相移掩模板和源漏掩模板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種相移掩模板和源漏掩模板。一種相移掩模板，包括由不透光的圖案覆蓋的不透光區(qū)和未被所述圖案覆蓋的透光區(qū)，所述圖案在與所述透光區(qū)相對(duì)的區(qū)域包括至少兩個(gè)拐點(diǎn)，在所述透光區(qū)對(duì)應(yīng)著相鄰的至少兩個(gè)所述拐點(diǎn)之間的所述圖案的外側(cè)相應(yīng)設(shè)置有光學(xué)遮擋單元，所述光學(xué)遮擋單元使得設(shè)置有所述光學(xué)遮擋單元的所述透光區(qū)的光強(qiáng)降低。該相移掩模板和相應(yīng)的源漏掩模板，使得相移掩模板和源漏掩模板在不透光圖案存在拐點(diǎn)時(shí)，光強(qiáng)分布更均勻，減小半導(dǎo)體器件不良的產(chǎn)生幾率。
【專利說(shuō)明】相移掩模板和源漏掩模板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種相移掩模板和源
[0002]漏掩模板。
【背景技術(shù)】
[0003]掩模板(mask)又稱光掩?；蚬庹?，是連接設(shè)計(jì)端與工藝制造端的紐帶和橋梁。隨著設(shè)計(jì)技術(shù)與制造工藝的進(jìn)步，目前出現(xiàn)了相移掩模板，相移掩模板即在襯底上方形成圖案的同時(shí)，還形成相移層區(qū)和非相移層區(qū)，在利用相移掩模板進(jìn)行曝光工藝時(shí)，通過(guò)相移層區(qū)的光線會(huì)產(chǎn)生180°的相位改變，從而達(dá)到更好的控制圖案關(guān)鍵尺寸(CD)的目的。
[0004]如圖1A和圖1B所示為現(xiàn)有技術(shù)中常用的相移掩模板的結(jié)構(gòu)為:在具有較穩(wěn)定的熱光電性能的襯底I上通過(guò)一定的工藝形成圖案(包括有圖案的不透光區(qū)和透光區(qū))，通常采用石英等透明介質(zhì)作為襯底I;在襯底I上方通過(guò)圖案材料的沉積、光刻，顯影，刻蝕，剝離等工序形成透過(guò)率低(8%左右)的具有圖案的圖像相移層2，通常圖像相移層2使用光透過(guò)率低且能使光線的相位反轉(zhuǎn)180° ±10°的材料。使用該相移掩模板可以將圖案投影在基板上，從而在基板上方完成半導(dǎo)體器件的各構(gòu)成層的圖形的轉(zhuǎn)印，進(jìn)而制備完成半導(dǎo)體器件。通過(guò)相移掩模板的相移層區(qū)的光線的相位發(fā)生了反轉(zhuǎn)(180° )，而通過(guò)非相移層區(qū)的光線的相位保持不改變。相移掩模板中，由于相消干涉(即光的干涉被破壞)，因此能提高采用相移掩模板圖案形成的圖形的分辨率。
[0005]未來(lái)平板顯示的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)之一就是高分辨率的實(shí)現(xiàn)，為了這個(gè)目標(biāo)，相移掩模板作為一種重要的提高高分辨率的技術(shù)，也應(yīng)用于薄膜晶體管(Thin Film Transistor:簡(jiǎn)稱TFT)的制備中。但是，經(jīng)模擬和實(shí)測(cè)都發(fā)現(xiàn)，在對(duì)具有對(duì)稱圖案的一側(cè)接入額外圖案，在曝光過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)光強(qiáng)分布不對(duì)稱，從而導(dǎo)致本該形成對(duì)稱分布的圖形呈不對(duì)稱分布的問(wèn)題。例如圖1C所示的相移掩模板上，內(nèi)含棒狀漏極(Drain)的U型的源極(Source)圖案在接入數(shù)據(jù)線(data line)時(shí)光強(qiáng)分布受到影響，呈不對(duì)稱分布(如圖1C中虛線圈所示)；而曝光結(jié)果也證實(shí)了 U型圖案的邊緣有不良發(fā)生(通常發(fā)生在靠近透光區(qū)的圖案的拐點(diǎn)之間的區(qū)域)。這將導(dǎo)致薄膜晶體管出現(xiàn)不良，例如:使得TFT中溝道的寬長(zhǎng)比(即溝道寬度/溝道長(zhǎng)度，W/L)發(fā)生變化，進(jìn)而導(dǎo)致TFT的導(dǎo)通電流1n變小，影響顯示質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供一種相移掩模板和源漏掩模板，使得相移掩模板和源漏掩模板在不透光圖案存在拐點(diǎn)時(shí)，光強(qiáng)分布更均勻，減小半導(dǎo)體器件不良的產(chǎn)生幾率。
[0007]解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是該相移掩模板，包括由不透光的圖案覆蓋的不透光區(qū)和未被所述圖案覆蓋的透光區(qū)，所述圖案在與所述透光區(qū)相對(duì)的區(qū)域包括至少兩個(gè)拐點(diǎn)，在所述透光區(qū)對(duì)應(yīng)著相鄰的至少兩個(gè)所述拐點(diǎn)之間的所述圖案的外側(cè)相應(yīng)設(shè)置有光學(xué)遮擋單元，所述光學(xué)遮擋單元使得設(shè)置有所述光學(xué)遮擋單元的所述透光區(qū)的光強(qiáng)降低。
[0008]優(yōu)選的是，所述光學(xué)遮擋單元為條狀分布的遮光條，所述遮光條設(shè)置于所述圖案的相鄰的兩個(gè)所述拐點(diǎn)對(duì)應(yīng)的外側(cè)，且所述遮光條與兩個(gè)所述拐點(diǎn)對(duì)應(yīng)的所述圖案相離形成間隙條。
[0009]優(yōu)選的是，所述遮光條還以所述拐點(diǎn)為始點(diǎn)，沿所述圖案的外側(cè)、向遠(yuǎn)離由兩個(gè)所述拐點(diǎn)對(duì)應(yīng)的所述圖案的延伸方向的一端或兩端延伸至相鄰的下一所述拐點(diǎn)。
[0010]優(yōu)選的是，所述遮光條采用無(wú)機(jī)膜形成，所述無(wú)機(jī)膜包括鉻膜。
[0011]優(yōu)選的是，所述遮光條的透光率小于等于5%。
[0012]優(yōu)選的是，所述圖案為條狀分布，所述遮光條的寬度為條狀分布的所述圖案的寬度的 1/8-1/4。
[0013]優(yōu)選的是，所述遮光條的寬度范圍為0.3-0.7 μ m，所述間隙條的寬度范圍為
0.3-0.5 μ m。
[0014]優(yōu)選的是，所述遮光條與所述圖案同層設(shè)置。
[0015]優(yōu)選的是，還包括襯底，所述圖案采用相移膜形成在所述襯底的上方；或者，所述圖案采用無(wú)機(jī)膜形成在所述襯底的上方，所述無(wú)機(jī)膜的上方設(shè)置有采用相移膜形成的相移層，所述無(wú)機(jī)膜包括鉻膜。
[0016]一種源漏掩模板，用于對(duì)半導(dǎo)體器件的構(gòu)成層進(jìn)行曝光，所述構(gòu)成層在曝光工藝中采用權(quán)利要求1-9任意一項(xiàng)所述的所述相移掩模板。
[0017]優(yōu)選的是，所述半導(dǎo)體器件為薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極的圖形，所述漏極為棒狀，所述源極設(shè)置于所述漏極的外側(cè)且至少包圍所述漏極的相對(duì)兩側(cè)以及連接該相對(duì)兩側(cè)的相對(duì)垂直側(cè)；相應(yīng)的，所述源漏掩模板對(duì)應(yīng)著形成所述漏極的漏極圖案為棒狀圖案、對(duì)應(yīng)著形成所述源極的源極圖案為U型圖案，所述遮光條至少設(shè)置于對(duì)應(yīng)著U型圖案的豎直邊與圓弧邊形成的拐點(diǎn)的外側(cè)。
[0018]優(yōu)選的是，在曝光工藝中，用于對(duì)形成所述源極和所述漏極的電極材料膜層進(jìn)行遮擋用的光刻膠采用正性光刻膠。
[0019]本發(fā)明的有益效果是:
[0020]本發(fā)明的相移掩模板中，利用光的干涉效應(yīng)，通過(guò)在不透光圖案的拐點(diǎn)之間外側(cè)的透光區(qū)域增加光學(xué)遮擋單元，從而降低不透光圖案的拐點(diǎn)區(qū)域的外側(cè)邊緣的光透過(guò)率，使得透過(guò)相移掩模板的光強(qiáng)均勻分布，減少或防止相移掩模板中拐點(diǎn)區(qū)域圖案在曝光過(guò)程中不良的產(chǎn)生；
[0021]相應(yīng)的，源漏掩模板中的源極圖案接入數(shù)據(jù)線(data line)時(shí)所受的影響得到消減，從而消除或減輕使用源漏掩模板制作U型的源極圖形時(shí)在具有拐點(diǎn)的U型圖形邊緣出現(xiàn)不良的幾率，特別適合應(yīng)用于高分辨率顯示產(chǎn)品的相移掩模板中，進(jìn)一步減少應(yīng)用相移掩模板制備半導(dǎo)體器件的構(gòu)成層時(shí)產(chǎn)生的不良，進(jìn)而提高顯示產(chǎn)品的顯示質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1A為現(xiàn)有技術(shù)中相移掩模板的俯視圖；
[0023]圖1B為圖1的AA剖視圖；
[0024]圖1C為現(xiàn)有技術(shù)中相移掩模板的曝光光強(qiáng)不意圖；[0025]圖2為本發(fā)明實(shí)施例1中相移掩模板的俯視圖；
[0026]圖3A為本發(fā)明實(shí)施例1中源漏掩模板的俯視圖；
[0027]圖3B為圖3A的AA剖視圖；
[0028]圖3C為本發(fā)明實(shí)施例1中源漏掩模板的曝光光強(qiáng)示意圖；
[0029]圖4A為本發(fā)明實(shí)施例2中源漏掩模板的俯視圖；
[0030]圖4B為圖4A的AA剖視圖；
[0031]圖5為本發(fā)明實(shí)施例3中源漏掩模板的剖視圖；
[0032]圖6A-圖6D為圖5中源漏掩模板的形成流程圖；
[0033]圖中:
[0034]1-襯底；2_圖像相移層；21_相移層；210_相移膜；22_圖像層；220_無(wú)機(jī)膜；3-不透光區(qū)；31_源極圖案；32_漏極圖案；33_數(shù)據(jù)線圖案；34_拐點(diǎn)；4_透光區(qū)；5_遮光條；6-間隙條；7_光刻膠。
【具體實(shí)施方式】
[0035]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明相移掩模板和源漏掩模板作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0036]一種相移掩模板，包括由不透光的圖案覆蓋的不透光區(qū)和未被所述圖案覆蓋的透光區(qū)，所述圖案在與所述透光區(qū)相對(duì)的區(qū)域包括至少兩個(gè)拐點(diǎn)，在所述透光區(qū)對(duì)應(yīng)著相鄰的至少兩個(gè)所述拐點(diǎn)之間的所述圖案的外側(cè)相應(yīng)設(shè)置有光學(xué)遮擋單元，所述光學(xué)遮擋單元使得設(shè)置有所述光學(xué)遮擋單元的所述透光區(qū)的光強(qiáng)降低。
[0037]—種源漏掩模板，用于對(duì)半導(dǎo)體器件的構(gòu)成層進(jìn)行曝光，所述構(gòu)成層在曝光工藝中采用上述相移掩模板。
[0038]上述相移掩模板和相應(yīng)的源漏掩模板，使得相移掩模板和源漏掩模板在不透光圖案存在拐點(diǎn)時(shí)，具有拐點(diǎn)圖案周邊的光強(qiáng)分布更均勻，減小半導(dǎo)體器件不良的產(chǎn)生幾率。
[0039]本實(shí)施例1:
[0040]本實(shí)施例提供一種相移掩模板以及相應(yīng)的源漏掩模板。
[0041]如圖2所不,一種相移掩模板,包括不透光區(qū)3和透光區(qū)4 (由不透光的圖案覆蓋的區(qū)域形成不透光區(qū)3，未被圖案覆蓋的區(qū)域形成透光區(qū)4)。其中，不透光的圖案在與透光區(qū)4相對(duì)的區(qū)域包括至少兩個(gè)拐點(diǎn)34，在透光區(qū)4對(duì)應(yīng)著圖案的相鄰的至少兩個(gè)拐點(diǎn)34的外側(cè)還相應(yīng)設(shè)置有光學(xué)遮擋單元，光學(xué)遮擋單元使得設(shè)置有光學(xué)遮擋單元的透光區(qū)的光強(qiáng)降低，減少或防止相移掩模板上具有拐點(diǎn)圖案周邊的透光區(qū)的曝光光強(qiáng)受影響。
[0042]在本實(shí)施例中，拐點(diǎn)34指的是不透光的圖案形狀發(fā)生變化的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，例如:由具有夾角的兩條直線連接形成一條連接線的連接點(diǎn)，由直線與曲線連接形成連接線的連接點(diǎn)，等等。通俗地說(shuō)，拐點(diǎn)34即指構(gòu)成不透光圖案的外邊緣輪廓的線段的方向發(fā)生變化的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。如圖2所示，不透光區(qū)3的圖案在與透光區(qū)4相對(duì)的區(qū)域包括六個(gè)拐點(diǎn)34，該六個(gè)拐點(diǎn)34中至少兩個(gè)拐點(diǎn)34之間的圖案的外側(cè)相應(yīng)設(shè)置有光學(xué)遮擋單元。
[0043]具體的，光學(xué)遮擋單元為條狀分布的遮光條5，遮光條5設(shè)置于圖案的相鄰的至少兩個(gè)拐點(diǎn)34對(duì)應(yīng)的外側(cè)。在圖2中，遮光條5根據(jù)六個(gè)拐點(diǎn)34的分布位置依次相連形成，并與六個(gè)拐點(diǎn)34對(duì)應(yīng)的圖案相離形成間隙條6。[0044]優(yōu)選的是，遮光條5采用無(wú)機(jī)膜形成，無(wú)機(jī)膜包括鉻膜，通常而言，鉻膜具有較低的光透過(guò)率。進(jìn)一步優(yōu)選的是，遮光條5的透光率小于等于5%，以達(dá)到較好的遮光效果。
[0045]在制備相移掩模板的工藝中，圖案為條狀分布，即該不透光圖案由多段直線、一段曲線互相連接構(gòu)成，最終形成完整的條狀分布的圖案；遮光條5的寬度為條狀分布的圖案的寬度的1/8-1/4。優(yōu)選的是，遮光條5的寬度范圍為0.3-0.7 μ m，間隙條6的寬度范圍為
0.3-0.5 μ m。
[0046]在半導(dǎo)體領(lǐng)域，掩模板常用于對(duì)半導(dǎo)體器件的構(gòu)成層進(jìn)行曝光，其中，構(gòu)成層在曝光工藝中采用上述相移掩模板。
[0047]一種具體的應(yīng)用是，半導(dǎo)體器件為薄膜晶體管，薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極的圖形。相應(yīng)的，半導(dǎo)體器件的構(gòu)成層即指構(gòu)成薄膜晶體管的各層圖案，例如:依次形成在基板上方的包括柵極圖形的柵極層、柵絕緣層、半導(dǎo)體層以及包括源極圖形和漏極圖形的源漏電極層等。
[0048]如圖3A和圖3B所示，在形成源極和漏極的相移掩模板(在本實(shí)施例中稱為源漏掩模板)中，漏極為棒狀，源極設(shè)置于漏極的外側(cè)且至少包圍漏極的相對(duì)兩側(cè)以及連接該相對(duì)兩側(cè)的相對(duì)垂直側(cè)，源漏掩模板對(duì)應(yīng)著形成漏極的漏極圖案32為棒狀圖案、對(duì)應(yīng)著形成源極的源極圖案31為U型圖案，數(shù)據(jù)線圖案33與源極圖案31連接。
[0049]圖3A中，在遠(yuǎn)離數(shù)據(jù)線圖案33的一側(cè)，遮光條5包括兩條，其中一條設(shè)置于對(duì)應(yīng)著U型圖案的豎直邊與一側(cè)(左側(cè))圓弧邊形成的四個(gè)拐點(diǎn)34的外側(cè)，另一條設(shè)置于U型圖案的另一側(cè)(右側(cè))圓弧邊與數(shù)據(jù)線的延伸段形成的兩個(gè)拐點(diǎn)34的外側(cè)。U型圖案與棒狀圖案之間對(duì)應(yīng)形成薄膜晶體管的溝道區(qū)。因?yàn)楦鶕?jù)模擬和實(shí)測(cè)結(jié)果，U型圖案的底端出現(xiàn)不良的幾率較小，因此圖3A中遮光條5可以不覆蓋到U型圖案的底端，故此區(qū)域可以不用設(shè)置遮光條，形成分離的兩條遮光條5。
[0050]其中，漏極圖案32的最小尺寸為D2，源極圖案31的最小尺寸為D1，漏極圖案32與源極圖案31之間的間隙寬度為屯，一般情況下源極圖案31的最小尺寸D1 <漏極圖案32的最小尺寸D2,間隙條6的寬度d2 <漏極圖案32與源極圖案31之間的間隙寬度屯。
[0051]另外，圖3A和圖3B中，源漏掩模板中的數(shù)據(jù)線圖案33用于形成數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線與源極電連接。
[0052]這里應(yīng)該理解的是，遮光條5根據(jù)光學(xué)像模擬配置于靠近需要減弱光強(qiáng)的主體圖案邊緣(例如圖3A和圖3B中的源極圖案31，源極圖案31的最小尺寸為D1),兩者之間的距離即間隙條6的寬度d2。典型尺寸為:源極圖案的最小尺寸D1 >光刻設(shè)備使用相移掩模板時(shí)光刻解像力(例如3 μ m)，遮光條5的寬度D3 <光刻設(shè)備使用相移掩模板時(shí)解像力(例如3 μ m),間隙條6的寬度d2 <光刻設(shè)備使用相移掩模板時(shí)光刻解像力(例如3 μ m)。有代表性的是:遮光條5的寬度D3為源極圖案的最小尺JD1的1/8-1/4，這時(shí)光強(qiáng)分布較均勻。遮光條5的寬度越小，減弱光強(qiáng)的效果越差，但另一方面，遮光條5的寬度太大則會(huì)導(dǎo)致在主體圖案之外出現(xiàn)不需要的圖案，影響構(gòu)成層的實(shí)際成像圖形。其中，光刻解像力也稱光刻分辨力，是指光刻時(shí)能分辨(或解像)的最小線寬(或間距)。光刻設(shè)備的分辨力一般在設(shè)備組裝時(shí)都已固定，所以生產(chǎn)過(guò)程中的光刻解像力是不變的，例如MPA-7800光刻設(shè)備的解像力為 4 μ m0
[0053]在本實(shí)施例的相移掩模板中，圖案采用相移膜形成在襯底I的上方，其中，襯底I具有較穩(wěn)定的熱光電性能，通常采用石英等透明介質(zhì)形成；不透光圖案采用光透過(guò)率低且能使光線的相位反轉(zhuǎn)的MoSiON等材料形成。同時(shí)，為了節(jié)約相移掩模板的制備工藝，優(yōu)選遮光條5與不透光的圖案同層設(shè)置。例如:相移掩模板還包括襯底1，不透光的圖案采用相移膜形成在襯底I的上方，遮光條5采用無(wú)機(jī)膜與不透光的圖案同層形成在襯底I的上方。
[0054]在制備如圖3B所示的源漏掩模板時(shí)，首先采用相移膜、通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成不透光圖案，不透光圖案包括源極圖案31、漏極圖案32和數(shù)據(jù)線圖案33 ;然后再采用無(wú)機(jī)膜層，例如鉻膜(Cr)、通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成遮光條5。源極圖案31、漏極圖案32和數(shù)據(jù)線圖案33和遮光條5設(shè)置在同一層,均位于襯底I的上方。
[0055]相應(yīng)的，在曝光工藝中，采用上述相移掩模板形成源極和漏極時(shí)，用于對(duì)形成源極和漏極的電極材料膜層進(jìn)行遮擋用的光刻膠采用正性光刻膠。在曝光過(guò)程中，對(duì)應(yīng)源漏掩模板的透光區(qū)部分的正性光刻膠經(jīng)光照后，會(huì)發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，在后續(xù)的顯影過(guò)程中會(huì)溶于顯影液中，從而被去除，從而使得原來(lái)被其遮擋的電極材料膜層裸露出來(lái)；而不透光區(qū)部分的正性光刻膠因不溶于顯影液得以保留，繼續(xù)遮擋對(duì)應(yīng)區(qū)域的電極材料膜層。此時(shí)，正性光刻膠即形成了與源漏掩模板中不透光圖案相同的圖形。在刻蝕過(guò)程中，沒(méi)有正性光刻膠遮擋的區(qū)域的電極材料膜層將被刻蝕除去，從而在電極材料膜層中形成預(yù)定的源漏掩模板上的源極和漏極的圖形。
[0056]采用本實(shí)施例的源漏掩模板進(jìn)行曝光，如圖3C所示，相移掩模板上U型的源極圖案在接入數(shù)據(jù)線(data line)圖案時(shí)光強(qiáng)分布受到的影響較小，基本呈對(duì)稱分布；經(jīng)后續(xù)的顯影、刻蝕工藝后，電極材料膜層得到的包括源極和漏極圖形的構(gòu)成層與現(xiàn)有技術(shù)中包括源極和漏極圖形相比，包括拐點(diǎn)的U型圖案邊緣出現(xiàn)不良現(xiàn)象有所減小
[0057]實(shí)施例2:
[0058]本實(shí)施例提供一種相移掩模板和源漏掩模板，本實(shí)施例中的相移掩模板與實(shí)施例1的區(qū)別在于，本實(shí)施例的相移掩模板中遮光條還以拐點(diǎn)34為始點(diǎn)，沿不透光的圖案的外偵U、向遠(yuǎn)離由兩個(gè)拐點(diǎn)34對(duì)應(yīng)的圖案的延伸方向的一端或兩端延伸至相鄰的下一拐點(diǎn)34。
[0059]如圖4A和圖4B所示，本實(shí)施例的源漏掩模板中，遮光條5不僅設(shè)置于圖案的相鄰的至少兩個(gè)拐點(diǎn)34對(duì)應(yīng)的外側(cè)，與兩個(gè)拐點(diǎn)34對(duì)應(yīng)的圖案相離形成間隙條6 ;遮光條5還以拐點(diǎn)34為始點(diǎn)，沿圖案的外側(cè)、向遠(yuǎn)離由兩個(gè)拐點(diǎn)34對(duì)應(yīng)的圖案的延伸方向至覆蓋到U型圖案的對(duì)應(yīng)的底端區(qū)域。即，在圖4A中，遮光條5根據(jù)六個(gè)拐點(diǎn)34的分布位置依次相連形成，并與六個(gè)拐點(diǎn)34對(duì)應(yīng)的圖案相離形成間隙條6。
[0060]本實(shí)施例中相移掩模板與源漏掩模板的其他結(jié)構(gòu)與參數(shù)設(shè)置與實(shí)施例1相同，這里不再贅述。
[0061]本實(shí)施例中相移掩模板和相應(yīng)的源漏掩模板由于設(shè)置了遮光條，米用該相移掩模板和相應(yīng)的源漏掩模板進(jìn)行曝光工藝時(shí)，使得光強(qiáng)分布較為均勻；使得包括拐點(diǎn)的不透光圖案形成的半導(dǎo)體器件的構(gòu)成層的邊緣出現(xiàn)不良現(xiàn)象減小。
[0062]實(shí)施例3:
[0063]本實(shí)施例與實(shí)施例1或?qū)嵤├?的區(qū)別在于，本實(shí)施例中的相移掩模板和源漏掩模板與實(shí)施例1或?qū)嵤├?的相移掩模板和源漏掩模板的構(gòu)成結(jié)構(gòu)不同。
[0064]在本實(shí)施例的源漏掩模板中，如圖5所示，不透光的圖案和遮光條5的圖案采用相移膜形成在襯底I的上方，上述圖案除包括圖像層22外還包括了遮光相位反轉(zhuǎn)的相移層21(對(duì)應(yīng)著無(wú)機(jī)膜形成的遮光條圖案的下方、且處于襯底I上方的相移膜部分);然后采用采用無(wú)機(jī)膜，例如鉻膜在遮光相位反轉(zhuǎn)層的上方形成遮光條5。也即，相對(duì)實(shí)施例1或?qū)嵤├?，本實(shí)施例中的相移掩模板與源漏掩模板，遮光條5的圖案與相移是分離的，遮光條5的圖案形成在圖像層22，相位反轉(zhuǎn)由相移層21完成。
[0065]具體的，如圖6A-圖6D所示，在制備圖5所示的源漏掩模板時(shí):首先，在襯底I的上方連續(xù)形成相移膜210、無(wú)機(jī)膜220 (例如鉻膜)和光刻膠7，如圖6A所示；接著，對(duì)圖6A經(jīng)過(guò)曝光、顯影和干法刻蝕得到圖6B，圖6B的形成利用了干法刻蝕具有高度的取向性，即在一個(gè)方向上的刻蝕率遠(yuǎn)高于其他方向上的刻蝕率的性質(zhì)，使得刻蝕掉的相移膜210、無(wú)機(jī)膜220的尺寸與光刻膠7的曝光尺寸基本相同，從而形成相移層21 (該層包括掩模板實(shí)際構(gòu)圖中不透光的圖案和遮光條的相位反轉(zhuǎn)部分)、具有圖案的無(wú)機(jī)膜220;然后，經(jīng)過(guò)第二次曝光及顯影得到的圖6C，由于對(duì)圖6A進(jìn)行曝光時(shí)，曝光區(qū)不包括遮光條區(qū)域，所以遮光條上方的光刻膠7并未受光照發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，仍能保護(hù)下方的無(wú)機(jī)膜220和相移層21 ;再次只針對(duì)無(wú)機(jī)膜220進(jìn)行第二次刻蝕后得到圖6D，此次刻蝕為濕法刻蝕，形成圖像層22，最終形成遮光條5 (包括具有圖案的圖像部分和相位反轉(zhuǎn)部分);最后，將遮光條5的上方的光刻膠7剝離去除，從而制備得到圖5所示的源漏掩模板的圖形。通過(guò)上述的制備過(guò)程，間隔d2即是預(yù)定值，且遮光條5的上下兩層結(jié)構(gòu)之間不存在對(duì)位偏差，不會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)位現(xiàn)象。
[0066]本發(fā)明的相移掩模板中，利用光的干涉效應(yīng)，通過(guò)在不透光圖案的拐點(diǎn)之間外側(cè)的透光區(qū)域增加光學(xué)遮擋單元，從而降低不透光圖案的拐點(diǎn)區(qū)域的外側(cè)邊緣的光透過(guò)率，使得透過(guò)相移掩模板的光強(qiáng)均勻分布，減少或防止相移掩模板中拐點(diǎn)區(qū)域圖案在曝光過(guò)程中不良的產(chǎn)生。尤其適于應(yīng)用在具有對(duì)稱圖案的一側(cè)接入額外圖案的相移掩模板中，用來(lái)保證曝光過(guò)程中對(duì)稱圖案兩側(cè)的光強(qiáng)分布對(duì)稱，以保證該相移掩模板的對(duì)稱圖案能形成對(duì)稱分布的構(gòu)成層圖形；
[0067]相應(yīng)的，源漏掩模板中的源極圖案接入數(shù)據(jù)線(data line)時(shí)所受的影響得到消減，從而消除或減輕使用源漏掩模板制作U型的源極圖形時(shí)在具有拐點(diǎn)的U型圖形邊緣出現(xiàn)不良的幾率，特別適合應(yīng)用于高分辨率顯示產(chǎn)品的相移掩模板中，進(jìn)一步減少應(yīng)用相移掩模板制備半導(dǎo)體器件的構(gòu)成層時(shí)產(chǎn)生的不良，進(jìn)而提高顯示產(chǎn)品的顯示質(zhì)量。
[0068]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種相移掩模板，包括由不透光的圖案覆蓋的不透光區(qū)和未被所述圖案覆蓋的透光區(qū)，所述圖案在與所述透光區(qū)相對(duì)的區(qū)域包括至少兩個(gè)拐點(diǎn)，其特征在于，在所述透光區(qū)對(duì)應(yīng)著相鄰的至少兩個(gè)所述拐點(diǎn)之間的所述圖案的外側(cè)相應(yīng)設(shè)置有光學(xué)遮擋單元，所述光學(xué)遮擋單元使得設(shè)置有所述光學(xué)遮擋單元的所述透光區(qū)的光強(qiáng)降低。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相移掩模板，其特征在于，所述光學(xué)遮擋單元為條狀分布的遮光條，所述遮光條設(shè)置于所述圖案的相鄰的兩個(gè)所述拐點(diǎn)對(duì)應(yīng)的外側(cè)，且所述遮光條與兩個(gè)所述拐點(diǎn)對(duì)應(yīng)的所述圖案相離形成間隙條。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的相移掩模板，其特征在于，所述遮光條還以所述拐點(diǎn)為始點(diǎn)，沿所述圖案的外側(cè)、向遠(yuǎn)離由兩個(gè)所述拐點(diǎn)對(duì)應(yīng)的所述圖案的延伸方向的一端或兩端延伸至相鄰的下一所述拐點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的相移掩模板，其特征在于，所述遮光條采用無(wú)機(jī)膜形成，所述無(wú)機(jī)膜包括鉻膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的相移掩模板，其特征在于，所述遮光條的透光率小于等于5% ο
6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的相移掩模板，其特征在于，所述圖案為條狀分布，所述遮光條的寬度為條狀分布的所述圖案的寬度的1/8-1/4。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的相移掩模板，其特征在于，所述遮光條的寬度范圍為0.3-0.7 μ m，所述間隙條的寬度范圍為0.3-0.5 μ m。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的相移掩模板，其特征在于，所述相移掩模板還包括襯底，所述圖案采用相移膜形成在所述襯底的上方，所述遮光條采用無(wú)機(jī)膜與所述圖案同層形成在所述襯底的上方。
9.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的相移掩模板，其特征在于，所述相移掩模板還包括襯底，所述圖案采用無(wú)機(jī)膜形成在所述襯底的上方，所述無(wú)機(jī)膜的上方設(shè)置有采用相移膜形成的相移層，所述無(wú)機(jī)膜包括鉻膜。
10.一種源漏掩模板，用于對(duì)半導(dǎo)體器件的構(gòu)成層進(jìn)行曝光，其特征在于，所述構(gòu)成層在曝光工藝中采用權(quán)利要求1-9任意一項(xiàng)所述的所述相移掩模板。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的源漏掩模板，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極的圖形，所述漏極為棒狀，所述源極設(shè)置于所述漏極的外側(cè)且至少包圍所述漏極的相對(duì)兩側(cè)以及連接該相對(duì)兩側(cè)的相對(duì)垂直側(cè)；相應(yīng)的，所述源漏掩模板對(duì)應(yīng)著形成所述漏極的漏極圖案為棒狀圖案、對(duì)應(yīng)著形成所述源極的源極圖案為U型圖案，所述遮光條至少設(shè)置于對(duì)應(yīng)著U型圖案的豎直邊與圓弧邊形成的拐點(diǎn)的外側(cè)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的源漏掩模板，其特征在于，在曝光工藝中，用于對(duì)形成所述源極和所述漏極的電極材料膜層進(jìn)行遮擋用的光刻膠采用正性光刻膠。
【文檔編號(hào)】G03F1/26GK103969940SQ201410163165
【公開(kāi)日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2014年4月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月22日
【發(fā)明者】黎午升 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司