一種用于陣列基板的測(cè)試單元、陣列基板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種用于陣列基板的測(cè)試單元、陣列基板及顯示裝置，屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，可防止測(cè)試結(jié)構(gòu)的爬坡處發(fā)生斷裂等不良現(xiàn)象的發(fā)生，保證測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確程度。該用于陣列基板的測(cè)試單元，包括測(cè)試結(jié)構(gòu)和兩個(gè)金屬襯底，其中，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)包括連接部分和兩個(gè)接觸部分，其中，接觸部分位于對(duì)應(yīng)的金屬襯底之上且與該金屬襯底接觸，所述連接部分連接兩個(gè)接觸部分，任一接觸部分與所述連接部分的連接處位于金屬襯底的對(duì)應(yīng)區(qū)域之外。本發(fā)明可用于液晶電視、液晶顯示器、手機(jī)、平板電腦等顯示裝置。
【專利說(shuō)明】—種用于陣列基板的測(cè)試單元、陣列基板及顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地說(shuō)，涉及一種用于陣列基板的測(cè)試單元、陣列基板及顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器(Liquid Crystal Display,簡(jiǎn)稱LCD)是目前主流的顯示裝置。液晶顯示器主要由陣列基板、彩膜基板、周邊電路及背光組件等部分構(gòu)成。其中，陣列基板是采用特定規(guī)格的玻璃基板，在該玻璃基板上經(jīng)過(guò)鍍膜、曝光、刻蝕等一系列工藝制成一定數(shù)量的像素，每一像素包括三個(gè)不同顏色的子像素，每一子像素為陣列基板的最小顯示組成。每一子像素都能正常工作保證了該液晶顯示器能夠正常顯示畫面。
[0003]液晶顯示器的生產(chǎn)工藝，尤其是陣列基板的制造工藝非常復(fù)雜，所以在制造過(guò)程中，不可避免的會(huì)因?yàn)楣に囌`差而發(fā)生各種缺陷。為了盡可能的降低缺陷發(fā)生率從而提高產(chǎn)品良率，在制造過(guò)程中的關(guān)鍵工藝后通常會(huì)設(shè)置相應(yīng)的檢測(cè)工序，以便能及時(shí)地發(fā)現(xiàn)缺陷并采取相應(yīng)措施杜絕缺陷大范圍擴(kuò)散或?qū)⑷毕輲胂乱还に嚥襟E。其中，對(duì)于各子像素的像素電極的測(cè)試來(lái)說(shuō)，通常是在陣列基板的邊緣設(shè)置一個(gè)測(cè)試單元，該測(cè)試單元包括有與像素電極同時(shí)形成的測(cè)試結(jié)構(gòu)、分別承載測(cè)試結(jié)構(gòu)的兩端的兩個(gè)金屬襯底。測(cè)試設(shè)備的探針同時(shí)與兩個(gè)金屬襯底接觸，可測(cè)得該測(cè)試結(jié)構(gòu)的阻值，進(jìn)而可知像素電極的阻值是否符合要求。
[0004]發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中，測(cè)試結(jié)構(gòu)的位置低于金屬襯底的位置，因此，測(cè)試結(jié)構(gòu)與金屬襯底的接觸需要測(cè)試結(jié)構(gòu)經(jīng)過(guò)爬坡實(shí)現(xiàn)。而測(cè)試結(jié)構(gòu)的爬坡處容易發(fā)生斷裂等接觸不良現(xiàn)象，會(huì)造成測(cè)試結(jié)果的誤判，需要消耗大量的人力物力進(jìn)行清理，既增加陣列基板的制備成本又降低制備效率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種用于陣列基板的測(cè)試單元、陣列基板及顯示裝置，可防止測(cè)試結(jié)構(gòu)的爬坡處發(fā)生斷裂等不良現(xiàn)象的發(fā)生，保證測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確程度。
[0006]本發(fā)明提供一種用于陣列基板的測(cè)試單元，包括測(cè)試結(jié)構(gòu)和兩個(gè)金屬襯底，其中，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)包括連接部分和兩個(gè)接觸部分，其中，接觸部分位于對(duì)應(yīng)的金屬襯底之上且與該金屬襯底接觸，所述連接部分連接兩個(gè)接觸部分，任一接觸部分與所述連接部分的連接處位于金屬襯底的對(duì)應(yīng)區(qū)域之外。
[0007]其中，所述的測(cè)試單元還包括:位于所述測(cè)試結(jié)構(gòu)和金屬襯底之間的絕緣層，所述絕緣層形成有通孔，接觸部分通過(guò)通孔與金屬襯底接觸。
[0008]其中，所述連接部分為具有多個(gè)彎折的條狀結(jié)構(gòu)。
[0009]其中，任一金屬襯底為方形。
[0010]進(jìn)一步的，任一接觸部分為方形，其與所述連接部分連接的側(cè)邊位于金屬襯底的對(duì)應(yīng)區(qū)域之外。
[0011]其中，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為氧化銦錫。
[0012]本發(fā)明帶來(lái)了以下有益效果:在本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案中，提供了一種用于陣列基板的測(cè)試單元，該測(cè)試單元包括測(cè)試結(jié)構(gòu)和兩個(gè)金屬襯底。其中，該測(cè)試結(jié)構(gòu)包括連接部分和兩個(gè)接觸部分，接觸部分位于對(duì)應(yīng)的金屬襯底之上且與該金屬襯底接觸，且其與連接部分的連接處位于金屬襯底的對(duì)應(yīng)區(qū)域之外。意味著接觸部分需要部分延伸出金屬襯底的對(duì)應(yīng)區(qū)域，增大了測(cè)試結(jié)構(gòu)的爬坡處的面積尺寸，減小了發(fā)生斷裂等接觸不良現(xiàn)象發(fā)生的可能性，提高了測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確程度。
[0013]本發(fā)明第二方面提供了一種陣列基板，包括上述的用于陣列基板的測(cè)試單元。
[0014]本發(fā)明第三方面提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0015]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書中變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在說(shuō)明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要的附圖做簡(jiǎn)單的介紹:
[0017]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的測(cè)試單元的示意圖；
[0018]圖2是圖1中A-A的剖面示意圖。
[0019]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0020]I一測(cè)試結(jié)構(gòu)； 11一連接部分；12—接觸部分；
[0021]2—金屬襯底； 3—絕緣層； 4一通孔；
[0022]5—柵極絕緣層；6—基板。

【具體實(shí)施方式】
[0023]以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來(lái)解決技術(shù)問(wèn)題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過(guò)程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說(shuō)明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0024]本實(shí)施例第一方面提供了一種用于陣列基板的測(cè)試單元，如圖1所示，該測(cè)試單元包括包括測(cè)試結(jié)構(gòu)I和兩個(gè)金屬襯底2，其中，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)I包括連接部分11和兩個(gè)接觸部分12，其中，接觸部分12位于對(duì)應(yīng)的金屬襯底2之上且與該金屬襯底2接觸，所述連接部分11連接兩個(gè)接觸部分12，任一接觸部分12與所述連接部分11的連接處位于金屬襯底2的對(duì)應(yīng)區(qū)域之外。
[0025]具體的，接觸部分12與連接部分11的連接處位于金屬襯底2的對(duì)應(yīng)區(qū)域之外，意味著接觸部分12需要部分延伸出金屬襯底2的對(duì)應(yīng)區(qū)域。如此一來(lái)，增大了測(cè)試結(jié)構(gòu)I的爬坡處的面積尺寸，減小了斷裂發(fā)生的可能性；另外有雜質(zhì)等接觸不良現(xiàn)象帶來(lái)的影響也減小，可保證測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確程度。
[0026]在本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案中，提供了一種用于陣列基板的測(cè)試單元，該測(cè)試單元包括測(cè)試結(jié)構(gòu)和兩個(gè)金屬襯底。其中，該測(cè)試結(jié)構(gòu)包括連接部分和兩個(gè)接觸部分，接觸部分位于對(duì)應(yīng)的金屬襯底之上且與該金屬襯底接觸，且其與連接部分的連接處位于金屬襯底的對(duì)應(yīng)區(qū)域之外。意味著接觸部分需要部分延伸出金屬襯底的對(duì)應(yīng)區(qū)域，增大了測(cè)試結(jié)構(gòu)的爬坡處的面積尺寸，減小了發(fā)生斷裂等接觸不良現(xiàn)象發(fā)生的可能性，提高了測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確程度。
[0027]進(jìn)一步的，該測(cè)試結(jié)構(gòu)I與陣列基板上的像素電極為在同一次構(gòu)圖工藝中形成的，其材質(zhì)與像素電極一致，通常為氧化銦錫(Indium Tin Oxide,簡(jiǎn)稱ITO)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide,簡(jiǎn)稱 IZO)、氧化銦嫁鋒(Indium Gallium Zinc Oxide,簡(jiǎn)稱 IGZO)等透明的金屬氧化物制成。相應(yīng)的，金屬襯底2與陣列基板上的數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管的源/漏極為在同一次構(gòu)圖工藝中形成的，通常采用銅等導(dǎo)電性良好的材料制成。由于測(cè)試結(jié)構(gòu)與像素電極在同一次構(gòu)圖工藝中形成，因此，雖然測(cè)試結(jié)構(gòu)I與像素電極絕緣，但是通過(guò)設(shè)定合適的測(cè)試結(jié)構(gòu)I的圖形，通過(guò)測(cè)定測(cè)試結(jié)構(gòu)I的阻值大小，可了解到像素電極的阻值大小是否符合要求。
[0028]相應(yīng)的，為了保證能夠檢測(cè)到較為準(zhǔn)確的測(cè)試結(jié)構(gòu)I的阻值，如圖1所示，測(cè)試結(jié)構(gòu)I中的連接部分11通常為具有多個(gè)彎折的條狀結(jié)構(gòu)。根據(jù)阻值公式W = PI有，在材料




S
不變的情況下，其電阻率P保持不變。此時(shí)，測(cè)試結(jié)構(gòu)I的阻值的大小與測(cè)試結(jié)構(gòu)I的長(zhǎng)度I成正比，與其橫截面積S成反比。將連接部分11設(shè)置為具有多個(gè)多個(gè)彎折的條狀結(jié)構(gòu)可在較小的尺寸范圍內(nèi)延長(zhǎng)連接部分11的長(zhǎng)度，同時(shí)縮小連接部分11的橫截面積，使得測(cè)試結(jié)構(gòu)I的阻值可輕易測(cè)出。若是測(cè)試結(jié)構(gòu)I的阻值發(fā)生變化也容易檢測(cè)到，保證了檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性。
[0029]在陣列基板上，為了防止在像素電極和源/漏極接觸區(qū)域之外短路，像素電極和源/漏極之間形成有絕緣層，僅在需要像素電極和源/漏極接觸處，絕緣層形成有通孔使得像素電極可通過(guò)該通孔與源/漏極接觸。類似的，如圖2所示，該測(cè)試單元還包括位于所述測(cè)試結(jié)構(gòu)I和金屬襯底2之間的絕緣層3，所述絕緣層3形成有通孔4，接觸部分12通過(guò)通孔4與金屬襯底2接觸。該絕緣層3通常采用氧化硅、氮化硅、氧化鉿、樹(shù)脂等絕緣材料形成。
[0030]進(jìn)一步的，如圖2所示，在該測(cè)試結(jié)構(gòu)I之下還設(shè)置有柵極絕緣層5和基板6，其中，柵極絕緣層5也可采用氧化硅、氮化硅、氧化鉿、樹(shù)脂等絕緣材料形成。
[0031]一般的，出于制作工藝的考量，任一金屬襯底2可為方形。相應(yīng)的，與金屬襯底2接觸的任一接觸部分12也可為方形，如圖1所示，其與所述連接部分11連接的側(cè)邊位于金屬襯底2的對(duì)應(yīng)區(qū)域之外。
[0032]顯然，金屬襯底2和接觸部分12的形狀可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)定，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不進(jìn)行限定。
[0033]進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例第二方面還提供了一種陣列基板，該陣列基板包括上述的用于陣列基板的測(cè)試單元。
[0034]更進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例第三方面還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。具體的，該顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0035]雖然本發(fā)明所公開(kāi)的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】?jī)?nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開(kāi)的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于陣列基板的測(cè)試單元，包括測(cè)試結(jié)構(gòu)和兩個(gè)金屬襯底，其特征在于， 所述測(cè)試結(jié)構(gòu)包括連接部分和兩個(gè)接觸部分，其中，接觸部分位于對(duì)應(yīng)的金屬襯底之上且與該金屬襯底接觸，所述連接部分連接兩個(gè)接觸部分，任一接觸部分與所述連接部分的連接處位于金屬襯底的對(duì)應(yīng)區(qū)域之外。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試單元，其特征在于，還包括: 位于所述測(cè)試結(jié)構(gòu)和金屬襯底之間的絕緣層，所述絕緣層形成有通孔，接觸部分通過(guò)通孔與金屬襯底接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試單元，其特征在于，所述連接部分為具有多個(gè)彎折的條狀結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試單元，其特征在于， 任一金屬襯底為方形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的測(cè)試單元，其特征在于， 任一接觸部分為方形，其與所述連接部分連接的側(cè)邊位于金屬襯底的對(duì)應(yīng)區(qū)域之外。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試單元，其特征在于， 所述測(cè)試結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為氧化銦錫。
7.—種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的用于陣列基板的測(cè)試單元。
8.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求7所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/13GK104181717SQ201410443943
【公開(kāi)日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2014年9月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月2日
【發(fā)明者】徐向陽(yáng) 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司