顯示面板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種顯示面板及顯示裝置，顯示面板包括彩色濾光片基板、液晶層以及薄膜晶體管陣列基板彩色濾光片基板上設(shè)有第一保護(hù)層和共電極層；薄膜晶體管陣列基板設(shè)有第二保護(hù)層和像素電極，其中，共電極層和像素電極相向設(shè)置；液晶層包括液晶分子、第一輔助配向劑分子和第二輔助配向劑分子；其中，彩色濾光片基板與薄膜晶體管陣列基板對(duì)位組合為一體，液晶層設(shè)置于彩色濾光片基板與薄膜晶體管陣列基板之間。本發(fā)明能夠消除所述第二輔助配向劑分子在像素區(qū)域上不同部位的附著力的差異，進(jìn)而減少暗區(qū)的出現(xiàn)。
【專利說明】顯示面板及顯示裝置 【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種顯示面板及顯示裝置。 【【背景技術(shù)】】
[0002] 在傳統(tǒng)技術(shù)中，為了使得VA(Vertical Alignment,垂直配向）型LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器）中的液晶分子垂直于基板表面排列，一般對(duì)液晶分子進(jìn)行 垂直配向處理。
[0003] 現(xiàn)行最為普遍的做法是在上、下基板表面特定區(qū)域涂布配向劑，該配向劑一般包 含大量的化學(xué)溶劑，例如，NMP(N_甲基吡咯烷酮）以及高分子材料聚酰亞胺（Polyimide， PI)等成分，然后將基板在高溫下（一般在200攝氏度以上）進(jìn)行長時(shí)間烘烤，使配向劑中 溶劑被烤干，從而在玻璃基板表面形成PI配向?qū)印?br> [0004] 由于上述配向劑中含有大量NMP溶劑，所以形成配向?qū)拥闹瞥淌且粋€(gè)高能耗、極 其不環(huán)保、易對(duì)人體造成危害的過程；此外，由于配向?qū)泳鶆蛐?、缺涂、不粘以及顆粒等問 題，還會(huì)降低產(chǎn)品的良率，導(dǎo)致資源浪費(fèi)與產(chǎn)品成本提高。
[0005]目前，針對(duì)上述缺陷進(jìn)行改進(jìn)所得出的一種技術(shù)方案為：
[0006] 在液晶分子2021中加入一種輔助配向劑（2022、2023)的物質(zhì)，使液晶分子2021 在沒有配向?qū)拥那闆r下即可在LCD的基板表面垂直排列。該類輔助配向劑（2022、2023)無 需其他溶劑溶解，直接溶解于液晶層之中，與液晶分子2021 -起使用，省去原本配向劑的 涂布設(shè)備與高溫烘烤設(shè)備，因無需額外溶劑，所以更加干凈、環(huán)保、節(jié)能。
[0007] 該輔助配向劑（2022、2023)的作用原理是，其分子一端具有與基板表面無機(jī)材 料，如IT0(Indium Tin Oxide，氧化銦錫）104, SiNx(氮化硅）2012等具有特別的親和力， 能夠吸附在基板表面，其分子另外一端可與液晶分子2021有極強(qiáng)的作用力，由此引導(dǎo)液晶 分子2021垂直基板表面排列，如圖2所示。
[0008] 由于像素電極區(qū)域部分被ITO 104覆蓋，部分沒有被ITO 104覆蓋，如圖1和圖2 所示，在不使用PI配向?qū)拥那闆r下，依靠輔助配向劑（2022、2023)吸附于基板表面進(jìn)行配 向時(shí)，由于基板表面存在ITO 104與SiNx2012的差異，導(dǎo)致輔助配向劑（2022、2023)與基 板表面作用力的差異，形成配向不良，施加電壓之后容易導(dǎo)致暗線或亮線缺陷，顯示效果如 圖3所示。
[0009] 故，有必要提出一種新的技術(shù)方案，以解決上述技術(shù)問題。 【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0010] 本發(fā)明的目的在于提供一種顯示面板及顯示裝置，其能消除輔助配向劑分子在像 素區(qū)域上不同部位的附著力的差異，進(jìn)而減少暗區(qū)的出現(xiàn)。
[0011] 為解決上述問題，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：
[0012] 一種顯示面板，所述顯示面板包括：一彩色濾光片基板，所述彩色濾光片基板上設(shè) 有第一保護(hù)層和共電極層，所述共電極層設(shè)置于所述第一保護(hù)層上；一薄膜晶體管陣列基 板，所述薄膜晶體管陣列基板設(shè)有第二保護(hù)層和像素電極，所述像素電極設(shè)置于所述第二 保護(hù)層上，其中，所述共電極層和所述像素電極相向設(shè)置；以及一液晶層，包括：至少一液 晶分子；至少一第一輔助配向劑分子，其中，所述第一輔助配向劑分子的第一末端用于吸附 在所述共電極層的表面上，所述第一輔助配向劑分子的第二末端用于引導(dǎo)所述液晶分子排 列；以及至少一第二輔助配向劑分子，其中，所述第二輔助配向劑分子的第三末端用于吸附 在所述像素電極和所述第二保護(hù)層的表面上，所述第二輔助配向劑分子的第四末端用于引 導(dǎo)所述液晶分子排列；其中，所述彩色濾光片基板與所述薄膜晶體管陣列基板對(duì)位組合為 一體，所述液晶層設(shè)置于所述彩色濾光片基板與所述薄膜晶體管陣列基板之間。
[0013] 在上述顯示面板中，所述像素電極設(shè)置為凹凸不平的曲面，所述像素電極整面覆 蓋在所述第二保護(hù)層所對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域上，所述像素電極用于向所述液晶分子施加電場(chǎng) 力，以及用于將所述第二輔助配向劑分子和所述第二保護(hù)層隔開。
[0014] 在上述顯示面板中，所述像素電極包括至少一個(gè)第一凹陷區(qū)域和至少一個(gè)第一凸 起區(qū)域；所述像素電極還用于使得所述第二輔助配向劑分子吸附于所述像素電極中第一凹 陷區(qū)域的表面以及所述第一凸起區(qū)域的表面。
[0015] 在上述顯示面板中，第一凹陷區(qū)域和所述第一凸起區(qū)域之間還設(shè)置有斜面，所述 斜面連接所述第一凹陷區(qū)域和所述第一凸起區(qū)域；所述像素電極還用于沿所述斜面控制所 述第二輔助配向劑分子沿預(yù)定方向傾斜。
[0016] 在上述顯示面板中，所述薄膜晶體管陣列基板還包括形狀塑造層，所述形狀塑造 層的表面設(shè)置為凹凸不平狀，所述像素電極設(shè)置在所述形狀塑造層上，所述形狀塑造層用 于塑造所述像素電極的表面的凹凸不平的程度。
[0017] 一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：一背光模組；以及一顯示面板，所述顯示面板 和所述背光模組對(duì)位組合為一體，其中，所述顯示面板包括：一彩色濾光片基板，所述彩色 濾光片基板上設(shè)有第一保護(hù)層和共電極層，所述共電極層設(shè)置于所述第一保護(hù)層上；一薄 膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板設(shè)有第二保護(hù)層和像素電極，所述像素電極 設(shè)置于所述第二保護(hù)層上，其中，所述共電極層和所述像素電極相向設(shè)置；以及一液晶層， 包括：至少一液晶分子；至少一第一輔助配向劑分子，其中，所述第一輔助配向劑分子的第 一末端用于吸附在所述共電極層的表面上，所述第一輔助配向劑分子的第二末端用于引導(dǎo) 所述液晶分子排列；以及至少一第二輔助配向劑分子，其中，所述第二輔助配向劑分子的第 三末端用于吸附在所述像素電極和所述第二保護(hù)層的表面上，所述第二輔助配向劑分子的 第四末端用于引導(dǎo)所述液晶分子排列；其中，所述彩色濾光片基板與所述薄膜晶體管陣列 基板對(duì)位組合為一體，所述液晶層設(shè)置于所述彩色濾光片基板與所述薄膜晶體管陣列基板 之間。
[0018] 在上述顯示裝置中，所述像素電極設(shè)置為凹凸不平的曲面，所述像素電極整面覆 蓋在所述第二保護(hù)層所對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域上，所述像素電極用于向所述液晶分子施加電場(chǎng) 力，以及用于將所述第二輔助配向劑分子和所述第二保護(hù)層隔開。
[0019] 在上述顯示裝置中，所述像素電極包括至少一個(gè)第一凹陷區(qū)域和至少一個(gè)第一凸 起區(qū)域；所述像素電極還用于使得所述第二輔助配向劑分子吸附于所述像素電極中第一凹 陷區(qū)域的表面以及所述第一凸起區(qū)域的表面。
[0020] 在上述顯示裝置中，第一凹陷區(qū)域和所述第一凸起區(qū)域之間還設(shè)置有斜面，所述 斜面連接所述第一凹陷區(qū)域和所述第一凸起區(qū)域；所述像素電極還用于沿所述斜面控制所 述第二輔助配向劑分子沿預(yù)定方向傾斜。
[0021] 在上述顯示裝置中，所述薄膜晶體管陣列基板還包括形狀塑造層，所述形狀塑造 層的表面設(shè)置為凹凸不平狀，所述像素電極設(shè)置在所述形狀塑造層上，所述形狀塑造層用 于塑造所述像素電極的表面的凹凸不平的程度。
[0022] 相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明可以使得所述第二輔助配向劑分子在整個(gè)所述像素區(qū)域上 的附著對(duì)象均是所述像素電極，從而消除所述第二輔助配向劑分子在所述像素區(qū)域上不同 部位的附著力的差異，進(jìn)而減少暗區(qū)的出現(xiàn)。
[0023] 為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作 詳細(xì)說明如下。 【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0024] 圖1為傳統(tǒng)的顯示面板的局部的示意圖；
[0025] 圖2為圖1中A-A'截面的示意圖；
[0026] 圖3為傳統(tǒng)的顯示面板所顯示的畫面出現(xiàn)暗區(qū)的示意圖；
[0027] 圖4為本發(fā)明的顯示面板的局部的示意圖；
[0028] 圖5為圖4中B-B'截面的第一實(shí)施例的示意圖；
[0029] 圖6為本發(fā)明的顯示面板中形狀塑造層與像素電極的組合的等軸測(cè)圖；
[0030] 圖7為圖6中形狀塑造層與像素電極的組合的爆炸視圖；
[0031] 圖8為圖4中B-B'截面的第二實(shí)施例的示意圖。 【【具體實(shí)施方式】】
[0032] 本說明書所使用的詞語"實(shí)施例"意指用作實(shí)例、示例或例證。此外，本說明書和 所附權(quán)利要求中所使用的冠詞"一"一般地可以被解釋為意指"一個(gè)或多個(gè)"，除非另外指定 或從上下文可以清楚確定單數(shù)形式。
[0033] 參考圖4和圖5,圖4為本發(fā)明的顯示面板的局部的示意圖，圖5為圖4中B-B'截 面的第一實(shí)施例的示意圖。
[0034] 本實(shí)施例的顯示裝置包括背光模組和顯示面板，所述顯示面板和所述背光模組對(duì) 位組合為一體。其中，所述顯示面板包括彩色濾光片基板503、薄膜晶體管陣列基板501以 及液晶層502。所述彩色濾光片基板503與所述薄膜晶體管陣列基板501對(duì)位組合為一體， 所述液晶層502設(shè)置于所述彩色濾光片基板503與所述薄膜晶體管陣列基板501之間。
[0035] 其中，所述彩色濾光片基板503上設(shè)有第一保護(hù)層5032和共電極層5033,所述共 電極層5033設(shè)置于所述第一保護(hù)層5032上。所述薄膜晶體管陣列基板501設(shè)有第二保護(hù) 層5012和像素電極404,所述像素電極404設(shè)置于所述第二保護(hù)層5012上，其中，所述共電 極層5033和所述像素電極404相向設(shè)置，也就是說，所述共電極層5033設(shè)置于所述彩色濾 光片基板503面向所述液晶層502的表面上，所述像素電極404設(shè)置于所述薄膜晶體管陣 列基板501面向所述液晶層502的表面上。
[0036] 所述液晶層502包括液晶分子5021、第一輔助配向劑分子5022以及第二輔助配向 劑分子5023。所述第一輔助配向劑分子5022以及所述第二輔助配向劑分子5023用于分別 使得液晶分子5021在沒有配向?qū)拥那闆r下在所述彩色濾光片基板503和所述薄膜晶體管 陣列基板501的表面垂直排列。具體地，所述第一輔助配向劑分子5022以及所述第二輔助 配向劑分子5023 -端用于分別吸附在所述彩色濾光片基板503和所述薄膜晶體管陣列基 板501的表面，所述第一輔助配向劑分子5022以及所述第二輔助配向劑分子5023的另一 端用于分別使得所述液晶分子5021沿垂直于所述彩色濾光片基板503和所述薄膜晶體管 陣列基板501的表面的方向排列。所述第一輔助配向劑分子5022以及所述第二輔助配向 劑分子5023直接溶解于液晶層之中，所述第一輔助配向劑分子5022以及所述第二輔助配 向劑分子5023用于與液晶分子5022 -起注入到液晶盒（Liquid Crystal Cell)中。所述 第一輔助配向劑分子5022的第一末端用于吸附在所述共電極層5033的表面上，所述第一 輔助配向劑分子5022的第二末端用于引導(dǎo)所述液晶分子5021排列。所述第二輔助配向劑 分子5023的第三末端用于吸附在所述像素電極404和所述第二保護(hù)層5012的表面上，所 述第二輔助配向劑分子5023的第四末端用于引導(dǎo)所述液晶分子5021排列。
[0037] 所述輔助配向劑分子（包括所述第一輔助配向劑分子5022和所述第二輔助配向 劑分子5023)的分子量大小介于100-800之間，所述輔助配向劑分子包含極性基團(tuán)與非極 性基團(tuán)部分，其中，所述極性基團(tuán)為含氧、氮、硫等原子的基團(tuán)，所述非極性基團(tuán)為包含六元 碳環(huán)的碳鏈結(jié)構(gòu)，其主鏈或側(cè)鏈中可含氧、碳等取代基。舉例如下，所述非極性基團(tuán)包括但 不限于以下結(jié)構(gòu)：
[0038]
【權(quán)利要求】
1. 一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括： 一彩色濾光片基板，所述彩色濾光片基板上設(shè)有第一保護(hù)層和共電極層，所述共電極 層設(shè)置于所述第一保護(hù)層上； 一薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板設(shè)有第二保護(hù)層和像素電極，所述 像素電極設(shè)置于所述第二保護(hù)層上，其中，所述共電極層和所述像素電極相向設(shè)置；W及 一液晶層，包括： 至少一液晶分子； 至少一第一輔助配向劑分子，其中，所述第一輔助配向劑分子的第一末端用于吸附在 所述共電極層的表面上，所述第一輔助配向劑分子的第二末端用于引導(dǎo)所述液晶分子排 列；W及 至少一第二輔助配向劑分子，其中，所述第二輔助配向劑分子的第H末端用于吸附在 所述像素電極和所述第二保護(hù)層的表面上，所述第二輔助配向劑分子的第四末端用于引導(dǎo) 所述液晶分子排列； 其中，所述彩色濾光片基板與所述薄膜晶體管陣列基板對(duì)位組合為一體，所述液晶層 設(shè)置于所述彩色濾光片基板與所述薄膜晶體管陣列基板之間。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述像素電極設(shè)置為凹凸不平的曲 面，所述像素電極整面覆蓋在所述第二保護(hù)層所對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域上，所述像素電極用于向 所述液晶分子施加電場(chǎng)力，W及用于將所述第二輔助配向劑分子和所述第二保護(hù)層隔開。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述像素電極包括至少一個(gè)第一凹 陷區(qū)域和至少一個(gè)第一凸起區(qū)域； 所述像素電極還用于使得所述第二輔助配向劑分子吸附于所述像素電極中第一凹陷 區(qū)域的表面W及所述第一凸起區(qū)域的表面。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板，其特征在于，第一凹陷區(qū)域和所述第一凸起區(qū)域 之間還設(shè)置有斜面，所述斜面連接所述第一凹陷區(qū)域和所述第一凸起區(qū)域； 所述像素電極還用于沿所述斜面控制所述第二輔助配向劑分子沿預(yù)定方向傾斜。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板還包括形 狀塑造層，所述形狀塑造層的表面設(shè)置為凹凸不平狀，所述像素電極設(shè)置在所述形狀塑造 層上，所述形狀塑造層用于塑造所述像素電極的表面的凹凸不平的程度。
6. -種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括： 一背光模組；W及 一顯示面板，所述顯示面板和所述背光模組對(duì)位組合為一體，其中，所述顯示面板包 括： 一彩色濾光片基板，所述彩色濾光片基板上設(shè)有第一保護(hù)層和共電極層，所述共電極 層設(shè)置于所述第一保護(hù)層上； 一薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板設(shè)有第二保護(hù)層和像素電極，所述 像素電極設(shè)置于所述第二保護(hù)層上，其中，所述共電極層和所述像素電極相向設(shè)置；W及 一液晶層，包括： 至少一液晶分子； 至少一第一輔助配向劑分子，其中，所述第一輔助配向劑分子的第一末端用于吸附在 所述共電極層的表面上，所述第一輔助配向劑分子的第二末端用于引導(dǎo)所述液晶分子排 列；W及 至少一第二輔助配向劑分子，其中，所述第二輔助配向劑分子的第H末端用于吸附在 所述像素電極和所述第二保護(hù)層的表面上，所述第二輔助配向劑分子的第四末端用于引導(dǎo) 所述液晶分子排列； 其中，所述彩色濾光片基板與所述薄膜晶體管陣列基板對(duì)位組合為一體，所述液晶層 設(shè)置于所述彩色濾光片基板與所述薄膜晶體管陣列基板之間。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述像素電極設(shè)置為凹凸不平的曲 面，所述像素電極整面覆蓋在所述第二保護(hù)層所對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域上，所述像素電極用于向 所述液晶分子施加電場(chǎng)力，W及用于將所述第二輔助配向劑分子和所述第二保護(hù)層隔開。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，所述像素電極包括至少一個(gè)第一凹 陷區(qū)域和至少一個(gè)第一凸起區(qū)域； 所述像素電極還用于使得所述第二輔助配向劑分子吸附于所述像素電極中第一凹陷 區(qū)域的表面W及所述第一凸起區(qū)域的表面。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其特征在于，第一凹陷區(qū)域和所述第一凸起區(qū)域 之間還設(shè)置有斜面，所述斜面連接所述第一凹陷區(qū)域和所述第一凸起區(qū)域； 所述像素電極還用于沿所述斜面控制所述第二輔助配向劑分子沿預(yù)定方向傾斜。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板還包括形 狀塑造層，所述形狀塑造層的表面設(shè)置為凹凸不平狀，所述像素電極設(shè)置在所述形狀塑造 層上，所述形狀塑造層用于塑造所述像素電極的表面的凹凸不平的程度。
【文檔編號(hào)】G02F1/1337GK104460168SQ201410674480
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年11月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月21日
【發(fā)明者】鐘新輝, 李泳銳 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司