已成為光刻【技術(shù)領(lǐng)域】最為廣泛運(yùn)用的光刻方法。
[0003]雙重圖形光刻技術(shù)是利用兩塊獨(dú)立的掩膜板將密集的電路圖形一分為二，從而降低圖形密度，再依次印制到硅片表面。相對(duì)于傳統(tǒng)的單次曝光光刻技術(shù)的對(duì)準(zhǔn)誤差只出現(xiàn)在不同層的掩膜板對(duì)準(zhǔn)過程中，雙重圖形光刻技術(shù)的對(duì)準(zhǔn)誤差還會(huì)出現(xiàn)在同一層的兩片掩膜板的對(duì)準(zhǔn)過程中。這種掩膜板的對(duì)準(zhǔn)誤差會(huì)導(dǎo)致器件和金屬連線的電氣特性發(fā)生改變，對(duì)半導(dǎo)體芯片的制造非常重要，因此，光刻的對(duì)準(zhǔn)必須得到很好的控制。如何使光刻對(duì)準(zhǔn)誤差滿足生產(chǎn)要求成了 20nm制程工藝和更高要求制程工藝中面臨的最大的挑戰(zhàn)之一。
[0004]目前，光刻對(duì)準(zhǔn)偏差只能通過內(nèi)置光刻對(duì)準(zhǔn)偏差標(biāo)記測(cè)量來(lái)進(jìn)行光刻對(duì)準(zhǔn)偏差的檢測(cè)。但是，由于諸多因素的限制，例如測(cè)量工具精確度、光刻對(duì)準(zhǔn)偏差標(biāo)記設(shè)計(jì)等，傳統(tǒng)的光刻對(duì)準(zhǔn)偏差檢測(cè)仍然存在著很大的偏差。同時(shí)，由于光刻對(duì)準(zhǔn)偏差標(biāo)記的尺寸遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于真正的設(shè)計(jì)要求所允許的尺寸，因此精確度也得不到保證。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中光刻對(duì)準(zhǔn)偏差檢測(cè)精度差，準(zhǔn)確性低的問題。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)至少包括:
[0007]藉由第一掩膜板制作的第一測(cè)試結(jié)構(gòu)和藉由第二掩膜板制作的第二測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中，所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)包括第一測(cè)試金屬條；所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)包括第二測(cè)試金屬條和垂直連接于所述第二測(cè)試金屬條上的多根連接金屬條；所述第二測(cè)試金屬條與所述第一測(cè)試金屬條平行設(shè)置。[0008]優(yōu)選地，所述第一測(cè)試金屬條和所述第二測(cè)試金屬條為長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)。
[0009]優(yōu)選地，所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)的連接金屬條的數(shù)量設(shè)定為不小于2。
[0010]優(yōu)選地，所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)的多根連接金屬條分布于所述第二測(cè)試金屬條的同一側(cè)。
[0011]優(yōu)選地，所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)的多根連接金屬條等距分布。
[0012]優(yōu)選地，所述第一測(cè)試金屬條與所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)的連接金屬條電性連接。
[0013]優(yōu)選地，所述第一測(cè)試金屬條連接于晶圓上的第一焊盤。
[0014]優(yōu)選地，所述第二測(cè)試金屬條連接于晶圓上的第二焊盤。
[0015]優(yōu)選地，所述用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)可放置于切割道或芯片區(qū)域。
[0016]如上所述，本實(shí)用新型的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)，具有以下有益效果:
[0017]本實(shí)用新型通過一種電性測(cè)試結(jié)構(gòu)來(lái)檢測(cè)同一層上的光刻對(duì)準(zhǔn)偏差位移量，在雙重圖形光刻技術(shù)的兩片掩膜板上分別制作測(cè)試結(jié)構(gòu)的圖形，通過光刻將測(cè)試結(jié)構(gòu)制作到晶圓上，檢測(cè)兩個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)中間的電阻值來(lái)得到兩次光刻的圖形偏差值，電阻值與測(cè)試結(jié)構(gòu)的間距呈線性關(guān)系，以此可通過電阻值得到兩次光刻圖形的精確偏移量。本實(shí)用新型的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)精確度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)方法中內(nèi)置的光刻對(duì)準(zhǔn)偏差標(biāo)記的測(cè)量，同時(shí)可通過WAT測(cè)試進(jìn)行調(diào)試，調(diào)整偏差值提高對(duì)準(zhǔn)精度和光刻質(zhì)量，從而改善芯片生產(chǎn)的良率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1顯示為本實(shí)用新型的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)測(cè)試橫向?qū)?zhǔn)偏差的示意圖。
[0019]圖2顯示為本實(shí)用新型的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)測(cè)得的電阻與橫向?qū)?zhǔn)偏差量之間的關(guān)系的示意圖。
[0020]圖3顯示為本實(shí)用新型的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)測(cè)試縱向?qū)?zhǔn)偏差的示意圖。
[0021]圖4顯示為本實(shí)用新型的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)測(cè)得的電阻與縱向?qū)?zhǔn)偏差量之間的關(guān)系的示意圖。
[0022]元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0023]I 用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)
[0024]11 第一測(cè)試結(jié)構(gòu)
[0025]111第一測(cè)試金屬條
[0026]12 第二測(cè)試結(jié)構(gòu)
[0027]121第二測(cè)試金屬條
[0028]122連接金屬條
[0029]21 第一焊盤
[0030]22 第二焊盤
[0031]23 第三焊盤
[0032]24 第四焊盤
[0033]d 兩條測(cè)試金屬條的間距【具體實(shí)施方式】
[0034]以下通過特定的具體實(shí)例說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本實(shí)用新型還可以通過另外不同的【具體實(shí)施方式】加以實(shí)施或應(yīng)用，本說(shuō)明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本實(shí)用新型的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
[0035]請(qǐng)參閱圖1至圖4。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說(shuō)明本實(shí)用新型的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本實(shí)用新型中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0036]如圖1所示，本實(shí)用新型提供一種用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)I至少包括:
[0037]藉由第一掩膜板制作的第一測(cè)試結(jié)構(gòu)11和藉由第二掩膜板制作的第二測(cè)試結(jié)構(gòu)12。
[0038]通過所述第一掩膜板和第二掩膜板上測(cè)試結(jié)構(gòu)的圖形將所述用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)I制作于晶圓上。
[0039]所述用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)I可放置于切割道或芯片區(qū)域。在本實(shí)施例中，所述用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)I被放置于切割道處。
[0040]所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)11包括第一測(cè)試金屬條111，在本實(shí)施例中，所述第一測(cè)試金屬條111優(yōu)選為長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)。所述第一測(cè)試金屬條111連接于晶圓上的第一焊盤21。
[0041]所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)12包括第二測(cè)試金屬條121和垂直連接于所述第二測(cè)試金屬條121上的多根連接金屬條122，所述第二測(cè)試金屬條121與所述第一測(cè)試金屬條111平行設(shè)置。
[0042]在本實(shí)施例中，所述第二測(cè)試金屬條121優(yōu)選為長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)。
[0043]所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)12的連接金屬條122的數(shù)量設(shè)定為不小于2。在本實(shí)施例中，連接金屬條的數(shù)量設(shè)定為6。
[0044]所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)12的多根連接金屬條122等距分布。
[0045]所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)12的多根連接金屬條122分布于所述第二測(cè)試金屬條121的同一側(cè)。
[0046]所述第一測(cè)試金屬條111與所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)12的連接金屬條122電性連接。
[0047]如圖1所示，第一測(cè)試金屬條111與所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)12的連接金屬條122垂直交叉連接。
[0048]所述第二測(cè)試金屬條122連接于晶圓上的第二焊盤22。
[0049]如圖1所示為本實(shí)用新型的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)I檢測(cè)橫向光刻對(duì)準(zhǔn)偏差的示意圖，第一測(cè)試結(jié)構(gòu)11的第一測(cè)試金屬條111和第二測(cè)試結(jié)構(gòu)12的第二測(cè)試金屬條121縱向放置，第二測(cè)試結(jié)構(gòu)12的6根連接金屬條122垂直連接于第二測(cè)試結(jié)構(gòu)12的第二測(cè)試金屬條121上，橫向放置，第一測(cè)試金屬條111連接于晶圓上的第一焊盤21，第二測(cè)試金屬條121連接于晶圓上的第一焊盤22 ;如圖3所示為本實(shí)用新型的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)I檢測(cè)縱向光刻對(duì)準(zhǔn)偏差的示意圖，第一測(cè)試結(jié)構(gòu)11的第一測(cè)試金屬條111和第二測(cè)試結(jié)構(gòu)12的第二測(cè)試金屬條121橫向放置，第二測(cè)試結(jié)構(gòu)12的6根連接金屬條122垂直連接于第二測(cè)試結(jié)構(gòu)12的第二測(cè)試金屬條121上，縱向放置，第一測(cè)試金屬條111連接于晶圓上的第三焊盤23，第二測(cè)試金屬條121連接于晶圓上的第四焊盤24。通過6根連接金屬條122連接第一測(cè)試金屬條111和第二測(cè)試金屬條121，兩條測(cè)試金屬條的連接距離d影響焊盤間的電阻值，通過電阻值的變化判斷兩個(gè)掩膜板是否對(duì)準(zhǔn)。
[0050]上述用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)I的工作原理如下:
[0051]第一測(cè)試結(jié)構(gòu)11的圖形和第二測(cè)試結(jié)構(gòu)12的圖形分別制備于第一掩膜板和第二掩膜板上，預(yù)先設(shè)定兩個(gè)掩膜板上的測(cè)試金屬條的間距為dset，即當(dāng)測(cè)試金屬條的間距為dset時(shí)兩次光刻的圖形完全對(duì)準(zhǔn)，同時(shí)得到第一測(cè)試結(jié)構(gòu)11和第二測(cè)試結(jié)構(gòu)12之間的電阻值。
[0052]如圖1所示為本實(shí)用新型的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)I檢測(cè)橫向光刻對(duì)準(zhǔn)偏差的示意圖。
[0053]當(dāng)我們對(duì)芯片中的某一層圖形進(jìn)行光刻時(shí)，首先利用晶圓和第一掩膜板上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記將第一掩膜板對(duì)準(zhǔn)到晶圓上，然后對(duì)第一掩膜板進(jìn)行光刻，則第一掩膜板上的圖形被印刷到晶圓上。至此該層圖形中的一半信息被光刻到晶圓上，其中包括第一掩膜板上的第一測(cè)試結(jié)構(gòu)11的圖形，在本實(shí)施例中，第一測(cè)試結(jié)構(gòu)11位于切割道位置處，第一測(cè)試結(jié)構(gòu)11的圖形也會(huì)被復(fù)制到晶圓的切割道位置處。然后，利用晶圓和第二掩膜板上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記將第二掩膜板對(duì)準(zhǔn)到晶圓上，并進(jìn)行光刻，該層圖形中的另一半信息通過第二掩膜板上的圖形印刷到晶圓上，此時(shí)第二測(cè)試結(jié)構(gòu)12的圖形也被復(fù)制到晶圓上。對(duì)光刻的圖形進(jìn)行蝕刻并電鍍金屬，形成本實(shí)用新型的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)1，晶圓的切割道處第一測(cè)試金屬條111和第二測(cè)試金屬條121通過連接金屬條122電性連接到一起，如圖1所示。將晶圓上的第一測(cè)試金屬條111連接于晶圓上的第一焊盤21，將第二測(cè)試金屬條12連接于晶圓上的第二焊盤22，將外部檢測(cè)設(shè)備連接于第一焊盤21和第二焊盤22上，檢測(cè)得到電阻值R0
[0054]如圖2所示，若測(cè)得的電阻值為Rx，則第二次光刻的圖形與第一次光刻的圖形在橫向上完全對(duì)準(zhǔn)。若測(cè)得的電阻值為R1，小于Rx，則由圖2的電阻R與兩條測(cè)試金屬條的間距d之間的線性關(guān)系可知第二次光刻的圖形相對(duì)于第一次光刻的圖形向左偏移，偏差位移量AX1= [(Rx-R1)XSVp,其中S為本實(shí)用新型的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)I的金屬條的橫截面面積，P為金屬條的電阻率。若測(cè)得的電阻值為R2，大于Rx，則由圖2的電阻R與兩條測(cè)試金屬條的間距d之間的線性關(guān)系可知第二次光刻的圖形相對(duì)于第一次光刻的圖形向右偏移，偏差位移量AX2 = [ (R2-Rx) XS]/p。
[0055]如圖3所示為本實(shí)用新型的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)I檢測(cè)縱向光刻對(duì)準(zhǔn)偏差的示意圖，和上述檢測(cè)橫向偏差的方法一致。若測(cè)得的電阻值為Ry，則第二次光刻的圖形與第一次光刻的圖形在縱向上完全對(duì)準(zhǔn)。若測(cè)得的電阻值為R3，小于Ry，則由圖4的電阻R與兩條測(cè)試金屬條的間距d之間的線性關(guān)系可知第二次光刻的圖形相對(duì)于第一次光刻的圖形向上偏移，偏差位移量AY1= [(Ry-R3) XS]/P，其中S為本實(shí)用新型的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)I的金屬條的橫截面面積，P為金屬條的電阻率。若測(cè)得的電阻值為R4,大于Ry，則由圖4的電阻R與兩條測(cè)試金屬條的間距d之間的線性關(guān)系可知第二次光刻的圖形相對(duì)于第一次光刻的圖形向下偏移，偏差位移量ΔΥ2 = [(R4-Ry) XS]/p。[0056]通過公式的計(jì)算可得到兩次光刻圖形對(duì)準(zhǔn)偏差的位移量，測(cè)試精度高，同時(shí)，通過測(cè)得的電阻值得到的偏差方向和偏差位移量，通過WAT測(cè)試進(jìn)行調(diào)試，不斷觀察測(cè)試數(shù)據(jù)使其所測(cè)得的電阻值不斷接近預(yù)設(shè)值Rx及Ry，最終和預(yù)設(shè)值Rx及Ry達(dá)成一致，即通過不斷的調(diào)試，使兩次光刻圖形在晶圓上完全對(duì)準(zhǔn)，由于該測(cè)試的精度高，光刻對(duì)準(zhǔn)的精度也比較高，能大大提高雙重圖形光刻技術(shù)的光刻質(zhì)量。
[0057]綜上所述，本實(shí)用新型的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)通過一種電性測(cè)試結(jié)構(gòu)來(lái)檢測(cè)同一層上的光刻對(duì)準(zhǔn)偏差位移量，在雙重圖形光刻技術(shù)的兩片掩膜板上分別制作測(cè)試結(jié)構(gòu)的圖形，通過光刻將測(cè)試結(jié)構(gòu)制作到晶圓上，檢測(cè)兩個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)中間的電阻值來(lái)得到兩次光刻的圖形偏差值，電阻值與測(cè)試結(jié)構(gòu)的間距呈線性關(guān)系，以此可通過電阻值得到兩次光刻圖形的精確偏移量。本實(shí)用新型的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)精確度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)方法中內(nèi)置的光刻對(duì)準(zhǔn)偏差標(biāo)記的測(cè)量，同時(shí)可通過晶片允收測(cè)試(Wafer AcceptanceTest)進(jìn)行調(diào)試，調(diào)整偏差值提高對(duì)準(zhǔn)精確度和光刻質(zhì)量，從而改善芯片生產(chǎn)的良率。所以，本實(shí)用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。
[0058]上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本實(shí)用新型的原理及其功效，而非用于限制本實(shí)用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者在未脫離本實(shí)用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實(shí)用新型的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)至少包括: 藉由第一掩膜板制作的第一測(cè)試結(jié)構(gòu)和藉由第二掩膜板制作的第二測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中，所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)包括第一測(cè)試金屬條；所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)包括第二測(cè)試金屬條和垂直連接于所述第二測(cè)試金屬條上的多根連接金屬條；所述第二測(cè)試金屬條與所述第一測(cè)試金屬條平行設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一測(cè)試金屬條和所述第二測(cè)試金屬條為長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)的連接金屬條的數(shù)量設(shè)定為不小于2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)的多根連接金屬條分布于所述第二測(cè)試金屬條的同一側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)的多根連接金屬條等距分布。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一測(cè)試金屬條與所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)的連接金屬條電性連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一測(cè)試金屬條連接于晶圓上的第一焊盤。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第二測(cè)試金屬條連接于晶圓上的第二焊盤。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述用于檢測(cè)對(duì)準(zhǔn)偏差的測(cè)試結(jié)構(gòu)可放置于切割道或芯片區(qū)域。
【文檔編號(hào)】G03F7/20GK203787419SQ201420197494
【公開日】2014年8月20日 申請(qǐng)日期:2014年4月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月22日
【發(fā)明者】莊曉輝, 沈憶華, 蔡孟峰 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司