液晶面板以及液晶面板的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的液晶面板以及液晶面板的制造方法，其中，液晶面板包括陣列基板以及對(duì)盒基板，陣列基板上包括多個(gè)TFT，至少一個(gè)TFT所占的區(qū)域中包括內(nèi)含有溝道區(qū)域的不透光區(qū)域，溝道區(qū)域的邊界與不透光區(qū)域的邊界之間在平行于液晶面板的方向上的距離大于或等于設(shè)定距離d。本發(fā)明的液晶面板的制造方法，包括計(jì)算溝道區(qū)域的邊界與不透光區(qū)域的邊界之間在平行于液晶面板的方向上的最小距離d’。本發(fā)明的技術(shù)方案有效防止TFT在使用中快速劣化，由此提升液晶面板的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)效率。利用本發(fā)明的液晶面板的制造方法制造出來的相關(guān)產(chǎn)品，其結(jié)構(gòu)更加合理，產(chǎn)品特性更為優(yōu)異。
【專利說明】液晶面板以及液晶面板的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別是涉及液晶面板以及液晶面板的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 在平板顯示（FPD，F(xiàn)latPanelDisplay)技術(shù)中，由于液晶顯示器（IXD，Liquid CrystalDisplay)具備輕薄短小、大幅節(jié)省擺放空間等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)逐漸取代陰極射線管顯 示器，成為主流的顯示器。在各種類型的IXD中，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器（TFT-IXD， ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay)是有源矩陣類型液晶顯不器的一種， TFT-IXD性能優(yōu)良，適合大規(guī)模的自動(dòng)化生產(chǎn)，且原材料成本低廉，因此在IXD中占據(jù)重要 地位。
[0003] 在TFT-LCD的制程中，產(chǎn)品設(shè)計(jì)關(guān)系到產(chǎn)品最終制作完成后的各項(xiàng)性能，其中對(duì) 液晶面板的TFT的設(shè)計(jì)又是整個(gè)設(shè)計(jì)中的重中之重，傳統(tǒng)的TFT設(shè)計(jì)中已經(jīng)考慮到各個(gè)部 分的關(guān)鍵尺寸與規(guī)格，產(chǎn)品設(shè)計(jì)完成后通常會(huì)對(duì)一些部分的關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行確認(rèn)，但隨著產(chǎn) 品功能的不多增加，評(píng)價(jià)方法的不斷完善，設(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)部分以前認(rèn)為并不重要的尺寸參 數(shù)也會(huì)對(duì)產(chǎn)品的性能起到?jīng)Q定性的作用。例如，某種顯示面板的顯示效果下降很快，經(jīng)測(cè)試 表明原因是TFT在使用中快速劣化。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于提供一種防止TFT在使用中快速劣化的液晶面板以及液晶面 板的制造方法。
[0005] 本發(fā)明實(shí)施方式所提供的液晶面板，包括陣列基板以及與所述陣列基板對(duì)盒的對(duì) 盒基板，所述陣列基板上設(shè)置有多條數(shù)據(jù)線及多條柵線，所述多條數(shù)據(jù)線與所述多條柵線 交叉限定多個(gè)像素區(qū)域；所述陣列基板上還包括多個(gè)TFT，至少一個(gè)所述TFT所占的區(qū)域中 包括內(nèi)含有溝道區(qū)域的不透光區(qū)域，所述溝道區(qū)域的邊界與所述不透光區(qū)域的邊界之間在 平行于所述液晶面板的方向上的距離大于或等于設(shè)定距離d。
[0006] 本發(fā)明實(shí)施方式所提供的液晶面板，其中，所述溝道區(qū)域?yàn)閁形區(qū)域，所述TFT的 溝道區(qū)域和所述TFT的源極的圖案的投影位于一柵線的所在區(qū)域內(nèi)，所述不透光區(qū)域的邊 界包括所述柵線的邊界。
[0007] 本發(fā)明實(shí)施方式所提供的液晶面板，其中，所述TFT包括與所述柵線相連接的柵 極，所述TFT的溝道區(qū)域的投影位于所述柵極所在區(qū)域內(nèi)，所述源極、漏極和溝道區(qū)域三者 組成的區(qū)域的寬度大于所述柵極的寬度，所述不透光區(qū)域的邊界包括所述源極的遠(yuǎn)離所述 溝道區(qū)域一側(cè)的邊界，以及所述漏極的遠(yuǎn)離所述溝道區(qū)域一側(cè)的邊界。
[0008] 本發(fā)明實(shí)施方式所提供的液晶面板，其中，所述設(shè)定距離d為：
[0009]

【權(quán)利要求】
1. 一種液晶面板，包括陣列基板以及與所述陣列基板對(duì)盒的對(duì)盒基板，所述陣列基板 上設(shè)置有多條數(shù)據(jù)線及多條柵線，所述多條數(shù)據(jù)線與所述多條柵線交叉限定多個(gè)像素區(qū) 域；所述陣列基板上還包括多個(gè)TFT，其特征在于，至少一個(gè)所述TFT所占的區(qū)域中包括內(nèi) 含有溝道區(qū)域的不透光區(qū)域，所述溝道區(qū)域的邊界與所述不透光區(qū)域的邊界之間在平行于 所述液晶面板的方向上的距離大于或等于設(shè)定距離d。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述溝道區(qū)域?yàn)閁形區(qū)域，所述TFT 的溝道區(qū)域和所述TFT的源極的圖案的投影位于一柵線的所在區(qū)域內(nèi)，所述不透光區(qū)域的 邊界包括所述柵線的邊界。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述TFT包括與所述柵線相連接的柵 極，所述TFT的溝道區(qū)域的投影位于所述柵極所在區(qū)域內(nèi)，所述源極、漏極和溝道區(qū)域三者 組成的區(qū)域的寬度大于所述柵極的寬度，所述不透光區(qū)域的邊界包括所述源極的遠(yuǎn)離所述 溝道區(qū)域一側(cè)的邊界，以及所述漏極的遠(yuǎn)離所述溝道區(qū)域一側(cè)的邊界。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的液晶面板，其特征在于，所述設(shè)定距離d為：
其中，為空氣的折射率，nMll為所述液晶面板的平均折射率或所述陣列基板的第一 襯底基板的折射率； H為所述陣列基板的第一襯底基板內(nèi)表面與所述對(duì)盒基板的第二襯底基板的內(nèi)表面之 間的距離或所述陣列基板與所述對(duì)盒基板之間的液晶層的厚度數(shù)值g、陣列基板上柵絕緣 層高度k、源/漏電極保護(hù)層高度h三者的和； I為每一像素區(qū)域內(nèi)，所述溝道區(qū)域相鄰接的不透光結(jié)構(gòu)的面向所述對(duì)盒基板的表面 與所述對(duì)盒基板的第二襯底基板內(nèi)表面之間的垂直距離； a取值為0°或e，0為光線由所述陣列基板射至所述對(duì)盒基板的與所述陣列基板相 對(duì)的表面時(shí)的反射角的漫反射增量。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的液晶面板，其特征在于，所述設(shè)定距離d為：
其中，為空氣的折射率，nMll為所述液晶面板的平均折射率或所述陣列基板的第一 襯底基板的折射率； H為所述陣列基板的第一襯底基板內(nèi)表面與所述對(duì)盒基板的第二襯底基板的內(nèi)表面之 間的距離或所述陣列基板與所述對(duì)盒基板之間的液晶層的厚度數(shù)值g、陣列基板上柵絕緣 層高度k、源/漏電極保護(hù)層高度h三者的和； a取值為0°或e，0為光線由所述陣列基板射至所述對(duì)盒基板的與所述陣列基板相 對(duì)的表面時(shí)的反射角的漫反射增量； I = H-t，t為陣列基板上的TFT的高度，所述TFT的高度為所述TFT的最頂層不透光 層的頂表面與所述陣列基板的第一襯底基板內(nèi)表面之間的距離。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述設(shè)定距離d為：
其中，為空氣的折射率，nMll為所述液晶面板的平均折射率或所述陣列基板的第一 襯底基板的折射率； H為所述陣列基板的第一襯底基板內(nèi)表面與所述對(duì)盒基板的第二襯底基板的內(nèi)表面之 間的距離或所述陣列基板與所述對(duì)盒基板之間的液晶層的厚度數(shù)值g、陣列基板上柵絕緣 層高度k、源/漏電極保護(hù)層高度h三者的和； I為每一像素區(qū)域內(nèi)，所述溝道區(qū)域相鄰接的不透光結(jié)構(gòu)的面向所述對(duì)盒基板的表面 與所述對(duì)盒基板的第二襯底基板內(nèi)表面之間的垂直距離； a取值為0°或e，所述0為光線由所述陣列基板射至所述對(duì)盒基板的與所述陣列基 板相對(duì)的表面上的黑矩陣時(shí)的反射角的漫反射增量。
7. -種液晶面板的制造方法，所述液晶面板包括陣列基板以及與所述陣列基板對(duì)盒的 對(duì)盒基板，所述陣列基板上設(shè)置有多條數(shù)據(jù)線及多條柵線，所述多條數(shù)據(jù)線與所述多條柵 線交叉限定多個(gè)像素區(qū)域；所述陣列基板上還包括多個(gè)TFT，至少一個(gè)所述TFT所占的區(qū)域 中包括內(nèi)含有溝道區(qū)域的不透光區(qū)域，其特征在于，所述制造方法包括：計(jì)算所述溝道區(qū) 域的邊界與所述不透光區(qū)域的邊界之間在平行于所述液晶面板的方向上的最小距離d'。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶面板的制造方法，其特征在于，計(jì)算所述溝道區(qū)域的邊 界與所述不透光區(qū)域的邊界之間在平行于所述液晶面板的方向上的最小距離d'包括：
道區(qū)域的邊界與所述不透光區(qū)域的邊界之間在平行于所述液晶面板的方向上的最小距離 d'，其中，rw為空氣的折射率，nrall為所述液晶面板的平均折射率或所述陣列基板的第一 襯底基板的折射率； H為所述陣列基板的第一襯底基板內(nèi)表面與所述對(duì)盒基板的第二襯底基板的內(nèi)表面之 間的距離或所述陣列基板與所述對(duì)盒基板之間的液晶層的厚度數(shù)值g、陣列基板上柵絕緣 層高度k、源/漏電極保護(hù)層高度h三者的和； I為每一像素區(qū)域內(nèi)，所述溝道區(qū)域相鄰接的不透光結(jié)構(gòu)的面向所述對(duì)盒基板的表面 與所述對(duì)盒基板的第二襯底基板內(nèi)表面之間的垂直距離； a取值為0°或e，0為光線由所述陣列基板射至所述對(duì)盒基板的與所述陣列基板相 對(duì)的表面時(shí)的反射角的漫反射增量。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK104345510SQ201410505323
【公開日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2014年9月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月26日
【發(fā)明者】封賓, 李升玄 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司